eFuse ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT USING JUNCTION DIODE .

eFuse ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT USING JUNCTION DIODE

Номер патента: KR101762918B1
Опубликовано: 28-07-2017
Автор(ы): 김영희
Принадлежит: 창원대학교 산학협력단
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US20140217484A1. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US09887201B2. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US09431254B2. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20150311215A1. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: US09876123B2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Jun Yuan,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

One-time programmable memory devices using FinFET technology

Номер патента: US09754679B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

One-time programmable memory cell capable of reducing leakage current and preventing slow bit response, and method for programming a memory array comprising the same

Номер патента: US09601499B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

One-time programmable memory devices using FinFET technology

Номер патента: US09460807B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

One-time programmable bitcell with native anti-fuse

Номер патента: US20180114582A1. Автор: Andrew E. Horch,Martin Luc Cecil Arthur Niset,Ting-Jia Hu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Circuit and system of using junction diode as program selector for one-time programmable devices with heat sink

Номер патента: US09478306B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

One-time programmable memory device

Номер патента: WO2023247645A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20230420063A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

One time programmable memory with a twin gate structure

Номер патента: US09659944B2. Автор: MEI Xue,Akira Ito,Qintao Zhang,Wenwei YANG. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Neural network inference accelerator based on one-time-programmable (otp) memory arrays with one-way selectors

Номер патента: US20210134379A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

One-time-programmable memory

Номер патента: US12027220B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

One-time-programmable memory

Номер патента: US20240312543A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20190156895A1. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: WO2016137734A3. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-11-24.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20160254056A1. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: WO2016137734A2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: EP3262691A2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US09922721B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

One-time programmable memory

Номер патента: EP1286356A2. Автор: Lung T. Tran,Thomas C. Anthony,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-02-26.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: US12040028B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Yao-Hung Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-16.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (otp) memory arrays

Номер патента: WO2008057311A3. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Shekar Mallikararjunaswamy. Дата публикации: 2008-07-03.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (otp) memory arrays

Номер патента: WO2008057311A2. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2008-05-15.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (OTP) memory arrays

Номер патента: US20080112204A1. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die address/data-translator

Номер патента: US09666300B2. Автор: CHEN Shen,Xuguang WANG,Bin Yu,Guobiao Zhang,Hongyu Yu,Chenchang ZHAN,Jinfeng Kang,Dongyun Zhang,Xiangdong Lu,RangYu Deng. Владелец: XiaMen HaiCun IP Technology LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die read/write-voltage generator

Номер патента: US09508395B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

One-time programmable memory cell and memory thereof

Номер патента: US20230422494A1. Автор: Yulong Wang,Dan Ning. Владелец: Chengdu Analog Circuit Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: US20230343403A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Yao-Hung Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-10-26.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US20110309421A1. Автор: Yue-Song He,Harry S. Luan,Ting-Wah Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

One-time programmable (otp) memory device and method of operating an otp memory device

Номер патента: US20220375948A1. Автор: Jinwoo Park,Hoonsung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

One-time programmable fuse using thin film resistor layer, and related method

Номер патента: US20240212770A1. Автор: Siow Lee Chwa,Handoko Linewih,Yudi SETIAWAN,Qiying Wong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

One-time programmable capacitive fuse bit and a memory

Номер патента: US20210280513A1. Автор: Xi Chen,Liang Li,Guangbing Chen,Dongbing Fu,Mingyuan Xu,Jian'an Wang,Xiaofeng Shen,Xingfa Huang,Shuiqin YAO,Hongrui YANG. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-09-09.

One-time programmable (otp) memory device

Номер патента: EP4092743A1. Автор: Jinwoo Park,Hoonsung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-23.

One-time programmable fuse using thin film resistor layer, and related method

Номер патента: EP4391048A1. Автор: Siow Lee Chwa,Handoko Linewih,Yudi SETIAWAN,Qiying Wong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Buried Bit Line Anti-Fuse One-Time-Programmable Nonvolatile Memory

Номер патента: US20090323388A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Buried bit line anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory

Номер патента: US20130286709A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Secure anti-fuse one time programmable bit cell design

Номер патента: WO2024196573A2. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Secure anti-fuse one time programmable bit cell design

Номер патента: US20240321370A1. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices including reversible and one-time programmable magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190198077A1. Автор: Choong Jae Lee,Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

One-time-programmable logic bit with multiple logic elements

Номер патента: CA2666120C. Автор: Boon Yong Ang,Sunhom Paak,Hsung Jai Im. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

One-time programmable (OTP) memory device and method of operating an OTP memory device

Номер патента: US11882696B2. Автор: Jinwoo Park,Hoonsung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

One-time programmable devices using finfet structures

Номер патента: US20180174650A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

One-time programmable fuse using pn junction over gate metal layer, and related method

Номер патента: US20240188287A1. Автор: Shesh Mani Pandey,George Robert MULFINGER,Md Nasir Uddin Bhuyian,Adam S. Rosenfeld,Selina A. Mala. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

One-time programmable fuse using pn junction over gate metal layer, and related method

Номер патента: EP4383328A1. Автор: Shesh Mani Pandey,George Robert MULFINGER,Md Nasir Uddin Bhuyian,Adam S. Rosenfeld,Selina A. Mala. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Anti-fuse one-time programmable nonvolatile memory cell and memory thereof

Номер патента: US20230011223A1. Автор: Ming Wang,Teng Feng Wang,Meifang Lee. Владелец: Chengdu Analog Circuit Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

One-time programmable (otp) arrays with metal-semiconductor-metal (msm) selectors for integrated circuitry

Номер патента: US20240038314A1. Автор: Yao-Feng CHANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11362097B1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220181336A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20170053927A1. Автор: Luan Harry Shengwen. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Three-dimensional vertical one-time-programmable memory comprising multiple antifuse sub-layers

Номер патента: US10490562B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

One-time programmable (OTP) memory device

Номер патента: US09984755B2. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

One-time programmable storage cell and one-time programmable storage circuit

Номер патента: CN104966532A. Автор: 陈达,艾瑞克·布劳恩. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Memory circuit and write method

Номер патента: US11942134B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20240233795A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20230083548A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device comprising memory circuit over control circuits

Номер патента: US11869627B2. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Low-leakage sense circuit, memory circuit incorporating the low-leakage sense circuit, and method

Номер патента: US20220215872A1. Автор: Mahbub Rashed,Shivraj G. Dharne,Vivek Raj,Uttam K. Saha. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: US20190196973A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Anti-fuse one-time programmable memory cell and anti-fuse one-time programmable memory array

Номер патента: US09589971B1. Автор: Yu-Wen Chen,Ching-Hsiang Lin,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Hsuan-Chi Su. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL CAPABLE OF REDUCING LEAKAGE CURRENT AND PREVENTING SLOW BIT RESPONSE, AND METHOD FOR PROGRAMMING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20170117284A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND METHOD FOR PROGRAMING AND READING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20150243366A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,HUANG CHIH-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

One-time programmable memories using polysilicon diodes as program selectors

Номер патента: US20120044738A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Chung Shine C. Дата публикации: 2012-02-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL INCLUDING ANTI-FUSE WITH MAETAL/POLYCIDE GATE

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Chiu Re-Long,Ying Shu-Lan,Chung Wen-Szu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: CN106537590A. Автор: B·杨,X·李,X·陈,Z·王,J·袁,X·陆,J·J·徐. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

One time programmable read-only memory (ROM) in SOI CMOS

Номер патента: US09704569B1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

FINFET Based One-Time Programmable Device

Номер патента: US20140050007A1. Автор: Chen Xiangdong,Xia Wei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-20.

ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180033488A1. Автор: JEONG Duk Ju. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2018-02-01.

One-Time Programmable Bitcell with Native Anti-Fuse

Номер патента: US20180033795A1. Автор: Horch Andrew E.,Hu Ting-Jia,Niset Martin L.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

1.5-transistor (1.5t) one time programmable (otp) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US20220059551A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) CELL HAVING IMPROVED PROGRAMMING RELIABILITY

Номер патента: US20180047735A1. Автор: JEONG Duk Ju,PARK Sung Bum,AHN Kee Sik,SEO Young Chul. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2018-02-15.

One time programmable non-volatile memory

Номер патента: US20160104712A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

ONE TIME PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (ROM) IN SOI CMOS

Номер патента: US20180102179A1. Автор: Ning Tak H.,Shahidi Ghavam G.,Yau Jeng-Bang. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

ONE-TIME PROGRAMMABLE BITCELL WITH NATIVE ANTI-FUSE

Номер патента: US20180114582A1. Автор: Horch Andrew E.,Niset Martin Luc Cecil Arthur,Hu Ting-Jia. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

GATE SUBSTANTIAL CONTACT BASED ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE

Номер патента: US20150194433A1. Автор: Ponoth Shom,PARK Changyok,Shiau Guang-Jye,Lu Chao-Yang,LEE JIAN-HUNG. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE WITH ANTIFUSE

Номер патента: US20210351192A1. Автор: Lin Gang,Matloubian Mishel,KWON Taehun. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Dielectric-based memory cells having multi-level one-time programmable and bi-level rewriteable operating modes and methods of forming the same

Номер патента: US9472301B2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Tanmay Kumar,Abhijit Bandyopadhyay,Christopher J. Petti,Scott Brad Herner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

One-time programmable vertical field-effect transistor

Номер патента: US10229920B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

One time programmable read-only memory (ROM) in SOI CMOS

Номер патента: US10008281B2. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

One-time programmable device based on FINFET

Номер патента: CN202996838U. Автор: 陈向东,夏维. Владелец: Zyray Wireless Inc. Дата публикации: 2013-06-12.

One time programmable semiconductor nonvolatile memory device and method for production of same

Номер патента: EP1229552A1. Автор: Yoshiaki Hagiwara,Hideaki Kuroda,Michitaka Kubota,Akira Nakagawara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-07.

1.5-transistor (1.5t) one time programmable (otp) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US20220059551A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

1.5-transistor (1.5T) one time programmable (OTP) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US11315937B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

One-time programmable memory circuit, one-time programmable memory and operation method thereof

Номер патента: EP4386758A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-19.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US20220301631A1. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

One-time programmable memory devices and methods

Номер патента: US20240321371A1. Автор: Dimitri Houssameddine,Mark Lin,Juan P. Saenz,Deniz Bozdag. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

One-time programmable memory circuit, one-time programmable memory and operation method thereof

Номер патента: US20240203515A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-20.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US11854588B2. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time programmable memory

Номер патента: US20200265907A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Reverse programmed resistive random access memory (ram) for one time programmable (otp) applications

Номер патента: US20230317157A1. Автор: ZHI Li,Sung-Hyun JO,Derek Lau. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Reverse programmed resistive random access memory (RAM) for one time programmable (OTP) applications

Номер патента: US12020748B2. Автор: ZHI Li,Sung-Hyun JO,Derek Lau. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

One time programmable memory and method of operation

Номер патента: KR101236582B1. Автор: 알렉산더 비. 호플러,고우리샨카르 엘. 친달로레. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2013-02-22.

One time programmable anti-fuse physical unclonable function

Номер патента: EP4107906A1. Автор: Xiaojun LU. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: US20240321372A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor programmable memory device and method of writing a predetermined pattern to same

Номер патента: US4744058A. Автор: Hideki Arakawa,Hiromi Kawashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-05-10.

Programmable Memory Cell Using an Internal Parasitic Diode for Programming the Programmable Memory Cell

Номер патента: US20200251171A1. Автор: Ching-Hsiang Lin,Wen-Hua Yu,Wei-Fan Wu,Shih-Hsiu CHEN,Hsuan-Chi Su,Wei Huan Chen,Yung-Chien Lee,Shui-Shou Wang. Владелец: Agi Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell and anti-fuse type one-time programmable memory cell arrays

Номер патента: US09418754B2. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

One-time programmable devices using junction diode as program selector for electrical fuses with extended area

Номер патента: US20150003143A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-01.

Programmable Memory Cell with a Feedback Signal for Programming the Programmable Memory Cell

Номер патента: US20200251166A1. Автор: Ching-Hsiang Lin,Wen-Hua Yu,Wei-Fan Wu,Shih-Hsiu CHEN,Hsuan-Chi Su,Wei Huan Chen,Yung-Chien Lee,Shui-Shou Wang. Владелец: Agi Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES USING JUNCTION DIODE AS PROGRAM SELECTOR FOR ELECTRICAL FUSES WITH EXTENDED AREA

Номер патента: US20170133102A9. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Implementation of a one time programmable memory using a MRAM stack design

Номер патента: US09805816B2. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD OF PROGRAMMING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20190156895A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan,Lu Xiao. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Tri-states one-time programmable memory (OTP) cell

Номер патента: US20070069297A1. Автор: YU Chang,Sung-Shan Tai,Yongzhong Hu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

And-type one time programmable memory cell

Номер патента: US20110103127A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: SIDENCE CORP. Дата публикации: 2011-05-05.

One-Time Programmable Memory Cell, Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130163306A1. Автор: Lin Yinyin. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

One time programmable memory cell and memory array

Номер патента: US20180061756A1. Автор: Henning Feick,Martin Bartels,Kerstin Kaemmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Memory devices including one-time programmable memory cells

Номер патента: US20160093621A1. Автор: Hyun-Min Choi,Sangwoo Pae,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-31.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND METHOD FOR PROGRAMMING AND READING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20160141295A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

One-time programmable memory cell, memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US9019741B2. Автор: Yinyin Lin. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-28.

One-time programmable memory unit and memory unit array

Номер патента: CN105869678B. Автор: 朴圣根. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-14.

ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

One Time Programmable Memory with a Twin Gate Structure

Номер патента: US20170005103A1. Автор: ITO Akira,Zhang Qintao,YANG Wenwei,XUE Mei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2017-01-05.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICES USING FinFET TECHNOLOGY

Номер патента: US20170062071A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20220084611A1. Автор: Wang Yih,NOGUCHI Hiroki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY ARRAY HAVING SMALL CHIP AREA

Номер патента: US20170076757A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220181336A1. Автор: CHERN GEENG-CHUAN. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

ANTI-FUSE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND RELATED ARRAY STRUCTURE

Номер патента: US20210158881A1. Автор: Chen Wei-Fan,Wu Chun-Peng. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory Comprising No Separate Diode Layer

Номер патента: US20180137927A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL INCLUDING ANTI-FUSE WITH METAL/POLYCIDE GATE

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Chiu Re-Long,Ying Shu-Lan,Chung Wen-Szu. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Discrete Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20160189791A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

Discrete Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20160189792A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY USING GATE-ALL-AROUND STRUCTURES

Номер патента: US20200194499A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory Comprising Multiple Antifuse Sub-Layers

Номер патента: US20180204844A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY IN A HIGH-DENSITY THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE

Номер патента: US20190221277A1. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Data Storage with In-situ String-Searching Capabilities Comprising Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20180268900A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-09-20.

Implementation of a One Time Programmable Memory Using a MRAM Stack Design

Номер патента: US20160293268A1. Автор: Jan Guenole,Wang Po-Kang,Zhu Jian,Liu Huanlong,Lee Yuan-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20170301674A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-19.

Multi bit OTP(One Time Programmable) memory device using multi plug and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR101446332B1. Автор: 성정헌,김덕기,정성엽,유하영,주영창,황수정. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2014-10-08.

