Multi-Bit-Per-Cell Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory.

Multi-Bit-Per-Cell Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20170301405A1
Опубликовано: 19-10-2017
Автор(ы): ZHANG Guobiao
Принадлежит: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Multi-Bit-Per-Cell Three-Dimensional Resistive Random-Access Memory (3D-RRAM)

Номер патента: US20200350030A1. Автор: WANG Zhang,Xiaodong Xiang,Guobiao Zhang,Mei Shen,Hongyu Yu,Yida Li,Shengming Zhou,Guoxing Zhang,Yuejin Guo,Guangzhao LIU,Mingtao HU. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2020-11-05.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory Comprising Dummy Bit Lines

Номер патента: US20180342307A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-11-29.

Three-dimensional one time programmable memory

Номер патента: US20230386579A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

One-time programmable memory and method for verification and access

Номер патента: US11823750B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Giovanni Luca Torrisi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

Multi-bit-per-cell three-dimensional one-time-programmable memory

Номер патента: US10102917B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-10-16.

Multi-Bit-Per-Cell Three-Dimensional Resistive Random-Access Memory (3D-RRAM)

Номер патента: US20200350030A1. Автор: ZHANG Guobiao,Zhang Wang,GUO Yuejin,Zhang Guoxing,Yu Hongyu,Xiang Xiaodong,ZHOU Shengming,LIU Guangzhao,HU Mingtao,Shen Mei,Li Yida. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2020-11-05.

One-time programmable memory read-write circuit

Номер патента: US11682466B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Read-write circuit of one-time programmable memory

Номер патента: EP3905252A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

One-time programmable memory devices and methods

Номер патента: US20240321371A1. Автор: Dimitri Houssameddine,Mark Lin,Juan P. Saenz,Deniz Bozdag. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus and method for testing one-time-programmable memory

Номер патента: WO2012012711A4. Автор: Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

One-time programmable memory circuit, one-time programmable memory and operation method thereof

Номер патента: EP4386758A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-19.

Structures and methods of identifying unprogrammed bits for one-time-programmable-memory (OTPM)

Номер патента: US11694757B2. Автор: Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Amit K. Mishra. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time programmable memory

Номер патента: US20200265907A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Reduced power read sensing for one-time programmable memories

Номер патента: US09548131B1. Автор: Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Quad SRAM Based One Time Programmable Memory

Номер патента: US20090109723A1. Автор: Myron Buer,Jonathan Schmitt,Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

One-time programmable memory devices

Номер патента: US20060056222A1. Автор: Joachim Reiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-16.

One-time programmable memory device

Номер патента: EP1573747B1. Автор: Joachim Christian Reiner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-10-21.

One-time programmable memory device

Номер патента: EP1573747A1. Автор: Joachim Christian Reiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-14.

One time programmable memory with a twin gate structure

Номер патента: US09659944B2. Автор: MEI Xue,Akira Ito,Qintao Zhang,Wenwei YANG. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

One-time programmable memory cell and memory thereof

Номер патента: US20230422494A1. Автор: Yulong Wang,Dan Ning. Владелец: Chengdu Analog Circuit Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Structures and methods of identifying unprogrammed bits for one-time-programmable-memory (otpm)

Номер патента: US20220343988A1. Автор: Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Amit K. Mishra. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

One-time programmable memory circuit, one-time programmable memory and operation method thereof

Номер патента: US20240203515A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory With A Dummy Word Line

Номер патента: US20180366206A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Double-Biased Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20180366207A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: ChengDu SanWei IP Technology LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Multilevel one-time programmable memory device

Номер патента: US8054667B2. Автор: Hoon-Sang Oh,Dong-ki Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory Comprising Off-Die Address/Data-Translator

Номер патента: US20170047127A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: XiaMen HaiCun IP Technology LLC. Дата публикации: 2017-02-16.

Built-in self test for one-time-programmable memory

Номер патента: US8508972B2. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20120092916A1. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20130294143A1. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time-programmable memory

Номер патента: US20200265906A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B. Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time-programmable memory

Номер патента: WO2020172050A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B. Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-08-27.

One-time programmable memory bit cell

Номер патента: US11817160B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

One-time programmable memory bit cell

Номер патента: US20240071536A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

One-time programmable memory bit cell

Номер патента: US20210249095A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD OF PROGRAMMING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20160254056A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan,Lu Xiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die address/data-translator

Номер патента: US09666300B2. Автор: CHEN Shen,Xuguang WANG,Bin Yu,Guobiao Zhang,Hongyu Yu,Chenchang ZHAN,Jinfeng Kang,Dongyun Zhang,Xiangdong Lu,RangYu Deng. Владелец: XiaMen HaiCun IP Technology LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die read/write-voltage generator

Номер патента: US09508395B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

One time programmable memory

Номер патента: US20090059645A1. Автор: Jonathan A. Schmitt,Joseph Eugene Glenn. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

One time programmable memory cell, and otp memory and memory system having the same

Номер патента: KR102524804B1. Автор: 하민열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-24.

Method for programming and reading a plurality of one-time programmable memory blocks

Номер патента: US6728137B1. Автор: Ching-Yuan Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-27.

One Time Programmable Memory

Номер патента: US20160276042A1. Автор: Simmons Michael,Pesavento Rodney. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-22.

System and method for providing write termination for one-time programmable memory cells

Номер патента: CN115210813A. Автор: H·李,金基中,A·C·科塔. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-10-18.

