Memory circuit with analog bypass portion.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: US20190196973A1
Опубликовано: 27-06-2019
Автор(ы): Jeremy William Horner, Quentin P. Herr
Принадлежит: Northrop Grumman Systems Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: AU2018388767A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: CA3077398A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory circuit with analog bypass portion

Номер патента: EP3729433A1. Автор: Quentin P. Herr,Jeremy William Horner. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: US12073082B2. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Tianhong Yan,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: US20240345736A1. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Tianhong Yan,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory circuit system and method

Номер патента: EP2005303A2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: MetaRAM Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: US20230259283A1. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Tianhong Yan,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

High capacity memory circuit with low effective latency

Номер патента: WO2021159028A4. Автор: Robert D. Norman,Eli Harari,Youn Cheul Kim,Sayeef Salahuddin,Richard S. Chernicoff,Khandker Nazrul Quader,Tianhon YAN. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory circuit and cache circuit configuration

Номер патента: US09431064B2. Автор: Yun-Han Lee,William Wu Shen,Hsien-Hsin Sean LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

3d memory circuit

Номер патента: US20230376234A1. Автор: Javier A. Delacruz,David E. Fisch. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058328A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Systems and methods for refreshing data in memory circuits

Номер патента: US09934841B1. Автор: Sami Mumtaz,Martin Langhammer. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory circuit using resistive random access memory arrays in a secure element

Номер патента: US09588908B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory circuit and method thereof

Номер патента: US20200066316A1. Автор: Ching-Sheng Cheng,Wen-Wei Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: AU2021339521A9. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: EP4211801A1. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-07-19.

High-density low-cost read-only memory circuit

Номер патента: US20020184433A1. Автор: Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

3T device based memory circuits and arrays

Номер патента: US8599598B1. Автор: Rakesh H. Patel,Shankar Prasad Sinha. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Memory circuit

Номер патента: US20140313827A1. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Memory circuit and write method

Номер патента: US11942134B2. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20240233795A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20230083548A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory circuit having resistive device coupled with supply voltage line

Номер патента: US09865605B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Jonathan Tsung-Yung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory circuit and method for routing the memory circuit

Номер патента: US09490005B2. Автор: Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee,Jui-che Tsai,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20190172825A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20210375345A1. Автор: Zhiqiang Wu,Tzer-Min Shen,Huan-Sheng WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Strapping structure of memory circuit

Номер патента: US09911727B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory circuit having shared word line

Номер патента: US09449667B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Li-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device comprising memory circuit over control circuits

Номер патента: US11869627B2. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20180158812A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Strapping Structure of Memory Circuit

Номер патента: US20200111775A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Low-leakage sense circuit, memory circuit incorporating the low-leakage sense circuit, and method

Номер патента: US20220215872A1. Автор: Mahbub Rashed,Shivraj G. Dharne,Vivek Raj,Uttam K. Saha. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Address signal generating circuit for a memory circuit

Номер патента: US4587558A. Автор: Hideo Sato,Nobuaki Takahashi,Koji Tanaka,Yoshiaki Amano,Hiroyuki Sugiyama,Takeshi Shibamoto. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1986-05-06.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11621258B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US10872883B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Memory circuit

Номер патента: US3729723A. Автор: H Yamamoto. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1973-04-24.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230402117A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Crossbar array circuits with 2t1r rram cells for low voltage operations

Номер патента: US20220130902A1. Автор: Ning Ge,Wenbo Yin. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Integrated circuit with memory self-test

Номер патента: CA1299289C. Автор: Duane Rodney Aadsen,Sunil Kumar Jain,Charles Eugene Stroud. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-04-21.

Crossbar array circuit with parallel grounding lines

Номер патента: US20210159274A1. Автор: Ning Ge. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Memory circuit, layout of memory circuit, and method of forming layout

Номер патента: US09887186B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Read-only memory circuit

Номер патента: US11764202B2. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230170010A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ishan Khera. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11929110B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ishan Khera. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240221820A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Ishan Khera. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Optical recorder having a signal separation circuit and a FIFO memory circuit

Номер патента: US5578819A. Автор: Susumu Saito,Hitomi Shimizu,Keiji Kataoka,Kunitomo Takahashi,Isao Nakajima,Shigeo Nemoto,Muneyoshi Akai,Shuuho Yokokawa,Youji Hirose,Satoshi Aita. Владелец: HITACHI KOKI CO LTD. Дата публикации: 1996-11-26.

Read-only memory circuit

Номер патента: US20230378160A1. Автор: Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit with 3D partitioning

Номер патента: US11822475B2. Автор: Geert Van Der Plas,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Integrated circuit with self-reference impedance

Номер патента: US11804840B2. Автор: Qing-Zhe Qui,Can Quan,Su-Hang CHEN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Expandable reconfigurable memory circuit

Номер патента: GB2215498A. Автор: David Billings,Zbigniew Styrna. Владелец: TSB INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 1989-09-20.

Electronic circuit with conductive links and method for making such links

Номер патента: RU2296440C2. Автор: Франсуа ДРОЗ. Владелец: Награид Са. Дата публикации: 2007-03-27.

Memory circuit for storing parsimonious data

Номер патента: US20230030058A1. Автор: Olivier Bichler,Vincent LORRAIN,David Briand,Johannes Christian THIELE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-02-02.

Memory circuits, systems, and methods for routing the memory circuits

Номер патента: US20110019458A1. Автор: Ching-Wei Wu,Cheng Hung Lee,Jui-che Tsai,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Dynamic random access memory circuit and methods therefor

Номер патента: US5909388A. Автор: Gerhard Mueller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-06-01.

Computing-in-memory circuit

Номер патента: US11893271B2. Автор: Feng Zhang,Renjun Song. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory circuit for storing parsimonious data

Номер патента: US11886719B2. Автор: Olivier Bichler,Vincent LORRAIN,David Briand,Johannes Christian THIELE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-30.

Neuromorphic memory circuit and method of neurogenesis for an artificial neural network

Номер патента: EP4334850A1. Автор: Wei Yi,Charles Martin,Soheil KOLOURI,Praveen Pilly. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-03-13.

Effective chip yield for artificial intelligence integrated circuit with embedded memory

Номер патента: US20200201697A1. Автор: Chyu-Jiuh Torng,Wenhan Zhang,Hualiang Yu,Daniel H. Liu. Владелец: Gyrfalcon Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory circuit, data transmission circuit, and memory

Номер патента: US20230267976A1. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Enpeng Gao,Kangling Jl. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods and apparatus for synthesizing multi-port memory circuits

Номер патента: US09390212B2. Автор: Sundar Iyer,Sanjeev Joshi,Thu Nguyen,Adam Kablanian,Shang-Tse Chuang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory circuit configuration schemes on multi-drop buses

Номер патента: US09921993B2. Автор: Timothy Mowry Hollis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Print component with memory circuit

Номер патента: US12030312B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits

Номер патента: US09542353B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits

Номер патента: US09542352B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits

Номер патента: US09727458B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits

Номер патента: US09632929B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Configurable memory circuit system and method

Номер патента: US09507739B2. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory circuit

Номер патента: US20240295973A1. Автор: Tatsushi Otsuka. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Neuromorphic memory circuit and operating method therof

Номер патента: EP4167142A1. Автор: Sang Bum Kim,Suyeon Jang,Uicheol SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Neuromorphic memory circuit and operating method therof

Номер патента: US20230119915A1. Автор: Sangbum Kim,Suyeon Jang,Uicheol SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Neuromorphic memory circuit using a leaky integrate and fire (LIF) line to transmit axon LIF pulse and a conductive denrite LIF line

Номер патента: US09830981B2. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: WO2002029825A2. Автор: Louis L. Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: EP1327249A2. Автор: Louis L. Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-07-16.

Neuromorphic memory circuit

Номер патента: US20160203400A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Nonvolatile memory circuit and memory device including same

Номер патента: US09859024B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Neuromorphic memory circuit using a dendrite leaky integrate and fire (LIF) charge

Номер патента: US09830982B2. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Device comprising a non-volatile memory circuit

Номер патента: US20220246211A1. Автор: Jean-Philippe Noel,Jean-Michel PORTAL,Valentin EGLOFF. Владелец: Aix Marseille Universite. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory circuit, data transmission circuit, and memory

Номер патента: EP4258265A1. Автор: Hongwen Li,Weibing SHANG,Kangling JI,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Memory device with redundant memory circuit and repair method thereof

Номер патента: US11829605B2. Автор: Toshio Sunaga,Jui-Jen Wu,Tzu-Hao YANG. Владелец: Siloam Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

System and method for resistance based memory circuit parameter adjustment

Номер патента: RU2465641C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Дзи-Су КИМ,Дзи-Хван СОНГ,Сеунг Х. КАНГ (US),Сеонг-Оок ДЗУНГ (US),Дзи-Су КИМ (US),Дзи-Хван СОНГ (US),Сей Сеунг ЙООН (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-27.

System and method of resistance based memory circuit parameter adjustment

Номер патента: CA2720058C. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Jee-Hwan Song. Владелец: Yonsei University. Дата публикации: 2016-02-23.

Memory circuit, method, and electronic device for implementing ternary weight of neural cell network

Номер патента: US11373706B2. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Print component with memory circuit

Номер патента: US20230382105A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-30.

Print component with memory circuit

Номер патента: US11780222B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory circuit, method, and electronic device for implementing ternary weight of neural cell network

Номер патента: US20220165334A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Error compensation circuit for analog capacitor memory circuits

Номер патента: US12009039B2. Автор: Hyung-Min Lee,Minil KANG,Min-Seong UM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-11.

Improvements in and relating to stable memory circuits

Номер патента: IE892223A1. Автор: Brian Arthur Coghlan,Jeremy Owen Jones. Владелец: Provost. Дата публикации: 1991-03-27.

Memory circuit including a current switch and a sense amplifier

Номер патента: US09761283B2. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2017-09-12.

Power management for memory circuit system

Номер патента: EP2442309A3. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2013-01-23.

Print component with memory circuit

Номер патента: CA3126913C. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory circuit and memory

Номер патента: US20230083020A1. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Configurable memory circuit system and method

Номер патента: US20160048466A1. Автор: David T. Wang,Keith R. Schakel,Suresh Natarajan Rajan,Michael John Sebastian Smith,Frederick Daniel Weber. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-02-18.

Print component with memory circuit

Номер патента: CA3126920C. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory circuit capable of executing a bit manipulation at a high speed

Номер патента: US5383154A. Автор: Tadashi Shibuya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Dynamic voltage supply for memory circuit

Номер патента: US20240126685A1. Автор: Hua Tan,Junjun Wang,De Hua Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: CA1320576C. Автор: Toshikazu Ishii,Norimitsu Sako. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-01-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP2012324B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: CA2565989A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: EP1745489B1. Автор: Johnny K. John. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Compression of data traces for an integrated circuit with multiple memories

Номер патента: WO2005112040A1. Автор: Johnny K. John. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-24.

Integrated circuit with on-chip data checking resources

Номер патента: US6633999B1. Автор: Wen-Chieh Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-14.

Power management integrated circuit with embedded address resolution protocol circuitry

Номер патента: EP3803869A1. Автор: Matthew David Rowley,David Matthew Springberg,Dustin James Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Power management integrated circuit with embedded address resolution protocol circuitry

Номер патента: WO2019226825A1. Автор: Matthew David Rowley,David Matthew Springberg,Dustin James Carter. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-28.

Power management integrated circuit with embedded address resolution protocol circuitry

Номер патента: US20200348856A1. Автор: Matthew David Rowley,David Matthew Springberg,Dustin James Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Serial-parallel interface circuit with nonvolatile memory

Номер патента: US20150039802A1. Автор: Sheng-Yu Peng,Tzu-Yun Wang,Chi-An Lai,Chiang-Hsi Lee. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2015-02-05.

Integrated circuit with separate supply voltage for memory that is different from logic circuit supply voltage

Номер патента: US09672901B2. Автор: Daniel C. Murray,Brian J. Campbell,Sribalan Santhanam,Vincent R. von Kaenel,Gregory S. Scott. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory circuit comprising a plurality of 1T1R memory cells

Номер патента: US12033696B2. Автор: Laurent Grenouillet,Carlo Cagli,Olivier Billoint. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory circuit/logic circuit integrated device capable of reducing term of works

Номер патента: US20010012231A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Memory circuit and method of generating the same

Номер патента: US20050128818A1. Автор: Hironori Akamatsu,Yutaka Terada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Logic and memory circuit with reduced input-to-output signal propagation delay

Номер патента: US5557581A. Автор: Godfrey P. D'Souza. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Memory circuit and method for writing into a target memory area

Номер патента: US20080126717A1. Автор: Holger Sedlak,Jan Otterstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory circuit having non-volatile memory cell and methods of using

Номер патента: US20200043553A1. Автор: Ronald L. Cline. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Memory circuit provided with bistable circuit and non-volatile element

Номер патента: US09601198B2. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-03-21.

Fast-bypass memory circuit

Номер патента: US09911470B2. Автор: Scott Pitkethly,Venkata Kottapalli,Christian Klingner,Matthew Gerlach. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Superconducting gate memory circuit

Номер патента: CA3035211C. Автор: Quentin P. Herr,Randall M. Burnett. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Pulse Generator and Ferroelectric Memory Circuit

Номер патента: US20140169060A1. Автор: David Eric Schwartz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory circuit and method of operating the same

Номер патента: US20230368826A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,He-Zhou Wan,Hau-Tai Shieh,Fu-An Wu,XiuLi YANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory circuit and method of writing data to and reading data from memory circuit

Номер патента: US8320195B2. Автор: Tomohiro Tanaka,Masao Ide. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-11-27.

Associative memory circuit

Номер патента: US3634833A. Автор: Roger S Dunn,Michael Leo Canning,Gerald E Jeansonne. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-01-11.

Integrated circuit and method capable of minimizing circuit area of non-volatile memory circuit

Номер патента: US11863209B2. Автор: Ee Wen Chun,Shang Chan Kong. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20110019460A1. Автор: Ching-Wei Wu,Li-Chen Chen,Cheng Hung Lee,Weiyang Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Non-volatile analog memory circuit with closed-loop control

Номер патента: USH1035H. Автор: Gene L. Haviland,Patrick A. Shoemaker,James R. Feeley,Alfons Tuszynski. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1992-03-03.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11791005B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Read resettable memory circuit

Номер патента: US4459683A. Автор: Singh B. Yalamanchili,Syed T. Mahmud. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1984-07-10.

Crossbar array circuit with parallel grounding lines

Номер патента: US20230209841A1. Автор: Ning Ge. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Passive analog bypass for USB peripheral audio devices

Номер патента: US12028671B2. Автор: Dennis Fish. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-07-02.

Computing-in-memory circuit

Номер патента: US11764801B2. Автор: Shiau-Wen Kao,Ying-Chung Chiu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-09-19.

Selective access memory circuit

Номер патента: US20110199805A1. Автор: Neal Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Simd memory circuit and methodology to support upsampling, downsampling and transposition

Номер патента: WO2013050494A1. Автор: Cornelis Van Berkel,David Van Kampen,Sven GOOSSENS,Wim KLOOSTERHUIS,Claudiu ZISSULESCU-IANCULESCU. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2013-04-11.

SIMD memory circuit and methodology to support upsampling, downsampling and transposition

Номер патента: US09529571B2. Автор: David Van Kampen,Kees VAN BERKEL,Sven GOOSSENS,Wim KLOOSTERHUIS,Claudiu ZISSULESCU-IANCULESCU. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-12-27.

Asynchronous circuit with sequential write operations

Номер патента: US09514081B2. Автор: Marc Renaudin,Yassine Rjimati,Alain Fonkoua,Yannick Monnet. Владелец: TIEMPO. Дата публикации: 2016-12-06.

Universal error-correction circuit with fault-tolerant nature, and decoder and triple modular redundancy circuit that apply it

Номер патента: US09577960B2. Автор: Chen-Xiong Zhang,Yangyang Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Sequential circuit with error detection

Номер патента: US09594625B2. Автор: Tanay Karnik,Janice C. Lee,Nam Sung Kim,Keith A. Bowman,Vivek K. De,James W. Tschanz,Shih-Lien L. Lu,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Superconducting integrated circuits with clock signals distributed via inductive coupling

Номер патента: EP3776856A1. Автор: Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-02-17.

Sensing circuit with signal compensation

Номер патента: US20220300109A1. Автор: Hung-Yen Tai,Chen-Yuan Yang,Tzu-Hsuan Liu. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2022-09-22.

All-digital spread spectrum clock generating circuit with emi reduction effect and a method for controlling the same

Номер патента: US20140177681A1. Автор: Ching-che Chung,Wei-Da Ho. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

Receiver circuit with low power consumption and method for reducing power consumption of receiver system

Номер патента: US10601519B2. Автор: Li Sheng Lo. Владелец: Generalplus Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Integrated circuits with optical flow computation circuitry

Номер патента: US09819841B1. Автор: Dmitry N. Denisenko. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Phase detection in an analog clock data recovery circuit with decision feedback equalization

Номер патента: US09584306B2. Автор: Hae-Chang Lee,Jihong Ren,Wenyi Jin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Power-on-reset and supply brown out detection circuit with programmability

Номер патента: US09490796B2. Автор: Sajal Kumar MANDAL,Pralay Mandal. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-11-08.

All-digital spread spectrum clock generating circuit with EMI reduction effect and a method for controlling the same

Номер патента: US09450641B2. Автор: Ching-che Chung,Wei-Da Ho. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-09-20.

