Memoria no volatil.
Номер патента: MX2019006887A
Опубликовано: 21-10-2019
Автор(ы): Boldrin David, Donchev Evgeniy, Paul Mihai Andrei, Zemen Jan, Zou Bin
Принадлежит: Ip2Ipo Innovatios Ltd
Опубликовано: 21-10-2019
Автор(ы): Boldrin David, Donchev Evgeniy, Paul Mihai Andrei, Zemen Jan, Zou Bin
Принадлежит: Ip2Ipo Innovatios Ltd
Реферат: Una celda de memoria no volátil que comprende: una capa de almacenamiento comprendida de un material ferromagnético o ferroeléctrico en la cual los datos pueden ser grabados como una dirección de la polarización magnética o eléctrica; una capa piezomagnética comprendida de un material piezomagnético de antiperovskita que tiene, de manera selectiva, un primer tipo de efecto en la capa de almacenamiento y un segundo tipo de efecto en la capa de almacenamiento dependiendo del estado magnético y la deformación en la capa piezomagnética; y una capa de inducción de deformación que induce una deformación en la capa piezomagnética con lo cual se cambia del primer tipo de efecto al segundo tipo de efecto.
Memoria no volátil
Номер патента: ES2829336T3. Автор: Bin Zou,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,David BOLDRIN,Evgeniy DONCHEV. Владелец: Ip2ipo Innovations Ltd. Дата публикации: 2021-05-31.