Self-latch sense timing in a one-time-programmable memory architecture

Номер патента: US10192629B2. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20180137928A1. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Self-latch sense timing in a one-time-programmable memory architecture

Номер патента: US09881687B2. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Circuit and method for programming a one-time programmable memory

Номер патента: US11183258B1. Автор: Pavel Latal,Pavel Londak,Petr Hlavica. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-11-23.

Read-write circuit of one-time programmable memory

Номер патента: EP3905252A4. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

One-time programmable memory and an operation method thereof

Номер патента: US20210312998A1. Автор: Ying Yan,Jianming Jin. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Multi-state one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20240071538A1. Автор: Chen-Feng Chang,Shu-Chieh Chang,Meng-Lin Wu,Yu-Chen Lo,Tsung-Han Lu,Chun-Hao Liang,Dong-Yu Wu. Владелец: Jmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

One-time programmable memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20230377672A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

One-time programmable memory device with ecc circuit and double error processing

Номер патента: EP4280214A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Single circuit one-time programmable memory and volatile memory

Номер патента: US10297334B2. Автор: Vikram Gakhar,Preetam Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Anindita BORAH,Kushal D. Murthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: GB2587089A. Автор: Chung Shine. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Write driver and program driver for otp (one-time programmable) memory with magnetic tunneling junction cells

Номер патента: US20150103586A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICES USING FinFET TECHNOLOGY

Номер патента: US20150187431A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150287474A1. Автор: YOON Hyun-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200327951A1. Автор: JUNG Chul Moon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: US20200350031A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

One-time programmable memory apparatus

Номер патента: KR101619779B1. Автор: 김영희. Владелец: 창원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-05-11.

One-time programmable memory device

Номер патента: WO2023247645A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

Circuit for verifying the write enable of a one time programmable memory

Номер патента: US20110267869A1. Автор: Alexander B. Hoefler,Mohamed S. Moosa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

One-time programmable memory device having access circuit

Номер патента: US09905309B2. Автор: Sang Seok Lee,Hoon Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

eFUSE one-time programmable memory with inter integrated circuit (I2C) communication and operation method thereof

Номер патента: US12046312B2. Автор: Sungbum Park,Ilwoo LEE,Keesik AHN,Woojin Han,Wan-Chul KONG,Changbum IM. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Verifiable one-time programmable memory device

Номер патента: EP4205113A1. Автор: Hakan Englund,Niklas LINDSKOG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-07-05.

Verifiable one-time programmable memory device

Номер патента: US20230317187A1. Автор: Hakan Englund,Niklas LINDSKOG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-10-05.

One-time programmable memory cell and method for managing the logic state of the memory cell

Номер патента: US20240292610A1. Автор: Pascal Fornara. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-29.

Circuit for reading one time programmable memory

Номер патента: US09659667B2. Автор: Beom Seon RYU. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

And-type one time programmable memory cell

Номер патента: CA2682092C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

And-type one time programmable memory cell

Номер патента: US20110103127A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: SIDENCE CORP. Дата публикации: 2011-05-05.

Tri-states one-time programmable memory (OTP) cell

Номер патента: US20070069297A1. Автор: YU Chang,Sung-Shan Tai,Yongzhong Hu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Integrated circuits and methods for dynamic allocation of one-time programmable memory

Номер патента: US20180286489A1. Автор: Jun Xie,Rakesh Pandey,Mohit Arora. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL, AND OTP MEMORY AND MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20200219575A1. Автор: HA Min Yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-09.

One-time programmable memory, electronic system, method for operating one-time programmable memory and method for programming one-time programmable memory

Номер патента: CN106133841B. Автор: 庄建祥. Владелец: Shangfeng Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

One time programmable memory

Номер патента: US20210391018A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

One time programmable memory

Номер патента: US20230282287A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

One time programmable memory

Номер патента: US20220199167A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

One time programmable memory cell and memory array

Номер патента: US20180061756A1. Автор: Henning Feick,Martin Bartels,Kerstin Kaemmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL ARRAYS

Номер патента: US20160078962A1. Автор: PARK Sung Kun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND METHOD FOR PROGRAMMING AND READING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20160141295A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND METHOD FOR PROGRAMING AND READING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20150243366A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,HUANG CHIH-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Integrated circuit one time programmable memory cell having two branches with silicon programming resistor connected one terminal and differential memory state reading terminals with switches connecting read/second terminal.

Номер патента: FR2836749A1. Автор: Alexandre Malherbe,Luc Wuidart,Michel Bardouillet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-09-05.

Integrated circuits and methods for dynamic allocation of one-time programmable memory

Номер патента: US11551769B2. Автор: Jun Xie,Rakesh Pandey,Mohit Arora. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Integrated circuits and methods for dynamic allocation of one-time programmable memory

Номер патента: US20180060164A1. Автор: Jun Xie,Rakesh Pandey,Mohit Arora. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US20110309421A1. Автор: Yue-Song He,Harry S. Luan,Ting-Wah Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Method and apparatus for post-packaging testing on one-time programmable memories

Номер патента: HK1000389A1. Автор: OKA Hiroyuki,Paul E Grimme,Paul D Shannon,Robert W Sparks. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-03-13.

Circuit and System of a Low Density One-Time Programmable Memory

Номер патента: US20130201745A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

DIODE-LESS ARRAY FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20140050006A1. Автор: Han Tzung-Ting,Chen Kuan-Fu,CHEN YIN-JEN,Chen Ming-Shang. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-20.

ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

One Time Programmable Memory with a Twin Gate Structure

Номер патента: US20170005103A1. Автор: ITO Akira,Zhang Qintao,YANG Wenwei,XUE Mei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2017-01-05.

Reduced Power Read Sensing for One-Time Programmable Memories

Номер патента: US20170025186A1. Автор: Bill Colin Stewart. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180025785A1. Автор: JEONG Duk Ju. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING POLYSILICON DIODES AS PROGRAM SELECTORS

Номер патента: US20140126266A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-08.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR DYNAMIC ALLOCATION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20180060164A1. Автор: Xie Jun,Pandey Rakesh,Arora Mohit. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICES USING FinFET TECHNOLOGY

Номер патента: US20170062071A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY ARRAY HAVING SMALL CHIP AREA

Номер патента: US20170076757A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

ANTI-FUSE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND RELATED ARRAY STRUCTURE

Номер патента: US20210158881A1. Автор: Chen Wei-Fan,Wu Chun-Peng. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory Comprising No Separate Diode Layer

Номер патента: US20180137927A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20180137928A1. Автор: Qiu Yunchen,Davis Harold L.,Toops David J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

PARALLEL PROGRAMMING OF ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY ARRAY FOR REDUCED TEST TIME

Номер патента: US20180158532A1. Автор: ANAND Darren L.,Hunt-Schroeder Eric D.,LAMPHIER Steven. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20170178742A1. Автор: Qiu Yunchen,Davis Harold L.,Toops David J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

METHOD FOR PROGRAMMING ANTIFUSE-TYPE ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL

Номер патента: US20170206980A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory Comprising Multiple Antifuse Sub-Layers

Номер патента: US20180204844A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY BIT CELL

Номер патента: US20210249095A1. Автор: Chang Meng-Sheng,YANG Yao-Jen,WU Min-Shin. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY IN A HIGH-DENSITY THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE

Номер патента: US20190221277A1. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND A DATA WRITING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170243660A1. Автор: Kim Tae-Seong,JUNG Hyun-taek. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Systems and Methods to Provide Write Termination for One Time Programmable Memory Cells

Номер патента: US20210280263A1. Автор: Lee Hochul,KIM Keejong,Kota Anil Chowdary. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND AN OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210312998A1. Автор: Yan Ying,JIN Jianming. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

METHODS AND APPARATUS TO IMPROVE PERFORMANCE WHILE READING A ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20200265906A1. Автор: Balasubramanian Suresh,Spriggs Stephen Wayne,Jamison George B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

METHODS AND APPARATUS TO IMPROVE PERFORMANCE WHILE READING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20200265907A1. Автор: Balasubramanian Suresh,Spriggs Stephen Wayne,Jamison George B. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE HAVING ACCESS CIRCUIT

Номер патента: US20170287570A1. Автор: Lee Sang Seok,BANG Hoon Jin. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR DYNAMIC ALLOCATION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20180286489A1. Автор: Xie Jun,Pandey Rakesh,Arora Mohit. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20170301674A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-19.

CIRCUIT FOR READING ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20160329107A1. Автор: RYU Beom Seon. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND CIRCUIT

Номер патента: US20150380103A1. Автор: Chen Da,Braun Eric. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

One time programmable memory cell

Номер патента: FR3125352A1. Автор: Patrick Calenzo,Lia MASOERO. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-20.

OTP(One Time Programmable) Memory Device for improving Write Performance

Номер патента: KR102466355B1. Автор: 이상석,방훈진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-11-14.

One-time programmable memory cell

Номер патента: US20100284210A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

One-time programmable memory cell

Номер патента: EP4120275A1. Автор: Patrick Calenzo,Lia MASOERO. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-18.

One-time programmable memory cell in cmos technology

Номер патента: US20020027822A1. Автор: Philippe Candelier,Jean-Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-03-07.

One-time programmable memory element and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115440671A. Автор: 薛胜元,李国兴,林俊贤,杨智伟,翁彰键,叶德炜. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

One-time programmable memory and its data recording method

Номер патента: TWI269306B. Автор: Yi-Jou Huang,Shiau-Lung Wu. Владелец: Fortune Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Diode-less array for one-time programmable memory

Номер патента: US7486534B2. Автор: Kuan Fu Chen,Yin Jen Chen,Tzung Ting Han,Ming Shang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-03.

Anti-fuse one-time programmable memory cell and related array structure

Номер патента: TWI756882B. Автор: 陳偉梵,吳俊鵬. Владелец: 補丁科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-03-01.

Diode-less array for one-time programmable memory

Номер патента: CN100466265C. Автор: 韩宗廷,陈冠复,陈铭祥,陈映仁. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

One-time programmable memory device and methods thereof

Номер патента: US20110107010A1. Автор: Timothy J. Strauss,Kelly K. Taylor. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-05-05.

Method using a one-time programmable memory cell

Номер патента: US7376022B2. Автор: Myron Buer,Douglas D. Smith,Bassem F. Radieddine. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

One time programmable memory and method of operation

Номер патента: KR101236582B1. Автор: 알렉산더 비. 호플러,고우리샨카르 엘. 친달로레. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2013-02-22.

One-time programmable memory device and methods thereof

Номер патента: CN102597975A. Автор: K·K·泰勒,T·J·施特劳斯. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-18.