One-time programmable memory cell and its manufacture method

Номер патента: CN103579246B. Автор: 全成都. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

One-time-programmable memory in a high-density three-dimensional structure

Номер патента: US10672490B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

One-time programmable memory element and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115440671A. Автор: 薛胜元,李国兴,林俊贤,杨智伟,翁彰键,叶德炜. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Diode-less array for one-time programmable memory

Номер патента: US7486534B2. Автор: Kuan Fu Chen,Yin Jen Chen,Tzung Ting Han,Ming Shang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-03.

One-time programmable memory

Номер патента: DE60224622T2. Автор: Frederick A. Palo Alto Perner,Lung T. Saratoga Tran,Thomas C. Sunnyvale Anthony. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-10-23.

Anti-fuse one-time programmable memory cell and related array structure

Номер патента: TWI756882B. Автор: 陳偉梵,吳俊鵬. Владелец: 補丁科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-03-01.

Diode-less array for one-time programmable memory

Номер патента: CN100466265C. Автор: 韩宗廷,陈冠复,陈铭祥,陈映仁. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Discrete three-dimensional one-time-programmable memory

Номер патента: US9558842B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

One time programmable memory cell capable of reducing current leakage

Номер патента: EP3196936B1. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: TWI795275B. Автор: 林崇榮,金雅琴,黃耀弘. Владелец: 國立清華大學. Дата публикации: 2023-03-01.

One-time programmable memory array having small chip area

Номер патента: US9620176B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit, has one time programmable type memory device with memory cells, each comprising bipolar transistor buried in substrate, and fusible unit made of dielectric material that undergoes breakdown in irreversible manner

Номер патента: FR2884346A1. Автор: Jean Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-10-13.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (OTP) memory arrays

Номер патента: TW200820260A. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-05-01.

One-time programmable (otp) memory cell

Номер патента: WO2024196542A1. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Dielectric film based one-time programmable (otp) memory cell

Номер патента: US20240321369A1. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

One time programmable (OTP) cell and an OTP memory array using the same

Номер патента: US09899100B2. Автор: Su Jin Kim,Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING VERTICAL ONE-TIME-PROGRAMMABLE FUSE

Номер патента: US20180025982A1. Автор: Grivna Gordon M.,Hall Jefferson W.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-01-25.

Method for programming a one-time programmable structure, semiconductor component and radio frequency component

Номер патента: US20200043562A1. Автор: Rainer Leuschner,Josef Boeck,Gunther Mackh,Wolfgang Liebl,Stefan Almstaetter,Jens Arkenau. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-06.

One-Time Programmable Device with Integrated Heat Sink

Номер патента: US20170047126A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) BIT CELL WITH INTEGRATED INHIBIT DEVICE

Номер патента: US20200051653A1. Автор: Kurjanowicz Wlodek. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

EMBEDDED SELECTOR-LESS ONE-TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20150062996A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa,Mittal Anurag. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE (OTP) IMPLEMENTATION USING MAGNETIC JUNCTIONS

Номер патента: US20200098440A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Chiang Tien-Wei,Chen Yu-Lin,HUANG Jian-Cheng,CHEN Chang-Hung,Chiu Yi-Chieh,You Wen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING REVERSIBLE AND ONE-TIME PROGRAMMABLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS

Номер патента: US20170110171A1. Автор: Seo BoYoung,Lee YongKyu,KOH GWANHYEOB,Lee Cheong Jae. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

DIELECTRIC-BASED MEMORY CELLS HAVING MULTI-LEVEL ONE-TIME PROGRAMMABLE AND BI-LEVEL REWRITEABLE OPERATING MODES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140241031A1. Автор: Kumar Tanmay,Scheuerlein Roy E.,HERNER Scott Brad,Petti Christopher J.,Bandyopadhyay Abhijit. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES USING GATE-ALL-AROUND STRUCTURES

Номер патента: US20190165045A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES USING FINFET STRUCTURES

Номер патента: US20180174650A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING REVERSIBLE AND ONE-TIME PROGRAMMABLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS

Номер патента: US20190198077A1. Автор: Seo BoYoung,Lee YongKyu,KOH GWANHYEOB,LEE Choong Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-27.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190214556A1. Автор: Wang Ping-Kun,Liao Shao-Ching,Wu Chien-Min,Fu Chih-Cheng,Chen Frederick. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

ONE-TIME PROGRAMMABLE CAPACITIVE FUSE BIT AND A MEMORY

Номер патента: US20210280513A1. Автор: Li Liang,Chen Xi,Xu Mingyuan,SHEN Xiaofeng,Chen Guangbing,"WANG Jianan",FU Dongbing,HUANG Xingfa,YAO Shuiqin,YANG Hongrui. Владелец: NO.24 RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION. Дата публикации: 2021-09-09.

ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) CELL AND AN OTP MEMORY ARRAY USING THE SAME

Номер патента: US20170372790A1. Автор: Kim Su Jin,JEONG Duk Ju. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2017-12-28.

One-time programmable(otp) implementation using magnetic junctions

Номер патента: KR102290154B1. Автор: 해리-하크-레이 추앙,티엔-웨이 치앙,창-훙 첸,웬-춘 유,유-린 첸,이-치에 치우,지안-쳉 후앙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-08-19.

Antifuse one-time programmable semiconductor memory

Номер патента: US9941017B1. Автор: Donghyuk Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

One-time-programmable logic bit with multiple logic elements

Номер патента: CN101548376B. Автор: 桑厚·帕克,宋杰·殷,保洋·安. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

Semiconductor devices including reversible and one-time programmable magnetic tunnel junctions

Номер патента: US10431276B2. Автор: Choong Jae Lee,Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Buried bit line anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory

Номер патента: US8476157B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

One-time programmable device with integrated heat sink

Номер патента: US9767915B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method And System For Using One-Time Programmable (OTP) Read-Only Memory (ROM) To Configure Chip Usage Features

Номер патента: US20070290715A1. Автор: David Baer,Iue-Shuenn Chen,Jeffrey Beach,James D. Sweet,Heather Bowers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

One time programmable (otp) magnetoresistive random-access memory (mram)

Номер патента: US20210398579A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Method and system for using one-time programmable (OTP) read-only memory (ROM) to configure chip usage features

Номер патента: TW200817922A. Автор: David Baer,Iue-Shuenn Chen,Jeffrey Beach,Heather Bowers,James D Sweet. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Embedded selector-less one-time programmable non-volatile memory

Номер патента: US20150062996A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu,Anurag Mittal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Circuit and System of Using Junction Diode of MOS as Program Selector for Programmable Resistive Devices

Номер патента: US20150029777A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-29.

Memory circuit using oxide semiconductor

Номер патента: US11996133B2. Автор: Munehiro KOZUMA,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory circuit

Номер патента: US20140313827A1. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20210375345A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

eFUSE one-time programmable memory with inter integrated circuit (I2C) communication and operation method thereof

Номер патента: US12046312B2. Автор: Sungbum Park,Ilwoo LEE,Keesik AHN,Woojin Han,Wan-Chul KONG,Changbum IM. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Reduced power read sensing for one-time programmable memories

Номер патента: US09548131B1. Автор: Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Testing one-time programmable (otp) memory with data input capture through sense amplifier circuit

Номер патента: US20210257007A1. Автор: Hochul Lee,Keejong Kim,Anil Kota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

One-time programmable (otp) memory devices and methods of testing otp memory devices

Номер патента: US20200219570A1. Автор: Min-Yeol Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Pn-junction diode with multiple contacts and analog-to-digital converter using it

Номер патента: WO2015043610A1. Автор: Abdel-Rahman Tharwat Refai KHALEL. Владелец: Khalel Abdel-Rahman Tharwat Refai. Дата публикации: 2015-04-02.

Memory circuit system and method

Номер патента: EP2005303A2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: MetaRAM Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: US12073082B2. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Tianhong Yan,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: US20240345736A1. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Tianhong Yan,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

3T device based memory circuits and arrays

Номер патента: US8599598B1. Автор: Rakesh H. Patel,Shankar Prasad Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

High-density low-cost read-only memory circuit

Номер патента: US20020184433A1. Автор: Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory circuit having resistive device coupled with supply voltage line

Номер патента: US09865605B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory circuit and method for routing the memory circuit

Номер патента: US09490005B2. Автор: Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee,Jui-che Tsai,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory circuit and cache circuit configuration

Номер патента: US09431064B2. Автор: Yun-Han Lee,William Wu Shen,Hsien-Hsin Sean LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: US20230259283A1. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Tianhong Yan,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230170010A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ishan Khera. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11929110B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ishan Khera. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: WO2021159028A4. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader,Tianhon YAN. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240221820A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ishan Khera. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile programmable memory cell and array for programmable logic array

Номер патента: US09754948B2. Автор: Fethi Dhaoui,John McCollum,Frank Hawley,Leslie Richard Wilkinson. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

3d memory circuit

Номер патента: US20230376234A1. Автор: Javier A. Delacruz,David E. Fisch. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Programmable memory device

Номер патента: US20220044747A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20190172825A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Strapping structure of memory circuit

Номер патента: US09911727B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory circuit having shared word line

Номер патента: US09449667B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US10872883B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11621258B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Memory circuit

Номер патента: US3729723A. Автор: H Yamamoto. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1973-04-24.

One-time programmable memory array having small chip area

Номер патента: JP2018032460A. Автор: 陳　信銘,Shinmei Chin,信銘陳,孟益 ▲呉▼,Meng Yi Wu,偉哲翁,Itetsu O. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Circuit for reading one time programmable memory

Номер патента: US09659667B2. Автор: Beom Seon RYU. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and device for programming memory cells of the one-time-programmable type

Номер патента: US20160307640A1. Автор: Philippe Candelier,Joel Damiens,Stephane Denorme,Antoine Benoist. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2016-10-20.

Hacker-proof one time programmable memory

Номер патента: US20040228157A1. Автор: Myron Buer,Tony Turner. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Multi-state one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20240071538A1. Автор: Chen-Feng Chang,Shu-Chieh Chang,Meng-Lin Wu,Yu-Chen Lo,Tsung-Han Lu,Chun-Hao Liang,Dong-Yu Wu. Владелец: Jmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

System implementation of one-time programmable memories

Номер патента: US20200242022A1. Автор: Ghavam Shahidi,Chitra Subramanian,Seiji Munetoh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

One-time programmable memory and an operation method thereof

Номер патента: US20210312998A1. Автор: Ying Yan,Jianming Jin. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

One time programmable memory

Номер патента: US20090059645A1. Автор: Jonathan A. Schmitt,Joseph Eugene Glenn. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Circuit for verifying the write enable of a one time programmable memory

Номер патента: US20110267869A1. Автор: Alexander B. Hoefler,Mohamed S. Moosa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Structures and methods of identifying unprogrammed bits for one-time-programmable-memory (OTPM)

Номер патента: US11694757B2. Автор: Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Amit K. Mishra. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

One-time programmable memory device having access circuit

Номер патента: US09905309B2. Автор: Sang Seok Lee,Hoon Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

One-time programmable memory and method for verification and access

Номер патента: US11823750B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Giovanni Luca Torrisi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

Built-in self test for one-time-programmable memory

Номер патента: US8508972B2. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20120092916A1. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

One-time programmable memory devices

Номер патента: US20060056222A1. Автор: Joachim Reiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-16.

One-time programmable memory device

Номер патента: EP1573747B1. Автор: Joachim Christian Reiner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-10-21.

Three-dimensional one time programmable memory

Номер патента: US20230386579A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20130294143A1. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

One-time programmable memory device

Номер патента: EP1573747A1. Автор: Joachim Christian Reiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-14.

Quad SRAM Based One Time Programmable Memory

Номер патента: US20090109723A1. Автор: Myron Buer,Jonathan Schmitt,Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Apparatus and method for testing one-time-programmable memory

Номер патента: WO2012012711A4. Автор: Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Integrated circuits and methods for dynamic allocation of one-time programmable memory

Номер патента: US20180286489A1. Автор: Jun Xie,Rakesh Pandey,Mohit Arora. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

One-time programmable memory read-write circuit

Номер патента: US11682466B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: GB2587089A. Автор: Chung Shine. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Structures and methods of identifying unprogrammed bits for one-time-programmable-memory (otpm)

Номер патента: US20220343988A1. Автор: Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Amit K. Mishra. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method apparatus for resuming and recovery checking from interrupted programming of one-time programmable memory device

Номер патента: US20200104221A1. Автор: Michael A Kost,Girish Subramaniam,John P Tourish,Bradley A Lambert. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

One-time programmable memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20230377672A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

One-time programmable memory device with ecc circuit and double error processing

Номер патента: EP4280214A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Integrated circuits and methods for dynamic allocation of one-time programmable memory

Номер патента: US11551769B2. Автор: Jun Xie,Rakesh Pandey,Mohit Arora. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Read-write circuit of one-time programmable memory

Номер патента: EP3905252A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Integrated circuits and methods for dynamic allocation of one-time programmable memory

Номер патента: US20180060164A1. Автор: Jun Xie,Rakesh Pandey,Mohit Arora. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device with a plurality of different one time programmable elements

Номер патента: US20080180983A1. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-31.

오티피[OTP(One Time Programmable)]프로텍션 회로

Номер патента: KR980011501A. Автор: 김현숙. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-04-30.

Initiating operation of a timing device using a read only memory (rom) or a one time programmable non volatile memory (otp nvm)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: HUI Li,John Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Initiating operation of a timing device using a read only memory (ROM) or a one time programmable non volatile memory (OTP NVM)

Номер патента: US09495285B2. Автор: HUI Li,John Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Protection of one-time programmable (otp) memory

Номер патента: US20140025915A1. Автор: John A. Fifield,Jeffrey S. Zimmerman,Gerald P. Pomichter, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method for characterizing an active track and latch sense-amp (comparator) in a one time programmable (otp) salicided poly fuse array

Номер патента: EP1402537A1. Автор: Elie G. Khoury. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-31.

Method for characterizing an active track and latch sense-amp (comparator) in a one time programmable (otp) salicided poly fuse array

Номер патента: EP1402537B1. Автор: Elie G. Khoury. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-12-09.

Method for characterizing an active track and latch sense-amp (comparator) in a one time programmable (otp) salicided poly fuse array

Номер патента: WO2002103705A1. Автор: Elie G. Khoury. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-27.

Structure of post-process one-time programmable read only memory cell

Номер патента: US20040114415A1. Автор: Wenying Wen. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

One-time programmable (otp) memory device for reading multiple fuse bits

Номер патента: US20180108425A1. Автор: Sang-Seok Lee,Hyun-Taek Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

Secure programming of one-time-programmable (otp) memory

Номер патента: US20230259629A1. Автор: Arun Krishnan,Ravindra Kumar,Eileen Marando. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: EP4435786A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Write enhancement for one time programmable (OTP) semiconductors

Номер патента: US09852805B2. Автор: Tao Su,Steve Wang,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of programming one-time programmable (OTP) memory device and method of testing semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09754678B2. Автор: Do-Hoon Byun,Chang-Su Sim,Na-Rae Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Electronic circuit for and method of executing an application program stored in a one-time-programmable (OTP) memory in a system on chip (SoC)

Номер патента: US09606913B2. Автор: Tobias Mueller,Nikolaos Moschopoulos,Konstantinos Ninos,Dimitrios Papadopoulos,Jakobus Johannes Verhallen. Владелец: Dialog Semiconductor BV. Дата публикации: 2017-03-28.