Reduced-power electronic circuits with wide-band energy recovery using non-interfering topologies

Номер патента: US20190097626A1. Автор: Ignatius Bezzam. Владелец: Rezonent Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for control of tap changer under load for forced excitation circuit, respective unit and forced excitation circuit with this unit

Номер патента: RU2550154C2. Автор: Карстен МАЙНЕККЕ. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2015-05-10.

Electronic system having a chip integrated power-on reset circuit with glitch sensor

Номер патента: US6085342A. Автор: Torbjörn Gärdenfors,Bojko Marholev,Christian Bjork. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-04.

Power reset circuit with zero standby current consumption

Номер патента: US8633744B1. Автор: Yu-Chun Wang,Hsiao-Hua Lu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-01-21.

Quantum circuits with reduced t gate count

Номер патента: US20230134407A1. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Quantum circuits with reduced t gate count

Номер патента: CA3223406A1. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

Quantum circuits with reduced t gate count

Номер патента: US20240135217A1. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Quantum circuits with reduced T gate count

Номер патента: AU2017430470A1. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Quantum circuits with reduced t gate count

Номер патента: EP3679528A1. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-07-15.

Quantum circuits with reduced t gate count

Номер патента: AU2021200999A1. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Quantum circuits with reduced t gate count

Номер патента: AU2023201235A1. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-04-06.

Quantum circuits with reduced t gate count

Номер патента: AU2023201235B2. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Quantum circuits with reduced t gate count

Номер патента: AU2021200999B2. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Quantum circuits with reduced t gate count

Номер патента: CA3074557A1. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-03-14.

Quantum circuits with reduced T gate count

Номер патента: AU2017430470B2. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Quantum circuits with reduced T gate count

Номер патента: US11755942B2. Автор: Craig Gidney. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

FET pair based physically unclonable function (PUF) circuit with a constant common mode voltage

Номер патента: US8941405B2. Автор: Kai D. Feng,Howard H. Chi,Haitao O. Dai,Donald J. Papae. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Power-on-reset circuit with low power consumption

Номер патента: EP2509224A2. Автор: Andre Gunther,Kevin Mahooti. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-10-10.

Combinatorial logic circuits with feedback

Номер патента: US11934799B2. Автор: A. Martin Mallinson. Владелец: SiliconIntervention Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Single-pole double-throw switch circuit with type-c interface, analog switch chip, and electronic device

Номер патента: US11451224B2. Автор: Hongxia TAO. Владелец: Shanghai Yaohuo Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Reduced-power dynamic data circuits with wide-band energy recovery

Номер патента: US20190095568A1. Автор: Ignatius Bezzam. Владелец: Rezonent Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Power-on-Reset and Supply Brown Out Detection Circuit with Programmability

Номер патента: US20150236689A1. Автор: Sajal Kumar MANDAL,Pralay Mandal. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2015-08-20.

Reduced-power dynamic data circuits with wide-band energy recovery

Номер патента: US20230306174A1. Автор: Ignatius Bezzam. Владелец: Rezonent Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Reduced-power dynamic data circuits with wide-band energy recovery

Номер патента: US11763055B2. Автор: Ignatius Bezzam. Владелец: Rezonent Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Single-pole double-throw switch circuit with type-c interface, analog switch chip, and electronic device

Номер патента: US20220182053A1. Автор: Hongxia TAO. Владелец: Shanghai Yaohuo Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Superconducting integrated circuits with clock signals distributed via inductive coupling

Номер патента: WO2019190810A1. Автор: Henry Y. Luo. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-10-03.

Phase detection in an analog clock data recovery circuit with decision feedback equalization

Номер патента: US20160373241A1. Автор: Hae-Chang Lee,Jihong Ren,Wenyi Jin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Printed circuits with embedded resistive thermal devices

Номер патента: US11971760B2. Автор: Anne M. Mason. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Glitch-free clock switching circuit with clock loss tolerance and operation method thereof and glitch-free clock switching device

Номер патента: US20230341891A1. Автор: Shih-Chuan Lu,Dianying LI. Владелец: Artery Technology Co. Дата публикации: 2023-10-26.

Flip-flop circuit with low-leakage transistors

Номер патента: EP3563480A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Rafael Rios,Charles Augustine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Flip-flop circuit with low-leakage transistors

Номер патента: WO2018125463A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Rafael Rios,Charles Augustine. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory circuit structure with supply voltage transmitted via word line

Номер патента: US20230082931A1. Автор: Vivek Raj,Shivraj Gurpadappa Dharne,Vinayak Rajendra Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240096431A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240096386A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11862264B2. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230154557A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20220262446A1. Автор: Shao-Yu Chou,Gu-Huan Li,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory circuit and data processing system

Номер патента: US09786362B1. Автор: Adeline-Fleur Fleming,David Michael Bull,Shidhartha Das,Pranay Prabhat. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory circuit architecture

Номер патента: US20220208232A1. Автор: Po-Hung Chen,David Li,Sung Son,Rahul Biradar,Biju Manakkam Veetil,Ayan PAUL,Shivendra Kushwaha,Ravindra Reddy Chekkera,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory circuit architecture

Номер патента: US11908537B2. Автор: Po-Hung Chen,David Li,Sung Son,Rahul Biradar,Biju Manakkam Veetil,Ayan PAUL,Shivendra Kushwaha,Ravindra Reddy Chekkera,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory circuit architecture

Номер патента: EP4272213A1. Автор: Po-Hung Chen,David Li,Sung Son,Rahul Biradar,Biju Manakkam Veetil,Ayan PAUL,Shivendra Kushwaha,Ravindra Reddy Chekkera,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Memory circuit having a decoder

Номер патента: US4470133A. Автор: Kazuo Tanimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-09-04.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US11854663B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory circuit

Номер патента: US11791006B2. Автор: Yu-Der Chih,Gu-Huan Li,Chen-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile memory circuit and method

Номер патента: US20230386591A1. Автор: Yu-Der Chih,Gu-Huan Li,Chen-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Switched-capacitor circuit with large time constant

Номер патента: IE61344B1. Автор: Krishnaswamy Nagaraj. Владелец: American Telephone & Telegraph. Дата публикации: 1994-11-02.

Switched-capacitor circuit with large time constant

Номер патента: IE891184L. Автор: Krishnaswamy Nagaraj. Владелец: American Telephone & Telegraph. Дата публикации: 1989-10-11.

Comparator circuit with speed control element

Номер патента: US20230370080A1. Автор: Aviv Berg,Roee Eitan,Yaakov DAYAN,Yosi Sanhedrai,Esther T. FRIDMAN,Kirill BLUM. Владелец: Retym Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Auto audio/video output circuit with multiple audio/video inputs

Номер патента: CA2257047C. Автор: Chin-Chi Ho. Владелец: JOIN Computer Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-27.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US20170092523A1. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Voltage regulated circuit with well resistor divider

Номер патента: US6624737B2. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Hui-Chih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Optoelectronic receiver circuit with dark current correction function and dark current correction method thereof

Номер патента: US10341029B2. Автор: Wen-Sheng Lin,Sheng-Cheng LEE. Владелец: Dyna Image Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Voltage regulated circuit with well resistor divider

Номер патента: US20030146740A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Hui-Chih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Structure of AMOLED driver circuit with external compensation

Номер патента: US09847057B2. Автор: Taijiun HWANG,Jihshiang Lee. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuits with alignment marks and methods of producing the same

Номер патента: US09633882B2. Автор: Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Rakesh Kumar,Ying Yu,Jianbo Sun,Derui Yin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuit with precision current source

Номер патента: US09608626B1. Автор: Gabriel E. Tanase. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Switched current temperature sensor circuit with compounded ΔVBE

Номер патента: US5982221A. Автор: Michael G. Tuthill. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

Light emitting diode driving circuit with low harmonic distortion

Номер патента: US20180324909A1. Автор: Yu-Chen Lin,Hung-Chan Wang,Jin-Ping Liu. Владелец: Edison Opto (dongguan) Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Light emitting diode driving circuit with low harmonic distortion

Номер патента: US10694595B2. Автор: Yu-Chen Lin,Hung-Chan Wang,Jin-Ping Liu. Владелец: Edison Opto (dongguan) Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-23.

Integrated circuit with nano-conductor sensors, measuring device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638125C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Multi-port sram circuit with first and second word line

Номер патента: EP3198606A1. Автор: Suresh Venkumahanti,Jentsung Lin,Paul Bassett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Multi-port sram circuit with first and second word line

Номер патента: WO2016048680A1. Автор: Suresh Venkumahanti,Jentsung Lin,Paul Bassett. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-31.

Multi-port memory circuits

Номер патента: US09384825B2. Автор: Suresh Venkumahanti,Jentsung Lin,Paul Bassett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Integrated memory circuit utilizing block selection

Номер патента: IE872255L. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-02-27.

Integrated memory circuit utilizing block selection

Номер патента: IE60222B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1994-06-15.

Memory circuit with logic functions

Номер патента: US5113487A. Автор: Toshihiko Ogura,Koichi Kimura,Hiroaki Aotsu,Hiromichi Enomoto,Tadashi Kyoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-05-12.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US4393472A. Автор: Hiroshi Shimada,Keizo Aoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-07-12.

Multi-port memory circuits

Номер патента: US20160093363A1. Автор: Suresh Venkumahanti,Jentsung Lin,Paul Bassett. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor memory circuit device having memory cells constructed on a Bicmos gate array

Номер патента: US5289405A. Автор: Yoshinori Watanabe,Hiroyuki Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-02-22.

Semiconductor integrated circuit device with built-in memory circuit group

Номер патента: US5377136A. Автор: Manabu Shibata,Akira Uragami,Yoji Nishio,Fumiaki Matsuzaki,Fumio Murabayashi,Shoichi Kotoku,Yoshitatsu Kojima. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Word driver circuit and a memory circuit using the same

Номер патента: US5640359A. Автор: Masao Nakano,Takaaki Suzuki,Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-06-17.

Memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US20020163849A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-07.

Magnetic circuit with opposing permanent magnets and method for adjusting magnetic field thereof

Номер патента: US20050128037A1. Автор: Koji Miyata,Dai Higuchi,Yuhito Doi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for detecting arc short circuits with application of switched elements in socket

Номер патента: RU2633518C2. Автор: Джереми Д. ШРЕДЕР,Джозеф БЕЙЕРШМИТТ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЮЭсЭй, ИНК.. Дата публикации: 2017-10-13.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Integrated circuit with antenna in package testing apparatus

Номер патента: US11119139B2. Автор: Wei-Cheng Wang,Shin-tsung CHEN. Владелец: Chunghwa Precision Test Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Integrated circuit with antenna in package testing apparatus

Номер патента: US20210011069A1. Автор: Wei-Cheng Wang,Shin-tsung CHEN. Владелец: Chunghwa Precision Test Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Charger circuit with temperature compensation function and controller circuit thereof

Номер патента: US20190052110A1. Автор: Kuo-Chi Liu,Chang-Yu Ho. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory circuit with transistors having different threshold voltages and method of operating the memory circuit

Номер патента: US09812181B2. Автор: Yi-Cheng HUANG,Chou-Ying Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated memory circuit with a storage element and method for reading error information

Номер патента: US20040042289A1. Автор: Manfred Pröll,Jörg Kliewer,Heinz-Joachim Neubauer,Claus Engelhardt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Single-rail memory circuit with row-specific voltage supply lines and boost circuits

Номер патента: US11322200B1. Автор: Mahbub Rashed,Shivraj G. Dharne,Vivek Raj,Uttam K. Saha. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20130279281A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20140119145A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Sensing scheme for high speed memory circuits with single ended sensing

Номер патента: US09583208B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Vaibhav Verma,Sachin Taneja,Pritender Singh. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Analog dynamic memory circuit

Номер патента: US4947371A. Автор: Tomohiko Suzuki. Владелец: Addams Systems Inc. Дата публикации: 1990-08-07.

Memory circuit with sense amplifier calibration mechanism

Номер патента: US20230267973A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Yu-Hui Lin,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory Circuit with Decoupled Read and Write Bit Lines and Improved Write Stability

Номер патента: US20090147592A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Mitigating leakage in memory circuits

Номер патента: US09406374B1. Автор: PANKAJ Agarwal,Patrick Van De Steeg,Jainendra Singh,Jwalant Kumar Mishra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory circuit for and method of protecting memory data integrity during an output operation utilizing memory data

Номер патента: US4953132A. Автор: Toshiyuki Katsu,Fusako Inotsume. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1990-08-28.

Content addressable memory apparatus, content addressable memory circuit and memory self-test method thereof

Номер патента: US20240312548A1. Автор: I-Hao Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory circuit having pseudo ground

Номер патента: US20190378577A1. Автор: Yin-Chang Chen,Isaac Y. Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-12-12.

Memory circuit and stack type memory system including the same

Номер патента: US09761288B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory circuit having concurrent writes and method therefor

Номер патента: US20180366191A1. Автор: Anirban Roy,Perry H. Pelley,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Memory circuit having pseudo ground

Номер патента: US10629270B2. Автор: Yin-Chang Chen,Isaac Y. Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-04-21.

Memory circuit

Номер патента: US09672878B1. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device provided with dram memory circuits arranged in such a way as to minimize the size of a memory block allowing management of the row-hammering

Номер патента: US20240233800A9. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory circuit and method for controlling memory circuit

Номер патента: US20110273951A1. Автор: Hung-Yu Li,Wade Wang,Chia-Cheng Chen,James Ma,Kun-Ti Lee,Rick Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240274190A1. Автор: Chia-En HUANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memories and memory circuits

Номер патента: WO2003096351A2. Автор: Pieter J. Van Der Zaag,Kars-Michiel H. Lenssen,Martin J. Edwards. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-11-20.

Non-volatile memory circuit

Номер патента: US20030128569A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Shue-Shuen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Differential and Hierarchical Sensing for Memory Circuits

Номер патента: US20080175085A1. Автор: Matthew R. Wordeman,William Robert Reohr,Paul C. Parries,John Edward Barth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor memory circuit including a data output circuit

Номер патента: US20010048633A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Lockheed Missiles and Space Co Inc. Дата публикации: 2001-12-06.

Read-out circuit for a dynamic memory circuit, memory cell array, and method for amplifying and reading data stored in a memory cell array

Номер патента: US20040090833A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Digital memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US20030067821A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

Memory circuit and write method

Номер патента: US20210375352A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien-Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Memories and memory circuits

Номер патента: WO2003096351A8. Автор: Kars-Michiel H Lenssen,Martin J Edwards,Der Zaag Pieter J Van. Владелец: Der Zaag Pieter J Van. Дата публикации: 2004-12-23.

Digital memory circuit having a plurality of memory areas

Номер патента: US6711072B2. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Memory circuit, memory precharge control method and device

Номер патента: US20220319559A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit

Номер патента: US20070195621A1. Автор: Yu Lu,Mark Lamorey,Janusz Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Repairing circuit for memory circuit and method thereof and memory circuit using the same

Номер патента: US20120287737A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Memory circuit, signal transmission system and signal transmission method

Номер патента: US20240233799A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and test circuit for testing a dynamic memory circuit

Номер патента: US20040257893A1. Автор: Peter Beer,Martin Versen,Lee Nino. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-23.

Power control circuit for memory circuit based on complementary field effect transistor devices

Номер патента: US20240321337A1. Автор: Chia-Che Chung,Chien-Chen Lin,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Anti-fuse memory circuit

Номер патента: US20230012334A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Dynamic memory circuit with improved sensing scheme

Номер патента: US4879692A. Автор: Kazuo Tokushige. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Memory circuit and tracking circuit thereof

Номер патента: US20100118628A1. Автор: Chia Wei Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory circuit for preventing rise cell array power source

Номер патента: US20010014045A1. Автор: Kaoru Mori,Ayako Kitamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Memory circuit and method for refreshing dynamic memory cells

Номер патента: US20070258307A1. Автор: Wolfgang Ruf,Manfred Proell,Stephan Schroeder,Hermann Haas. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-08.

Memory circuit

Номер патента: US20210280265A1. Автор: Masami Kuroda,Hiroyuki Tezuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US11842769B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US20230335187A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20110128781A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Memory circuit

Номер патента: US4500974A. Автор: Akira Nagami. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-02-19.

Apparatus and method for controlling boost capacitance for low power memory circuits

Номер патента: US09837144B1. Автор: Rakesh Kumar Sinha,Sharad Kumar Gupta,Mukund Narasimhan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory circuits, systems, and operating methods thereof

Номер патента: US20100220539A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Kuoyuan Peter Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Memory circuit and layout structure of a memory circuit

Номер патента: US20160203847A1. Автор: Chia-Wei Wang,Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Apparatus for identifying state-dependent, defect-related leakage currents in memory circuits

Номер патента: US20030098693A1. Автор: Klaus Enk. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor memory circuit having shift redundancy circuits

Номер патента: US6021075A. Автор: Yoshinori Ueno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Bias generation circuit and memory circuit

Номер патента: US20230290385A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Anti-fuse memory circuit

Номер патента: US20230020078A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Asymmetrical Memory Circuits And Methods

Номер патента: US20230410897A1. Автор: YAN Cui,Shankar Sinha,Shuxian Chen,Andy Lee,David Parkhouse,J M Lewis Higgins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Anti-fuse memory circuit

Номер патента: US11842766B2. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit and layout structure of a memory circuit

Номер патента: US09640229B2. Автор: Chia-Wei Wang,Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Associative memory circuit

Номер патента: US09564218B2. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory circuits, systems, and operating methods thereof

Номер патента: US20130148439A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Accessing memory circuit

Номер патента: US20220310140A1. Автор: Jussi TAKKALA. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-09-29.