Method using a one-time programmable memory cell

Номер патента: US20070041246A1. Автор: Myron Buer,Douglas Smith,Bassem Radieddine. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

One time programmable memory cell capable of reducing current leakage

Номер патента: EP3196936B1. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Differential Latch-Based One Time Programmable Memory

Номер патента: US20090109724A1. Автор: Myron Buer,Jonathan Schmitt,Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

One time programmable memory cell

Номер патента: WO2006121828A2. Автор: Yongzhong Hu. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2006-11-16.

One time programmable memory

Номер патента: US11651826B2. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

One time programmable memory cell

Номер патента: TW200701443A. Автор: Sung-Shan Tai,Yong-Zhong Hu. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2007-01-01.

Programming method of one-time programmable memory of integrated circuit

Номер патента: TW200807424A. Автор: Po-Yin Chao,Kuo-Yuan Yuan,Hsiang-Min Lin. Владелец: Fortune Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-02-01.

Hacker-proof one time programmable memory

Номер патента: US20040228157A1. Автор: Myron Buer,Tony Turner. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

One-time programmable memory devices using FinFET technology

Номер патента: US09754679B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: US12040028B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Yao-Hung Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-16.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: US20230343403A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Yao-Hung Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-10-26.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US20220301631A1. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US11854588B2. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Automatic programming time selection for one time programmable memory

Номер патента: US20040170059A1. Автор: Myron Buer,Tony Turner. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

MULTIPLE TIME PROGRAMMABLE MEMORY USING ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND ERROR CORRECTION CODES

Номер патента: US20220301631A1. Автор: SALO Teemu,TÖRNQVIST Vesa. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20130294143A1. Автор: Samuels Howard R.,Kelly Thomas W.,Lee James M.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

One time programmable memory test structures and methods

Номер патента: US8122307B1. Автор: Todd E. Humes,Chad A. Lindhorst,Andrew E. Horch,Ernest Allen, III. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory Comprising Off-Die Read/Write-Voltage Generator

Номер патента: US20160189754A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-06-30.

Discrete Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20160189791A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

Discrete Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20160189792A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

Discrete three-dimensional one-time-programmable memory

Номер патента: US9558842B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor nonvolatile memory device with one-time programmable memories

Номер патента: US09355740B2. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

One Time Programmable Memory and System-on Chip including One Time Programmable Memory

Номер патента: KR102217240B1. Автор: 주종두. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-18.

Apparatus and method for programming a one-time programmable memory device

Номер патента: US20050070052A1. Автор: Ranbir Singh,Ross Kohler,Richard McPartland. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2005-03-31.

Apparatus and method for programming a one-time programmable memory device

Номер патента: TW200527437A. Автор: Ranbir Singh,Richard Joseph Mcpartland,Ross A Kohler. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2005-08-16.

One time programmable memory

Номер патента: US20060139995A1. Автор: Fabrice Paillet,Vivek De,Dinesh Somasekhar,Yibin Ye,Ali Keshavarzi,Mohsen Alavi,Muhammad Khellah,Stephen Tang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Method and apparatus for performing multi-programmable function with one-time programmable memories

Номер патента: TWI271620B. Автор: Chien-Liang Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-21.

One-time-programmable memory emulation

Номер патента: US8417902B2. Автор: Jean-Pascal Maraninchi,Majid Kaabouch,Carine Lefort. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-09.

One-time programmable memory cell

Номер патента: EP0996064A1. Автор: Francois Jacquet,Richard Ferrant. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2000-04-26.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: US09876123B2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Jun Yuan,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20190156895A1. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: WO2016137734A3. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-11-24.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20160254056A1. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: WO2016137734A2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: EP3262691A2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL INCLUDING ANTI-FUSE WITH MAETAL/POLYCIDE GATE

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Chiu Re-Long,Ying Shu-Lan,Chung Wen-Szu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL INCLUDING ANTI-FUSE WITH METAL/POLYCIDE GATE

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Chiu Re-Long,Ying Shu-Lan,Chung Wen-Szu. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD OF PROGRAMMING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20190156895A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan,Lu Xiao. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: CN106537590A. Автор: B·杨,X·李,X·陈,Z·王,J·袁,X·陆,J·J·徐. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

SINGLE CIRCUIT ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20170337985A1. Автор: Gakhar Vikram,VENKATESWARAN Muthusubramanian,Murthy Kushal D.,Tadeparthy Preetam,BORAH Anindita. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

One-time programmable memory and test method thereof

Номер патента: US20140177364A1. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Antifuse one time programmable memory and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100667894B1. Автор: 박성근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-11.

One-Time Programmable Memory Cell, Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130163306A1. Автор: Lin Yinyin. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Memory devices including one-time programmable memory cells

Номер патента: US20160093621A1. Автор: Hyun-Min Choi,Sangwoo Pae,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-31.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND SYSTEM-ON CHIP INCLUDING ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150138870A1. Автор: JOO Jong-Doo. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

memory device including one-time programmable memory cells

Номер патента: KR102358054B1. Автор: 조학주,최현민,배상우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-02-04.