One-time programmable (OTP) memory cell and OTP memory device for multi-bit program

Номер патента: US09524795B2. Автор: Joon-Hyung Lee,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

One-time programmable (otp)/ read only (ro) data storage device

Номер патента: US20160351273A1. Автор: Siva Sakthivel Sadasivam. Владелец: HCL Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

One-time programmable features for storage devices

Номер патента: US11977662B2. Автор: Gregory M. Allen,Frank Widjaja Yu,Jonathan Jay Kellen. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-07.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

One-time programmable (otp) memory and method of operating the same

Номер патента: US20230360711A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: US20220301647A1. Автор: Karthik Ramanan,Jacob T. Williams,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao,Maurits Mario Nicolaas Storms. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Write Enhancement for One Time Programmable (OTP) Semiconductors

Номер патента: US20160379720A1. Автор: Tao Su,Steve Wang,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Anti-fuse one-time programmable resistive random access memories

Номер патента: EP3127121A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

Self-latch sense timing in a one-time-programmable memory architecture

Номер патента: US10192629B2. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20180137928A1. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Self-latch sense timing in a one-time-programmable memory architecture

Номер патента: US09881687B2. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory circuit architecture

Номер патента: US20220208232A1. Автор: Po-Hung Chen,David Li,Sung Son,Rahul Biradar,Biju Manakkam Veetil,Ayan PAUL,Shivendra Kushwaha,Ravindra Reddy Chekkera,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory circuit architecture

Номер патента: US11908537B2. Автор: Po-Hung Chen,David Li,Sung Son,Rahul Biradar,Biju Manakkam Veetil,Ayan PAUL,Shivendra Kushwaha,Ravindra Reddy Chekkera,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240096431A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory circuit architecture

Номер патента: EP4272213A1. Автор: Po-Hung Chen,David Li,Sung Son,Rahul Biradar,Biju Manakkam Veetil,Ayan PAUL,Shivendra Kushwaha,Ravindra Reddy Chekkera,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11862264B2. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230154557A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20220262446A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: AU2018388767A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: CA3077398A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: EP3729433A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time-programmable memory

Номер патента: WO2020172050A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B. Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-08-27.

One-time programmable memory, electronic system, method for operating one-time programmable memory and method for programming one-time programmable memory

Номер патента: CN106133841B. Автор: 庄建祥. Владелец: Shangfeng Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time-programmable memory

Номер патента: US20200265906A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B. Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20240224512A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

One-time programmable memory cell and method for managing the logic state of the memory cell

Номер патента: US20240292610A1. Автор: Pascal Fornara. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for programming antifuse-type one time programmable memory cell

Номер патента: US09799410B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

MULTIPLE TIME PROGRAMMABLE MEMORY USING ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND ERROR CORRECTION CODES

Номер патента: US20220301631A1. Автор: SALO Teemu,TÖRNQVIST Vesa. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

One-time programmable memory device

Номер патента: US11956947B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

memory device including one-time programmable memory cells

Номер патента: KR102358054B1. Автор: 조학주,최현민,배상우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-02-04.

METHODS AND APPARATUS TO IMPROVE PERFORMANCE WHILE READING A ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20200265906A1. Автор: Balasubramanian Suresh,Spriggs Stephen Wayne,Jamison George B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

METHODS AND APPARATUS TO IMPROVE PERFORMANCE WHILE READING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20200265907A1. Автор: Balasubramanian Suresh,Spriggs Stephen Wayne,Jamison George B. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

One time programmable memory cell

Номер патента: FR3125352A1. Автор: Patrick Calenzo,Lia MASOERO. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-20.

One-time programmable memory cell

Номер патента: EP4120275A1. Автор: Patrick Calenzo,Lia MASOERO. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-18.

One-time programmable memory cell in cmos technology

Номер патента: US20020027822A1. Автор: Philippe Candelier,Jean-Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-03-07.

One time programmable memory cell

Номер патента: WO2006121828A2. Автор: Yongzhong Hu. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2006-11-16.

One time programmable memory cell

Номер патента: TW200701443A. Автор: Sung-Shan Tai,Yong-Zhong Hu. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2007-01-01.

Non-Volatile Multiple Time Programmable Integrated Circuit System with Selectiive Conversion to One Time Programmable or Permanent Configuration Bit Programming Capabilities and Related Methods

Номер патента: US20190348986A1. Автор: Hamilton Brett J.,Kay Matthew James,Gadladge Matthew John,Duncan Adam Ray,Howard Andrew Mark. Владелец: The United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2019-11-14.

Non-volatile multiple time programmable integrated circuit system with selective conversion to one time programmable or permanent configuration bit programming capabilities and related methods

Номер патента: US10855287B2. Автор: Matthew James Kay,Matthew John Gadladge,Adam Ray Duncan,Brett J. Hamilton,Andrew Mark Howard. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2020-12-01.

One-time programmable data security system for programmable logic device

Номер патента: WO1988000372A1. Автор: John E. Turner. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1988-01-14.

Method And Apparatus For Hot Carrier Programmed One Time Programmable (Otp) Memory

Номер патента: US20070274126A1. Автор: Ranbir Singh,Ross Kohler,Richard McPartland. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-11-29.

Integrated circuit device using multiple one-time programmable bits to control access to a resource

Номер патента: US10424389B2. Автор: John L McWilliams. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2019-09-24.

Integrated circuit device using multiple one-time programmable bits to control access to a resource

Номер патента: WO2017171865A1. Автор: John L. Mcwilliams. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2017-10-05.

One time programmable read-only memory comprised of fuse and two selection transistors

Номер патента: US20060203591A1. Автор: Dong Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Multi-layer one-time programmable permanent memory unit and preparation method therefor

Номер патента: WO2018149109A1. Автор: 彭泽忠. Владелец: 成都皮兆永存科技有限公司. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for operating one-time programmable read-only memory

Номер патента: US8089798B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Shao-Chang Huang,Chun-Hung Lu,Ming-Chou Ho,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-03.

Method and apparatus for hot carrier programmed one time programmable (otp) memory

Номер патента: EP1709646A1. Автор: Ranbir Singh,Richard Joseph Mcpartland,Ross Alan Kohler. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-10-11.

One-time programmable read-only memory

Номер патента: US20080296701A1. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Shao-Chang Huang,Chun-Hung Lu,Ming-Chou Ho,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

One time programmable phase change memory

Номер патента: TW200623117A. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Method for producing one-time-programmable memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09589968B2. Автор: Philippe Candelier,Stephane Denorme. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-03-07.

One-time programmable memory unit cell

Номер патента: US20230413540A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

One time programmable non-volatile memory device

Номер патента: US09735288B2. Автор: Tae Ho Kim,Kyung Ho Lee,Sung Jin Choi,Young Chul SEO. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130302960A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

LDMOS One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130299904A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Non-volatile re-programmable memory device

Номер патента: EP2407976A3. Автор: YUAN Li,Tao Guoqiao. Владелец: NXP Semiconductors NV. Дата публикации: 2012-03-07.

Non-volatile re-programmable memory device

Номер патента: EP2407976A8. Автор: YUAN Li,Tao Guoqiao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-04-18.

Memory circuits, systems, and methods for routing the memory circuits

Номер патента: US20110019458A1. Автор: Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee,Jui-che Tsai,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory circuit and method of writing data to and reading data from memory circuit

Номер патента: US8320195B2. Автор: Tomohiro Tanaka,Masao Ide. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-11-27.

Dynamic random access memory circuit and methods therefor

Номер патента: US5909388A. Автор: Gerhard Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-06-01.

Secure key access with one-time programmable memory and applications thereof

Номер патента: EP2381672A1. Автор: Norman Stewart,Paul Ducharne,Albert Yunsang Wong,Wendy Wai Yin,Shijun Hunang. Владелец: ViXS Systems Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

One time programmable memory

Номер патента: US20210391018A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

One time programmable memory

Номер патента: US20230282287A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

One time programmable memory

Номер патента: US20220199167A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

One time programmable memory

Номер патента: US11651826B2. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09786383B2. Автор: Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09627088B2. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

TESTING ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY WITH DATA INPUT CAPTURE THROUGH SENSE AMPLIFIER CIRCUIT

Номер патента: US20210257007A1. Автор: Kota Anil,Lee Hochul,KIM Keejong. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US20160247580A1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US20160247580A1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US9653177B1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuit and method capable of minimizing circuit area of non-volatile memory circuit

Номер патента: US11863209B2. Автор: Ee Wen Chun,Shang Chan Kong. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory circuit using resistive random access memory arrays in a secure element

Номер патента: US09588908B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory circuit provided with bistable circuit and non-volatile element

Номер патента: US09601198B2. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory circuit/logic circuit integrated device capable of reducing term of works

Номер патента: US20010012231A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Systems and methods for refreshing data in memory circuits

Номер патента: US09934841B1. Автор: Sami Mumtaz,Martin Langhammer. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory circuit and method of generating the same

Номер патента: US20050128818A1. Автор: Hironori Akamatsu,Yutaka Terada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Superconducting gate memory circuit

Номер патента: CA3035211C. Автор: Quentin P. Herr,Randall M. Burnett. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory circuit comprising a plurality of 1T1R memory cells

Номер патента: US12033696B2. Автор: Laurent Grenouillet,Carlo Cagli,Olivier Billoint. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory circuit having non-volatile memory cell and methods of using

Номер патента: US20200043553A1. Автор: Ronald L. Cline. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Field programmable memory array

Номер патента: US5949719A. Автор: Scott Whitney Gould,Terrance John Zittritsch,Frank Ray Keyser, III,Kim P. N. Clinton,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie,Victor Paul Seidel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11791005B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Fast-bypass memory circuit

Номер патента: US09911470B2. Автор: Scott Pitkethly,Venkata Kottapalli,Christian Klingner,Matthew Gerlach. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Read resettable memory circuit

Номер патента: US4459683A. Автор: Singh B. Yalamanchili,Syed T. Mahmud. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1984-07-10.

Memory circuit and method of operating the same

Номер патента: US20230368826A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,He-Zhou Wan,Hau-Tai Shieh,Fu-An Wu,XiuLi YANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Logic and memory circuit with reduced input-to-output signal propagation delay

Номер патента: US5557581A. Автор: Godfrey P. D'Souza. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Programme-controlled logic circuit using spin-torque transfer magnetoresistive devices

Номер патента: RU2420865C1. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Матью Майкл НОВАК,Лью Г. ЧУА-ЕОАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-06-10.

Associative memory circuit

Номер патента: US3634833A. Автор: Roger S Dunn,Michael Leo Canning,Gerald E Jeansonne. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-01-11.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240096386A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Antifuse one-time programmable memory

Номер патента: US09589970B1. Автор: Yuan-Heng Tseng,Chih-Shan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

One-Time Programmable Memory and Operating Method Thereof

Номер патента: US20090323387A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Art Talent Industrial Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory device including decoupling capacitor array arranged overlying one-time programmable device

Номер патента: US20200343253A1. Автор: Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Capacitor-coupled n-type transistor-based one-time programmable device

Номер патента: US20200020706A1. Автор: Yuan Yuan,YU Chen,Hualun CHEN. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Capacitor-coupled N-type transistor-based one-time programmable device

Номер патента: US10679999B2. Автор: Yuan Yuan,YU Chen,Hualun CHEN. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

One-time programmable memory using rupturing of gate insulation

Номер патента: US09953990B1. Автор: Andrew E. Horch,Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Antifuse one time programmable memory array and method of manufacture

Номер патента: US7678620B2. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-03-16.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US20240015958A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US11825648B2. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

One-time programmable memory cell

Номер патента: US20230247827A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Ching-Hsiang Tseng,Kuo-Hsing Lee,Chang-Chien Wong,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

One-time programmable memory device

Номер патента: US11778814B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

One-transistor (1t) one-time programmable (otp) anti-fuse bitcell with reduced threshold voltage

Номер патента: WO2022132540A1. Автор: Andrew Edward Horch. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Die crack detector with integrated one-time programmable element

Номер патента: US09646897B2. Автор: Robert A. Pryor,Audel A. Sanchez,Jose L. Suarez,Michele L. Miera. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

One-time programmable (OTP) memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US11765891B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Yung-Chen Chiu,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

One-transistor (1t) one-time programmable (otp) anti-fuse bitcell with reduced threshold voltage

Номер патента: EP4264668A1. Автор: Andrew Edward Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Verifiable one-time programmable memory device

Номер патента: EP4205113A1. Автор: Hakan Englund,Niklas LINDSKOG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-07-05.

Verifiable one-time programmable memory device

Номер патента: US20230317187A1. Автор: Hakan Englund,Niklas LINDSKOG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-10-05.

One Time Programmable Memory and System-on Chip including One Time Programmable Memory

Номер патента: KR102217240B1. Автор: 주종두. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-18.

Apparatus and method for programming a one-time programmable memory device

Номер патента: US20050070052A1. Автор: Ranbir Singh,Ross Kohler,Richard McPartland. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2005-03-31.

Apparatus and method for programming a one-time programmable memory device

Номер патента: TW200527437A. Автор: Ranbir Singh,Richard Joseph Mcpartland,Ross A Kohler. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2005-08-16.

Processor Comprising Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory for Enhancing Network Security

Номер патента: US20180270255A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-09-20.

Circuit for Reading the One Time Programmable memory

Номер патента: KR102071328B1. Автор: 유범선. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2020-03-03.

Spurious induced charge cleanup for one time programmable (otp) memory

Номер патента: US20130194885A1. Автор: Jack Z. Peng. Владелец: Jack Z. Peng. Дата публикации: 2013-08-01.

Multi-station burning system and corresponding OTP (one time programmable) detector

Номер патента: CN113764003B. Автор: 文爱华,胡剑鸣,蒋海锁,何璐君. Владелец: Shenzhen Tech Sen Automation Equipment Co ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

Differential one-time-programmable (OTP) memory array

Номер патента: US9496048B2. Автор: Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory circuit and tracking circuit thereof

Номер патента: US20100118628A1. Автор: Chia Wei Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Word driver circuit and a memory circuit using the same

Номер патента: US5640359A. Автор: Masao Nakano,Takaaki Suzuki,Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-06-17.

Multi-port memory circuits

Номер патента: US09384825B2. Автор: Suresh Venkumahanti,Jentsung Lin,Paul Bassett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory circuit

Номер патента: US20060133170A1. Автор: Yuuichirou Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Multi-port memory circuits

Номер патента: US20160093363A1. Автор: Suresh Venkumahanti,Jentsung Lin,Paul Bassett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

CIRCUIT AND SYSTEM OF USING JUNCTION DIODE AS PROGRAM SELECTOR AND MOS AS READ SELECTOR FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES

Номер патента: US20130208526A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

Circuit and System of Using Junction Diode as Program Selector for One-Time Programmable Devices

Номер патента: US20130308366A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

CCIRCUIT AND SYSTEM OF USING JUNCTION DIODE AS PROGRAM SELECTOR FOR METAL FUSES FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES

Номер патента: US20140016394A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Circuit and System of Using Junction Diode as Program Selector for One-Time Programmable Devices with Heat Sink

Номер патента: US20150294732A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile programmable memory cell and memory array

Номер патента: WO2010002585A1. Автор: Gerardo Monreal. Владелец: Allegro Microsystems, Inc.. Дата публикации: 2010-01-07.

