Light-emitting element structure
Номер патента: US20240063335A1
Опубликовано: 22-02-2024
Автор(ы): Jia-Zhe Liu, Po-Jung Lin
Принадлежит: GlobalWafers Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-02-2024
Автор(ы): Jia-Zhe Liu, Po-Jung Lin
Принадлежит: GlobalWafers Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Layered group 111-vcompound semiconductor, method of manufacturing the same, and light emitting element
Номер патента: US20020053680A1. Автор: Yoshinobu Ono,Yasushi Iyechika,Tomoyuki Takada. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.