METHOD AND APPARATUS FOR USING REFERENCE RESISTOR IN ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY OF AN ARTIFICIAL INTELLIGENCE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190180173A1. Автор: Torng Chyu-Jiuh,Liu Daniel H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Method apparatus for resuming and recovery checking from interrupted programming of one-time programmable memory device

Номер патента: US20200104221A1. Автор: Michael A Kost,Girish Subramaniam,John P Tourish,Bradley A Lambert. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method apparatus for resuming and recovery checking from interrupted programming of one-time programmable memory device

MARGIN TEST FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY (OTPM) ARRAY WITH COMMON MODE CURRENT SOURCE

Номер патента: US20190108895A1. Автор: FIFIELD John A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20230420063A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

Implementation of a one time programmable memory using a MRAM stack design

Номер патента: US09805816B2. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

System implementation of one-time programmable memories

Номер патента: US20200242022A1. Автор: Ghavam Shahidi,Chitra Subramanian,Seiji Munetoh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

One-time-programmable memory

Номер патента: US12027220B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

One-time-programmable memory

Номер патента: US20240312543A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Anti-fuse one-time programmable memory cell and anti-fuse one-time programmable memory array

Номер патента: US09589971B1. Автор: Yu-Wen Chen,Ching-Hsiang Lin,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Hsuan-Chi Su. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

One-time programmable memory

Номер патента: EP1286356A2. Автор: Lung T. Tran,Thomas C. Anthony,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-02-26.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20240224512A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

One-time programmable memory cell capable of reducing leakage current and preventing slow bit response, and method for programming a memory array comprising the same

Номер патента: US09601499B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell and anti-fuse type one-time programmable memory cell arrays

Номер патента: US09418754B2. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US20140217484A1. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US09922721B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US09887201B2. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for programming antifuse-type one time programmable memory cell

Номер патента: US09799410B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US09431254B2. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Controller for controlling one-time programmable memory, system, and operation method thereof

Номер патента: US20230376211A1. Автор: Ja Hyun KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

One-time programmable memory device

Номер патента: US11956947B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL CAPABLE OF REDUCING LEAKAGE CURRENT AND PREVENTING SLOW BIT RESPONSE, AND METHOD FOR PROGRAMMING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20170117284A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

One-time programmable memory cell, memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US9019741B2. Автор: Yinyin Lin. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-28.

One-time programmable memory unit and memory unit array

Номер патента: CN105869678B. Автор: 朴圣根. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-14.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11362097B1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220181336A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20150311215A1. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

One-time programmable memory devices using FinFET technology

Номер патента: US09460807B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

One-time programmable memories using polysilicon diodes as program selectors

Номер патента: US20120044738A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Chung Shine C. Дата публикации: 2012-02-23.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20170053927A1. Автор: Luan Harry Shengwen. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20220084611A1. Автор: Wang Yih,NOGUCHI Hiroki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220181336A1. Автор: CHERN GEENG-CHUAN. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY USING GATE-ALL-AROUND STRUCTURES

Номер патента: US20200194499A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

SYSTEM IMPLEMENTATION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORIES

Номер патента: US20200242022A1. Автор: Munetoh Seiji,SHAHIDI Ghavam,Subramanian Chitra. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Data Storage with In-situ String-Searching Capabilities Comprising Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20180268900A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-09-20.

Implementation of a One Time Programmable Memory Using a MRAM Stack Design

Номер патента: US20160293268A1. Автор: Jan Guenole,Wang Po-Kang,Zhu Jian,Liu Huanlong,Lee Yuan-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Multi bit OTP(One Time Programmable) memory device using multi plug and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR101446332B1. Автор: 성정헌,김덕기,정성엽,유하영,주영창,황수정. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2014-10-08.

One-time programmable memory cell and its manufacture method

Номер патента: CN103579246B. Автор: 全成都. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Circuit for Reading the One Time Programmable memory

Номер патента: KR102071328B1. Автор: 유범선. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2020-03-03.

Method for accessing one-time programmable memory and related circuit

Номер патента: CN113568560A. Автор: 李朝明,彭作辉,王婕妤. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-29.

One-time-programmable memory in a high-density three-dimensional structure

Номер патента: US10672490B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Three-dimensional vertical one-time-programmable memory comprising multiple antifuse sub-layers

Номер патента: US10490562B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

eFuse ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT USING JUNCTION DIODE

Номер патента: KR101762918B1. Автор: 김영희. Владелец: 창원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-07-28.

One-time programmable memory

Номер патента: DE60224622T2. Автор: Frederick A. Palo Alto Perner,Lung T. Saratoga Tran,Thomas C. Sunnyvale Anthony. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-10-23.

One-time programmable memory array having small chip area

Номер патента: JP2018032460A. Автор: 陳　信銘,Shinmei Chin,信銘陳,孟益 ▲呉▼,Meng Yi Wu,偉哲翁,Itetsu O. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: TWI795275B. Автор: 林崇榮,金雅琴,黃耀弘. Владелец: 國立清華大學. Дата публикации: 2023-03-01.

One-time programmable memory array having small chip area

Номер патента: US9620176B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory card having one-time programmable memory

Номер патента: US6836834B2. Автор: Paul E. Schulze,Laurence J. Lobel. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-12-28.

Memory card having one-time programmable memory

Номер патента: US20040098428A1. Автор: Paul Schulze,Laurence Lobel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for patching code located in one time programmable memory

Номер патента: US20240264825A1. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Secure key access with one-time programmable memory and applications thereof

Номер патента: EP2381672A1. Автор: Norman Stewart,Paul Ducharne,Albert Yunsang Wong,Wendy Wai Yin,Shijun Hunang. Владелец: ViXS Systems Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US11397535B2. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US20210200440A1. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

One-Time Programmable Memory and Operating Method Thereof

Номер патента: US20090323387A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Art Talent Industrial Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US20240015958A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US11825648B2. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

One-time programmable memory unit cell

Номер патента: US20230413540A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

One-time programmable memory device and method for verifying data for such memory device

Номер патента: US09740561B2. Автор: Cheng-Tie Chen,Guobing Mo,Shuna Xu. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Chip fingerprint management based upon one-time programmable memory

Номер патента: US20190347446A1. Автор: Moyang CHEN. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Controlling access to data storage means using a one-time-programmable memory device

Номер патента: GB2490875A. Автор: Nick Evans,Ian Storey. Владелец: FUTURE UPGRADES Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Apparatus and method for providing one time programmable memory features in a hypervisor of a computing device

Номер патента: US11775201B2. Автор: Kui Wang,Liming Wu,Igor STOPPA,Rémi Robert Michel DENIS-COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and method for providing one time programmable memory features in a hypervisor of a computing device

Номер патента: WO2020030268A1. Автор: Kui Wang,Liming Wu,Igor STOPPA,Remi DENIS COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-13.