Circuit and System for Using Junction Diode as Program Selector for One-Time Programmable Devices

Номер патента: US20130201749A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

Circuit and System of Using Junction Diode as Porgram Selector for One-Time Programmable Devices with Heat Sink

Номер патента: US20130215663A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

Circuit and system of using junction diode as program selector for metal fuses for one-time programmable devices

Номер патента: US9431127B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Automatic programming time selection for one time programmable memory

Номер патента: US20040170059A1. Автор: Myron Buer,Tony Turner. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor nonvolatile memory device with one-time programmable memories

Номер патента: US09355740B2. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL ARRAYS

Номер патента: US20160078962A1. Автор: PARK Sung Kun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND SYSTEM-ON CHIP INCLUDING ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150138870A1. Автор: JOO Jong-Doo. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD OF PROGRAMMING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20160254056A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan,Lu Xiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200327951A1. Автор: JUNG Chul Moon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

And-type one time programmable memory cell

Номер патента: CA2682092C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

One-time programmable memory bit cell

Номер патента: US11817160B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Controller for controlling one-time programmable memory, system, and operation method thereof

Номер патента: US20230376211A1. Автор: Ja Hyun KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

One-time programmable memory bit cell

Номер патента: US20240071536A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

One-time programmable memory bit cell

Номер патента: US20210249095A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL, AND OTP MEMORY AND MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20200219575A1. Автор: HA Min Yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-09.

Method and apparatus for performing multi-programmable function with one-time programmable memories

Номер патента: TWI271620B. Автор: Chien-Liang Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-21.

One time programmable memory cell, and otp memory and memory system having the same

Номер патента: KR102524804B1. Автор: 하민열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-24.

Method and apparatus for post-packaging testing on one-time programmable memories

Номер патента: HK1000389A1. Автор: OKA Hiroyuki,Paul E Grimme,Paul D Shannon,Robert W Sparks. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-03-13.

SINGLE CIRCUIT ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20170337985A1. Автор: Gakhar Vikram,VENKATESWARAN Muthusubramanian,Murthy Kushal D.,Tadeparthy Preetam,BORAH Anindita. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Integrated circuit one time programmable memory cell having two branches with silicon programming resistor connected one terminal and differential memory state reading terminals with switches connecting read/second terminal.

Номер патента: FR2836749A1. Автор: Alexandre Malherbe,Luc Wuidart,Michel Bardouillet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-09-05.

Single circuit one-time programmable memory and volatile memory

Номер патента: US10297334B2. Автор: Vikram Gakhar,Preetam Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Anindita BORAH,Kushal D. Murthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

One time programmable (otp) low power circuits and methods for providing bias voltages to wordlines

Номер патента: US20240079070A1. Автор: Himanshu Saxena,Ankur Gupta,Mukul Agarwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Circuit and System of a Low Density One-Time Programmable Memory

Номер патента: US20130201745A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20130294143A1. Автор: Samuels Howard R.,Kelly Thomas W.,Lee James M.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

DIODE-LESS ARRAY FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20140050006A1. Автор: Han Tzung-Ting,Chen Kuan-Fu,CHEN YIN-JEN,Chen Ming-Shang. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-20.

Reduced Power Read Sensing for One-Time Programmable Memories

Номер патента: US20170025186A1. Автор: Bill Colin Stewart. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180025785A1. Автор: JEONG Duk Ju. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory Comprising Off-Die Address/Data-Translator

Номер патента: US20170047127A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: XiaMen HaiCun IP Technology LLC. Дата публикации: 2017-02-16.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING POLYSILICON DIODES AS PROGRAM SELECTORS

Номер патента: US20140126266A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-08.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR DYNAMIC ALLOCATION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20180060164A1. Автор: Xie Jun,Pandey Rakesh,Arora Mohit. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

One-time programmable memory and test method thereof

Номер патента: US20140177364A1. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Write driver and program driver for otp (one-time programmable) memory with magnetic tunneling junction cells

Номер патента: US20150103586A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Method apparatus for resuming and recovery checking from interrupted programming of one-time programmable memory device

MARGIN TEST FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY (OTPM) ARRAY WITH COMMON MODE CURRENT SOURCE

Номер патента: US20190108895A1. Автор: FIFIELD John A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20180137928A1. Автор: Qiu Yunchen,Davis Harold L.,Toops David J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

PARALLEL PROGRAMMING OF ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY ARRAY FOR REDUCED TEST TIME

Номер патента: US20180158532A1. Автор: ANAND Darren L.,Hunt-Schroeder Eric D.,LAMPHIER Steven. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20170178742A1. Автор: Qiu Yunchen,Davis Harold L.,Toops David J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICES USING FinFET TECHNOLOGY

Номер патента: US20150187431A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory Comprising Off-Die Read/Write-Voltage Generator

Номер патента: US20160189754A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-06-30.

METHOD AND APPARATUS FOR USING REFERENCE RESISTOR IN ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY OF AN ARTIFICIAL INTELLIGENCE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190180173A1. Автор: Torng Chyu-Jiuh,Liu Daniel H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

METHOD FOR PROGRAMMING ANTIFUSE-TYPE ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL

Номер патента: US20170206980A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY BIT CELL

Номер патента: US20210249095A1. Автор: Chang Meng-Sheng,YANG Yao-Jen,WU Min-Shin. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND A DATA WRITING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170243660A1. Автор: Kim Tae-Seong,JUNG Hyun-taek. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Systems and Methods to Provide Write Termination for One Time Programmable Memory Cells

Номер патента: US20210280263A1. Автор: Lee Hochul,KIM Keejong,Kota Anil Chowdary. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

SYSTEM IMPLEMENTATION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORIES

Номер патента: US20200242022A1. Автор: Munetoh Seiji,SHAHIDI Ghavam,Subramanian Chitra. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND AN OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210312998A1. Автор: Yan Ying,JIN Jianming. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

One Time Programmable Memory

Номер патента: US20160276042A1. Автор: Simmons Michael,Pesavento Rodney. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-22.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150287474A1. Автор: YOON Hyun-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE HAVING ACCESS CIRCUIT

Номер патента: US20170287570A1. Автор: Lee Sang Seok,BANG Hoon Jin. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR DYNAMIC ALLOCATION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20180286489A1. Автор: Xie Jun,Pandey Rakesh,Arora Mohit. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Multi-Bit-Per-Cell Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20170301405A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-19.

CIRCUIT FOR READING ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20160329107A1. Автор: RYU Beom Seon. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory Comprising Dummy Bit Lines

Номер патента: US20180342307A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-11-29.

One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: US20200350031A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND CIRCUIT

Номер патента: US20150380103A1. Автор: Chen Da,Braun Eric. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory With A Dummy Word Line

Номер патента: US20180366206A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Double-Biased Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20180366207A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: ChengDu SanWei IP Technology LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

One time programmable memory test structures and methods

Номер патента: US8122307B1. Автор: Todd E. Humes,Chad A. Lindhorst,Andrew E. Horch,Ernest Allen, III. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Antifuse one time programmable memory and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100667894B1. Автор: 박성근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-11.

OTP(One Time Programmable) Memory Device for improving Write Performance

Номер патента: KR102466355B1. Автор: 이상석,방훈진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-11-14.

One-time programmable memory cell

Номер патента: US20100284210A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

One-time programmable memory apparatus

Номер патента: KR101619779B1. Автор: 김영희. Владелец: 창원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-05-11.

Method for accessing one-time programmable memory and related circuit

Номер патента: CN113568560A. Автор: 李朝明,彭作辉,王婕妤. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-29.

One time programmable memory

Номер патента: US20060139995A1. Автор: Fabrice Paillet,Vivek De,Dinesh Somasekhar,Yibin Ye,Ali Keshavarzi,Mohsen Alavi,Muhammad Khellah,Stephen Tang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

One-time programmable memory and its data recording method

Номер патента: TWI269306B. Автор: Yi-Jou Huang,Shiau-Lung Wu. Владелец: Fortune Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

One-time programmable memory cell

Номер патента: EP0996064A1. Автор: Francois Jacquet,Richard Ferrant. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2000-04-26.

Method for programming and reading a plurality of one-time programmable memory blocks

Номер патента: US6728137B1. Автор: Ching-Yuan Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-27.

One-time programmable memory device and methods thereof

Номер патента: US20110107010A1. Автор: Timothy J. Strauss,Kelly K. Taylor. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-05-05.

Multilevel one-time programmable memory device

Номер патента: US8054667B2. Автор: Hoon-Sang Oh,Dong-ki Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

System and method for providing write termination for one-time programmable memory cells

Номер патента: CN115210813A. Автор: H·李,金基中,A·C·科塔. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-10-18.

Method using a one-time programmable memory cell

Номер патента: US7376022B2. Автор: Myron Buer,Douglas D. Smith,Bassem F. Radieddine. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

Multi-bit-per-cell three-dimensional one-time-programmable memory

Номер патента: US10102917B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-10-16.

One-time programmable memory device and methods thereof

Номер патента: CN102597975A. Автор: K·K·泰勒,T·J·施特劳斯. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-18.

Method using a one-time programmable memory cell

Номер патента: US20070041246A1. Автор: Myron Buer,Douglas Smith,Bassem Radieddine. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

One-time-programmable memory emulation

Номер патента: US8417902B2. Автор: Jean-Pascal Maraninchi,Majid Kaabouch,Carine Lefort. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-09.

Circuit and method for programming a one-time programmable memory

Номер патента: US11183258B1. Автор: Pavel Latal,Pavel Londak,Petr Hlavica. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-11-23.

Differential Latch-Based One Time Programmable Memory

Номер патента: US20090109724A1. Автор: Myron Buer,Jonathan Schmitt,Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Programming method of one-time programmable memory of integrated circuit

Номер патента: TW200807424A. Автор: Po-Yin Chao,Kuo-Yuan Yuan,Hsiang-Min Lin. Владелец: Fortune Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-02-01.

Read-write circuit of one-time programmable memory

Номер патента: EP3905252A4. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

One-time-programmable bit cell with latch circuit having selectively programmable floating gate transistors

Номер патента: TWI305646B. Автор: Stevens Jason,Sutandi Agustinus,DeShazo Daran. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

One-time-programmable bit cell with latch circuit having selectively programmable floating gate transistors

Номер патента: TW200423136A. Автор: Jason Stevens,Agustinus Sutandi,Daran DeShazo. Владелец: HPL Technologies Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Electrically one time programmable and one time erasable fuse

Номер патента: EP1943653A1. Автор: David William Boerstler,Subramanian Srikanteswara Iyer,Eskinder Hailu,Jieming Qi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Electrically one time programmable and one time erasable fuse

Номер патента: WO2007042372A1. Автор: David William Boerstler,Subramanian Srikanteswara Iyer,Eskinder Hailu,Jieming Qi. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-04-19.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: EP4060667B1. Автор: Karthik Ramanan,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao,Maurits Mario Nicolaas Storms,Jacob T Williams. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Method and apparatus for testing one time programmable (otp) arrays

Номер патента: US20130188410A1. Автор: Gregory A. Uvieghara,Amer Christophe G. Cassier,Anil C. Kota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

CIRCUIT AND SYSTEM FOR TESTING A ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY

Номер патента: US20130201746A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

BURIED BIT LINE ANTI-FUSE ONE-TIME-PROGRAMMABLE NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20130286709A1. Автор: LUNG HSIANG-LAN. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

MEMORY DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE FUNCTION, AND DISPLAY DRIVER IC AND DISPLAY DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20140035801A1. Автор: SHIN Chang-Hee,CHO Ki-Seok,Oh Kwon-Young. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2014-02-06.

METHOD OF PROGRAMMING ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY DEVICE AND METHOD OF TESTING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170040067A1. Автор: Byun Do-Hoon,Sim Chang-Su,Hong Na-Rae. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

One-Time Programmable (OTP) Lock Circuit

Номер патента: US20200043563A1. Автор: GALINSKI Martin F.,SUHENCO Andrei,SNELLA Michael T.. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

MEMORY HAVING ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) ELEMENTS AND A METHOD OF PROGRAMMING THE MEMORY

Номер патента: US20150085557A1. Автор: Hoefler Alexander B.,Tkacik Thomas E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

One-time programmable (otp) memory device for reading multiple fuse bits

Номер патента: US20180108425A1. Автор: Sang-Seok Lee,Hyun-Taek Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

ONE TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY AND READ SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170125121A1. Автор: HUANG CHIH-HAO,Chen Yung-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY CELL AND OTP MEMORY DEVICE FOR MULTI-BIT PROGRAM

Номер патента: US20160148705A1. Автор: LEE Joon-hyung,Kwon Oh-Kyum. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

MEMORY WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) CELLS

Номер патента: US20220301647A1. Автор: Ramanan Karthik,Storms Maurits Mario Nicolaas,Sanjeevarao Padmaraj,Choy Jon Scott,Williams Jacob T.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

ONE TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY AND READ SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170178745A1. Автор: Chen Yung-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY DEVICES AND METHODS OF TESTING OTP MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200219570A1. Автор: HA Min-Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

DIFFERENTIAL ONE-TIME-PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY ARRAY

Номер патента: US20160268002A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

ANTI-FUSE ONE-TIME PROGRAMMABLE RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20150279479A1. Автор: Li Xia,Chen Wei-Chuan,Lee Kangho,Kang Seung Hyuk. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-01.

METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING MEMORY CELLS OF THE ONE-TIME-PROGRAMMABLE TYPE

Номер патента: US20160307640A1. Автор: Denorme Stéphane,Candelier Philippe,Damiens Joel,Benoist Antoine. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2016-10-20.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

DIELECTRIC-BASED MEMORY CELLS HAVING MULTI-LEVEL ONE-TIME PROGRAMMABLE AND BI-LEVEL REWRITEABLE OPERATING MODES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150325310A1. Автор: Kumar Tanmay,Scheuerlein Roy E.,HERNER Scott Brad,Petti Christopher J.,Bandyopadhyay Abhijit. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP)/ READ ONLY (RO) DATA STORAGE DEVICE

Номер патента: US20160351273A1. Автор: SADASIVAM Siva Sakthivel. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Write Enhancement for One Time Programmable (OTP) Semiconductors

Номер патента: US20160379720A1. Автор: Wang Steve,Luan Harry,Cheng Charlie,SU Tao. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING MULTIPLE ONE-TIME PROGRAMMABLE BITS TO CONTROL ACCESS TO A RESOURCE

Номер патента: US20180374554A1. Автор: McWilliams John L. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Memory device with function of one-time programmable, display driver ic and display device with the same

Номер патента: KR101057699B1. Автор: 조기석,신창희,오권영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-08-19.

Memory device with function of one-time programmable, display driver ic and display device with the same

Номер патента: KR101363831B1. Автор: 조기석,신창희,오권영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2014-02-18.

One time programmable device, electronic system including the same and operating method of the same

Номер патента: KR100791071B1. Автор: 오형록,정창욱,공준혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-02.

Crosspoint memory array utilizing one time programmable antifuse cells

Номер патента: US7110278B2. Автор: Fabrice Paillet,Muhammad M. Khellah,Dinesh Somasekhar,Yibin Ye,Vivek K. De,Stephen H. Tang,Ali Keshavarzi,Mohsen Alavi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Control method for a memory cell with one-time programmable non-volatile CMOS memory

Номер патента: DE69800188D1. Автор: Richard Fournel,Fabrice Marinet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2000-08-03.

Reusable sold-state one-time programmable read only memory

Номер патента: US20030193826A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Kan-Chuan Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Digital storage media with one-time programmable read only memory

Номер патента: US20030204659A1. Автор: Kan-Chuan Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

One-time programmable devices including chalcogenide material and electronic systems including the same

Номер патента: US20100090213A1. Автор: Hyung-rok Oh,Chang-Wook Jeong,Jun-Hyok Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

File management of one-time-programmable non volatile memory devices

Номер патента: EP1331548A2. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2003-07-30.