PMC memory circuit and method for storing a datum in a PMC memory circuit

Номер патента: US20060176725A1. Автор: Ralf Symanczyk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory circuit having increased write margin and method therefor

Номер патента: US09940996B1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory circuit having data lines selectively coupled to a sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US09881655B2. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory circuit including pre-charging unit, sensing unit, and sink unit and method for operating same

Номер патента: US09589610B1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory circuit

Номер патента: US09496037B2. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-15.

Digital memory circuit having a plurality of segmented memory areas

Номер патента: US20030067820A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-10.

Digital memory circuit having a plurality of segmented memory areas

Номер патента: US6711085B2. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Integrated four-phase digital memory circuit with decoders

Номер патента: US3886532A. Автор: Horst A R Wegener,Douglas R Askegard. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: WO2002014886A2. Автор: Louis Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-02-21.

Method to descramble the data mapping in memory circuits

Номер патента: EP1309877A2. Автор: Louis Hsu,Gerd Frankowsky,Gunther Lehmann,Armin Reith. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-05-14.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US12112796B2. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20240371435A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Multi-level memory circuit with regulated reading voltage

Номер патента: US6101121A. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-08-08.

Programmable memory circuit with an improved programming voltage applying circuit

Номер патента: US4583205A. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Semiconductor memory circuit with sensing arrangement free from malfunction

Номер патента: US4926381A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Memory circuit, a dynamic random access memory, a system comprising a memory and a floating point unit and a method for storing digital data

Номер патента: US20080062743A1. Автор: Peter Mayer,Wolfgang Spirkl,Michael Richter,Martin Brox,Thomas Hein,Markus Balb,Christoph Bilger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-03-13.

Voltage regulator circuit for a memory circuit

Номер патента: US20090296509A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Balancing a signal margin of a resistance based memory circuit

Номер патента: EP2380175A1. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Jee-Hwan Song,Mehdi Hamidi Sani. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Balancing a signal margin of a resistance based memory circuit

Номер патента: WO2010080629A1. Автор: Seung H. Kang,Sei Seung Yoon,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Jee-Hwan Song,Mehdi Hamidi Sani. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-07-15.

Memory circuit

Номер патента: US20060133170A1. Автор: Yuuichirou Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Memory circuit and method for increased write margin

Номер патента: US09934846B1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory circuit that updates and holds output signal based on fuse signal

Номер патента: US09595348B2. Автор: Yoshihiro Teno. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Selfcalibration method and circuit of nonvolatile memory and nonvolatile memory circuit

Номер патента: US20100014363A1. Автор: Xiang Yao,Nan Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Memory circuit and memory programming method

Номер патента: US11495312B2. Автор: Pil-Sang Ryoo,Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory circuit and method for reading memory circuit

Номер патента: US20240144999A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Xinyu Bao,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory circuit and memory programming method

Номер патента: US20220157392A1. Автор: Pil-Sang Ryoo,Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory circuit

Номер патента: US09711244B1. Автор: Tobias Werner,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated electronic memory circuit with internal timing and operable in both latch-based and register-based systems

Номер патента: US4825416A. Автор: N. Bruce Threewitt,Aloysius T. Tam. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-04-25.

Memory circuit, and method for reading out data contained in the memory circuit using shared command signals

Номер патента: US20050270884A1. Автор: Michael Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory circuit, semiconductor memory module using the same, and acoustic signal reproducing system

Номер патента: US5329484A. Автор: Hideo Tsuiki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Memory circuit having a redundant memory cell array for replacing faulty cells

Номер патента: US5058059A. Автор: Masahiko Matsuo,Kazuo Nakaizumi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US4458336A. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-07-03.

Accelerated single-ended sensing for a memory circuit

Номер патента: US7433254B2. Автор: Dennis E. Dudeck,Donald Albert Evans,Hai Quang Pham,Wayne E. Werner,Ronald James Wozniak. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-10-07.

Memory circuit and testing method thereof

Номер патента: US20190198133A1. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory circuit and testing method thereof

Номер патента: US10679720B2. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Memory circuit, electronic device having the memory circuit, and method of operating memory circuit

Номер патента: US20220068355A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng-Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

One-bit memory circuit for amoled panel sub-pixels

Номер патента: US11605340B2. Автор: Lei Wang. Владелец: Gohi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Static type semiconductor memory circuit

Номер патента: US4612631A. Автор: Kiyofumi Ochii. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-09-16.

Memory circuit

Номер патента: US3643111A. Автор: Charles R Deyo. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-02-15.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230245694A1. Автор: Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory circuit provided with variable-resistance element

Номер патента: US20180350419A1. Автор: Hiroki Koike,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-12-06.

Memory circuit comprising redundant memory areas

Номер патента: US20050281076A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

One-bit memory circuit for amoled panel sub-pixels

Номер патента: US20210343237A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Gohi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory circuit and memory

Номер патента: US20230077468A1. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory circuit, method of access, and method of preparation of data in memory

Номер патента: US5652855A. Автор: Mitsuharu Ohki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-07-29.

Multi-state one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20240071538A1. Автор: Chen-Feng Chang,Shu-Chieh Chang,Meng-Lin Wu,Yu-Chen Lo,Tsung-Han Lu,Chun-Hao Liang,Dong-Yu Wu. Владелец: Jmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device provided with dram memory circuits arranged in such a way as to minimize the size of a memory block allowing management of the row-hammering

Номер патента: US20240135981A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20200005841A1. Автор: Cheng Hung Lee,Shih-Lien Linus Lu,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory circuit and memory

Номер патента: US12002503B2. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Bipolar memory circuit

Номер патента: US4337523A. Автор: Yukio Kato,Teruo Isobe,Atsuo Hotta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-29.

Memory circuit and word line control circuit

Номер патента: US20130010531A1. Автор: Shih-Huang Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Memory circuit and method for operating a first and a second set of memory cells in direct memory access mode with refresh

Номер патента: US9824737B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit

Номер патента: US20070159898A1. Автор: Yu Lu,Mark Lamorey,Janusz Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Interface of a memory circuit

Номер патента: US20240112727A1. Автор: Lin Ma,Hung-Piao Ma,Wenliang Chen,Girish Nanjappa,Keng Lone Wong,Chun Yi LIN. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory circuit

Номер патента: US20070069386A1. Автор: Mitsuasa Takahashi. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory circuit having an improved restoring control circuit

Номер патента: US5148400A. Автор: Takeo Fujii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-09-15.

Memory circuit having a memory reset and recovery controller

Номер патента: US4639899A. Автор: Colin N. Murphy,Guey T. Lu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1987-01-27.

Method and apparatus for performing memory cell verification on a nonvolatile memory circuit

Номер патента: US5677879A. Автор: Michael S. Briner,Fariborz F. Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-14.

Memory Circuit and Method for Operating a First and a Second Set of Memory Cells

Номер патента: US20180226114A1. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Memory circuit and method for operating a first MRAM and a second MRAM set of memory cells configured to operate in a direct access mode and/or refresh mode

Номер патента: US10347312B2. Автор: Yang Hong,El Mehdi Boujamaa,Martin Ostermayr. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20020060931A1. Автор: Takeshi Nagai,Masaru Koyanagi,Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Memory circuit and method for sensing a memory element

Номер патента: EP2013882A2. Автор: Maurits M.N. STORMS. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-14.

Memory circuits, systems, and methods for providing bit line equalization voltages

Номер патента: US20100202220A1. Автор: Young Suk Kim,TaeHyung Jung,Kuoyuan Peter Hsu,Douk Hyoun Ryu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Memory circuit structure and method of operating memory circuit structure

Номер патента: US20230368838A1. Автор: Jie Yu,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv,Danian Dong,Zhaoan Yu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory circuit and method of sensing a memory element

Номер патента: US20090279370A1. Автор: Maurits Storms. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-12.

Read method, write method and memory circuit using the same

Номер патента: US11367482B2. Автор: Yih Wang,Carlos H. Diaz,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20230410854A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Read Assist for Memory Circuits

Номер патента: US20100103755A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-04-29.

Memory circuit

Номер патента: US20130016563A1. Автор: Kazuhiro Tsumura,Yoshitsugu Hirose,Jun Osanai,Ayake Inoue. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Associative memory circuit

Номер патента: US20150131355A1. Автор: Yi Li,Lei Xu,Xiangshui Miao,Yingpeng ZHONG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-05-14.

Read method, write method and memory circuit using the same

Номер патента: US11735259B2. Автор: Yih Wang,Carlos H. Diaz,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory circuit

Номер патента: US8760926B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura,Yoshitsugu Hirose,Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Nor flash memory circuit and data writing method

Номер патента: US20220084602A1. Автор: Hong Nie,Yue Zhao. Владелец: China Flash Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4558432A. Автор: Kenelm G. D. Murray,Colin W. Edwards. Владелец: Hughes Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Random access-type memory circuit and memory system

Номер патента: US11978529B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and circuit for reading a dynamic memory circuit

Номер патента: US20060146593A1. Автор: Ralf Klein,Hermann Fischer,Bernd Klehn,Eckhard Brass,Thomas Schumann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-06.

Read assist for memory circuits

Номер патента: EP2351033A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

Read assist for memory circuits

Номер патента: WO2010048245A9. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-07-22.

Read assist for memory circuits

Номер патента: WO2010048245A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-04-29.

Memory circuits having a plurality of keepers

Номер патента: US20110280096A1. Автор: Derek C. Tao,Annie Lum,Young Seog Kim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Memory circuit and method of operating the same

Номер патента: US20230282278A1. Автор: Perng-Fei Yuh,Yu-Fan Lin,Shao-Ting WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory circuit equipped with multiplexer for reducing coupling capacitance of non-selected main bit lines

Номер патента: US8331181B2. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Memory circuit including write control unit wherein subthreshold leakage may be reduced

Номер патента: US5796650A. Автор: Thomas R. Wik,Shahryar Aryani. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1998-08-18.

Refreshing dynamic memory cells in a memory circuit and a memory circuit

Номер патента: US7064996B2. Автор: Manfred Dobler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-20.

Techniques for multi-read and multi-write of memory circuit

Номер патента: US20190198093A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Suyoung BANG,Turbo Majumder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory circuits having a diode-connected transistor with back-biased control

Номер патента: US20110267880A1. Автор: David B. Scott,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Techniques for multi-read and multi-write of memory circuit

Номер патента: US20210043251A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Suyoung BANG,Turbo Majumder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Random access-type memory circuit and memory system

Номер патента: US20230170005A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and circuit for reading a dynamic memory circuit

Номер патента: US7307869B2. Автор: Ralf Klein,Hermann Fischer,Bernd Klehn,Eckhard Brass,Thomas Schumann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-11.

Memory circuit

Номер патента: US20030189865A1. Автор: Udo Ausserlechner,Dirk Hammerschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-10-09.

Interface of a memory circuit and memory system thereof

Номер патента: US11842763B2. Автор: Lin Ma,Hung-Piao Ma,Wenliang Chen,Girish Nanjappa,Keng Lone Wong,Chun Yi LIN. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit

Номер патента: US4333168A. Автор: Makoto Taniguchi,Koichiro Mashiko,Toshio Ichiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-06-01.

Accessing memory circuit

Номер патента: US11881285B2. Автор: Jussi TAKKALA. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory circuit and word line driver

Номер патента: US20230260571A1. Автор: Wei-jer Hsieh,Zhi-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory circuit

Номер патента: EP3828889A1. Автор: Satoshi Sugahara,Yusuke Shuto,Shuichiro Yamamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2021-06-02.

Waveform memory circuit

Номер патента: US4586022A. Автор: Mark Acuff. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1986-04-29.

Fast high voltage NMOS pass gate for integrated circuit with high voltage generator

Номер патента: US5939928A. Автор: Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Semiconductor memory circuit having bit clear and/or register initialize function

Номер патента: US5402381A. Автор: Hideo Abe,Satoru Sonobe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Memory circuit using storage capacitance

Номер патента: GB1243589A. Автор: Robert Kenneth Booher. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1971-08-18.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4475177A. Автор: Kenelm G. D. Murray. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1984-10-02.

Matrix multiplication with resistive memory circuit having good substrate density

Номер патента: US20230317161A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Matrix multiplication with resistive memory circuit having good substrate density

Номер патента: WO2023192966A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Dynamic semiconductor memory circuit

Номер патента: US5432744A. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-07-11.

Memory circuit having an improved writing scheme

Номер патента: US4768168A. Автор: Takayuki Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

Memory circuit and control method thereof

Номер патента: US20090296500A1. Автор: Seiji Murata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory circuit

Номер патента: US3614751A. Автор: Hiroshi Narisawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1971-10-19.

Variable direct voltage memory circuit

Номер патента: US3652914A. Автор: Friedrich Johann Krausser. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1972-03-28.

Memory circuits employing source-line and/or bit-line-applied variable programming assist voltages

Номер патента: US11869563B2. Автор: Konrad Seidel,Franz Müller. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory circuit and method of operating the same

Номер патента: US20220277781A1. Автор: Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Yi-Tzu Chen,He-Zhou Wan,Hau-Tai Shieh,Fu-An Wu,XiuLi YANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Fail-safe memory circuits

Номер патента: US3609709A. Автор: Walter W Sanville,John O G Darrow. Владелец: Westinghouse Air Brake Co. Дата публикации: 1971-09-28.

Nonvolatile memory circuit using spin mos transistors

Номер патента: US20110194342A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Nonvolatile memory circuit using spin mos transistors

Номер патента: US20120119274A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Tetsufumi Tanamoto,Takao Marukame,Mizue ISHIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US20210240440A1. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen,Kevin Hurd. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US12056461B2. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Data Sense Amplifier Circuit with a Hybrid Architecture

Номер патента: US20240339152A1. Автор: YANG LU,WonJun CHOI,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Anti-fuse memory reading circuit with controllable reading time

Номер патента: US12119069B2. Автор: Jie Zhu,Jing Sun,Zhenkai JI,Yanfei Zhang,Zhengzhou CAO,Zhengnan DING. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Efficient synthesis of probabilistic quantum circuits with fallback

Номер патента: EP3192018A1. Автор: Martin Roetteler,Alexei Bocharov,Krysta Svore. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-07-19.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Driving circuit with a feed through voltage compensation and array substrate

Номер патента: US09858879B2. Автор: Zhaokeng Cao. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same

Номер патента: US09799387B1. Автор: Eng Huat Toh,Kangho Lee,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Address Path Circuit With Row Redundant Scheme

Номер патента: US20070147145A1. Автор: Cheul Koo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Sram control circuit with a power saving function

Номер патента: US20040213069A1. Автор: Geng-Lin Chen. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Differential sensing circuit with dynamic voltage reference for single-ended bit line memory

Номер патента: US09659606B2. Автор: Shih-Huang Huang,Rei-Fu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Readout circuit with self-detection circuit and control method therefor

Номер патента: US09466388B2. Автор: Shuming Guo,Guoyi ZONG. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US20230342111A1. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen,Kevin Hurd. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US11726744B2. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen,Kevin Hurd. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Integrated circuits with machine learning extensions

Номер патента: US20190155575A1. Автор: Martin Langhammer,Dongdong Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Crossbar array circuits with 2t1r rram cells for low voltage operations

Номер патента: WO2023211511A1. Автор: Ning Ge,Wenbo Yin. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory subword driver circuits with common transistors at word lines

Номер патента: US11942142B2. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Latch circuits with improved single event upset immunity and related systems, apparatuses, and methods

Номер патента: US20230024008A1. Автор: LIANG Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Flash memory integrated circuit with multi-selected modes

Номер патента: US20060126384A1. Автор: Ming-Che Chang,Gordon Yu,Chien-Wei Teng,Hung-Tse Ho. Владелец: C One Tech Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system having termination circuit with variable resistor

Номер патента: USRE49783E1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Latch circuits with improved single event upset immunity and related systems, apparatuses, and methods

Номер патента: US11978521B2. Автор: LIANG Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit with a memory of reduced consumption

Номер патента: US20060126375A1. Автор: Andrea Bonzo,Jean-Francois Pollet. Владелец: Dolphin Integration SA. Дата публикации: 2006-06-15.

Canary circuit with passgate transistor variation

Номер патента: US20150029799A1. Автор: Russell Schreiber. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Circuit with a plurality of processors connected to a plurality of memory circuits via a network

Номер патента: WO2009037614A2. Автор: Jan Willem Van Den Brand,Marco Jan Gerrit Bekooij. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-03-26.

Circuit with a plurality of processors connected to a plurality of memory circuits via a network

Номер патента: WO2009037614A3. Автор: Marco Jan Gerrit Bekooij,Den Brand Jan Willem Van. Владелец: Den Brand Jan Willem Van. Дата публикации: 2009-05-22.

Sleep mode operation for volatile memory circuits

Номер патента: US20160132391A1. Автор: Steven Thoen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-05-12.

Arbitration sub-queues for a memory circuit

Номер патента: US12079144B1. Автор: Sebastian Werner,Amir KLEEN,Jeonghee Shin,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Sleep mode operation for volatile memory circuits

Номер патента: US09703632B2. Автор: Steven Thoen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory controller supporting DRAM circuits with different operating speeds

Номер патента: US6134638A. Автор: Christopher J. Pettey,S. Paul Olarig. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Data-processing arrangement comprising a plurality of processing and memory circuits

Номер патента: WO2000077625A1. Автор: Marc Duranton,Bernard Bru. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-12-21.

Data-processing arrangement comprising a plurality of processing and memory circuits

Номер патента: EP1104560A1. Автор: Marc Duranton,Bernard Bru. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-06-06.

Branch penalty reduction using memory circuit

Номер патента: US20200364052A1. Автор: Vijay Chinchole,Daniel J. Linnen,Naman Rastogi,Sonam Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory circuit for programmable machines

Номер патента: CA1139006A. Автор: Ronald E. Schultz,Valdis Grants,Timothy E. Mcadams. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1983-01-04.