One-time programmable memory controller, related processing system, integrated circuit and method

Номер патента: US20230409320A1. Автор: Stefano Catalano,Giuseppe Guarnaccia,Antonino Giuseppe Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and System of Using One-Time Programmable Memory as Multi-Time Programmable in Code Memory of Processors

Номер патента: US20120047322A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Chung Shine C. Дата публикации: 2012-02-23.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR VERIFYING DATA FOR SUCH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170132078A1. Автор: XU Shuna,MO Guobing,Chen Cheng-Tie. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

SYSTEM AND METHOD FOR MODIFICATION OF CODED INSTRUCTIONS IN READ-ONLY MEMORY USING ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150242213A1. Автор: Wang Zhongze,Li Yanru,CHUN Dexter Tamio,Uvieghara Gregory Ameriada,Ali Dhamim Packer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for updating program components stored on a one-time programmable memory

Номер патента: GB9908563D0. Автор: . Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1999-06-09.

One-time programmable memory using rupturing of gate insulation

Номер патента: US09953990B1. Автор: Andrew E. Horch,Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus and method for providing one time programmable memory features in a hypervisor of a computing device

Номер патента: EP3814913B1. Автор: Kui Wang,Liming Wu,Igor STOPPA,Rémi Robert Michel DENIS-COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

VIRTUAL ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY MANAGEMENT

Номер патента: US20200026474A1. Автор: Kumar Ambuj,Moss Roy. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

SECURE KEY ACCESS WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND APPLICATIONS THEREOF

Номер патента: US20140136855A1. Автор: Ducharme Paul D.,Cheung Wendy Wai Yin,Wong Albert Yunsang,Huang Shijun,Stewart Norman V.D.. Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE AND FAULT TOLERANCE METHOD THEREOF

Номер патента: US20210200440A1. Автор: LI Yu-Shan,WU Kun-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US20210200671A1. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY FEATURES IN A HYPERVISOR OF A COMPUTING DEVICE

Номер патента: US20210342092A1. Автор: WANG Kui,Wu Liming,DENIS-COURMONT Rémi Robert Michel,STOPPA Igor. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

Processor Comprising Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory for Enhancing Network Security

Номер патента: US20180270255A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-09-20.

Patching of Program Code Executed from One Time Programmable Memory

Номер патента: US20150317152A1. Автор: Todd Philip. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-11-05.

VIRTUAL ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY MANAGEMENT

Номер патента: US20160335196A1. Автор: Kumar Ambuj,Moss Roy. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

CHIP FINGERPRINT MANAGEMENT BASED UPON ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20190347446A1. Автор: CHEN Moyang. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

One-time programmable memory device and data verification method thereof

Номер патента: CN106681855A. Автор: 陈正泰,莫国兵,许树娜. Владелец: Acrospeed Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

One-time programmable memories for key storage

Номер патента: US8433930B1. Автор: Martin Langhammer,Keone Streicher,David Jefferson,Juju Joyce. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

One-time programmable memory device and fault tolerant method thereof

Номер патента: TWI719779B. Автор: 吳坤益,李鈺珊. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-21.

One-time programmable memories for key storage

Номер патента: US7818584B1. Автор: Martin Langhammer,Keone Streicher,David Jefferson,Juju Joyce. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Data programming method and data reading method and one-time programmable memory using thereof

Номер патента: TWI419168B. Автор: Chun Hsiung Hung,Chung Kuang Chen,Han Sung Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Patching of Program Code Executed from One Time Programmable Memory

Номер патента: US20150317152A1. Автор: Philip Todd. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-11-05.

Programmable read-only memory device

Номер патента: GB2572148A. Автор: RACHINSKY Rumen,IVANOV Valeri,Radv Aleksandar. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2019-09-25.

Memory and method for writing thereto

Номер патента: EP3916730A1. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Giovanni Luca Torrisi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2021-12-01.

Memory and method for writing thereto

Номер патента: US20210375377A1. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Giovanni Luca Torrisi. Владелец: Stmicroelectronics STL. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile programmable memory cell and memory array

Номер патента: WO2010002585A1. Автор: Gerardo Monreal. Владелец: Allegro Microsystems, Inc.. Дата публикации: 2010-01-07.

One-Time Programmable Memory Cell

Номер патента: US20140071731A1. Автор: Yong Lu,Jonathan Schmitt,Owen Hynes,Roy Milton Carlson. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20240324192A1. Автор: Shigenobu Maeda,Eun Young Lee,Sangjin Lee,Kwan Young Kim,Bora KIM,Hoonjin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Antifuse one-time programmable memory

Номер патента: US09589970B1. Автор: Yuan-Heng Tseng,Chih-Shan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for producing one-time-programmable memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09589968B2. Автор: Philippe Candelier,Stephane Denorme. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-03-07.