Circuit and system for testing a one-time programmable (OTP) memory

Номер патента: US8917533B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Shine C. Chung. Дата публикации: 2014-12-23.

One time programmable element system in an integrated circuit

Номер патента: US20080304347A1. Автор: Prashant U. Kenkare,Michael Zimin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Error detection and correction of one-time programmable elements

Номер патента: CN104956445A. Автор: S·金,T·金,J·P·金. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-30.

Retention improvement technique for one time programmable non-volatile memory

Номер патента: US6982907B1. Автор: Vladislav Vashchenko,Peter J. Hopper,Yuri Mirgorodski. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Non-volatile memory devices and systems including phase-change one-time-programmable (OTP) memory cells and related methods

Номер патента: US7457152B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-25.

One-time-programmable cell and otp memory having it

Номер патента: KR100845407B1. Автор: 조기석,신창희. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-07-10.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US9564243B2. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Error detection and correction of one-time programmable elements

Номер патента: EP2951835B1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

One-time programmable cell circuit and semiconductor integrated circuit having the same

Номер патента: JP5302157B2. Автор: 宏幸古川,功夫成竹. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-02.

OTP (one time programmable) embedded memory and programming method and reading method thereof

Номер патента: CN110459257B. Автор: 王志刚,李弦,贾宬. Владелец: Zhuhai Chuangfeixin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-23.

Protection of one-time programmable (OTP) memory

Номер патента: US8990478B2. Автор: John A. Fifield,Jeffrey S. Zimmerman,Gerald P. Pomichter, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Electrical fuse one time programmable (otp) memory

Номер патента: US20240046992A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park,Jong Min CHO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Electrical fuse one time programmable (OTP) memory

Номер патента: US11854622B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park,Jong Min CHO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods and systems for managing read operation of a one-time programmable (otp) memory

Номер патента: US20230197162A1. Автор: Himanshu Saxena. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

One-time programmable (rotp) nvm

Номер патента: US20230395171A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Two-terminal one-time programmable fuses for memory cells

Номер патента: US11948630B2. Автор: Federico Nardi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

면적 감소를 위해 다이오드 회로를 이용하는 otp(one-time programmable) 메모리 셀 회로들, 및 관련된 otp 메모리 셀 어레이 회로들 및 방법들

Номер патента: KR20230088697A. Автор: 호철 이,아닐 차우다리 코타,앤 스리칸스. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-06-20.

One-time programmable (otp) memory cell circuits employing a diode circuit for area reduction, and related otp memory cell array circuits and methods

Номер патента: EP4233054A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Anne Srikanth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

One-time programmable (rotp) nvm

Номер патента: WO2023239556A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

One-time programmable memory device and method for verifying data for such memory device

Номер патента: US09740561B2. Автор: Cheng-Tie Chen,Guobing Mo,Shuna Xu. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US11397535B2. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US20210200440A1. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for patching code located in one time programmable memory

Номер патента: US20240264825A1. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Chip fingerprint management based upon one-time programmable memory

Номер патента: US20190347446A1. Автор: Moyang CHEN. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Controlling access to data storage means using a one-time-programmable memory device

Номер патента: GB2490875A. Автор: Nick Evans,Ian Storey. Владелец: FUTURE UPGRADES Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

One-time programmable memory controller, related processing system, integrated circuit and method

Номер патента: US20230409320A1. Автор: Stefano Catalano,Giuseppe Guarnaccia,Antonino Giuseppe Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-21.

Application-specific integrated circuit (asic) with one-time programmable (otp) bits

Номер патента: US20230401340A1. Автор: Gary M. Nobel. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-12-14.

Secure programming of one-time-programmable (otp) memory

Номер патента: WO2023158773A1. Автор: Arun Krishnan,Ravindra Kumar,Eileen Marando. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-08-24.

Electronic device having one-time-programmable (OTP) memory and method for writing and reading OTP memory

Номер патента: US11494262B2. Автор: Liang-Liang Song,Ming-Rui Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09940978B2. Автор: El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09478308B1. Автор: El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Differential and Hierarchical Sensing for Memory Circuits

Номер патента: US20080175085A1. Автор: Matthew R. Wordeman,William Robert Reohr,Paul C. Parries,John Edward Barth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Single-rail memory circuit with row-specific voltage supply lines and boost circuits

Номер патента: US11322200B1. Автор: Mahbub Rashed,Shivraj G. Dharne,Vivek Raj,Uttam K. Saha. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Memory circuit and stack type memory system including the same

Номер патента: US09761288B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Sensing scheme for high speed memory circuits with single ended sensing

Номер патента: US09583208B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Vaibhav Verma,Sachin Taneja,Pritender Singh. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Mitigating leakage in memory circuits

Номер патента: US09406374B1. Автор: PANKAJ Agarwal,Patrick Van De Steeg,Jainendra Singh,Jwalant Kumar Mishra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory circuit with sense amplifier calibration mechanism

Номер патента: US20230267973A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Yu-Hui Lin,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-08-24.

Read-out circuit for a dynamic memory circuit, memory cell array, and method for amplifying and reading data stored in a memory cell array

Номер патента: US20040090833A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Memory circuit with transistors having different threshold voltages and method of operating the memory circuit

Номер патента: US09812181B2. Автор: Yi-Cheng HUANG,Chou-Ying Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory circuit and layout structure of a memory circuit

Номер патента: US20160203847A1. Автор: Chia-Wei Wang,Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Anti-fuse memory circuit

Номер патента: US20230020078A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US12112796B2. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Anti-fuse memory circuit

Номер патента: US11842766B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit having data lines selectively coupled to a sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US09881655B2. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20240371435A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory circuit and layout structure of a memory circuit

Номер патента: US09640229B2. Автор: Chia-Wei Wang,Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Accelerated single-ended sensing for a memory circuit

Номер патента: US7433254B2. Автор: Dennis E. Dudeck,Donald Albert Evans,Hai Quang Pham,Wayne E. Werner,Ronald James Wozniak. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-10-07.

Memory circuit, electronic device having the memory circuit, and method of operating memory circuit

Номер патента: US20220068355A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng-Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory circuit having a decoder

Номер патента: US4470133A. Автор: Kazuo Tanimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-09-04.

Address signal generating circuit for a memory circuit

Номер патента: US4587558A. Автор: Hideo Sato,Nobuaki Takahashi,Koji Tanaka,Yoshiaki Amano,Hiroyuki Sugiyama,Takeshi Shibamoto. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1986-05-06.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230410854A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230245694A1. Автор: Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory circuit and data processing system

Номер патента: US09786362B1. Автор: Adeline-Fleur Fleming,David Michael Bull,Shidhartha Das,Pranay Prabhat. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory circuit including a current switch and a sense amplifier

Номер патента: US09761283B2. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2017-09-12.

Optical recorder having a signal separation circuit and a FIFO memory circuit

Номер патента: US5578819A. Автор: Susumu Saito,Hitomi Shimizu,Keiji Kataoka,Kunitomo Takahashi,Isao Nakajima,Shigeo Nemoto,Muneyoshi Akai,Shuuho Yokokawa,Youji Hirose,Satoshi Aita. Владелец: HITACHI KOKI CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20200005841A1. Автор: Cheng Hung Lee,Shih-Lien Linus Lu,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory circuit, method, and electronic device for implementing ternary weight of neural cell network

Номер патента: US11373706B2. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Memory circuit and word line control circuit

Номер патента: US20130010531A1. Автор: Shih-Huang Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Memory circuit and method for sensing a memory element

Номер патента: EP2013882A2. Автор: Maurits M.N. STORMS. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-14.

Memory circuit, method, and electronic device for implementing ternary weight of neural cell network

Номер патента: US20220165334A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Method and circuit for reading a dynamic memory circuit

Номер патента: US7307869B2. Автор: Ralf Klein,Hermann Fischer,Bernd Klehn,Eckhard Brass,Thomas Schumann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-11.

Method and circuit for reading a dynamic memory circuit

Номер патента: US20060146593A1. Автор: Ralf Klein,Hermann Fischer,Bernd Klehn,Eckhard Brass,Thomas Schumann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-06.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20230260571A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

One-Time Programmable Memory Cell

Номер патента: US20140071731A1. Автор: Yong Lu,Jonathan Schmitt,Owen Hynes,Roy Milton Carlson. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Memory circuit, layout of memory circuit, and method of forming layout

Номер патента: US09887186B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory circuit and method for controlling memory circuit

Номер патента: US20110273951A1. Автор: Hung-Yu Li,Wade Wang,Chia-Cheng Chen,James Ma,Kun-Ti Lee,Rick Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Accessing memory circuit

Номер патента: US20220310140A1. Автор: Jussi TAKKALA. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-09-29.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: WO2002014886A2. Автор: Louis Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-02-21.

Integrated memory circuit utilizing block selection

Номер патента: IE872255L. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-02-27.

Integrated memory circuit utilizing block selection

Номер патента: IE60222B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1994-06-15.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: EP1309877A2. Автор: Louis Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-05-14.

Memory circuit including pre-charging unit, sensing unit, and sink unit and method for operating same

Номер патента: US09589610B1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US11842769B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US20230335187A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Selfcalibration method and circuit of nonvolatile memory and nonvolatile memory circuit

Номер патента: US20100014363A1. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Read-only memory circuit

Номер патента: US11764202B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory circuit, semiconductor memory module using the same, and acoustic signal reproducing system

Номер патента: US5329484A. Автор: Hideo Tsuiki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Semiconductor integrated circuit device with built-in memory circuit group

Номер патента: US5377136A. Автор: Manabu Shibata,Akira Uragami,Yoji Nishio,Fumiaki Matsuzaki,Fumio Murabayashi,Shoichi Kotoku,Yoshitatsu Kojima. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US4393472A. Автор: Hiroshi Shimada,Keizo Aoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-07-12.

Accessing memory circuit

Номер патента: US11881285B2. Автор: Jussi TAKKALA. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-01-23.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20240324192A1. Автор: Shigenobu Maeda,Eun Young Lee,Sangjin Lee,Kwan Young Kim,Bora KIM,Hoonjin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit feature definition using one-time-programmable (otp) memory

Номер патента: US20080258757A1. Автор: Edwin A. Muth,James L. Archibald,Kang W. Lee,Clinton H. Holder,Kreg D. Ulery. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-10-23.

Integrated one-time programmable semiconductor device pair

Номер патента: US20110248356A1. Автор: Douglas Smith. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Configuration and method of manufacturing the one-time programmable (OTP) memory cells

Номер патента: US20100035397A1. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Memory card having one-time programmable memory

Номер патента: US6836834B2. Автор: Paul E. Schulze,Laurence J. Lobel. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-12-28.

Memory card having one-time programmable memory

Номер патента: US20040098428A1. Автор: Paul Schulze,Laurence Lobel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for producing one-time-programmable memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09881928B2. Автор: Philippe Candelier,Stephane Denorme. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-30.

METHOD FOR PRODUCING ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY CELLS AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170133390A1. Автор: Denorme Stéphane,Candelier Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20150311215A1. Автор: Luan Harry Shengwen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Method for Producing One-Time-Programmable Memory Cells and Corresponding Integrated Circuit

Номер патента: US20160343720A1. Автор: Denorme Stéphane,Candelier Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Current in one-time-programmable memory cells

Номер патента: US8664706B2. Автор: Allan T. Mitchell,Weidong Tian,Shanjen “Robert” Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-04.

One time programmable memory device, integrated circuit including the same and method for fabricating thereof

Номер патента: KR100518577B1. Автор: 구정모,오희선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-04.

Mos transistor having lower gate-to-source/drain breakdown voltage and one-time programmable memory device using the same

Номер патента: US20210320110A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Repairing circuit for memory circuit and method thereof and memory circuit using the same

Номер патента: US20120287737A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Programmable memory circuit with an improved programming voltage applying circuit

Номер патента: US4583205A. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Fuse circuit using anti-fuse and method for searching for failed address in semiconductor memory

Номер патента: US20020191468A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Low power embedded one-time programmable (OTP) structures

Номер патента: US09735164B2. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130302960A1. Автор: ITO Akira,Chen Xiangdong. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

Low power embedded one-time programmable (otp) structures

Номер патента: US20170110465A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

ONE TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170179297A1. Автор: LEE Kyung Ho,Kim Tae Ho,CHOI Sung Jin,SEO Young Chul. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2017-06-22.

LOW POWER EMBEDDED ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) STRUCTURES

Номер патента: US20170345830A1. Автор: Toh Eng Huat,Zheng Ping,Quek Kiok Boone Elgin,SUN YUAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE COMPATIBLE WITH VERTICAL TRANSISTOR PROCESSING

Номер патента: US20200365607A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

One-time programmable nonvolatile memory array and method for operating and fabricating the same

Номер патента: KR101067412B1. Автор: 이정훈,박병국,조성재. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor Device Having One-Time Programmable ROM And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100481870B1. Автор: 김명수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-11.

For manufacture include MOS capacitor One Time Programmable type memory cell method and corresponding integrated circuit

Номер патента: CN106169474B. Автор: S·德努尔梅,P·康德利耶. Владелец: Yifa Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-11.

Method and apparatus for using cobalt silicided polycrystalline silicon for a one time programmable non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7180102B2. Автор: Frank Yauchee Hui. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-02-20.

One-time programmable device having an LDMOS structure and related manufacturing method

Номер патента: EP2579310A2. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-10.

Low power embedded one-time programmable (otp) structures

Номер патента: US20170345830A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Low power embedded one-time programmable (OTP) structures

Номер патента: US10381356B2. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-13.

Low power embedded one-time programmable (otp) structures

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Semiconductor memory circuit including a data output circuit

Номер патента: US20010048633A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Lockheed Missiles and Space Co Inc. Дата публикации: 2001-12-06.

Neuromorphic memory circuit using a dendrite leaky integrate and fire (LIF) charge

Номер патента: US09830982B2. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Neuromorphic memory circuit using a leaky integrate and fire (LIF) line to transmit axon LIF pulse and a conductive denrite LIF line

Номер патента: US09830981B2. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory circuit using storage capacitance

Номер патента: GB1243589A. Автор: Robert Kenneth Booher. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1971-08-18.

Memory circuit, memory precharge control method and device

Номер патента: US20220319559A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory circuit, signal transmission system and signal transmission method

Номер патента: US20240233799A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory circuit having shift redundancy circuits

Номер патента: US6021075A. Автор: Yoshinori Ueno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Memory circuit having pseudo ground

Номер патента: US10629270B2. Автор: Yin-Chang Chen,Isaac Y. Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-04-21.

On chip voltage regulator for common collection matrix programmable memory array

Номер патента: US5193073A. Автор: Rohit L. Bhuva. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-03-09.

Bias generation circuit and memory circuit

Номер патента: US20230290385A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory circuit for and method of protecting memory data integrity during an output operation utilizing memory data

Номер патента: US4953132A. Автор: Toshiyuki Katsu,Fusako Inotsume. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Memory circuit having pseudo ground

Номер патента: US20190378577A1. Автор: Yin-Chang Chen,Isaac Y. Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-12-12.

Content addressable memory apparatus, content addressable memory circuit and memory self-test method thereof

Номер патента: US20240312548A1. Автор: I-Hao Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory circuit, and method for reading out data contained in the memory circuit using shared command signals

Номер патента: US20050270884A1. Автор: Michael Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-08.

Memory circuit for preventing rise cell array power source

Номер патента: US20010014045A1. Автор: Kaoru Mori,Ayako Kitamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Memory circuit having increased write margin and method therefor

Номер патента: US09940996B1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits

Номер патента: US09542353B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits

Номер патента: US09542352B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory circuit

Номер патента: US09496037B2. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods and apparatus for synthesizing multi-port memory circuits

Номер патента: US09390212B2. Автор: Sundar Iyer,Sanjeev Joshi,Thu Nguyen,Adam Kablanian,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory circuit having concurrent writes and method therefor

Номер патента: US20180366191A1. Автор: Anirban Roy,Perry H. Pelley,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Memory device provided with dram memory circuits arranged in such a way as to minimize the size of a memory block allowing management of the row-hammering

Номер патента: US20240233800A9. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory circuit, data transmission circuit, and memory

Номер патента: US20230267976A1. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Enpeng Gao,Kangling Jl. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Memories and memory circuits

Номер патента: WO2003096351A2. Автор: Pieter J. Van Der Zaag,Kars-Michiel H. Lenssen,Martin J. Edwards. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-11-20.

Analog dynamic memory circuit

Номер патента: US4947371A. Автор: Tomohiko Suzuki. Владелец: Addams Systems Inc. Дата публикации: 1990-08-07.

Power control circuit for memory circuit based on complementary field effect transistor devices

Номер патента: US20240321337A1. Автор: Chia-Che Chung,Chien-Chen Lin,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memories and memory circuits

Номер патента: WO2003096351A8. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Martin J Edwards,Der Zaag Pieter J Van. Владелец: Der Zaag Pieter J Van. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory circuit configuration schemes on multi-drop buses

Номер патента: US09921993B2. Автор: Timothy Mowry Hollis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Apparatus and method for controlling boost capacitance for low power memory circuits

Номер патента: US09837144B1. Автор: Rakesh Kumar Sinha,Sharad Kumar Gupta,Mukund Narasimhan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits

Номер патента: US09727458B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory circuit

Номер патента: US09672878B1. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits

Номер патента: US09632929B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Configurable memory circuit system and method

Номер патента: US09507739B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Universally accessible fully programmable memory built-in self-test (MBIST) system and method

Номер патента: US20040230395A1. Автор: Luis Basto. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Integrated memory circuit with a storage element and method for reading error information

Номер патента: US20040042289A1. Автор: Manfred Pröll,Jörg Kliewer,Heinz-Joachim Neubauer,Claus Engelhardt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Print component with memory circuit

Номер патента: US12030312B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-07-09.

Voltage regulator circuit for a memory circuit

Номер патента: US20090296509A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Balancing a signal margin of a resistance based memory circuit

Номер патента: EP2380175A1. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Jee-Hwan Song,Mehdi Hamidi Sani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Balancing a signal margin of a resistance based memory circuit

Номер патента: WO2010080629A1. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Jee-Hwan Song,Mehdi Hamidi Sani. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-07-15.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240274190A1. Автор: Chia-En HUANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory circuit

Номер патента: US20030128569A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Shue-Shuen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Digital memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US20030067821A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

Asymmetrical Memory Circuits And Methods

Номер патента: US20230410897A1. Автор: YAN Cui,Shankar Sinha,Shuxian Chen,Andy Lee,David Parkhouse,J M Lewis Higgins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20210375352A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien-Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Digital memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US6711072B2. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Anti-fuse memory circuit

Номер патента: US20230012334A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory circuit and method for increased write margin

Номер патента: US09934846B1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory circuit

Номер патента: US20210280265A1. Автор: Masami Kuroda,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory circuit that updates and holds output signal based on fuse signal

Номер патента: US09595348B2. Автор: Yoshihiro Teno. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Associative memory circuit

Номер патента: US09564218B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-02-07.

Read method, write method and memory circuit using the same

Номер патента: US11367482B2. Автор: Yih Wang,Carlos H. Diaz,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Zero-power programmable memory cell

Номер патента: USRE40311E1. Автор: Sunil D. Mehta,Fabiano Fontana. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-13.

Page buffer for a programmable memory device

Номер патента: US7298650B2. Автор: Osama Khouri,Stefano Zanardi,Giulio Martinozzi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-20.

Programmable memory with memory cells programmed by addressing

Номер патента: US4727514A. Автор: Rohit L. Bhuva,Allen Y. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1988-02-23.

Programmable memory controller

Номер патента: US20130282972A1. Автор: Arun S. JAGATHEESAN,Engin Ipek,Mahdi Nazm Bojnordi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Read method, write method and memory circuit using the same

Номер патента: US11735259B2. Автор: Yih Wang,Carlos H. Diaz,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Data processing system which permits of using the same erasable and programmable memory for instructions and data both in reading and writing

Номер патента: US4665480A. Автор: Pierre Fevrier,Serge Robert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-05-12.

Programmable storage unit and programmable memory array and reading and writing method therefor

Номер патента: EP3933840A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Memory circuits, systems, and operating methods thereof

Номер патента: US20100220539A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Kuoyuan Peter Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Memory circuits, systems, and operating methods thereof

Номер патента: US20130148439A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Memory circuit for storing parsimonious data

Номер патента: US20230030058A1. Автор: Olivier Bichler,Vincent LORRAIN,David Briand,Johannes Christian THIELE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-02-02.

Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit

Номер патента: US20070195621A1. Автор: Yu Lu,Mark Lamorey,Janusz Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: WO2002029825A2. Автор: Louis L. Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: EP1327249A2. Автор: Louis L. Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-07-16.

Method and test circuit for testing a dynamic memory circuit

Номер патента: US20040257893A1. Автор: Peter Beer,Martin Versen,Lee Nino. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory circuit

Номер патента: US4500974A. Автор: Akira Nagami. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-19.

Neuromorphic memory circuit and operating method therof

Номер патента: EP4167142A1. Автор: Sang Bum Kim,Suyeon Jang,Uicheol SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Neuromorphic memory circuit and operating method therof

Номер патента: US20230119915A1. Автор: Sangbum Kim,Suyeon Jang,Uicheol SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

PMC memory circuit and method for storing a datum in a PMC memory circuit

Номер патента: US20060176725A1. Автор: Ralf Symanczyk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory circuit and method for refreshing dynamic memory cells

Номер патента: US20070258307A1. Автор: Wolfgang Ruf,Manfred Proell,Stephan Schroeder,Hermann Haas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-08.

Static type semiconductor memory circuit

Номер патента: US4612631A. Автор: Kiyofumi Ochii. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-09-16.

Electrically programmable memory matrix

Номер патента: US4502131A. Автор: Burkhard Giebel. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1985-02-26.

Bipolar memory circuit

Номер патента: US4337523A. Автор: Yukio Kato,Teruo Isobe,Atsuo Hotta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-29.

Memory circuit and testing method thereof

Номер патента: US20190198133A1. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory circuit and testing method thereof

Номер патента: US10679720B2. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Nonvolatile memory circuit using spin mos transistors

Номер патента: US20110194342A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Memory circuit structure and method of operating memory circuit structure

Номер патента: US20230368838A1. Автор: Jie Yu,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Danian Dong,Zhaoan Yu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Device comprising a non-volatile memory circuit

Номер патента: US20220246211A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Jean-Michel PORTAL,Valentin EGLOFF. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory circuit, a dynamic random access memory, a system comprising a memory and a floating point unit and a method for storing digital data

Номер патента: US20080062743A1. Автор: Peter Mayer,Wolfgang Spirkl,Michael Richter,Martin Brox,Thomas Hein,Markus Balb,Christoph Bilger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-03-13.

8-transistor sram cell design with inner pass-gate junction diodes

Номер патента: US20130176770A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile memory circuit using spin mos transistors

Номер патента: US20120119274A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Non-volatile programmable memory cell for programmable logic array

Номер патента: EP1927112A1. Автор: Hung-Sheng Chen,John McCollum,Frank Hawley. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Non-volatile programmable memory cell for programmable logic array

Номер патента: EP1927112A4. Автор: Hung-Sheng Chen,John McCollum,Frank Hawley. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Non-volatile programmable memory cell for programmable logic array

Номер патента: WO2007037823A1. Автор: Hung-Sheng Chen,John McCollum,Frank Hawley. Владелец: Actel Corporation. Дата публикации: 2007-04-05.

System and method for resistance based memory circuit parameter adjustment

Номер патента: RU2465641C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Дзи-Су КИМ,Дзи-Хван СОНГ,Сеунг Х. КАНГ (US),Сеонг-Оок ДЗУНГ (US),Дзи-Су КИМ (US),Дзи-Хван СОНГ (US),Сей Сеунг ЙООН (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-27.

System and method of resistance based memory circuit parameter adjustment

Номер патента: CA2720058C. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Jee-Hwan Song. Владелец: Yonsei University. Дата публикации: 2016-02-23.

Dynamic memory circuit with improved sensing scheme

Номер патента: US4879692A. Автор: Kazuo Tokushige. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Semiconductor memory circuit having an improved restoring control circuit

Номер патента: US5148400A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-09-15.

Memory circuit having a redundant memory cell array for replacing faulty cells

Номер патента: US5058059A. Автор: Masahiko Matsuo,Kazuo Nakaizumi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US4458336A. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-07-03.

Power management for memory circuit system

Номер патента: EP2442309A3. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2013-01-23.

Memory circuit

Номер патента: US3643111A. Автор: Charles R Deyo. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-02-15.

Memory circuit and memory programming method

Номер патента: US11495312B2. Автор: Pil-Sang Ryoo,Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory circuit provided with variable-resistance element

Номер патента: US20180350419A1. Автор: Hiroki Koike,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-12-06.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4558432A. Автор: Kenelm G. D. Murray,Colin W. Edwards. Владелец: Hughes Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Configurable memory circuit system and method

Номер патента: US20160048466A1. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-02-18.

Programmable memory and method for driving programmable memory

Номер патента: US20230402118A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

One-bit memory circuit for amoled panel sub-pixels

Номер патента: US20210343237A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Gohi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

One-bit memory circuit for amoled panel sub-pixels

Номер патента: US11605340B2. Автор: Lei Wang. Владелец: Gohi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Memory circuit and memory programming method

Номер патента: US20220157392A1. Автор: Pil-Sang Ryoo,Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20110128781A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Interface of a memory circuit

Номер патента: US20240112727A1. Автор: Lin Ma,Hung-Piao Ma,Wenliang Chen,Girish Nanjappa,Keng Lone Wong,Chun Yi LIN. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory circuit

Номер патента: US20070069386A1. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Neuromorphic memory circuit

Номер патента: US20160203400A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Memory Circuit with Decoupled Read and Write Bit Lines and Improved Write Stability

Номер патента: US20090147592A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory circuit and method for writing into a target memory area

Номер патента: US20080126717A1. Автор: Holger Sedlak,Jan Otterstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Digital memory circuit having a plurality of segmented memory areas

Номер патента: US20030067820A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

Digital memory circuit having a plurality of segmented memory areas

Номер патента: US6711085B2. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Memory circuit

Номер патента: US20240295973A1. Автор: Tatsushi Otsuka. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Nonvolatile memory circuit and memory device including same

Номер патента: US09859024B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory circuit

Номер патента: US09711244B1. Автор: Tobias Werner,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Multi-level memory circuit with regulated reading voltage

Номер патента: US6101121A. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-08-08.

Memory circuit, data transmission circuit, and memory

Номер патента: EP4258265A1. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Kangling JI,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4475177A. Автор: Kenelm G. D. Murray. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1984-10-02.

Memory device with redundant memory circuit and repair method thereof

Номер патента: US11829605B2. Автор: Toshio Sunaga,Jui-Jen Wu,Tzu-Hao YANG. Владелец: Siloam Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory circuit comprising redundant memory areas

Номер патента: US20050281076A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Memory device provided with dram memory circuits arranged in such a way as to minimize the size of a memory block allowing management of the row-hammering

Номер патента: US20240135981A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory circuit and method for reading memory circuit

Номер патента: US20240144999A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Xinyu Bao,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Error compensation circuit for analog capacitor memory circuits

Номер патента: US12009039B2. Автор: Hyung-Min Lee,Minil KANG,Min-Seong UM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory circuit

Номер патента: EP3828889A1. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2021-06-02.

Memory circuit, method of access, and method of preparation of data in memory

Номер патента: US5652855A. Автор: Mitsuharu Ohki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-07-29.

Semiconductor memory circuit with sensing arrangement free from malfunction

Номер патента: US4926381A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Memory circuit including write control unit wherein subthreshold leakage may be reduced

Номер патента: US5796650A. Автор: Thomas R. Wik,Shahryar Aryani. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-08-18.

Integrated four-phase digital memory circuit with decoders

Номер патента: US3886532A. Автор: Horst A R Wegener,Douglas R Askegard. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

Memory circuit having a memory reset and recovery controller

Номер патента: US4639899A. Автор: Colin N. Murphy,Guey T. Lu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1987-01-27.

Neuromorphic memory circuit and method of neurogenesis for an artificial neural network

Номер патента: EP4334850A1. Автор: Wei Yi,Charles Martin,Soheil KOLOURI,Praveen Pilly. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-03-13.

Matrix multiplication with resistive memory circuit having good substrate density

Номер патента: US20230317161A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Computing-in-memory circuit

Номер патента: US11893271B2. Автор: Feng Zhang,Renjun Song. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Read Assist for Memory Circuits

Номер патента: US20100103755A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-04-29.

Interface of a memory circuit and memory system thereof

Номер патента: US11842763B2. Автор: Lin Ma,Hung-Piao Ma,Wenliang Chen,Girish Nanjappa,Keng Lone Wong,Chun Yi LIN. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory Circuit and Method for Operating a First and a Second Set of Memory Cells

Номер патента: US20180226114A1. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Associative memory circuit

Номер патента: US20150131355A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-05-14.

Print component with memory circuit

Номер патента: US20230382105A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-30.

Print component with memory circuit

Номер патента: CA3126913C. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory circuit and method for operating a first MRAM and a second MRAM set of memory cells configured to operate in a direct access mode and/or refresh mode

Номер патента: US10347312B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Memory circuit and method for operating a first and a second set of memory cells in direct memory access mode with refresh

Номер патента: US9824737B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Print component with memory circuit

Номер патента: US11780222B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20020060931A1. Автор: Takeshi Nagai,Masaru Koyanagi,Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Memory circuit for storing parsimonious data

Номер патента: US11886719B2. Автор: Olivier Bichler,Vincent LORRAIN,David Briand,Johannes Christian THIELE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory circuit and control method thereof

Номер патента: US20090296500A1. Автор: Seiji Murata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory circuits, systems, and methods for providing bit line equalization voltages

Номер патента: US20100202220A1. Автор: Young Suk Kim,TaeHyung Jung,Kuoyuan Peter Hsu,Douk Hyoun Ryu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Memory circuit

Номер патента: US8760926B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura,Yoshitsugu Hirose,Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Nor flash memory circuit and data writing method

Номер патента: US20220084602A1. Автор: Hong Nie,Yue Zhao. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Read assist for memory circuits

Номер патента: EP2351033A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

Read assist for memory circuits

Номер патента: WO2010048245A9. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-07-22.

Read assist for memory circuits

Номер патента: WO2010048245A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-04-29.

Improvements in and relating to stable memory circuits

Номер патента: IE892223A1. Автор: Brian Arthur Coghlan,Jeremy Owen Jones. Владелец: Provost. Дата публикации: 1991-03-27.

