Sensing scheme for high speed memory circuits with single ended sensing
Номер патента: US09583208B2
Опубликовано: 28-02-2017
Автор(ы): Pritender Singh, Sachin Taneja, Sanjeev Kumar Jain, Vaibhav Verma
Принадлежит: Synopsys Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-02-2017
Автор(ы): Pritender Singh, Sachin Taneja, Sanjeev Kumar Jain, Vaibhav Verma
Принадлежит: Synopsys Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
High-speed memory write driver circuit with voltage level shifting features
Номер патента: US20140254293A1. Автор: ChangHo Jung,Rakesh Vattikonda,Nishith Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-11.