One-time programmable memory capacitor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230147512A1. Автор: Po-Wen Su,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor One-Time Programmable Memory for Nanometer CMOS

Номер патента: US20210125999A1. Автор: Donghyuk Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-29.

One-time-programmable memory devices

Номер патента: US20230337419A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Antifuse one time programmable memory array and method of manufacture

Номер патента: US7678620B2. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-03-16.

One-time programmable memory cell

Номер патента: US20230247827A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Ching-Hsiang Tseng,Kuo-Hsing Lee,Chang-Chien Wong,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

One-time programmable memory device including anti-fuse element

Номер патента: US20230284442A1. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

One-time programmable memory device including anti-fuse element

Номер патента: US11963347B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

One-time programmable memory device including anti-fuse element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366918A1. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

One-time programmable memory device including anti-fuse element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11665890B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Method for producing one-time-programmable memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09881928B2. Автор: Philippe Candelier,Stephane Denorme. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-30.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130161761A1. Автор: He Yue-Song,Luan Harry S.,Wong Ting-Wah. Владелец: KILOPASS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor One-Time Programmable Memory for Nanometer CMOS

Номер патента: US20210125999A1. Автор: Ju Donghyuk. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

METHOD FOR PRODUCING ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY CELLS AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170133390A1. Автор: Denorme Stéphane,Candelier Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140217484A1. Автор: Luan Harry Shengwen. Владелец: KILOPASS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

One time programmable memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20170154890A1. Автор: Hyun-Min Choi,Sang-Woo Pae,Min-jung Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-01.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220310633A1. Автор: CHIU Hsih-Yang,LI WEI-ZHONG. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory Comprising Schottky Diodes

Номер патента: US20180226414A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE INCLUDING ANTI-FUSE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210366918A1. Автор: Lin Jian-Hong,Wang Ming-Yih,OU Chiung-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-11-25.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20150311215A1. Автор: Luan Harry Shengwen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Method for Producing One-Time-Programmable Memory Cells and Corresponding Integrated Circuit

Номер патента: US20160343720A1. Автор: Denorme Stéphane,Candelier Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Low cost digital camera with one-time programmable memory

Номер патента: US20060152601A1. Автор: Kunal Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-07-13.

Current in one-time-programmable memory cells

Номер патента: US8664706B2. Автор: Allan T. Mitchell,Weidong Tian,Shanjen “Robert” Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-04.

One-time programmable memory device

Номер патента: CN113270412A. Автор: 王奕,黄家恩,张盟昇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

One time programmable memory device, integrated circuit including the same and method for fabricating thereof

Номер патента: KR100518577B1. Автор: 구정모,오희선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-04.

One-time programmable memory element

Номер патента: CN115249711A. Автор: 薛胜元,李国兴,林俊贤. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-28.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US20220336479A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

One-time programmable memory device

Номер патента: US11778814B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Mos transistor having lower gate-to-source/drain breakdown voltage and one-time programmable memory device using the same

Номер патента: US20210320110A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

시리얼 인터페이스 로직을 포함하는 이퓨즈 방식의 오티피 메모리 장치 및 그의 동작 방법

Номер патента: KR20230123618A. Автор: 박성준,안기식,공완철. Владелец: 주식회사 키파운드리. Дата публикации: 2023-08-24.

Chip detection method and device

Номер патента: US20220310186A1. Автор: Jianbo Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

시리얼 인터페이스 로직을 포함하는 이퓨즈 방식의 오티피 메모리 장치 및 그의 동작 방법

Номер патента: KR102586223B1. Автор: 박성준,안기식,공완철. Владелец: 주식회사 키파운드리. Дата публикации: 2023-10-06.

A program lock circuit for a mask programmable anti-fuse memory array

Номер патента: CA2645788C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Twin well split-channel otp memory cell

Номер патента: CA2778993C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

High Reliable OTP Memory with Low Reading Voltage

Номер патента: US20190341119A1. Автор: Jack Z. Peng,Junhua Mao,Xuyang LIAO. Владелец: Sichuan Kiloway Electronics Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (otp) memory arrays

Номер патента: WO2008057311A3. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Shekar Mallikararjunaswamy. Дата публикации: 2008-07-03.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (otp) memory arrays

Номер патента: WO2008057311A2. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2008-05-15.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (OTP) memory arrays

Номер патента: US20080112204A1. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

High Reliability OTP Memory by Using of Voltage Isolation in Series

Номер патента: US20190341393A1. Автор: Jack Z. Peng,Junhua Mao,Xuyang LIAO. Владелец: Sichuan Kiloway Electronics Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Gradual breakdown memory cell having multiple different dielectrics

Номер патента: US20210125924A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Reverse programmed resistive random access memory (ram) for one time programmable (otp) applications

Номер патента: US20230317157A1. Автор: ZHI Li,Sung-Hyun JO,Derek Lau. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Reverse programmed resistive random access memory (RAM) for one time programmable (OTP) applications

Номер патента: US12020748B2. Автор: ZHI Li,Sung-Hyun JO,Derek Lau. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US11574684B2. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Dual-Function Read/Write Cache for Programmable Non-Volatile Memory

Номер патента: US20140241066A1. Автор: Louis A. Williams, Iii,David Alexander Grant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

1.5t otp memory device and method for fabricating same

Номер патента: US20240179896A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Flash memory device with sense-amplifier-bypassed trim data read

Номер патента: US20150279473A1. Автор: Sung Jin Yoo,HanKook Kang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Adaptive reference scheme for magnetic memory

Номер патента: WO2017116763A3. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-10-19.