Managing Multiple Cache Memory Circuit Operations

Номер патента: US20230342296A1. Автор: Robert T. Golla,Matthew B. Smittle. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Managing multiple cache memory circuit operations

Номер патента: US11960400B2. Автор: Robert T. Golla,Matthew B. Smittle. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Tuning of read/write cycle time delay for a memory circuit dependent on operational mode selection

Номер патента: US20240143239A1. Автор: Promod Kumar,Harsh Rawat,Kedar Janardan Dhori,Nitin Chawla,Bhupender Singh,Hitesh Chawla,Manuj Ayodhyawasi,Tanuj KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-02.

Queue Circuit For Controlling Access To A Memory Circuit

Номер патента: US20230350605A1. Автор: Robert T. Golla,Matthew B. Smittle. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Mask revision recording circuit for a memory circuit

Номер патента: US20120167019A1. Автор: Shi-Huei Liu,Cheng-Nan CHANG,Yung-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Stack caching circuit with overflow/underflow unit

Номер патента: US6167488A. Автор: Sailendra Koppala. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Neuromorphic memory circuit

Номер патента: US20170364801A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Usb control circuit with built-in bypass function

Номер патента: US20170010997A1. Автор: Chong Liu,Neng-Hsien Lin,Luo-Bin Wang,Jian-Jhong ZENG. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

USB control circuit with built-in bypass function

Номер патента: US09984024B2. Автор: Chong Liu,Neng-Hsien Lin,Luo-Bin Wang,Jian-Jhong ZENG. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

SSTA with non-gaussian variation to second order for multi-phase sequential circuit with interconnect effect

Номер патента: US09898564B2. Автор: Mau-Chung Chang. Владелец: Sage Software Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and system to identify fabricated electrical circuits with hidden hardware modifications

Номер патента: WO2022098442A3. Автор: Milos Prvulovic,Alenka Zajic,Baki Berkay Yilmaz,Luong Ngoc Nguyen. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-07-07.

Method and system to identify fabricated electrical circuits with hidden hardware modifications

Номер патента: WO2022098442A9. Автор: Milos Prvulovic,Alenka Zajic,Baki Berkay Yilmaz,Luong Ngoc Nguyen. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-08-25.

A pixel circuit with photo-sensing function, a driving method, and a display apparatus

Номер патента: US20210407379A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Clock circuit with delay functions and related method

Номер патента: US8536920B2. Автор: Ming-Feng Shen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Clock circuit with delay functions and related method

Номер патента: US20110012660A1. Автор: Ming-Feng Shen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Fast fourier transform (FFT) circuit with an integrated half-bin offset

Номер патента: US10984072B1. Автор: Sean W. Mattingly. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2021-04-20.

Systems and methods for designing and making integrated circuits with consideration of wiring demand ratio

Номер патента: US8875081B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Wai-Kei Mak,Ren-Song Tsay,Tung-Chieh Chen. Владелец: Synopsys Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Parasitic extraction in an integrated circuit with multi-patterning requirements

Номер патента: US20140123086A1. Автор: David J. Hathaway,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Jeffrey G. Hemmett,John P. Dubuque,Nathan Buck,Brian DREIBELBIS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Configurable circuits with microcontrollers

Номер патента: EP1963968A1. Автор: Frederic Reblewski. Владелец: M2000 SA. Дата публикации: 2008-09-03.

Configurable circuits with microcontrollers

Номер патента: WO2007071305A1. Автор: Frederic Reblewski. Владелец: M2000 SA. Дата публикации: 2007-06-28.

Communication interface for interfacing a transmission circuit with an interconnection network, and corresponding system and integrated circuit

Номер патента: US09959226B2. Автор: Daniele Mangano,Mirko Dondini,Salvatore Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Array of processor core circuits with reversible tiers

Номер патента: US09792251B2. Автор: Jun Sawada,Subramanian S. Iyer,Dharmendra S. Modha,John V. Arthur,Paul A. Merolla,Rodrigo Alvarez-Icaza Rivera,Andrew S. Cassidy,John E. Barth, Jr.,Bryan L. Jackson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Integrated circuit with a patching function

Номер патента: US09600207B2. Автор: Nikolaos Moschopoulos,Dimitris Chanos,Ioannis Sifnaios,Konstantinos Ninos,Dimitrios Papadopoulos. Владелец: Dialog Semiconductor BV. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit with internal supply override

Номер патента: US09507394B2. Автор: Robert Mark Englekirk. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Hierarchical design of integrated circuits with multi-patterning requirements

Номер патента: US20140359547A1. Автор: David J. Hathaway,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Jeffrey G. Hemmett,John P. Dubuque,Nathan Buck,Brian DREIBELBIS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Integral circuit with programmable logic analyser with expanded analysis and tuning capabilities and method

Номер патента: RU2579814C2. Автор: Джеймс Рэй БЕЙЛИ,Кристофер Уилсон КЭЙС,Джеймс Патрик ШАРП. Владелец: Лексмарк Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2016-04-10.

Integrated circuit with data communication stability in noise environment

Номер патента: US20230215313A1. Автор: Dong Yeol RYU,Kwang Hyun RYOO,Yeon Hun CHOI. Владелец: Findeachip Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Ssta with non-gaussian variation to second order for multi-phase sequential circuit with interconnect effect

Номер патента: US20150199462A1. Автор: Mau-Chung Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-16.

Method and apparatus for the design and analysis of digital circuits with time division multiplexing

Номер патента: US7007254B1. Автор: Kenneth S. McElvain,Drazen Borkovic. Владелец: Synplicity LLC. Дата публикации: 2006-02-28.

Multiplicative division circuit with reduced area

Номер патента: WO2010144673A3. Автор: David Tran,Rick Kelly,Kyung-Nam Han,Alexandre Tenca. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2011-03-31.

Signal adjustment circuit with reference circuit

Номер патента: US20060283231A1. Автор: Hung-Yi Kuo,Hui-Mei Chen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Integrated circuits with specialized processing blocks for performing floating-point fast fourier transforms and complex multiplication

Номер патента: WO2018063656A3. Автор: Martin Langhammer. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2018-07-12.

Multiplicative division circuit with reduced area

Номер патента: EP2441016A2. Автор: David Tran,Rick Kelly,Kyung-Nam Han,Alexandre Tenca. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Method and system to identify fabricated electrical circuits with hidden hardware modifications

Номер патента: US20230351018A1. Автор: Milos Prvulovic,Alenka Zajic,Baki Berkay Yilmaz,Luong Ngoc Nguyen. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuits with specialized processing blocks for performing floating-point fast fourier transforms and complex multiplication

Номер патента: WO2018063656A2. Автор: Martin Langhammer. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Integrated circuit with a patching function

Номер патента: EP2778905A1. Автор: Nikolaos Moschopoulos,Dimitris Chanos,Ioannis Sifnaios,Konstantinos Ninos,Dimitrios Papadopoulos. Владелец: Dialog Semiconductor BV. Дата публикации: 2014-09-17.

Serial data circuit with randomly-accessed registers of different bit length

Номер патента: US5146577A. Автор: David C. Babin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-08.

Multi-mode integrated circuits with balanced energy consumption

Номер патента: US11797074B2. Автор: Michial Allen Gunter,Lukasz Lew,Reiner Alwyn Pope. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Hierarchical design of integrated circuits with multi-patterning requirements

Номер патента: US20140123091A1. Автор: David J. Hathaway,Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Vladimir Zolotov,Jeffrey G. Hemmett,John P. Dubuque,Nathan Buck,Brian DREIBELBIS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Method and circuit for operation of capacitance micro electromechanical transducer with analog recovery

Номер патента: RU2431150C2. Автор: Гюнтер ШПАХЛИНГЕР. Владелец: Норсроп Груман Литеф Гмбх. Дата публикации: 2011-10-10.

Passive positioning with analog beamforming

Номер патента: EP4165918A1. Автор: Lorenzo Ferrari,Srinivas YERRAMALLI,Rajat Prakash,Xiaoxia Zhang,Jing Sun,Taesang Yoo,Alexandros Manolakos,Yih-Hao Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-19.

Fan driving circuit with temperature compensation

Номер патента: US20220066421A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Sheng-Chien Chou,Cheng-Yung LO. Владелец: Sea Sonic Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for dynamic noise reduction of magnetic field sensor signals and a magnetic field sensor circuit with dynamic noise reduction

Номер патента: US09989598B2. Автор: Stefan Keller,Rolf Hakenes. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of valley inductance current polarity detection in a pulse width modulated circuit with an inductive charge

Номер патента: US09459311B2. Автор: Vratislav Michal. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-10-04.

Low-voltage test signal path protection circuit with extended bandwidth, overvoltage and transient protection

Номер патента: WO2000054061A1. Автор: Raymond D. Zoellick. Владелец: FLUKE CORPORATION. Дата публикации: 2000-09-14.

Control circuit with multiple power sources

Номер патента: US20030098616A1. Автор: Li-Te Wu,Hsi-Yuan Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Noise reduction circuit with blending of bilateral filtering and machine learning filtering

Номер патента: US20240303778A1. Автор: Maxim Smirnov. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Integrated circuit with switching amplifier output fault detection

Номер патента: US11750992B2. Автор: Mohit Chawla,Venkata Ramanan Ramamurthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Voltage supply circuit with an auxiliary voltage supply unit and method for starting up electronic circuitry

Номер патента: US09742393B2. Автор: Birama GOUMBALLA,Olivier Tico,Cristian Pavao-Moreira. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Current mirror bias circuit with voltage adjustment

Номер патента: US09632522B2. Автор: Tony QUAGLIETTA. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Backlight control circuit with flexible configuration

Номер патента: US09629214B2. Автор: Jing-Meng Liu,Chiawei Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Power supply decoupling circuit with decoupling capacitor

Номер патента: US09525349B1. Автор: Yeong-Sheng Lee. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Programmable integrated circuits with decoupling capacitor circuitry

Номер патента: US09329608B1. Автор: Chris Wysocki,Zahir Parpia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor integrated circuit with voltage generation circuit, liquid crystal display controller and mobile electric equipment

Номер патента: US20070211508A1. Автор: Toshio Mizuno,Kazuya Endo,Naoki Miyamoto,Yoshikazu Yokota,Takayuki Nakaji,Takatoshi Uchida,Kazuo Ookado. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Inductive proximity sensor comprising oscillatory circuit with inductive reaction

Номер патента: CA2296716C. Автор: Mai Xuan Tu,Michel Schwab. Владелец: DETRA SA. Дата публикации: 2004-02-03.

Current driver circuit with transverse current regulation

Номер патента: US5703477A. Автор: Manfred Punzenberger. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-12-30.

Circuit with a pseudo class-ab structure

Номер патента: US20240039478A1. Автор: Chien-Yuan CHENG,Chih-Hou TSAI,Shu-Lin Chang,Shao-Yung Lu,Zhao-hui LIN,Ting-Yu KO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Photonic integrated circuit with active alignment

Номер патента: US11243362B2. Автор: Sudharsanan Srinivasan,John Garcia,Jared Bauters,Anand Ramaswamy,Brian Robert Koch,Brandon W. Buckley. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2022-02-08.

Photonic integrated circuit with active alignment

Номер патента: US10739539B2. Автор: Sudharsanan Srinivasan,John Garcia,Jared Bauters,Anand Ramaswamy,Brian Robert Koch,Brandon W. Buckley. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Photonic integrated circuit with active alignment

Номер патента: US11815725B1. Автор: Sudharsanan Srinivasan,John Garcia,Jared Bauters,Anand Ramaswamy,Brian Robert Koch,Brandon W. Buckley. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Stabilizer circuit with frequency compensation circuit adapting to load changes

Номер патента: LU503319B1. Автор: Ye Lin,Yijie ZHANG. Владелец: Nanjing Research Institute Of Electronics Tech. Дата публикации: 2023-07-10.

Photonic integrated circuit with active alignment

Номер патента: US20200333540A1. Автор: Sudharsanan Srinivasan,John Garcia,Jared Bauters,Anand Ramaswamy,Brian Robert Koch,Brandon W. Buckley. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Power-on reset circuit with hysteresis

Номер патента: US20200119728A9. Автор: Liang-Shiang CHIU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Photonic integrated circuit with active alignment

Номер патента: US20190212505A1. Автор: Sudharsanan Srinivasan,John Garcia,Jared Bauters,Anand Ramaswamy,Brian Robert Koch,Brandon W. Buckley. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Radio Frequency Integrated Circuit with On-Chip Noise Source for Self-Test

Номер патента: US20090190640A1. Автор: Scott Kevin Reynolds,Brian Allan Floyd,David Ross Greenberg,Ramana Murty Malladi,Bradley Alan Orner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-30.

Control circuit with manual/remote control function

Номер патента: US20080157604A1. Автор: Ren-Horng You. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2008-07-03.

ECL Logic circuit with a circuit for dynamically switchable low drop current source

Номер патента: US4547881A. Автор: Hemmige D. Varadarajan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1985-10-15.

Current control circuit with limiter, temperature control circuit, and brightness control circuit

Номер патента: US7420408B2. Автор: Nobukazu Yoshizawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-02.

Power switch circuit with current sensing

Номер патента: US11728807B2. Автор: Chia-Lung Wu,Shao-Lin FENG. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Integrated circuit with photonic elements

Номер патента: WO2014041536A1. Автор: Zeev Zalevsky,Alexander Fish,Amihai Meiri,Ori Bass. Владелец: BAR-ILAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-03-20.

Integrated circuit with photonic elements

Номер патента: US20150253502A1. Автор: Zeev Zalevsky,Alexander Fish,Amihai Meiri,Ori Bass. Владелец: Ben Gurion University of the Negev Research and Development Authority Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

High precision current sampling circuit with on-chip real-time calibration

Номер патента: US11846658B2. Автор: WEI Qi,Nailong Wang. Владелец: X Signal Integrated Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

High precision current sampling circuit with on-chip real-time calibration

Номер патента: US20230375598A1. Автор: WEI Qi,Nailong Wang. Владелец: X Signal Integrated Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit with switching amplifier output fault detection

Номер патента: WO2022061051A1. Автор: Mohit Chawla,Venkata Ramanan RAMAHURTHY. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

Backlight LED driver circuit with current regulating function

Номер патента: US11847982B1. Автор: Guanou Yang,Huijiao JIN. Владелец: X Signal Integrated Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Fan control circuit with temperature compensation and method of controlling fan

Номер патента: US11736052B2. Автор: Chin-Yun Chang,Chien-Kuei HSU. Владелец: Enermax Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Fan control circuit with temperature compensation and method of controlling fan

Номер патента: US20210315129A1. Автор: Chin-Yun Chang,Chien-Kuei HSU. Владелец: Enermax Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Delay Circuit with Multiple Dependencies

Номер патента: US20220283549A1. Автор: Bo Zhao,Jaroslav Raszka. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Amplifier circuit with high-order damping circuit and the high-order damping circuit

Номер патента: US20200382072A1. Автор: Sung-Han Wen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Amplifier circuit with high-order damping circuit and the high-order damping circuit

Номер патента: EP3745590A1. Автор: Sung-Han Wen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-12-02.

Backlight led driver circuit with current regulating function

Номер патента: US20240005883A1. Автор: Guanou Yang,Huijiao JIN. Владелец: X Signal Integrated Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit with current limit testing circuitry

Номер патента: US20210223306A1. Автор: William Shane Rowling,Paul R. Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Pixel Circuit, Memory Circuit, Display Panel and Driving Method

Номер патента: US20190088223A1. Автор: Yimin Chen,Xianjie SHAO,Xiujuan Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Circuits and methods for transmission of addressing information to display memory circuits over data lines for sequential access to display data

Номер патента: US20050168469A1. Автор: Sei-Jin Kim,Han-Gu Sohn,Woo-Seop Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Transducer memory circuit

Номер патента: US4611304A. Автор: Randall B. Sprague,Charles D. Bateman,R. Bruce Butenko. Владелец: Sundstrand Data Control Inc. Дата публикации: 1986-09-09.

Motion command reshaping method with analog input for position s curve

Номер патента: US20070038314A1. Автор: Tsung-Hsin Cheng. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Integrated circuit with suppression of spurious acoustic modes and method of producing same

Номер патента: RU2547165C2. Автор: Цзе Чэнь,Уилльям ОССМАН,Берни Дж. СЕЙВОРД,Род Дж. СОЛОМОН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-04-10.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Personal diagnostic device having a fluidic circuit with a plurality of analysis chambers

Номер патента: US09993189B2. Автор: Brigitte Chau Phan,Andrew Atilla Pal,Ramoncito M. Valencia,Donald Bollella. Владелец: Life Patch International. Дата публикации: 2018-06-12.

Pixel circuit with organic light emitting diode

Номер патента: US09773449B2. Автор: Chia-Yuan Yeh,Yung-Ming Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-09-26.

Bandgap reference circuit with curvature compensation

Номер патента: US09582021B1. Автор: Matthias Arnold,Asif Qaiyum. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-02-28.

Low-Dropout Regulator Circuit with Dynamic Transition Between Operation Modes

Номер патента: US20240094753A1. Автор: Gaurav Sharma,Nathan F. Hanagami,Mahir Uka,Benedikt Wolf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Logic built in self test circuitry for use in an integrated circuit with scan chains

Номер патента: US20170192054A1. Автор: Cedric Lichtenau,Mary P. Kusko,Raghu G. Gopalakrishnasetty,Satya R.S. Bhamidipati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Bit-corrector circuits for photonic circuits with cascaded photonic gates

Номер патента: US12032023B1. Автор: Bicky A. Marquez. Владелец: Milkshake Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated low-noise sensing circuit with efficient bias stabilization

Номер патента: US20140132284A1. Автор: Siew-Seong Tan,Yung-Jane Hsu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-05-15.

Current sense circuit with offset calibration

Номер патента: US09696352B2. Автор: Stanley Smith,Alan Wayne Brown,Mark Allen Enderich. Владелец: Hella Corporate Center USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

System for maintenance of fire-optic circuits with splice tray

Номер патента: RU2451957C2. Автор: Рутеш Д. ПАРИХ,Эрве БРУНЕТ,Патрик ДРУАРД. Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2012-05-27.

Low dropout regulator circuit with reduced overshoot and undershoot and the method thereof

Номер патента: US20230400872A1. Автор: YONG ZHOU. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Pixel Circuit with Organic Light Emitting Diode

Номер патента: US20160063920A1. Автор: Yu-Kai Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-03-03.

Current source circuit with temperature compensation

Номер патента: US9007049B2. Автор: Junwei Huang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Magnetic field sensor circuit with common-mode voltage nulling

Номер патента: US20090001981A1. Автор: Thirumalai Rengachari. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Pixel circuit with pulse width compensation and operation method thereof

Номер патента: US12125435B2. Автор: Po-Tsun Liu,Ta-Jen Huang,Chun-Ta Chen,Po Lun Chen,De-Fu Chen,Guang-Ting Zheng,Ting-Yi Yi. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Electronic circuit with self-calibrated PTAT current reference and method for actuating the same

Номер патента: US09442509B2. Автор: Arnaud Casagrande,Jean-Luc Arend. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2016-09-13.

Continuous leakage detection circuit with integrated robustness check and balanced fault detection

Номер патента: US09411004B2. Автор: Benjamin A. Tabatowski-Bush. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Measuring circuit with shunted capacitor detectors

Номер патента: RU2301405C2. Автор: Ронгтай ВАНГ. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2007-06-20.

Multi-element transmitting radio-frequency circuit with local automatic tuning and matching device

Номер патента: RU2544867C2. Автор: Кристоф ЛОЙССЛЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-03-20.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US20110001557A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Voltage bias circuit with adjustable output, and chip and communication terminal

Номер патента: EP4250054A1. Автор: Sheng Lin,Chenyang GAO. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Reference Voltage Circuit with Low Temperature Drift

Номер патента: US20190361476A1. Автор: Liang Zhang,Jia Zhou,Yuming Feng,Shirong Fan,Yijun Xu,Jianxun Li,Wenjie Yang,Xinchao PENG,Yuhua Xie. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2019-11-28.

Temperature monitoring circuit with thermal hysteresis

Номер патента: US6002244A. Автор: Robert S. Wrathall. Владелец: Impala Linear Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Circuit with at least one catalytic measuring element

Номер патента: CA2542789C. Автор: Matthias Martens,Mladen Schlichte. Владелец: Draeger Safety AG and Co KGaA. Дата публикации: 2013-07-09.

Wheel speed sensor input circuit with sensor status detection employing a resistor biased compensator

Номер патента: US5510707A. Автор: LaVerne A. Caron. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1996-04-23.

AC Impedance Measurement Circuit with Calibration Function

Номер патента: US20210382100A1. Автор: Yu-Wei Chuang,Po-Yin Chao,Shui-Chu Lee. Владелец: Hycon Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Bandgap reference starting circuit with ultra-low power consumption

Номер патента: US11815924B2. Автор: Xiaoyu Li,Xiangyang Guo. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Voltage reference circuit with temperature compensation

Номер патента: US9442506B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Tien-Chun Yang,Steven Swei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Display device and display driving circuit with electromagnetic interference suppression capability

Номер патента: US20190362685A1. Автор: Yu-Lin Wang,Po-Hsin Lin,Xue-Hung TSAI,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor integrated circuit with stabilizing capacity

Номер патента: US6838927B2. Автор: Kenji Oonishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Linear voltage-pulse base-clipping circuit with adjustable-threshold condition and echograph comprising such a device

Номер патента: US4470017A. Автор: Andre Eder. Владелец: CGR Ultrasonic SA. Дата публикации: 1984-09-04.

Switching bandgap reference circuit with compounded ΔV.sub.βΕ

Номер патента: US5867012A. Автор: Michael G. Tuthill. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1999-02-02.

Temperature sensing circuit with high noise immunity

Номер патента: CA1173933A. Автор: Stephen W. Paddock,Andrew T. Tershak. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 1984-09-04.

Bandgap circuit with adaptive start-up design

Номер патента: US20240012440A1. Автор: Chen-Ming Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Pixel circuit with pulse width compensation and operation method thereof

Номер патента: US20240144868A1. Автор: Po-Tsun Liu,Ta-Jen Huang,Chun-Ta Chen,Po Lun Chen,De-Fu Chen,Guang-Ting Zheng,Ting-Yi Yi. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Bandgap circuit with adaptive start-up design

Номер патента: EP4303690A1. Автор: Chen-Ming Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Gamma reference voltages generating circuit with output offset and display apparatus

Номер патента: US20150009240A1. Автор: Toshiaki Matsuoka,Chia Cheng Lei. Владелец: Integrated Solutions Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Goa circuit with bidirectional outputs and seamlessly-joined screen

Номер патента: US20220122559A1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Current source circuit with temperature compensation

Номер патента: US20130265019A1. Автор: Junwei Huang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Low dropout regulator (ldo) circuit with smooth pass transistor partitioning

Номер патента: US20200285261A1. Автор: Raveesh MAGOD RAMAKRISHNA,Joseph Alan SANKMAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for manufacturing an integrated memory circuit and an integrated memory circuit

Номер патента: US20030072196A1. Автор: Stefan Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Integrated circuit comprising analog and digital sub-circuits with improved over-voltage protection and reduced substrate -noise coupling

Номер патента: US20020071229A1. Автор: Hans-Ulrich Schröder,Antonius P.G. Welbers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Highly scaled etsoi floating body memory and memory circuit

Номер патента: US20120313143A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Modular package architecture for voltage regulator-compute-memory circuits with quasi-monolithic chip layers

Номер патента: US20240063183A1. Автор: Kaladhar Radhakrishnan,Kimin Jun,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Shawna M. LIFF,Omkar G. Karhade,Julien Sebot,Anne AUGUSTINE,Beomseok CHOI,Krishna Vasanth VALAVALA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of making a semiconductor memory circuit device

Номер патента: US5389558A. Автор: Yoshiyuki Kaneko,Kozo Watanabe,Masaki Nagao,Hiroyuki Miyazawa,Kazuya Endo,Hiroyuki Uchiyama,Naokatsu Suwanai,Atushi Ogishima,Kyoichiro Asayama,Takashi Yoneoka,Hiroki Soeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-14.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Electrostatic discharge protecting circuit with ultra-low standby leakage current for twice supply voltage tolerance

Номер патента: US20110026175A1. Автор: Ming-Dou Ker,Chang-Tzu Wang,Chua-Chin Wang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2011-02-03.

Darlington circuit with constant voltage source and integrated circuit device integrated the darlington circuit with constant voltage source

Номер патента: WO2008038998A1. Автор: Ok-Sang Jin. Владелец: Ok-Sang Jin. Дата публикации: 2008-04-03.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Rectifier circuit with a voltage sensor

Номер патента: US09509228B2. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-29.

Amplifier circuit with crossed wiring of direct-current signals and shf signals

Номер патента: RU2565366C1. Автор: Бинь ЧЗАН,Хунци ТАО. Владелец: Чайна Электроникс Текнолоджи Груп Корпорейшн N 55 Ресэч Инститьют. Дата публикации: 2015-10-20.

Circuit with protection against electrostatic destruction

Номер патента: US20060092587A1. Автор: Michael Albert,Martin Czech. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2006-05-04.

Resistor and resistor-transistor-logic circuit with GaN structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12132043B2. Автор: Yi-Chun Chen,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit with doped low-k sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US12136658B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US09673060B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor chip having a circuit with cross-coupled transistors to thwart reverse engineering

Номер патента: US09431398B2. Автор: Thomas Kuenemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Low power logic circuit with storage charge control for fast switching

Номер патента: US4626710A. Автор: Siegfried K. Wiedmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-12-02.

Monolithic integrated circuit with integrated interference suppression device

Номер патента: US20070013037A1. Автор: Harald Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Packaging of an integrated circuit with internal impedance matching

Номер патента: WO2004100263A3. Автор: Wayne Mack Struble,Richard John Giacchino,Norbert Andrew Schmitz. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Methods for producing integrated circuits with interposers and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US09799571B2. Автор: Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit with die edge assurance structure

Номер патента: US09741667B2. Автор: Liming Tsau,Rong Zeng. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuits with electrostatic discharge protection

Номер патента: US09698139B1. Автор: Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits with self-aligned vias

Номер патента: US09520321B2. Автор: Errol Todd Ryan,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135733A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Structure and method for making high density mosfet circuits with different height contact lines

Номер патента: EP1979941A2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Structure and method for making high density mosfet circuits with different height contact lines

Номер патента: WO2007082199A2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-19.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230290782A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus and circuits with dual polarization transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US11990541B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods

Номер патента: US20180190628A1. Автор: Benjamin Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Transistor arrangement and electronic circuit with a transistor arrangement

Номер патента: WO2020182721A1. Автор: Björn Fischer,Hans Weber,Franz Hirler,Matteo-Alessandro Kutschak,Andreas Riegler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated Circuits with Channel-Strain Liner

Номер патента: US20200006558A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

FinFET-BASED INTEGRATED CIRCUITS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200312843A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuits with standard cell

Номер патента: US20190088639A1. Автор: Wei-Jen Wang,Chin-Sheng Yang,Chien-Fu Chen,Chao-Wei Lin,Chen-Hsien Hsu,Zhi-Hong HUANG,Cheng-Yang Tsai,Cheng-Tsung Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US20160056253A1. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Millimetre wave integrated circuits with thin film transistors

Номер патента: US09799686B2. Автор: Chunong Qiu,Ishiang Shih,Cindy X. Qiu,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuits with lateral bipolar transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761664B1. Автор: Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar,Wei Gao,Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuits with thermal isolation and temperature regulation

Номер патента: US09761543B1. Автор: Benjamin Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuits with guard ring structures for nonplanar transistor devices

Номер патента: US09530835B1. Автор: Chin Hieang Khor. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuits with diffusion barrier layers and processes for preparing integrated circuits including diffusion barrier layers

Номер патента: US09484449B2. Автор: Hoon Kim,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Millimetre wave integrated circuits with thin film transistors

Номер патента: US09437626B2. Автор: Chunong Qiu,Ishiang Shih,Cindy X. Qiu,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-06.

Fin-based nonvolatile memory structures, integrated circuits with such structures, and methods for fabricating same

Номер патента: US09911867B2. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Ming-Tsang Tsai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Cmos soi integral circuit with high radiation resistance (versions)

Номер патента: RU2601251C1. Автор: Александр Сергеевич ЛУШНИКОВ,Владимир Дмитриевич МЕЩАНОВ,Егор Сергеевич РЫБАЛКО,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИТРОНИКС-микродизайн". Дата публикации: 2016-10-27.

Integrated semiconductor circuits with bipolar components and method of producing same

Номер патента: CA1212485A. Автор: Ulrich Schwabe,Franz Neppl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1986-10-07.

Integrated circuit with dual stress liner boundary

Номер патента: US9953967B2. Автор: Youn Sung Choi,Greg Charles Baldwin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Rectifier circuit with a voltage sensor

Номер патента: US20140104905A1. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-04-17.

Integrated circuit with dual stress liner boundary

Номер патента: US20160013314A1. Автор: Youn Sung Choi,Greg Charles Baldwin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Integrated circuit with dual stress liner boundary

Номер патента: US9543437B2. Автор: Youn Sung Choi,Greg Charles Baldwin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit with dual stress liner boundary

Номер патента: US20170084598A1. Автор: Youn Sung Choi,Greg Charles Baldwin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Amplifier circuit with cross wiring of direct-current signals and microwave signals

Номер патента: CA2873911A1. Автор: Bin Zhang,Hongqi TAO. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2013-11-28.

Process for producing hybrid circuits with integrated capacitors and resistors and circuits obtained by this process

Номер патента: US4460938A. Автор: Alain Clei. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-07-17.

Amplifier circuit with cross wiring of direct-current signals and microwave signals

Номер патента: CA2873911C. Автор: Bin Zhang,Hongqi TAO. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit with carrier killer selectively diffused therein and method of making same

Номер патента: US3899793A. Автор: Isamu Kobayashi,Kinji Wakamiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-08-12.

Structure and fabrication method for integrated circuits with polysilicon lines having low sheet resistance

Номер патента: CA1092726A. Автор: Fritz H. Gaensslen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-30.

Circuit with small package for mosfets

Номер патента: US5929520A. Автор: Louis R. Nerone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-07-27.

Processes of forming insulated gate field effect transistors with channel lengths of one micron in integrated circuits with component isolated and product

Номер патента: US3996655A. Автор: James A. Cunningham,James E. Schroeder,Mark Roman Guidry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-12-14.

Integrated circuit with simultaneous fabrication of dual damascene via and trench

Номер патента: SG147268A1. Автор: Alan Cuthbertson,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan,Wuping Liu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

Monolithic microwave integrated circuit with pads for measuring dc characteristics

Номер патента: CA1213681A. Автор: Tomihiro Suzuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-11-04.

Radio frequency circuit with impedance matching

Номер патента: US8848394B2. Автор: Cristian Andrei. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-09-30.

Integrated filter circuit with variable frequency characteristics

Номер патента: US4667120A. Автор: Isao Fukushima,Kuniaki Miura,Yoshinori Okada,Kenji Kano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-05-19.

Semiconductor die with peculiar bond pad arrangement for leveraging mutual inductance between bond wires to realize bond wire t-coil circuit with equivalent negative inductance

Номер патента: US20230402416A1. Автор: Chun-Wei Chen,Huan-Sheng Chen,Ming-Yin Ko. Владелец: Airoha Technology Hk Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuit with fault reporting structure

Номер патента: US11916064B2. Автор: Tao Zhao,Chiahsin Chang,Xintong Lyu. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Integrated Circuit with Sidewall Spacers for Gate Stacks

Номер патента: US20200075420A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit with doped low-k side wall spacers for gate spacers

Номер патента: US11699737B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Adaptive amplifier circuit with enhanced dynamic range

Номер патента: EP1323192A4. Автор: Lester J Kozlowski,William E Tennant. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2006-06-07.

Resistor and resistor-transistor-logic circuit with gan structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230223400A1. Автор: Yi-Chun Chen,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Integrated Circuit with Sidewall Spacers for Gate Spacers

Номер патента: US20210111265A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated circuit with sidewall spacers for gate stacks

Номер патента: US20230352554A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuit with temperature increasing element and electronic system having the same

Номер патента: US20130015548A1. Автор: Tsang-Yi Chen,Hsieh-Chun Chen. Владелец: Transcend Information Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Analog integrated circuit with improved transistor lifetime and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210028167A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Na Ren. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Adaptive amplifier circuit with enhanced dynamic range

Номер патента: EP1323192B1. Автор: William E. Tennant,Lester J. Kozlowski. Владелец: Altasens Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Integrated circuit with an improved inductor structure and method of fabrication

Номер патента: US5717243A. Автор: Rex Everett Lowther. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-02-10.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5610421A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-03-11.

Output circuit with ESD protection

Номер патента: US10637235B2. Автор: Jhih-Siou Cheng,Ju-Lin Huang,Chia-En Wu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-04-28.

Method and apparatus for controlling a circuit with a high voltage sense device

Номер патента: US7491611B2. Автор: Donald R. Disney. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-02-17.

Hybrid circuit with an integral antenna

Номер патента: CA2643218C. Автор: Haim Goldberger. Владелец: Origin Gps Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Method for producing integrated circuit with smaller grains of tungsten

Номер патента: US9230863B2. Автор: Huang Liu,Jialin YU,Jilin XIA,Girish Bohra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-05.

Integrated semiconductor circuits with contact interconnect levels comprised of an aluminum/silicon alloy

Номер патента: US4527184A. Автор: Franz Fischer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-07-02.

Integrated Circuit with a Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100052050A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,Douglas Dean Lopata,William W. Troutman,Tanya Nigam. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Reset circuit with PNP saturation detector

Номер патента: US5066869A. Автор: Robert A. Neidorff. Владелец: Unitrode Corp. Дата публикации: 1991-11-19.

Rail for conveying integrated circuits with J-shaped leads

Номер патента: US5269401A. Автор: Hiroto Nakamura,Akihiko Ito. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Method for designing an electronic integrated circuit with optical inputs and outputs

Номер патента: US5605856A. Автор: James A. Walker,David A. B. Miller,Ashok V. Krishnamoorthy,Keith W. Goosen,Fouad E. Kiamilev. Владелец: University of North Carolina System. Дата публикации: 1997-02-25.

Drive circuit with a transmission circuit for capacitively transmitting a signal and associated method

Номер патента: US8493101B2. Автор: Matthias Rossberg,Bastian Vogler,Reinhard Herzer. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-07-23.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5837554A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-11-17.

Integrated circuits with high dielectric constant interfacial layering

Номер патента: EP4156273A1. Автор: Uygar E. Avci,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Sarah ATANASOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Layout techniques for high-speed and low-power signal paths in integrated circuits with small channel devices

Номер патента: US20190267324A1. Автор: Anirban Banerjee,Marina SALIK,Elizabeth Deleev HYLANDER-PRIEBE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Layout techniques for high-speed and low-power signal paths in integrated circuits with small channel devices

Номер патента: US10559532B2. Автор: Anirban Banerjee,Marina SALIK,Elizabeth Deleev HYLANDER-PRIEBE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

RRAM-based crossbar array circuits with increased temperature stability for analog computing

Номер патента: US11283018B2. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-03-22.

Integrated circuits with buried interconnect conductors

Номер патента: US11854902B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated circuits with gate cut features

Номер патента: US11848326B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Integrated circuits with FinFET gate structures

Номер патента: US11855084B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated circuits with FinFET gate structures

Номер патента: US11855082B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Rram crossbar array circuits with specialized interface layers for low current operation

Номер патента: US20210066589A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuits with gate cut features

Номер патента: US20240088145A1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20200126789A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20210175076A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Integrated circuits with standard cell

Номер патента: US10319709B2. Автор: Wei-Jen Wang,Chin-Sheng Yang,Chien-Fu Chen,Chao-Wei Lin,Chen-Hsien Hsu,Zhi-Hong HUANG,Cheng-Yang Tsai,Cheng-Tsung Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Integrated circuits with finfet gate structures

Номер патента: US20240105719A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Resistor and resistor-transistor-logic circuit with gan structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3971955A1. Автор: Yi-Chun Chen,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Integrated circuit with fault reporting structure

Номер патента: US20240170479A1. Автор: Tao Zhao,Chiahsin Chang,Xintong Lyu. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuits with stacked transistors and methods of manufacturing the same using processes which fabricate lower gate structures following completion of portions of an upper transistor

Номер патента: EP3732721A1. Автор: Gilbert Dewey,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Anh Phan,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-04.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US20160049490A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Rram-based crossbar array circuits with increased temperature stability for analog computing

Номер патента: US20200313087A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated Circuits with Contacting Gate Structures

Номер патента: US20200312858A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuit with electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US7974054B2. Автор: Ching-Jung Yang,Kun-Tai Wu. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Shape memory circuit breakers

Номер патента: US09773627B2. Автор: Frederick B. Koehler,Ward D. Lyman,William D. Werries. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-26.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: CA2563557A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: WO2005101442A1. Автор: Silvestre Josep Montanyà. Владелец: Baolab Microsystems S.L.. Дата публикации: 2005-10-27.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: EP1738384A1. Автор: Silvestre Josep Montanyà. Владелец: Baolab Microsystems SL. Дата публикации: 2007-01-03.

Communication connector with analog coupling circuit

Номер патента: US20140024259A1. Автор: Christopher A. Kelsch,John N. Figh, Jr.,Lucas P. Swartwood,Chung-Ping Lee,Bruno M. L. Telles. Владелец: Vanguard Protex Global Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Rectifier circuit with at least two working points

Номер патента: RU2599263C2. Автор: Петер ВАЛЬМАЙЕР,Пауль МАИБЕРГ,Грегор ДЮППЕ. Владелец: Аег Пауэр Солюшнс Б.В.. Дата публикации: 2016-10-10.

High efficiency driver circuit with fast response

Номер патента: US09791110B2. Автор: Yuequan Hu,Daniel Pope,Qingcong Hu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

DC actuator control circuit with voltage compensation, current control and fast dropout period

Номер патента: US5914849A. Автор: G. Stephen Perreira. Владелец: Kilovac Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Crosstalk reduction in parasitically coupled circuits with an RC network connecting circuit grounds

Номер патента: US5861783A. Автор: Joseph Peter Savicki. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-01-19.

Photonic circuit with hybrid III-V on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US11670912B2. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-06.

Photonic circuit with hybrid iii-v on silicon active section with inverted silicon taper

Номер патента: US20210083456A1. Автор: Antonin GALLET,Théo Verolet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-18.

Non-common-ground bandpass filter circuit with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20210068239A1. Автор: Wei-Ting Tsai,Shau-Gang Mao,Ting-Wei Wu,Yu-Yao Chen,Chong-Yi Liou,Jin-Feng NEO,Zheng-An Peng,Tsu-Yu LO,Je-Yao CHANG,Chien-Bang Chen,Shih-Ping Huang. Владелец: Iwave Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Energy Injection In A Resonant Circuit With Initial Conditions

Номер патента: US20230402912A1. Автор: Ionel Jitaru. Владелец: Rompower Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Resistor circuit with temperature coefficient compensation

Номер патента: US9805849B2. Автор: Zhiyong YUAN. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Protective device for electric circuit, electric circuit with such device and method of protection of such electric circuit

Номер патента: RU2713468C2. Автор: Джанфранко ДЕ ПАЛЬМА,Реми УАЙДА. Владелец: Мерсен Франс Сб Сас. Дата публикации: 2020-02-05.

Laser diode automatic power control circuit with means of protection of the laser diode

Номер патента: US5276697A. Автор: James G. Davis. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1994-01-04.

Monolithic nonlinear transmission lines and sampling circuits with reduced shock-wave-to-surface-wave coupling

Номер патента: US6894581B2. Автор: Karam Michael Noujeim. Владелец: Anritsu Co. Дата публикации: 2005-05-17.

Biasing radio frequency circuits with digital controls

Номер патента: WO2024015061A1. Автор: Steven J. Franson,Robert R. Kost. Владелец: VIASAT, INC.. Дата публикации: 2024-01-18.

Microstrip routing circuits with dielectric films

Номер патента: US20230371172A1. Автор: Raul Enriquez Shibayama,Alberto Carrillo Vazquez,Diego Mauricio Cortes Hernandez,Miguel Angel Tlaxcalteco Matus,Mario Alberto Velasco Gonzalez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Dual current switch detection circuit with selective activation

Номер патента: WO2010054177A1. Автор: Justin Joseph Rosen Gagne. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-14.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Circuit and method for improving noise tolerance in multi-threaded memory circuits

Номер патента: US20050024091A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-02-03.

Memory circuit and control method for memory circuit

Номер патента: US20180337661A1. Автор: Tomohiro Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Method for increasing the input voltage of an integrated circuit with a two-stage charge pump, and integrated circuit

Номер патента: US20050077949A1. Автор: Michael Hausmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-14.

Elastic store memory circuit

Номер патента: US5444658A. Автор: Yasuhiro Aso,Yoshihiro Uchida,Naoyuki Izawa,Satoshi Kakuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-22.

Memory circuit

Номер патента: US3828205A. Автор: J Konopka. Владелец: Thomas International Corp. Дата публикации: 1974-08-06.

Programmable gain amplifier with analog gain trim using interpolation

Номер патента: US09692378B2. Автор: Nitin Agarwal,Aniruddha Roy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Enhanced line-of-sight communications with analog multi-path beamforming

Номер патента: WO2024123518A1. Автор: Tianyang BAI,Junyi Li,Meilong Jiang,Ashwin Sampath,Juergen Cezanne,Ozge Koymen,Ori Shental,Ahmed BEDEWY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-13.

Enhanced line-of-sight communications with analog multi-path beamforming

Номер патента: US12047147B2. Автор: Tianyang BAI,Junyi Li,Meilong Jiang,Ashwin Sampath,Juergen Cezanne,Ozge Koymen,Ori Shental,Ahmed BEDEWY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Interference-free transmission system with analog selection unit and automatic matching device on discrete elements

Номер патента: RU2750336C1. Автор: Владимир Александрович Маковий,Сергей Александрович Чупеев,Александр Алексеевич Яблонских. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2021-06-28.

Amplification circuit with analog multiplexer

Номер патента: US11799464B2. Автор: Shogo Kawahara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Method and module with analog-to-digital converter

Номер патента: US20100156681A1. Автор: Volker Christ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-06-24.

Interference-free transmission system with analog selector unit and automatic matching device with continuous impedance trimming

Номер патента: RU2747564C1. Автор: Владимир Александрович Маковий,Сергей Александрович Чупеев,Александр Алексеевич Яблонских. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2021-05-07.

Enhanced line-of-sight communications with analog multi-path beamforming

Номер патента: US20240195476A1. Автор: Tianyang BAI,Junyi Li,Meilong Jiang,Ashwin Sampath,Juergen Cezanne,Ozge Koymen,Ori Shental,Ahmed BEDEWY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for transmitting digital multimedia data with analog broadcast data.

Номер патента: WO2003009592A8. Автор: Paul Signorelli,Terrance Snyder,Lee Hunter,David Corts,Bryce Wells. Владелец: Impulse Radio Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

Power amplifier with analog predistortion

Номер патента: WO2023150539A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Christopher T. Brown,Stephen James Franck. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Port selection for channel state feedback with analog feedforward

Номер патента: EP4042785A1. Автор: Yu Zhang,Chao Wei,Hao Xu,Wanshi Chen,Liangming WU,Chenxi HAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Port selection for channel state feedback with analog feedforward

Номер патента: WO2021068915A1. Автор: Yu Zhang,Chao Wei,Hao Xu,Wanshi Chen,Liangming WU,Chenxi HAO. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-15.

Port selection for channel state feedback with analog feedforward

Номер патента: US20230163911A1. Автор: Yu Zhang,Chao Wei,Hao Xu,Wanshi Chen,Liangming WU,Chenxi HAO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method and device to relate modulation and coding circuit with scope of resources

Номер патента: RU2480963C2. Автор: Кари ПАЮКОСКИ,Эса ТИИРОЛА,Паси КИННУНЕН. Владелец: Нокиа Сименс Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2013-04-27.

Method for switching circuits with double redundancy after failures

Номер патента: RU2770516C1. Автор: Артём Викторович Медведев,Тальгат Рашитович Газизов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2022-04-18.

Circuit with light-emitting diodes, as well as light-emitting diode array and device

Номер патента: RU2420043C2. Автор: Бернд АКЕРМАНН,Георг ЗАУРЛЕНДЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-05-27.

Magnetic circuit with double magnet, loud-speaker and device for generating oscillations using such magnetic circuit

Номер патента: RU2367114C2. Автор: Сеонг Бае КИМ. Владелец: Сеонг Бае КИМ. Дата публикации: 2009-09-10.

System and method for transmitting and receiving a signal in mobile communications system, using adaptive antenna array circuit with a set of inputs and a set of outputs

Номер патента: RU2305898C2. Автор: Чан-Биоунг ЧАЕ,Пан-Йух ДЗОО,Чанг-Хо СУХ,Кац Маркос ДАНИЕЛЬ,Биоунг-Йун КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-09-10.

Method for routing printed conductors of circuits with redundancy on opposite sides of printed circuit board

Номер патента: RU2754077C1. Автор: Артём Викторович Медведев,Тальгат Рашитович Газизов,Ольга Михайловна Кузнецова-Таджибаева,Хасан Аднан Алхадж. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-08-26.

Method of assembling non-molded radioelectronic components on printed circuit boards for circuits with redundancy

Номер патента: RU2693838C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Павел Евгеньевич Орлов,Виталий Расимович Шарафутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2019-07-05.

Flexible printed circuits with bend retention structures

Номер патента: US09769920B2. Автор: Fletcher R. Rothkopf,Stephen Brian Lynch,Colin M. Ely,Anna-Katrina Shedletsky. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Superconducting circuit with proximity effect

Номер патента: RU2753673C1. Автор: Варнава Денисович Есин,Николай Николаевич Колесников,Эдуард Валентинович Девятов,Анна Владимировна Тимонина,Юрий Семенович Бараш. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-08-19.

Synchronous rectification circuit with dead time regulation

Номер патента: US20050174819A1. Автор: Hui Yang. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Adjustable rejection circuit with tunable impedance

Номер патента: US20220224303A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

BRCT clamping absorption circuit with short circuit protection

Номер патента: US12132306B2. Автор: Zhihua Zhang,Wencai WEI. Владелец: Shenzhen Hontech-Wins Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Cooled printed circuit with multi-layer structure and low dielectric losses

Номер патента: US09609740B2. Автор: Sebastien Bonnet,Serge Verdeyme,Michel Campovecchio,Alain Dravet,Marc-Yves Lienhart. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-03-28.

Circuit with an LED dimming linear compensation

Номер патента: US09420646B2. Автор: Senhai CHEN. Владелец: Xiamen Yankon Energetic Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Energy-conducting circuit with rollers

Номер патента: RU2594053C2. Автор: Андреас ГЕРМИ. Владелец: Игус Гмбх. Дата публикации: 2016-08-10.

Reduction of usefull current in circuits with rx diversity

Номер патента: RU2422995C2. Автор: Богдан ТУДОСОИУ. Владелец: Сони Эрикссон Мобайл Коммьюникейшнз Аб. Дата публикации: 2011-06-27.

Integrated circuit with a differential amplifier

Номер патента: US20010028585A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoai-Thai Le,Sebastian Kühne. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Electrostatic discharge protection circuit with a fail-safe mechanism

Номер патента: US20150288174A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Active circuits with load linearization

Номер патента: US20090051424A1. Автор: Li Liu,Prasad S. Gudem. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Multimode millimeter-wave frequency divider circuit with multiple presettable frequency dividing modes

Номер патента: US20100271082A1. Автор: Hsien-Ku Chen,Shey-Shi Lu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2010-10-28.

String light circuit with human body sensing

Номер патента: US20240023219A1. Автор: Keyong Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-18.

Thick film circuits with conductive components formed using different conductive elements and related methods

Номер патента: US09681559B2. Автор: David A Smith,Lisa M Albaugh. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Electric circuit with power amplifier for piezoelectric actuators

Номер патента: US09484843B2. Автор: Stefan Storm,Boris Grohmann. Владелец: AIRBUS HELICOPTERS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Rectifier circuit with current injection

Номер патента: US09444362B2. Автор: Michael Hartmann,Rudolf Fehringer. Владелец: SCHNEIDER ELECTRIC POWER DRIVES GMBH. Дата публикации: 2016-09-13.

Electrostatic discharge protection circuit with a fail-safe mechanism

Номер патента: US09413169B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Matching circuit with switchable load lines, load line switching method and power amplifier

Номер патента: US12028027B2. Автор: Xiumei Cao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-02.

Low-latency switch drive circuit with power transfer

Номер патента: US20230353145A1. Автор: Karl Rinne,Joseph Duigan. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Motor circuit with power-off braking function

Номер патента: US20130271045A1. Автор: Chung-Ken Cheng,Shou-Chien CHANG,Chieh-Jen YANG. Владелец: Sunon Electronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Dynamically adjustable circuit with circuit of characterized-path and method for generating circuit of characterized-path

Номер патента: US20150188541A1. Автор: Chi-Tien Sun,Chun-Yuan Cheng,Kuo-Su Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-07-02.

Power supply conversion topology of multiphase switch capacitor resonant cavity conversion circuit with full-wave output rectification and power supply conversion structures based on power supply conversion topology

Номер патента: US20230091474A1. Автор: Hui Zhao,Yiran Chen. Владелец: Nanjing Efficient Power For Intelligent Computing Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Electronic Circuit with Several Electronic Switches Connected in Series and a Drive Circuit

Номер патента: US20180351549A1. Автор: Rolf Weis,Ralf Rudolf,Herwig Wappis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-12-06.

Auto-switching triac compatability circuit with auto-leveling and overvoltage protection

Номер патента: EP2684423A1. Автор: Louis Robert Nerone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-01-15.

Anti-noise input/output impedance control of semiconductor circuit with reduced circuit size

Номер патента: US20060290557A1. Автор: Masakazu Kurisu. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Inverter circuit with current detection circuitry

Номер патента: US09973109B2. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Comparator circuit with speed control element

Номер патента: US20240305307A1. Автор: Aviv Berg,Roee Eitan,Yaakov DAYAN,Yosi Sanhedrai,Esther T. FRIDMAN,Kirill BLUM. Владелец: Retym Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Receiving circuit with ultra-wide common-mode input voltage range

Номер патента: US09509488B1. Автор: Hsun-Hsiu Huang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Dynamically adjustable circuit with circuit of characterized-path and method for generating circuit of characterized-path

Номер патента: US09455708B2. Автор: Chi-Tien Sun,Chun-Yuan Cheng,Kuo-Su Hsiao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-27.

Multimode power amplifier bias circuit with selectable bandwidth

Номер патента: US09413313B2. Автор: Philip H. Thompson,Matthew Lee BANOWETZ,Michael Lynn Gerard,Ramanan Bairavasubramanian. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Switch mode power supply circuit with high voltage output, and electrostatic spray apparatus and agricultural plant protection apparatus using the same

Номер патента: US20230291318A1. Автор: Hung-Yu Chen,Yu-Kai Chen,Chau-Chung Song. Владелец: NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-14.

Heating circuit with control unit for domestic appliance

Номер патента: RU2565051C2. Автор: Паоло ДРИУССИ,Марко ЛОРЕНЦИ. Владелец: Электролюкс Хоум Продактс Корпорейшн Н.В.. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for tracing a double-sided printed board for circuits with modular redundancy

Номер патента: RU2762336C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Мария Самойличенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-12-20.

Ignition circuit with regulated ignition voltage

Номер патента: RU2347332C2. Автор: Кай АРБИНГЕР,Роман ПЛОНЕР,Хендрик ХАЙН. Владелец: Тридоникатко Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2009-02-20.

Wideband active circuit with feedback structure

Номер патента: US20110084766A1. Автор: Dong Hyun Kim,Chul Gyun PARK,Jae Sung Rieh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Electronic bridge and half-bridge circuits with suppression of high-voltage transients on the power supply line

Номер патента: US6160694A. Автор: Vanni Poletto,Angelo Crespi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-12-12.

Comparator circuit with dynamic hysteresis

Номер патента: US20240213971A1. Автор: Ho-Young Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Impedance matching circuit with tunable notch filters for power amplifier

Номер патента: EP2807745A1. Автор: Jose Cabanillas,Babak Nejati,Guy Klemens,Calogero D. PRESTI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-03.

High-speed Optical Transceiver Integrated Chip Drive Circuit with Phase Delay Compensation Function

Номер патента: US20220399941A1. Автор: Zhang Fan,AN Lin,Jinghu LI,Fujie Chen,Zhicong LUO,Jianhai YU,Hanghui TU,Qipeng LIN. Владелец: Xiamen EOchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Signal amplifying circuit with noise suppression function

Номер патента: US9608575B2. Автор: Jui-Te CHIU,Hsiang-Wei Hwang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Differential feedback amplifier circuit with cross coupled capacitors

Номер патента: US7538615B2. Автор: Chun Che Lin,Tung-Ming Su. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-05-26.

Alternating current chopper circuit with low noise

Номер патента: US8547053B2. Автор: Chin-Hsiung Chang,Yu-Kai Chen. Владелец: NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-01.

Control circuit with bypass function

Номер патента: US20200083850A1. Автор: Chih-Sheng Chen,Jhao-Yi Lin,Ching-Wen Hsu. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Control circuit with bypass function

Номер патента: US10778158B2. Автор: Chih-Sheng Chen,Jhao-Yi Lin,Ching-Wen Hsu. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Electronic devices employing adiabatic logic circuits with wireless charging

Номер патента: US20180041210A1. Автор: YU PU,Giby Samson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Eos protection circuit with fet-based trigger diodes

Номер патента: US20150085408A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Reconfigurable integrated circuit with on-chip configuration generation

Номер патента: EP3180860A1. Автор: Wayne Luk,Xinyu NIU. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2017-06-21.

Illumination power circuit with dimming function and associated control method

Номер патента: US11612025B2. Автор: Chao-An Chen,Chou-Pao Liao. Владелец: FSP Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-21.

Low consumption flip-flop circuit with data retention and method thereof

Номер патента: US20110176653A1. Автор: Abhishek Jain,Andrea Mario Veggetti,Pankaj Rohilla. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Circuit with co-matching topology for transmitting and receiving RF signals

Номер патента: US10715089B1. Автор: Kuan-Ming Chen. Владелец: Rafael Microelectronics Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Modularized control circuit with signal-capturing function for fan motor and controlling method

Номер патента: US20130249455A1. Автор: Chun-Lung Chiu,Wen-Chih Wang,Wen-Chuan Ma. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Power conversion circuit with multi-functional pin and multi-function setting method thereof

Номер патента: US20210111625A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Signal amplifying circuit with noise suppression function

Номер патента: US20170019073A1. Автор: Jui-Te CHIU,Hsiang-Wei Hwang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Amplifier circuit with a first and a second output line

Номер патента: US20100182082A1. Автор: Stefan Koch. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Sequential circuit with timing event detection and a method of detecting timing events

Номер патента: WO2018193150A1. Автор: Ari Paasio,Matthew Turnquist. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2018-10-25.

Measure-controlled delay circuits with reduced phase error

Номер патента: US20060082401A1. Автор: FENG Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-04-20.

Low area and high speed termination detection circuit with voltage clamping

Номер патента: US20230022405A1. Автор: Kanteti Amar,Anant Shankar Kamath,Rakesh Hariharan,Bharath Kumar Singareddy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Sensor circuit with noise elimination

Номер патента: US20240284063A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Hung-Yen Tai,Chen-Yuan Yang,Ming-Lung HSU. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-08-22.

Rram crossbar array circuits with specialized interface layers for low current operation

Номер патента: US20240276895A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and methods for local oscillator interface circuits with quadrature clock generation and phase correction

Номер патента: US20240291431A1. Автор: Xuesong Jiang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and methods for local oscillator interface circuits with quadrature clock generation and phase correction

Номер патента: EP4422069A1. Автор: JIANG Xuesong. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Drive circuit with predistortion

Номер патента: US12136902B1. Автор: Carson White,Evan Schlomann. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-11-05.

Level shifter circuit with improved time response and control method thereof

Номер патента: US09742404B2. Автор: Young Jin Woo,Seung Jong Lee,Hoo Hyun Cho. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Image sensor circuit with power noise filtering function and control method thereof

Номер патента: US09723241B2. Автор: Mei-Chao Yeh,Chien-Jung Chou. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Control circuits with energy recycling for envelope elimination and restoration and related methods

Номер патента: US09660443B1. Автор: Gregory G. Romas, Jr.,Thomas E. Byrd,Huan V. Le,Tyrel D. Parks. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Isolated power supply circuit with programmable function and control method thereof

Номер патента: US09627984B2. Автор: Tzu-Chen Lin,Kuang-Fu Chang,Chih-Wei Chi. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Filter circuits with emitter follower transistors and servo loops

Номер патента: US09614496B1. Автор: John Cowles. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Amplifier circuit with improved accuracy

Номер патента: US09564856B2. Автор: Peter VAN DER CAMMEN. Владелец: Qualcomm Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Driver circuit with device variation compensation and operation method thereof

Номер патента: US09543954B2. Автор: Ya-Hsiang Tai,Chi-Liang Wu,Yung-Hui Yeh,Zong-Hua Cai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-10.

Motor driving circuit with power reversal protection and fan device

Номер патента: US09543864B1. Автор: Kun-Min Chen,Chien-Lun Chu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Control circuit with multiple feedback loops and switching power supply thereof

Номер патента: US09525334B2. Автор: Jun Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

LED driver circuit with stepwise adjustable power and LED lighting tube

Номер патента: US09462645B1. Автор: Haibin Cai,Wenhong Ling. Владелец: Huizhou Xindi Energy Saving And Environmental Protection Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Power converter circuit with AC output

Номер патента: US09461474B2. Автор: Gerald Deboy,Yi Tang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Input/output circuit with high voltage tolerance and associated apparatus

Номер патента: US09450583B2. Автор: Chih-Tien Chang,Yao-Zhong Zhang,Ju-Ming Chou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2016-09-20.

Drive circuit with an external mode-adjusting pin

Номер патента: US09433045B2. Автор: Yueh-Hua Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Layout of light-emitting diode circuit with improved twinkling performance

Номер патента: RU2511714C2. Автор: Харальд Й. Г. РАДЕРМАХЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for switching circuits with triple redundancy after failures

Номер патента: RU2767190C1. Автор: Артём Викторович Медведев,Тальгат Рашитович Газизов,Александр Михайлович Заболоцкий. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2022-03-16.

Method for arranging printed conductors for circuits with modal redundancy

Номер патента: RU2751672C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Александр Михайлович Заболоцкий,Антон Олегович Белоусов,Евгений Сергеевич Жечев,Евгения Борисовна Черникова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-07-15.

System and method for transferring/receiving a signal in mobile communication system which uses adaptive antenna array circuit with a set of inputs and set of outputs

Номер патента: RU2313904C2. Автор: Янг-Квон ЧО,Чан-Биунг ЧАЕ,Чанг-Хо СУХ,Биунг-Юн КИМ,Дзунг-Мин РО. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-12-27.

Bidirectional CLLC resonant circuit with coupled inductor

Номер патента: US11901828B2. Автор: Ning Chen,Min Chen,Bodong Li,Xiaoqing Wang,Xinnan Sun,Dongbo ZHANG,Zhaopei Liang. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-02-13.

Mixing circuit with high harmonic suppression ratio

Номер патента: US20210281218A1. Автор: Yu Li,Yi Zeng,Peng Ma,Shenglei WANG,Tony QIAN. Владелец: Verisilicon Holdings Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2021-09-09.

High voltage start-up circuit with adjustable start-up time

Номер патента: US9431892B1. Автор: Haisong Li,Yangbo Yi,Ping Tao,Changshen Zhao. Владелец: Suzhou Poweron IC Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Power supply circuit with changeable operating conditions

Номер патента: RU2188495C2. Автор: Йоуни Ууситало. Владелец: Нокиа Телекоммьюникейшнз Ой. Дата публикации: 2002-08-27.

Trunk interface circuit with current compensation

Номер патента: CA1160780A. Автор: Samuel F. Wood. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

CMOS level converter circuit with reduced power consumption

Номер патента: US4920284A. Автор: Akira Denda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-04-24.

Ttl current sinking circuit with transient performance enhancement during output transition from high to low

Номер патента: CA1315360C. Автор: Roy L. Yarbrough,Julio R. Estrada. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Double tuned rf circuit with balanced secondary

Номер патента: MY115367A. Автор: Michael Anthony Pugel. Владелец: Thomson Consumer Electronics. Дата публикации: 2003-05-31.

Electronic circuit with hybrid power sources

Номер патента: US20230291220A1. Автор: Chuen Ming Tan,Wei Cheang LAU,Yi How Ooi,Tai Loong Wong,Sze Geat Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Khz to 100ghz dc coupled circuit with an on-chip integrating capacitor

Номер патента: US20230208378A1. Автор: Zhi Zhang,Xianglin Xiang. Владелец: Suzhou Mi Tu Optoelectronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Filtering circuit with jammer generator

Номер патента: US20120231724A1. Автор: Shinichi Hori,Boris Murmann. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2012-09-13.

Amplifier circuit with variable temperature coefficient of gain, and circuit for generating voltage with variable temperature coefficient, which becomes reference potential at reference temperature, direct voltage generating circuit, and circuit for compensating for temperature drift of another amplifier circuit, which use the amplifier circuit

Номер патента: CA3192418A1. Автор: Shingo Sobukawa,Takehito Kamimura,Tatsuru Tamori. Владелец: NF Holdings Corp. Дата публикации: 2023-09-09.

Device and transfer method for use in mobile communications system, based on orthogonal multiplexing circuit with frequency division

Номер патента: RU2290764C2. Автор: Янг-Квон ЧО,Хо-Киу ЧОЙ,Кац Маркос ДЭНИЕЛ,Сеок-Хиун ИООН,Донг-Сик ПАРК,Сеонг-Илл ПАРК,Пан-Иух ДЗОО,Янг-Киун КИМ,Хиеон Воо ЛИ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2006-12-27.

Multiphase converting circuit with low content of higher harmonics

Номер патента: RU2344535C2. Автор: Кристиан ШТУЛЬЦ,Кристоф АЙХЛЕР,Эрих ЗЮТЕР,Адриан ЦУКЕРБЕРГЕР,Пидер ЙЁРГ,Томас БЕРНЕР. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2009-01-20.

Multiport conference circuit with multi-frame summing and voice level coding

Номер патента: CA1146246A. Автор: Donald W. Mclaughlin,Tim Funderburk. Владелец: GTE Automatic Electric Inc. Дата публикации: 1983-05-10.

Connecting a generator to a a circuit with existing alternating current

Номер патента: GB2360402A. Автор: Wayne Kenneth Aldridge,George Mcchesney Francis,Isobel Dorothy Rea. Владелец: BG Intellectual Property Ltd. Дата публикации: 2001-09-19.

Adaptive predistortion circuit with a memory

Номер патента: CA2011837A1. Автор: Hikmet Sari,Georges Karam. Владелец: Georges Karam. Дата публикации: 1990-09-14.

Gas discharge lamp ballast circuit with electronic starter

Номер патента: US6147455A. Автор: Louis R. Nerone. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2000-11-14.

Delta-sigma modulator circuit with limiter and method therefor

Номер патента: US7429940B2. Автор: John L. Melanson. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2008-09-30.

SOI CMOS Schmitt trigger circuits with controllable hysteresis

Номер патента: US6441663B1. Автор: Jente Benedict Kuang,Ching-Te Kent Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Horizontal deflection circuit with timing correction

Номер патента: CA1090467A. Автор: Leroy W. Nero,Ronald E. Fernsler. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-11-25.

Multiport conference circuit with multi-frame summing

Номер патента: CA1146248A. Автор: Donald W. Mclaughlin,Tim Funderburk. Владелец: GTE Automatic Electric Inc. Дата публикации: 1983-05-10.

Impedance matching circuit with automatic adjustment and method thereof

Номер патента: US6911875B2. Автор: Chao-Cheng Lee,An-Ming Lee. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-06-28.

Light emitting diode transmitter circuit with temperature compensation

Номер патента: US5012162A. Автор: Cornell S. L. Chun. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1991-04-30.

Electrical drive apparatus which can be operated via a full-bridge circuit, with a different load depending on the drive direction

Номер патента: US6989643B2. Автор: Gregor Svobodnik,Patrick Komaromi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2006-01-24.

Luminance signal generation circuit with single clamp in closed loop configuration

Номер патента: US6141064A. Автор: Mehrdad Nayebi,Duc Ngo. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Ternary logic circuits with cmos integrated circuits

Номер патента: CA1100196A. Автор: Hussein T. Mouftah. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-04-28.

Analog front end circuit with automatic sampling time generation system and method

Номер патента: US20060045225A1. Автор: Kuo-Yu Chou. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-03-02.

VHF mixer circuit with band dependent switching

Номер патента: US4731876A. Автор: Gerhard Maier,Bertram Fischer,Erich Kirschner. Владелец: Deutsche Thomson Brandt GmbH. Дата публикации: 1988-03-15.

Electric circuit with power amplifier for piezoelectric actuators

Номер патента: CA2831245C. Автор: Stefan Storm,Boris Grohmann. Владелец: AIRBUS HELICOPTERS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-03-29.

DC power control circuit with status reporting and protection against overloads and short circuits

Номер патента: US4631623A. Автор: Pierre Gohl. Владелец: Telemecanique Electrique SA. Дата публикации: 1986-12-23.

Multiport conference circuit with voice level coding

Номер патента: CA1146247A. Автор: Donald W. Mclaughlin,Tim Funderburk. Владелец: GTE Automatic Electric Inc. Дата публикации: 1983-05-10.

Amplifier circuit with a stabilized bias in its output stage

Номер патента: US5467058A. Автор: Shinichi Fujita. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Bridge circuit with series-connected switches and control method thereof

Номер патента: US11671019B2. Автор: Zhi Gao,Shuai SHAO,Junming Zhang,Kuang Sheng,Jianjia ZHANG,Yucen LI. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-06-06.

Comparator circuit with speed control element

Номер патента: WO2023224866A1. Автор: Aviv Berg,Roee Eitan,Yaakov DAYAN,Yosi Sanhedrai,Esther T. FRIDMAN,Kirill BLUM. Владелец: Retym, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Rc oscillator circuit with stable output frequency

Номер патента: US20030042987A1. Автор: Han-Tsun Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Circuit with metal-oxide semiconductor field-effect transistor and diode module and implemetation mehtod thereof

Номер патента: US20230043861A1. Автор: Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Electrical Circuit With Incendive Arc Prevention Means

Номер патента: US20080304196A1. Автор: Michael Kessler,Martin Junker,Renato Kitchener,Gunther Rogoll. Владелец: Pepperl and Fuchs SE. Дата публикации: 2008-12-11.

Amplifier circuit with low malfunction rate

Номер патента: US20200220501A1. Автор: Shao-Ming Sun. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Matching circuit with switchable load lines, load line switching method and power amplifier

Номер патента: US20220029588A1. Автор: Xiumei Cao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-27.

Inverter circuit with current detection circuitry

Номер патента: US20170237362A1. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Low-latency switch drive circuit with power transfer

Номер патента: US11764778B2. Автор: Karl Rinne,Joseph Duigan. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Emitter coupled logic circuit with a data reload function

Номер патента: US20030011401A1. Автор: Ling-Wei Ke. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Circuit for monitoring an open collector output circuit with a significant offset

Номер патента: US20030193339A1. Автор: Mikhail Zarkhin,Timothy Philippart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

ESD protection circuit with gate voltage raising circuit

Номер патента: US20090168279A1. Автор: Jung-Yen Kuo. Владелец: Princeton Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Output circuit with integrated impedance matching, power combining and filtering for power amplifiers and other circuits

Номер патента: EP2433363A1. Автор: Thomas A. Myers,Babak Nejati,Nathan M. Pletcher,Guy Klemens,Jr. Norman L. Frederick. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Rf circuit with negative voltage generation and a method for rf circuit control

Номер патента: US20240178752A1. Автор: Cemin Zhang. Владелец: Chengdu Sicore Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Comparator circuit with speed control element

Номер патента: US11996858B2. Автор: Aviv Berg,Roee Eitan,Yaakov DAYAN,Yosi Sanhedrai,Esther T. FRIDMAN,Kirill BLUM. Владелец: Retym Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Light-emitting diode circuit with parallel sequence function, light-emitting diode lamp, and light-emitting diode light string

Номер патента: US20240163993A1. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor circuit for driving a load circuit with power supplied independently

Номер патента: US4851712A. Автор: Akira Sakata,Shin-Ichi Imai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Electrical circuit with incendive arc prevention means

Номер патента: EP1787374A1. Автор: Michael Kessler,Martin Junker,Renato Kitchener,Gunther Rogoll. Владелец: Pepperl and Fuchs SE. Дата публикации: 2007-05-23.

Method for clock control of clocked full-rail differential logic circuits with sense amplifier and shut-off

Номер патента: US20040066214A1. Автор: Edgardo Klass,Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Integrated circuit with galvanic isolation

Номер патента: US20230117387A1. Автор: Thomas Ferianz,Andrea Morici. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-04-20.

A boundary circuit for interfacing an adiabatic circuit with a cmos circuit

Номер патента: AU2021106257A4. Автор: Prasad Khandekar,Pooja Nahar,Shaila Subbaraman. Владелец: Subbaraman Shaila Dr. Дата публикации: 2021-11-25.

H-bridge circuit with shoot through current prevention during power-up

Номер патента: US20070080708A1. Автор: Thomas Schmidt,Abidur Rahman,Shanmuganand Chellamuthu,Brett Smith. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-04-12.

Squelch circuit with adjustable reference level

Номер патента: US20030083029A1. Автор: Chien-Hsiung Lee,Kun-Chih Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Duty cycle correction circuit with wide-frequency working range

Номер патента: US20090261877A1. Автор: Chun Shiah,Hsien-Sheng Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-22.

Amplifier circuit with variable temperature coefficient of gain, and circuit for generating voltage with variable temperature coefficient, which becomes reference potential at reference temperature, direct voltage generating circuit, and circuit for compensating for temperature drift of another amplifier circuit, which use the amplifier circuit

Номер патента: US20230291372A1. Автор: Shingo Sobukawa,Takehito Kamimura,Tatsuru Tamori. Владелец: NF Holdings Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Differential all-pass coupling circuit with common mode feedback

Номер патента: US20240146269A1. Автор: Tamer Mohammed Ali,Ahmed Othman Mohamed Mohamed ELSHATER,Ramy Awad. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Differential all-pass coupling circuit with common mode feedback

Номер патента: EP4366163A2. Автор: Tamer Mohammed Ali,Ahmed Othman Mohamed Mohamed ELSHATER,Ramy Awad. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

A method and a connector arrangement for connecting and disconnecting a generator to a circuit with an existing alternating current

Номер патента: GB2360402B. Автор: Wayne Kenneth Aldridge,George Mcchesney Francis,Isobel Dorothy Rea. Владелец: Microgen Energy Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

SR latch circuit with single gate delay

Номер патента: US9628055B1. Автор: Travis William LOVITT. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method and apparatus for a phase-locked loop circuit with holdover mode

Номер патента: CA2130871C. Автор: John M. Alder,Hendricus Maria Hyacinthus Bontekoe. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Loop, dial pulse and ring trip detection circuit with capacitive shunt network

Номер патента: CA1138581A. Автор: Robert J. Sabon. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-12-28.

Light integrator circuit with built-in anticipation

Номер патента: CA1132184A. Автор: Bruce K. Johnson,Joseph J. Abbadessa. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1982-09-21.

Switching circuit with mos field effect transistor

Номер патента: CA1127724A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Power switching circuit with reduced interference radiation

Номер патента: US6313689B1. Автор: Wolfgang Horchler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-11-06.

Active impedance transformer assisted line feed circuit with supervision filtering

Номер патента: CA1196433A. Автор: Stanley D. Rosenbaum,Zdenek J. Holy. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1985-11-05.

Testing circuit with directional coupler

Номер патента: US9866335B2. Автор: Zelman HERNANDEZ. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Repeater circuit with high performance and normal repeater modes

Номер патента: WO2005122405A1. Автор: Gurmeet Singh,Robert Paul Masleid,Vatsal Dholabhai,Steven Thomas Stoiber. Владелец: TRANSMETA CORPORATION. Дата публикации: 2005-12-22.

Configurable integrated circuit with parallel non-neighboring offset connections

Номер патента: US7504858B1. Автор: Steven Teig,Brad Hutchings,Herman Schmit. Владелец: Tabula Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Clocked flip flop circuit with built-in clock controller and frequency divider using the same

Номер патента: US5945858A. Автор: Masaharu Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-31.

Electronic circuits with wide dynamic range of on/off delay time

Номер патента: US6153948A. Автор: Shukri J. Souri,Adrian I. Cogan. Владелец: Tyco International PA Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Programmable circuit with fusible latch

Номер патента: US5440246A. Автор: Michael A. Murray,Li-Chun Li,Hsing T. Tuan. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1995-08-08.

Complementary input circuit with nonlinear front end

Номер патента: CA1265850A. Автор: Barbara A. Chappell,Stanley E. Schuster. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-02-13.

Fast automatic gain control circuit with adjustable range

Номер патента: CA1054686A. Автор: Eldon M. Sutphin (Jr.). Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-05-15.

Telephone line circuit with differential loop current sensing and compensation

Номер патента: CA1074034A. Автор: Vincent V. Korsky. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1980-03-18.

Input and output circuit with wide voltage tolerance

Номер патента: US5969563A. Автор: Yanan Mou,Chian-Gauh Shih,Jiunn-Fu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Monostable multivibrator timer circuits with reset

Номер патента: CA1085935A. Автор: Frederick K. Schultz. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1980-09-16.

Power switching control circuit with enhanced turn-off drive

Номер патента: CA1061862A. Автор: Patrick L. Hunter. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1979-09-04.

Power delivery circuit with short circuit protection

Номер патента: US5986359A. Автор: Mark A. Enderich,Shawn P. Slusser,Chris A. Wunderlich. Владелец: Lear Automotive Dearborn Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Power supply switch circuit with current leakage protection

Номер патента: US20080186007A1. Автор: Yung-Fa Chen. Владелец: Chen Yung-Fa. Дата публикации: 2008-08-07.

BiCMOS circuit with negative VBE protection

Номер патента: US5300829A. Автор: Ian A. Young,Lavi A. Lev. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-04-05.

Inverter circuit with symmetry control

Номер патента: CA1189140A. Автор: Thomas E. Anderson. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-06-18.

Normally-off, gate-controlled electrical circuit with low on-resistance

Номер патента: CA1205877A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-06-10.

Electrically variable impedance circuit with feedback compensationn

Номер патента: CA1155924A. Автор: Werner H. Hoeft. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-10-25.

Forward and reverse test point circuit with switchable termination for use in an rf amplifier

Номер патента: US20240080110A1. Автор: Steven Blashewski. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Single-stage AC-DC converter circuit with power factor correction function

Номер патента: US11848604B2. Автор: Jun Liu,Shun Yao,Jinzhu Xu,Yingying Feng. Владелец: Shenzhen VMAX New Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Receiving Circuit with Adaptive Synchronization and Method Thereof

Номер патента: US20090257541A1. Автор: Meng Che Tsai. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2009-10-15.

Protection circuit with low energy-consumption and driving circuit thereof

Номер патента: US9006979B2. Автор: Hua Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Pulse modulation circuit with high-frequency-limiting function

Номер патента: US20200007117A1. Автор: Fang Tang. Владелец: Chongqing Paixinruwei Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Crystal driver circuit with external oscillation signal amplitude control

Номер патента: US20190006990A1. Автор: Vitor Pereira,Tiago Marques. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Fast signal response circuit with hysteresis control

Номер патента: US20230412156A1. Автор: Xiaoyi ZHENG,Yangfeng XU,Tongbo HU,Zuoyou WANG. Владелец: Global Technology Inc USA. Дата публикации: 2023-12-21.

Comparator circuit with low power consumption and low kickback noise

Номер патента: US10778204B1. Автор: Chung-Chih Hung,Shih-Hsing Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-09-15.

Systems and methods for diplexer circuits with leakage cancellation

Номер патента: US20220329268A1. Автор: David Richard Pehlke. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Flexible conductive printed circuits with printed overcoats

Номер патента: CA3102084A1. Автор: Sarah J. VELLA,Yujie Zhu,Chad S. Smithson. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2021-06-20.

Flexible conductive printed circuits with printed overcoats

Номер патента: US20210195759A1. Автор: Sarah J. VELLA,Yujie Zhu,Chad S. Smithson. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Flexible conductive printed circuits with printed overcoats

Номер патента: CA3102084C. Автор: Sarah J. VELLA,Yujie Zhu,Chad S. Smithson. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Multiplexing circuits with baw resonators as network elements for higher performance

Номер патента: US20210399750A1. Автор: José Enrique Varela Campelo. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Sequential circuit with timing event detection and a method of detecting timing events

Номер патента: EP3613142A1. Автор: Ari Paasio,Matthew Turnquist. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2020-02-26.

Sequential circuit with timing event detection and a method of detecting timing events

Номер патента: US20200099372A1. Автор: Ari Paasio,Matthew Turnquist. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2020-03-26.

Integrated Circuit with Improved Logic Cells

Номер патента: US20100219860A1. Автор: Wen Zhou,Fung Fung Lee. Владелец: Agate Logic Beijing Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Circuit with hot-plug protection, corresponding electronic device, vehicle and method

Номер патента: US11888304B2. Автор: Sergio Lecce,Orazio Pennisi,Valerio Bendotti,Vittorio D'Angelo,Salvatore Cannavacciuolo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-30.

Low consumption flip-flop circuit with data retention and method thereof

Номер патента: US20130088272A1. Автор: Abhishek Jain,Andrea Mario Veggetti,Pankaj Rohilla. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2013-04-11.

A power switch drive circuit with built-in power supply capacitor

Номер патента: US20190312576A1. Автор: Lijun Song. Владелец: SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Control circuit with protection circuit for power supply

Номер патента: US20100091420A1. Автор: Rui-hong Lu,Chiu-Chih Chiang,Meng-Jen TSAI,Choa-Chih Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-15.

Latch-based level shifter circuit with self-biasing

Номер патента: WO2022066262A1. Автор: Parag Upadhyaya,Mayank Raj. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Phase interpolation circuit with high linearity

Номер патента: US11791827B2. Автор: Xikun MA,Yizheng Xie. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Reconfigurable integrated circuit with on-chip configuration generation

Номер патента: US20170244414A1. Автор: Wayne Luk,Xinyu NIU. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Lamp dimming circuit with electricity leakage preventing function

Номер патента: US20200015337A1. Автор: Junjun Ying,Junqi Fang. Владелец: Self Electronics USA Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Output circuit with overshoot-reducing function

Номер патента: US20090201068A1. Автор: Chun Shiah,Sen-Fu Hong,Chi-Fa Lien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Constructive Arrangement Introduced in a Housing For Electronic Circuit With Power Components

Номер патента: US20200245482A1. Автор: Vagner Roberto Malon,Gustavo Ceretta Flores,Kellen de Almeida FOSCHIERA. Владелец: Embraco Industria de Compressores e Solucoes em Refrigeracao Ltda. Дата публикации: 2020-07-30.

Constructive arrangement introduced in a housing for electronic circuit with power components

Номер патента: US10813235B2. Автор: Vagner Roberto Malon,Gustavo Ceretta Flores,Kellen de Almeida FOSCHIERA. Владелец: Embraco Industria de Compressores e Solucoes em Refrigeracao Ltda. Дата публикации: 2020-10-20.

Light emitting device control circuit with dimming function and control method thereof

Номер патента: US20150173153A1. Автор: Chien-Yang Chen,Leng-Nien Hsiu,Pei-Yuan Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-06-18.

Power supply circuit with adjustable channel switch impedance and electronic device

Номер патента: US11838010B2. Автор: Lei Huang. Владелец: Shanghai Yaohuo Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Synchronization of an integrated circuit with a sensor

Номер патента: US20200252071A1. Автор: Mario Motz,Veikko Summa. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-06.

High-Efficiency Integrated Power Circuit with Reduced Number of Semiconductor Elements and Control Method Thereof

Номер патента: US20230098360A1. Автор: Jung Kyu HAN,Jeong Eon Park. Владелец: Korea Aerospace Research Institute KARI. Дата публикации: 2023-03-30.

Tuning circuit with a wide tuning range

Номер патента: US8143962B1. Автор: Ali Atesoglu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

Low power oscillator circuit with temperature compensation circuit and electronic apparatus thereof

Номер патента: US20240048130A1. Автор: Cheng-Tao Li,Ping-Wen LAI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Lighting device driving circuit with high operating efficiency and method thereof

Номер патента: US11729881B2. Автор: Zhirong Lin,Fuxing Lu. Владелец: Xiamen Pvtech Co ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Fault ride-through circuit with variable frequency transformer and control method thereof

Номер патента: US20190190263A1. Автор: Miao Zhang,Yun Zhang,Jiahao Lu,Sizhe Chen,Guidong Zhang,Yuanmao Ye. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-06-20.

Control circuit with frequency compensation

Номер патента: US20100277144A1. Автор: Yen-Hui Wang,Chia-Chieh Hung. Владелец: Grenergy Opto Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

DALI Interface Circuit with Bootstrap Function

Номер патента: US20190174591A1. Автор: Xiaobo YOU,Pengyuan ZHAO. Владелец: Self Electronics USA Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Lighting device driving circuit with high operating efficiency and method thereof

Номер патента: US20230189414A1. Автор: Zhirong Lin,Fuxing Lu. Владелец: Xiamen Pvtech Co ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Power circuit with low total harmonic distortion

Номер патента: US20160308432A1. Автор: Ke-Horng Chen,Chun-Chieh Kuo,Shao-Wei Chiu,Cheng-Po HSIAO,Shih-Ping Tu. Владелец: Anwell Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Charge protection circuit with timing function

Номер патента: US20090009135A1. Автор: Tsung-Jen Chuang,Jun-Wei Zhang,Shih-Fang Wong. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Transconductor circuits with programmable tradeoff between bandwidth and flicker noise

Номер патента: EP3930186A1. Автор: Antonio Montalvo. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-12-29.

Level Shift Circuit with Voltage Pulling

Номер патента: US20080129339A1. Автор: Yu Jui Chang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Integrated Circuit with Improved Logic Cells

Номер патента: US20100219861A1. Автор: Wen Zhou,Fung Fung Lee. Владелец: Agate Logic Beijing Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Power Converter Circuit with AC Output

Номер патента: US20170063095A1. Автор: Gerald Deboy,Yi Tang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Switching power supply circuit with synchronous rectification and associated control circuit and control method

Номер патента: US11356030B2. Автор: LEI Miao,Siran Wang. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Differential feedback amplifier circuit with cross coupled capacitors

Номер патента: US20080238548A1. Автор: Chun Che Lin,Tung-Ming Su. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-10-02.

Latch-based level shifter circuit with self-biasing

Номер патента: EP4218137A1. Автор: Parag Upadhyaya,Mayank Raj. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Print component with memory circuit

Номер патента: US11787173B2. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-10-17.

Therapeutic compositions and methods for treating cancer in combination with analogs of interleukin proteins

Номер патента: WO2020232427A3. Автор: Juan Almagro,William Strohl,John McKearn,John Richards,Daniel Pereira,James Blinn,Joseph MONAHAN,Robyn PURO. Владелец: Arch Oncology, Inc.. Дата публикации: 2020-12-24.

Mechanical kinematic circuit with eccentric motor for resonance electric toothbrush

Номер патента: RU2550432C2. Автор: Тайлер Г. КЛОСТЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-05-10.

Connecting element of circuit with protective spacer element

Номер патента: RU2591776C1. Автор: Эугениуш БРОДЗЯК. Владелец: ТИЛЕ ГМБХ унд КО.КГ. Дата публикации: 2016-07-20.

Improved control concept for closed circuit with brighton cycle

Номер патента: RU2678233C2. Автор: Патрик ЛАФФОН. Владелец: Дженерал Электрик Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2019-01-24.

Reinforced concrete sleeper for insulating joints of signal current of rail circuits with pulse supply (versions)

Номер патента: RU2700249C1. Автор: Нина Фридриховна Сирина,Михаил Евгеньевич Юшков,Светлана Сергеевна Юшкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный университет путей сообщения". Дата публикации: 2019-09-13.

Gear box for power take-off in gas turbine engine consisting of kinematic circuit with engagement lines arranged in non-parallel planes

Номер патента: RU2641777C2. Автор: Беллал ВАИССИ,Стефан ПРЮНЕРА-ЮЗАШ,Жордан ПЕЛЬТЬЕ,Ален Пьер ГАРАССИНО,Франц АРМАНЖ,Ламбер Оливье Мари ДЕМУЛЕН,КАСТРО Нурия ЛЬЯМАС. Владелец: Испано Сюиза. Дата публикации: 2018-01-22.

Method of liquefying natural gas using refrigerating circuit with closed cycle

Номер патента: RU2684060C2. Автор: Николя ШАМБРОН. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2019-04-03.

Circuit with double-stage throttling by capillary tubes and with receiver

Номер патента: RU2351859C2. Автор: Ларс Кристиан Вульф ЦИММЕРМАНН. Владелец: Ларс Кристиан Вульф ЦИММЕРМАНН. Дата публикации: 2009-04-10.

METHOD OF DETECTING FAULT IN 6( 10 )-35 kV ELECTRIC CIRCUIT WITH ISOLATED OR COMPENSATED NEUTRAL POINT

Номер патента: RU2305292C1. Автор: Людмила Прокопьевна Андрианова,Эдуард Рамилевич Байбурин. Владелец: Эдуард Рамилевич Байбурин. Дата публикации: 2007-08-27.

Refrigeration circuit with thermal storage

Номер патента: EP4386280A1. Автор: Sascha Hellmann,Subramanyaravi Annapragada,Rebecca Shen. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of controlling stains of rail track circuits with electrical joints

Номер патента: RU2684162C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой,Александр Владимирович Горелик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет транспорта (МИИТ)" РУТ (МИИТ). Дата публикации: 2019-04-04.

Thermodynamic cycle reversing group for refrigeration circuits with reversible thermodynamic cycle and refrigeration circuit with reversible thermodynamic cycle comprising such reversing group

Номер патента: EP4264148A1. Автор: Davide Elardo,Andrea PASQUALIN. Владелец: Bereva Srl. Дата публикации: 2023-10-25.

Номер патента: RU2746411C1. Автор: Сергей Александрович Шевцов,Владимир Анатольевич Клюзко,Евгений Александрович Гоман,Дмитрий Алексеевич Чекунов,Игорь Викторович Елизаров,Николай Викторович Чирков. Владелец: Открытое акционерное общество «Объединенные электротехнические заводы» (ОАО «ЭЛТЕ3А»). Дата публикации: 2021-04-13.

Fuel oil supply circuit for an oil burner having a solenoid valve in parallel circuit with diaphragm valve for controlling oil flow at start up

Номер патента: US20030113676A1. Автор: Dale Hunsberger,Bill Mitchell,David Zierke. Владелец: Suntec Industries Inc. Дата публикации: 2003-06-19.