Matrix multiplication with resistive memory circuit having good substrate density

Номер патента: WO2023192966A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory circuits having a plurality of keepers

Номер патента: US20110280096A1. Автор: Derek C. Tao,Annie Lum,Young Seog Kim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Print component with memory circuit

Номер патента: CA3126920C. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory circuit and memory

Номер патента: US12002503B2. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory circuit and memory

Номер патента: US20230077468A1. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit

Номер патента: US20070159898A1. Автор: Yu Lu,Mark Lamorey,Janusz Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

System and method for emulating many time programmable memory

Номер патента: US09465559B2. Автор: Timothy P. Butler,Leonid Mats,David Puleston,Javier Berrios,Robert W. Hamlin,Steve Beckhardt,Larry Moore. Владелец: Tego Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Radio frequency identification tag with emulated multiple-time programmable memory

Номер патента: US09390362B2. Автор: Timothy P. Butler,Leonid Mats,David Puleston,Javier Berrios,Robert W. Hamlin,Steve Beckhardt,Larry Moore. Владелец: Tego Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Restricting usage using a cryptographic circuit using stored message authentication codes and a cryptographic and a secure circuit

Номер патента: NZ581246A. Автор: Christian Gehrmann. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 2012-07-27.

One-time programmable memories for key storage

Номер патента: US8433930B1. Автор: Martin Langhammer,Keone Streicher,David Jefferson,Juju Joyce. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

One-time programmable memories for key storage

Номер патента: US7818584B1. Автор: Martin Langhammer,Keone Streicher,David Jefferson,Juju Joyce. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Integrated circuit (ic) signatures with random number generator and one-time programmable device

Номер патента: US20240348435A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih,Cheng-En Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Kun-Hsi Li,Shih-Liang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

One-time programmable integrated circuit security

Номер патента: CN104903911B. Автор: 阿萨夫·阿什克纳济. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-10.

One-time programmable integrated circuit security

Номер патента: KR101727678B1. Автор: 아사프 아쉬케나지. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-04-17.

Integrated circuit (ic) signatures with random number generator and one-time programmable device

Номер патента: US20230121502A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih,Cheng-En Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Kun-Hsi Li,Shih-Liang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated circuit (IC) signatures with random number generator and one-time programmable device

Номер патента: US11962693B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih,Cheng-En Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Kun-Hsi Li,Shih-Liang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor One-Time Programmable Memory for Nanometer CMOS

Номер патента: US20210125999A1. Автор: Donghyuk Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-29.

One time programmable memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20170154890A1. Автор: Hyun-Min Choi,Sang-Woo Pae,Min-jung Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-01.

One time programmable device

Номер патента: US20240145469A1. Автор: Santosh Sharma,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

LDMOS One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130299904A1. Автор: ITO Akira,Chen Xiangdong. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

Capacitor-coupled n-type transistor-based one-time programmable device

One time programmable read only memory

Номер патента: EP1878057A4. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

One-time programmable memory capacitor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230147512A1. Автор: Po-Wen Su,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

One-time-programmable memory devices

Номер патента: US20230337419A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

One-time programmable memory device including anti-fuse element

Номер патента: US20230284442A1. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

One-time programmable memory device including anti-fuse element

Номер патента: US11963347B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

One-time programmable memory device including anti-fuse element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366918A1. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

One-time programmable memory device including anti-fuse element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11665890B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130161761A1. Автор: He Yue-Song,Luan Harry S.,Wong Ting-Wah. Владелец: KILOPASS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor One-Time Programmable Memory for Nanometer CMOS

Номер патента: US20210125999A1. Автор: Ju Donghyuk. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140217484A1. Автор: Luan Harry Shengwen. Владелец: KILOPASS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220310633A1. Автор: CHIU Hsih-Yang,LI WEI-ZHONG. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory Comprising Schottky Diodes

Номер патента: US20180226414A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE INCLUDING ANTI-FUSE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210366918A1. Автор: Lin Jian-Hong,Wang Ming-Yih,OU Chiung-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-11-25.

One-time programmable memory device

Номер патента: CN113270412A. Автор: 王奕,黄家恩,张盟昇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

One-time programmable memory element

Номер патента: CN115249711A. Автор: 薛胜元,李国兴,林俊贤. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-28.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US20220336479A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

One-time-programmable device structure

Номер патента: US20230307356A1. Автор: Po-Hsiang Huang,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

One Time Programmable Structure Using a Gate Last High-K Metal Gate Process

Номер патента: US20130082347A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

DIE CRACK DETECTOR WITH INTEGRATED ONE-TIME PROGRAMMABLE ELEMENT

Номер патента: US20150115266A1. Автор: Sanchez Audel A.,Suarez Jose L.,MIERA Michele L.,PRYOR Robert A.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-04-30.

ONE TIME PROGRAMMABLE AND MULTI-LEVEL, TWO-TERMINAL MEMORY CELL

Номер патента: US20150129829A1. Автор: Kumar Tanmay. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.

ONE TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY CELL ON GLASS SUBSTRATE

Номер патента: US20210249426A1. Автор: Sun Wein-Town,HSIAO Woan-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING DECOUPLING CAPACITOR ARRAY ARRANGED OVERLYING ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE

Номер патента: US20200343182A1. Автор: Lin Shian-Jyh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING DECOUPLING CAPACITOR ARRAY ARRANGED OVERLYING ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE

Номер патента: US20200343253A1. Автор: Lin Shian-Jyh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

One-time programmable anti-fuse element and method

Номер патента: EP1208597A2. Автор: Todd Mitchell. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

[methods for forming pn junction, one-time programmable read-only memory and fabricating processes thereof]

Номер патента: US20050062079A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

One-time programmable devices and methods of forming the same

Номер патента: US8653623B2. Автор: Chun-Yao Ko,Jyun-Ying LIN,Ting-Chen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-18.

One-time-programmable anti-fuse formed using damascene process

Номер патента: US20080012138A1. Автор: Ming-Tsong Wang,Tong-Chern Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

One-time programmable (otp) memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20230015480A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Yung-Chen Chiu,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

One-time programmable charge-trapping non-volatile memory device

Номер патента: US20110156157A1. Автор: Luca Milani,David Vigar,Rainer Herberholz. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory devices having one-time-programmable fuses and/or antifuses formed from thin-film transistors

Номер патента: US20240074168A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

One time programmable system

Номер патента: TWI286360B. Автор: Bily Wang. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2007-09-01.

One time programmable system.

Номер патента: TW200426955A. Автор: Bily Wang. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2004-12-01.

Mos p-n junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150084136A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2015-03-26.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595617B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8558315B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kou-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2013-10-15.

Trench isolation MOS P-N junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8735228B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-05-27.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140308799A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-16.

Trench isolation mos p-n junction diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140004681A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-01-02.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US9362350B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865700B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180331052A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

High voltage lateral junction diode device

Номер патента: EP3729508A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Sunglyong Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

High voltage lateral junction diode device

Номер патента: WO2019126572A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Sunglyong Kim. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-06-27.

Terahertz detector comprised of p-n junction diode

Номер патента: US20180294238A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

MOS P-N junction diode with enhanced response speed and manufacturing method thereof

Номер патента: US8921949B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kou-Liang CHAO,Tse-Chuan SU. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-12-30.

Metal junction diode and process

Номер патента: WO2006078410A3. Автор: Nui Chong,Farrokh Omid-Zohoor. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Metal junction diode and process

Номер патента: WO2006078410A2. Автор: Nui Chong,Farrokh Omid-Zohoor. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2006-07-27.

Bipolar junction transistors and p-n junction diodes including stacked nano-semiconductor layers

Номер патента: US20230361112A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong,Gunho JO,Hyoeun Park,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Programmable memory transistor

Номер патента: US20040119113A1. Автор: Jack GLENN,Thomas Simacek,Thomas Kotowski,Alireza Borzabadi. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Programmable memory and forming method thereof

Номер патента: US20230301083A1. Автор: Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao,Yi-Ning Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Programmable memory and forming method thereof

Номер патента: US12082405B2. Автор: Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao,Yi-Ning Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Multi-time programmable memory cell and method therefor

Номер патента: US20240162314A1. Автор: Jerome Guillaume Anna Dubois,Michiel Jos Van Duuren,Johan Dick Boter. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Multi-time programmable memory cell and method therefor

Номер патента: EP4369413A1. Автор: Jerome Guillaume Anna Dubois,Michiel Jos Van Duuren,Johan Dick Boter. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-15.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Selective access memory circuit

Номер патента: US20110199805A1. Автор: Neal Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Method, apparatus, and computer program product for at least approximate real-time intelligent gap placement within mobility data using junctions inferred by features of the mobility data

Номер патента: EP4394323A1. Автор: Elena VIDYAKINA,Gavin Brown,Elena Mumford,Ori Dov. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-07-03.

Method, apparatus, and computer program product for intelligent trajectory configurations within mobility data using junctions inferred by features of the mobility data

Номер патента: EP4382865A1. Автор: Elena VIDYAKINA,Gavin Brown,Elena Mumford,Ori Dov. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method, apparatus, and computer program product for intelligent gap placement within mobility data using junctions inferred by features of the mobility data

Номер патента: EP4375620A1. Автор: Elena VIDYAKINA,Gavin Brown,Elena Mumford,Ori Dov. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-05-29.

Method, apparatus, and computer program product for at least approximate real-time intelligent gap placement within mobility data using junctions inferred by features of the mobility data

Номер патента: US20240175703A1. Автор: Elena VIDYAKINA,Gavin Brown,Elena Mumford,Ori Dov. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Method, apparatus, and computer program product for intelligent gap placement within mobility data using junctions inferred by features of the mobility data

Номер патента: US20240175704A1. Автор: Elena VIDYAKINA,Gavin Brown,Elena Mumford,Ori Dov. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Method, apparatus, and computer program product for intelligent trajectory configurations within mobility data using junctions inferred by features of the mobility data

Номер патента: US20240175688A1. Автор: Elena VIDYAKINA,Gavin Brown,Elena Mumford,Ori Dov. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-05-30.

Computing-in-memory circuit

Номер патента: US11764801B2. Автор: Shiau-Wen Kao,Ying-Chung Chiu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-09-19.

Simd memory circuit and methodology to support upsampling, downsampling and transposition

Номер патента: WO2013050494A1. Автор: Cornelis Van Berkel,David Van Kampen,Sven GOOSSENS,Wim KLOOSTERHUIS,Claudiu ZISSULESCU-IANCULESCU. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2013-04-11.

SIMD memory circuit and methodology to support upsampling, downsampling and transposition

Номер патента: US09529571B2. Автор: David Van Kampen,Kees VAN BERKEL,Sven GOOSSENS,Wim KLOOSTERHUIS,Claudiu ZISSULESCU-IANCULESCU. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-12-27.

Comparator and oscillator circuit using said comparator

Номер патента: US20200106427A1. Автор: Kenji NAKAGOMI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Secure patch updates for programmable memories

Номер патента: WO2017052801A1. Автор: Xu Guo,Ron Keidar,Yau CHU,Mahesh Dandapani IYER,Rodney ZIOLKOWSKI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-30.

Method and System of Using One-Time Programmable Memory as Multi-Time Programmable in Code Memory of Processors

Номер патента: US20120047322A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Chung Shine C. Дата публикации: 2012-02-23.

Apparatus and method for providing one time programmable memory features in a hypervisor of a computing device

Номер патента: US11775201B2. Автор: Kui Wang,Liming Wu,Igor STOPPA,Rémi Robert Michel DENIS-COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and method for providing one time programmable memory features in a hypervisor of a computing device

Номер патента: WO2020030268A1. Автор: Kui Wang,Liming Wu,Igor STOPPA,Remi DENIS COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for updating program components stored on a one-time programmable memory

Номер патента: GB9908563D0. Автор: . Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1999-06-09.

Apparatus and method for providing one time programmable memory features in a hypervisor of a computing device

Номер патента: EP3814913B1. Автор: Kui Wang,Liming Wu,Igor STOPPA,Rémi Robert Michel DENIS-COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR VERIFYING DATA FOR SUCH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170132078A1. Автор: XU Shuna,MO Guobing,Chen Cheng-Tie. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

SYSTEM AND METHOD FOR MODIFICATION OF CODED INSTRUCTIONS IN READ-ONLY MEMORY USING ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150242213A1. Автор: Wang Zhongze,Li Yanru,CHUN Dexter Tamio,Uvieghara Gregory Ameriada,Ali Dhamim Packer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

VIRTUAL ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY MANAGEMENT

Номер патента: US20200026474A1. Автор: Kumar Ambuj,Moss Roy. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

SECURE KEY ACCESS WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND APPLICATIONS THEREOF

Номер патента: US20140136855A1. Автор: Ducharme Paul D.,Cheung Wendy Wai Yin,Wong Albert Yunsang,Huang Shijun,Stewart Norman V.D.. Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE AND FAULT TOLERANCE METHOD THEREOF

Номер патента: US20210200440A1. Автор: LI Yu-Shan,WU Kun-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US20210200671A1. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY FEATURES IN A HYPERVISOR OF A COMPUTING DEVICE

Номер патента: US20210342092A1. Автор: WANG Kui,Wu Liming,DENIS-COURMONT Rémi Robert Michel,STOPPA Igor. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

Patching of Program Code Executed from One Time Programmable Memory

Номер патента: US20150317152A1. Автор: Todd Philip. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-11-05.

VIRTUAL ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY MANAGEMENT

Номер патента: US20160335196A1. Автор: Kumar Ambuj,Moss Roy. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

CHIP FINGERPRINT MANAGEMENT BASED UPON ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20190347446A1. Автор: CHEN Moyang. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

One-time programmable memory device and data verification method thereof

Номер патента: CN106681855A. Автор: 陈正泰,莫国兵,许树娜. Владелец: Acrospeed Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

One-time programmable memory device and fault tolerant method thereof

Номер патента: TWI719779B. Автор: 吳坤益,李鈺珊. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-21.

Data programming method and data reading method and one-time programmable memory using thereof

Номер патента: TWI419168B. Автор: Chun Hsiung Hung,Chung Kuang Chen,Han Sung Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Patching of Program Code Executed from One Time Programmable Memory

Номер патента: US20150317152A1. Автор: Philip Todd. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-11-05.

PROTECTION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY

Номер патента: US20140025915A1. Автор: FIFIELD John A.,Zimmerman Jeffrey S.,Pomichter,JR. Gerald P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-23.

INITIATING OPERATION OF A TIMING DEVICE USING A READ ONLY MEMORY (ROM) OR A ONE TIME PROGRAMMABLE NON VOLATILE MEMORY (OTP NVM)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: Li Hui,Hsu John. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

One-time programmable integrated circuit security

Номер патента: US20140201607A1. Автор: Ashkenazi Asaf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-17.

ERROR DETECTION AND CORRECTION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE ELEMENTS

Номер патента: US20140215294A1. Автор: Kim Sungryul,Kim Taehyun,Kim Jung Pill. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

ELECTRONIC DEVICE HAVING ONE-TIME-PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY AND METHOD FOR WRITING AND READING OTP MEMORY

Номер патента: US20220276926A1. Автор: Li Ming-Rui,Song Liang-Liang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2022-09-01.

SECURITY METHOD AND APPARATUS TO PREVENT REPLAY OF EXTERNAL MEMORY DATA TO INTEGRATED CIRCUITS HAVING ONLY ONE-TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20160140357A1. Автор: Newell G. Richard. Владелец: Microsemi SoC Corporation. Дата публикации: 2016-05-19.