Adaptive reference scheme for magnetic memory applications

Номер патента: US09747965B2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Adaptive Reference Scheme for Magnetic Memory Applications

Номер патента: US20170186472A1. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee,John De Brosse. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Improved adaptive reference scheme for magnetic memory aplications

Номер патента: WO2017116763A2. Автор: Po-Kang Wang,Guenole Jan,John DeBrosse,Yuan-Jen Lee. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Memory using variable tunnel barrier widths

Номер патента: US7538338B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Wayne Kinney,Edmond Ward. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-05-26.

Write-once read-many amorphous chalcogenide-based memory

Номер патента: WO2019156730A1. Автор: Federico Nardi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-15.

Neural network inference accelerator based on one-time-programmable (otp) memory arrays with one-way selectors

Номер патента: US20210134379A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Programmable Memory Cell with a Feedback Signal for Programming the Programmable Memory Cell

Номер патента: US20200251166A1. Автор: Ching-Hsiang Lin,Wen-Hua Yu,Wei-Fan Wu,Shih-Hsiu CHEN,Hsuan-Chi Su,Wei Huan Chen,Yung-Chien Lee,Shui-Shou Wang. Владелец: Agi Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Programmable Memory Cell Using an Internal Parasitic Diode for Programming the Programmable Memory Cell

Номер патента: US20200251171A1. Автор: Ching-Hsiang Lin,Wen-Hua Yu,Wei-Fan Wu,Shih-Hsiu CHEN,Hsuan-Chi Su,Wei Huan Chen,Yung-Chien Lee,Shui-Shou Wang. Владелец: Agi Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Imei storage

Номер патента: US20190104122A1. Автор: Claus Dietze,Jan Eichholz,Frank Götze. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2019-04-04.

One-time programmable bitcell with native anti-fuse

Номер патента: US20180114582A1. Автор: Andrew E. Horch,Martin Luc Cecil Arthur Niset,Ting-Jia Hu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

System and method for generating random bit string in an integrated circuit

Номер патента: US20210026604A1. Автор: Udayan Ganguly,Sunny Sadana,Sanjay Ashwin Lele. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2021-01-28.

Unidirectional counter

Номер патента: US20220382868A1. Автор: Yuval Itkin,Guy HAREL,Mor Sfadia. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Unidirectional counter

Номер патента: EP4099157A1. Автор: Yuval Itkin,Guy HAREL,Mor Sfadia. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2022-12-07.

Method and system for accessing protected memory

Номер патента: US09489318B2. Автор: Iue-Shuenn Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

System and method for emulating many time programmable memory

Номер патента: US09465559B2. Автор: Timothy P. Butler,Leonid Mats,David Puleston,Javier Berrios,Robert W. Hamlin,Steve Beckhardt,Larry Moore. Владелец: Tego Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

System and method of utilizing off-chip memory

Номер патента: US20050060485A1. Автор: Mark Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Secure boot method of iot apparatus and iot apparatus

Номер патента: EP4432148A1. Автор: Ze Jin. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method and system for version control in a reprogrammable security system

Номер патента: US09811330B2. Автор: Stephane Rodgers. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Unique secure serial ID

Номер патента: US09582686B1. Автор: Martin Langhammer,Juju Joyce. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180129809A1. Автор: Yibo Zhang,Andrei Konan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for detecting flash memory module and associated system on chip

Номер патента: US11809273B2. Автор: Chia-Liang Hung,Jia-Jhe Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

System and method to implement a secure boot event with one of a plurality of candidate public key infrastructure authentication key sets

Номер патента: US20240143772A1. Автор: Brian Farrell. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Processing system, related integrated circuit, device and method

Номер патента: US20180357015A1. Автор: Roberto Colombo. Владелец: STMicroelectronics Application GmbH. Дата публикации: 2018-12-13.

Integrated circuit with a patching function

Номер патента: US09600207B2. Автор: Nikolaos Moschopoulos,Dimitris Chanos,Ioannis Sifnaios,Konstantinos Ninos,Dimitrios Papadopoulos. Владелец: Dialog Semiconductor BV. Дата публикации: 2017-03-21.

Device keys protection

Номер патента: CA2968452C. Автор: Nicolas Fischer,Didier Hunacek,Marco Macchetti. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2023-10-10.

Integrated circuit with a patching function

Номер патента: EP2778905A1. Автор: Nikolaos Moschopoulos,Dimitris Chanos,Ioannis Sifnaios,Konstantinos Ninos,Dimitrios Papadopoulos. Владелец: Dialog Semiconductor BV. Дата публикации: 2014-09-17.

Method and apparatus for preventing rollback of firmware of data processing device, and data processing device

Номер патента: US20220414189A1. Автор: Zhiming Fu,Weibin Ma,Lihong Huang,Jianli Wei. Владелец: Shenzhen MicroBT Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Reducing amount of helper data in silicon physical unclonable functions via lossy compression without production-time error characterization

Номер патента: US20200052913A1. Автор: Ye Wang,Michael Orshansky. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2020-02-13.

Cell structure of one-time programmable memory (OTP) device and manufacturing method and operating method of cell structure

Номер патента: CN102064178B. Автор: 胡晓明. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

One-time programmable memory and manufacturing method

Номер патента: CN102522408A. Автор: 吴小利,令海阳. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2012-06-27.

Multi-Bit-Per-Cell Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты