Integrated Circuit Devices Including Interconnections Insulated by Air Gaps and Methods of Fabricating the Same
Номер патента: US20140342548A1
Опубликовано: 20-11-2014
Автор(ы): BACK Hyunchul, KIM JEEYONG, LEE Hyunmin, LEE Jung-Hwan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-11-2014
Автор(ы): BACK Hyunchul, KIM JEEYONG, LEE Hyunmin, LEE Jung-Hwan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Air gap semiconductor structure and method of manufacture
Номер патента: US20010007788A1. Автор: Ting-Chang Chang,Po-Tsun Liu,Yi-Shien Mor. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-12.