Electronic Circuit for and Method of Executing an Application Program Stored in a One-Time-Programmable (OTP) Memory in a System on Chip (SoC)

Номер патента: US20140297928A1. Автор: Mueller Tobias,Verhallen Jakobus Johannes,Moschopoulos Nikolaos,Papadopoulos Dimitrios,Ninos Konstantinos. Владелец: Dialog Semiconductor B.V.. Дата публикации: 2014-10-02.

Efficient feeding system and corresponding OTP (one time programmable) detector

Номер патента: CN114014007A. Автор: 文爱华,胡剑鸣,蒋海锁,何璐君. Владелец: Shenzhen Tech Sen Automation Equipment Co ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices

Номер патента: US6950918B1. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

One-time programmable microcontroller debugging method based on flash memory

Номер патента: CN106354598A. Автор: 黄坚,丁蔚,吴志玲,陈恒江. Владелец: WUXI I-CORE ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

System and method for batch loading OTP (one time programmable) data of secure and trusted CPU (Central processing Unit) chip

Номер патента: CN110929254A. Автор: 黄臻,黄橙,秦放. Владелец: Sichuan Westone Information Safe Platform Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-27.

One Time Programmable storage device and the method that data check is carried out to it

Номер патента: CN106681855B. Автор: 陈正泰,莫国兵,许树娜. Владелец: Lanqi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-05.

OTP (one time programmable) burning method of image sensor

Номер патента: CN105677434B. Автор: 李翔. Владелец: Geke Microelectronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-26.

File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices

Номер патента: EP1359500B1. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

Device and method for realizing OTP (one time programmable) by eFlash memory and OTP memory

Номер патента: CN111159071A. Автор: 何雅乾,朱建银. Владелец: Jiangsu Keda Hengxin Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-15.

Semiconductor device comprising PN junction diode and schottky barrier diode

Номер патента: US09917074B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device comprising PN junction diode and Schottky barrier diode

Номер патента: US09679877B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

P-n junction diode

Номер патента: EP4404276A1. Автор: Akio Takatsuka,Kohei Sasaki. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Bias circuit for junction diodes

Номер патента: US4019152A. Автор: Leopold Albert Harwood,Erwin Johann Wittmann. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-04-19.

Semiconductor device comprising PN junction diode and Schottky barrier diode

Номер патента: US11894349B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device comprising pn junction diode and schottky barrier diode

Номер патента: US20240120322A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Highly scaled etsoi floating body memory and memory circuit

Номер патента: US20120313143A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Methods of forming programmable memory devices

Номер патента: US20060252207A1. Автор: Kevin Beaman,Ronald Weimer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Method for manufacturing an integrated memory circuit and an integrated memory circuit

Номер патента: US20030072196A1. Автор: Stefan Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Silicon carbide junction diode

Номер патента: US3767980A. Автор: G Kamath. Владелец: Norton Co. Дата публикации: 1973-10-23.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for manufacturing high-density three-dimensional programmable memory

Номер патента: US20230069448A1. Автор: Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Backside programmable memory

Номер патента: US20240164089A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of self-aligning a floating gate to a control gate and to an isolation in an electrically erasable and programmable memory cell, and a cell made thereby

Номер патента: US20020019098A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Modular package architecture for voltage regulator-compute-memory circuits with quasi-monolithic chip layers

Номер патента: US20240063183A1. Автор: Kaladhar Radhakrishnan,Kimin Jun,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Shawna M. LIFF,Omkar G. Karhade,Julien Sebot,Anne AUGUSTINE,Beomseok CHOI,Krishna Vasanth VALAVALA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of making a semiconductor memory circuit device

Номер патента: US5389558A. Автор: Yoshiyuki Kaneko,Kozo Watanabe,Masaki Nagao,Hiroyuki Miyazawa,Kazuya Endo,Hiroyuki Uchiyama,Naokatsu Suwanai,Atushi Ogishima,Kyoichiro Asayama,Takashi Yoneoka,Hiroki Soeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-14.

NON-VOLATILE ONE-TIME-PROGRAMMABLE AND MULTIPLE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CONFIGURATION CIRCUIT

Номер патента: US20130120023A1. Автор: Liu David K.Y.. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Low cost digital camera with one-time programmable memory

Номер патента: US20060152601A1. Автор: Kunal Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-07-13.

New configuration and method of manufacturing the one-time programmable (otp) memory cells

Номер патента: WO2008030583A3. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-07-17.

New configuration and method of manufacturing the one-time programmable (otp) memory cells

Номер патента: WO2008030583A2. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Cmos power amplifiers having integrated one-time programmable (otp) memories

Номер патента: WO2011093996A2. Автор: Timothy J. DuPuis,Abhay Misra. Владелец: Javelin Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-08-04.

New configuration and method of manufacturing the one-time programmable (OTP) memory cells

Номер патента: TW200814305A. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-03-16.

New configuration and method of manufacturing the one-time programmable (otp) memory cells

Номер патента: TWI339440B. Автор: Mallikarjunaswamy Shekar. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2011-03-21.

Cmos power amplifiers having integrated one-time programmable (otp) memories

Номер патента: WO2011093996A3. Автор: Timothy J. DuPuis,Abhay Misra. Владелец: Javelin Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-12-01.

Shape memory circuit breakers

Номер патента: US09773627B2. Автор: Frederick B. Koehler,Ward D. Lyman,William D. Werries. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-26.

Electrically conductive adhesive, electronic circuit using the same, and method for manufacturing such electronic circuit

Номер патента: US20230319988A1. Автор: Toshio Nakatani,Hideaki Minamiyama. Владелец: Toyo Aluminum KK. Дата публикации: 2023-10-05.

Context driven memory circuits

Номер патента: US09858006B1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Pixel Circuit, Memory Circuit, Display Panel and Driving Method

Номер патента: US20190088223A1. Автор: Yimin Chen,Xianjie SHAO,Xiujuan Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Sleep mode operation for volatile memory circuits

Номер патента: US20160132391A1. Автор: Steven Thoen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-05-12.

Sleep mode operation for volatile memory circuits

Номер патента: US09703632B2. Автор: Steven Thoen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-07-11.

Circuit with a plurality of processors connected to a plurality of memory circuits via a network

Номер патента: WO2009037614A2. Автор: Jan Willem Van Den Brand,Marco Jan Gerrit Bekooij. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-03-26.

Circuit with a plurality of processors connected to a plurality of memory circuits via a network

Номер патента: WO2009037614A3. Автор: Marco Jan Gerrit Bekooij,Den Brand Jan Willem Van. Владелец: Den Brand Jan Willem Van. Дата публикации: 2009-05-22.

Arbitration sub-queues for a memory circuit

Номер патента: US12079144B1. Автор: Sebastian Werner,Amir KLEEN,Jeonghee Shin,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Data-processing arrangement comprising a plurality of processing and memory circuits

Номер патента: WO2000077625A1. Автор: Marc Duranton,Bernard Bru. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-12-21.

Data-processing arrangement comprising a plurality of processing and memory circuits

Номер патента: EP1104560A1. Автор: Marc Duranton,Bernard Bru. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-06-06.

Branch penalty reduction using memory circuit

Номер патента: US20200364052A1. Автор: Vijay Chinchole,Daniel J. Linnen,Naman Rastogi,Sonam Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Detecting method and apparatus using a programmable memory device for storing a digitized reference value

Номер патента: US6060991A. Автор: Shih-Hsiung Hsieh. Владелец: Everyday Tech Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Programmable memory system for electronic musical instrument

Номер патента: CA1087001A. Автор: Robert W. Wheelwright. Владелец: Wurlitzer Co. Дата публикации: 1980-10-07.

Memory circuit for programmable machines

Номер патента: CA1139006A. Автор: Ronald E. Schultz,Valdis Grants,Timothy E. Mcadams. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1983-01-04.

Circuits and methods for transmission of addressing information to display memory circuits over data lines for sequential access to display data

Номер патента: US20050168469A1. Автор: Sei-Jin Kim,Han-Gu Sohn,Woo-Seop Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Programmable memory controller and data terminal equipment

Номер патента: US5694585A. Автор: David William Nuechterlein,William Robert Lee,David Dwin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Managing Multiple Cache Memory Circuit Operations

Номер патента: US20230342296A1. Автор: Robert T. Golla,Matthew B. Smittle. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Queue Circuit For Controlling Access To A Memory Circuit

Номер патента: US20230350605A1. Автор: Robert T. Golla,Matthew B. Smittle. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Mask revision recording circuit for a memory circuit

Номер патента: US20120167019A1. Автор: Shi-Huei Liu,Cheng-Nan CHANG,Yung-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Managing multiple cache memory circuit operations

Номер патента: US11960400B2. Автор: Robert T. Golla,Matthew B. Smittle. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Tuning of read/write cycle time delay for a memory circuit dependent on operational mode selection

Номер патента: US20240143239A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Bhupender Singh,Hitesh Chawla,Manuj Ayodhyawasi,Tanuj KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-02.

Recommending changes in the design of an integrated circuit using a rules-based analysis of failures

Номер патента: WO2024078160A1. Автор: Charles Gates,Kerim Kalafala,Steven Joseph Kurtz,Chaitra M. Bhat,Morgan D. Davis,SheshaShayee K. Raghunathan,Debra Dean,Chris Cavitt,Richard William Taggart. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-18.

Simulating quantum computing circuits using sparse state partitioning

Номер патента: US20240311667A1. Автор: Matthew Jones,Taylor Lee Patti. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method with function parameter setting and integrated circuit using the same

Номер патента: US09964979B2. Автор: Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory circuit and control method for memory circuit

Номер патента: US20180337661A1. Автор: Tomohiro Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Circuit and method for improving noise tolerance in multi-threaded memory circuits

Номер патента: US20050024091A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-02-03.

Polyester flex circuit constructions and fabrication methods for ink-resistant flex circuits used in ink jet printing

Номер патента: WO2007027604A1. Автор: Terry F. Hayden,Matthew P. Jones,Daniel F. Mcclure,Robert E. Loftis. Владелец: Innovex, Inc.. Дата публикации: 2007-03-08.

Configurable circuits using phase change switches

Номер патента: US20080029753A1. Автор: Yang Xu,Mehdi Asheghi,Lawrence Pileggi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Memory circuit

Номер патента: US3828205A. Автор: J Konopka. Владелец: Thomas International Corp. Дата публикации: 1974-08-06.

Elastic store memory circuit

Номер патента: US5444658A. Автор: Yasuhiro Aso,Yoshihiro Uchida,Naoyuki Izawa,Satoshi Kakuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-22.

Multi-level power factor correction circuit using hybrid devices

Номер патента: WO2019011341A1. Автор: Dianbo Fu,Heping Dai,Xiaolin Mao. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-01-17.

Delay line, analog-to-digital converting device and load-sensing circuit using the same

Номер патента: US7292176B1. Автор: Ke-Horng Chen,Li-Ren Huang,Sy-Yen Kuo,Hong-Wei Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-06.

Interference-free multivibrator switching circuit using saturated undoped transistors with large base-to-emitter capacity

Номер патента: US3582673A. Автор: Kenneth Hubert Clayson,Anthony Waddington-Morris. Владелец: Wilmot Breeden Ltd. Дата публикации: 1971-06-01.

Method for controlling synchronous rectifier of power converter and control circuit using the same

Номер патента: US09509224B2. Автор: Ta-Yung Yang,Chou-Sheng Wang,Tse-Jen Tseng. Владелец: Fairchild Taiwan Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-Volatile Multiple Time Programmable Integrated Circuit System with Selective Conversion to One Time Programmable or Permanent Configuration Bit Programming Capabilities and Related Methods

Номер патента: US20210016885A1. Автор: Armes Craig Michael. Владелец: The United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2021-01-21.

Sewing machine with programmable memory

Номер патента: US4092938A. Автор: John Addison Herr,Donald Jay Coughenour. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1978-06-06.

Print component with memory circuit

Номер патента: US11787173B2. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-10-17.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING JUNCTION DIODES AS PROGRAM SELECTORS

Номер патента: US20120044740A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

CIRCUIT AND SYSTEM OF USING JUNCTION DIODE AS PROGRAM SELECTOR FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES

Номер патента: US20120044739A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

Circuit and System of Using Junction Diode as Program Selector for One-Time Programmable Devices

Номер патента: US20120224406A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

One-time-programmable memory having memory cells with asymmetrical source and drain configuration

Номер патента: TWI254320B. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Cheng-Tung Huang,Jih-Wen Chou. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

One-time-programmable memory having memory cells with asymmetrical source and drain configuration

Номер патента: TW200502985A. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Cheng-Tung Huang,Jih-Wen Chou. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

Anti-fuse one time programmable memory cell and anti-fuse one time programmable memory array

Номер патента: TWI644416B. Автор: 張家銓,陳瑞隆,陳裕文,蘇瑄淇,林敬翔. Владелец: 世界先進積體電路股份有限公司. Дата публикации: 2018-12-11.

NON-VOLATILE ONE-TIME-PROGRAMMABLE AND MULTIPLE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CONFIGURATION CIRCUIT

Номер патента: US20120140564A1. Автор: . Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

Tri-states one-time programmable memory (otp) cell

Номер патента: TWI373825B. Автор: Hu YongZhong,TAI SUNG-SHAN,Cheng Chang Yu. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2012-10-01.

Tri-states one-time programmable memory (OTP) cell

Номер патента: TW200816382A. Автор: Yu Cheng Chang,Sung-Shan Tai,Yongzhong Hu. Владелец: Alpha & Amp Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-04-01.

One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: GB202013530D0. Автор: . Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-14.

One-time programmable memory and operating method thereof

Номер патента: TW201019464A. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Art Talent Ind Ltd. Дата публикации: 2010-05-16.

Diode-Less Array for One-Time Programmable Memory

Номер патента: US20120008363A1. Автор: Han Tzung-Ting,Chen Kuan-Fu,CHEN YIN-JEN,Chen Ming Shang. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND THE MANUFACTURING METHOD AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120008364A1. Автор: Lai Tung-Ming,Hsueh Kai-An,Wang Teng-Feng. Владелец: MAXCHIP ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-12.

Apparatus and Method for Testing One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20120020139A1. Автор: Samuels Howard R.,Kelly Thomas W.. Владелец: Analog Devices, Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

One-Time Programmable Memory Cell

Номер патента: US20120039108A1. Автор: Chen Xiangdong,Xia Wei,Hui Frank. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20120092916A1. Автор: Samuels Howard R.,Kelly Thomas W.,Lee James M.. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR CAPACITOR, ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND FABRICATING METHOD AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120099361A1. Автор: . Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2012-04-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL INCLUDING ANTI-FUSE WITH METAL/POLYCIDE GATE

Номер патента: US20130114343A1. Автор: Chiu Re-Long,Ying Shu-Lan,Chung Wen-Szu. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2013-05-09.

On Current in One-Time-Programmable Memory Cells

Номер патента: US20130143375A1. Автор: Mitchell Allan T.,Tian Weidong,Pan Shanjen "Robert". Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-06.

CURRENT IN ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY CELLS

Номер патента: US20130143376A1. Автор: Mitchell Allan T.,Tian Weidong,Pan Shanjen "Robert". Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-06.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY, INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SAME, AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20130286710A1. Автор: Hall Jefferson W.,Halamik Josef,Londak Pavel. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

One-Time Programmable Memory Cell

Номер патента: US20140071731A1. Автор: Lu Yong,Schmitt Jonathan,Carlson Roy Milton,Hynes Owen. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.