Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

One-Time Programmable Semiconductor Device

Номер патента: US20120286367A1
Опубликовано: 15-11-2012
Автор(ы):
Принадлежит: BROADCOM CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Neural network inference accelerator based on one-time-programmable (otp) memory arrays with one-way selectors

Номер патента: US20210134379A1. Автор: Liang Zhao. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor devices including reversible and one-time programmable magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190198077A1. Автор: Choong Jae Lee,Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US09887201B2. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US09431254B2. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US20140217484A1. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

One time programmable memory with a twin gate structure

Номер патента: US09659944B2. Автор: MEI Xue,Akira Ito,Qintao Zhang,Wenwei YANG. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

One-time programmable memory devices using FinFET technology

Номер патента: US09754679B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Circuit and system of using junction diode as program selector for one-time programmable devices with heat sink

Номер патента: US09478306B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

One-time programmable memory devices using FinFET technology

Номер патента: US09460807B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

One-time programmable fuse using thin film resistor layer, and related method

Номер патента: US20240212770A1. Автор: Siow Lee Chwa,Handoko Linewih,Yudi SETIAWAN,Qiying Wong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

One-time programmable fuse using thin film resistor layer, and related method

Номер патента: EP4391048A1. Автор: Siow Lee Chwa,Handoko Linewih,Yudi SETIAWAN,Qiying Wong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

One-time programmable memory device

Номер патента: WO2023247645A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20230420063A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array and method of operating the same

Номер патента: US09922721B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

One-time-programmable memory

Номер патента: US12027220B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

One-time programmable (otp) memory device and method of operating an otp memory device

Номер патента: US20220375948A1. Автор: Jinwoo Park,Hoonsung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: US12040028B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Yao-Hung Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-16.

One-time programmable capacitive fuse bit and a memory

Номер патента: US20210280513A1. Автор: Xi Chen,Liang Li,Guangbing Chen,Dongbing Fu,Mingyuan Xu,Jian'an Wang,Xiaofeng Shen,Xingfa Huang,Shuiqin YAO,Hongrui YANG. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-09-09.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (otp) memory arrays

Номер патента: WO2008057311A3. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Shekar Mallikararjunaswamy. Дата публикации: 2008-07-03.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (otp) memory arrays

Номер патента: WO2008057311A2. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2008-05-15.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (OTP) memory arrays

Номер патента: US20080112204A1. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

One-time programmable (otp) memory device

Номер патента: EP4092743A1. Автор: Jinwoo Park,Hoonsung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-23.

Buried bit line anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory

Номер патента: US20130286709A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Secure anti-fuse one time programmable bit cell design

Номер патента: WO2024196573A2. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Secure anti-fuse one time programmable bit cell design

Номер патента: US20240321370A1. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

One-time-programmable memory

Номер патента: US20240312543A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: US09876123B2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Jun Yuan,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

One-time programmable memory cell capable of reducing leakage current and preventing slow bit response, and method for programming a memory array comprising the same

Номер патента: US09601499B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die read/write-voltage generator

Номер патента: US09508395B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20190156895A1. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: WO2016137734A3. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-11-24.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20160254056A1. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: WO2016137734A2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: EP3262691A2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

Buried Bit Line Anti-Fuse One-Time-Programmable Nonvolatile Memory

Номер патента: US20090323388A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die address/data-translator

Номер патента: US09666300B2. Автор: CHEN Shen,Xuguang WANG,Bin Yu,Guobiao Zhang,Hongyu Yu,Chenchang ZHAN,Jinfeng Kang,Dongyun Zhang,Xiangdong Lu,RangYu Deng. Владелец: XiaMen HaiCun IP Technology LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20150311215A1. Автор: Harry Shengwen Luan. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

One-time programmable devices using finfet structures

Номер патента: US20180174650A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

One-time programmable memory

Номер патента: EP1286356A2. Автор: Lung T. Tran,Thomas C. Anthony,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-02-26.

One-time programmable bitcell with native anti-fuse

Номер патента: US20180114582A1. Автор: Andrew E. Horch,Martin Luc Cecil Arthur Niset,Ting-Jia Hu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Anti-fuse one-time programmable nonvolatile memory cell and memory thereof

Номер патента: US20230011223A1. Автор: Ming Wang,Teng Feng Wang,Meifang Lee. Владелец: Chengdu Analog Circuit Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

One-time-programmable logic bit with multiple logic elements

Номер патента: CA2666120C. Автор: Boon Yong Ang,Sunhom Paak,Hsung Jai Im. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: US20230343403A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Yao-Hung Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-10-26.

One-time programmable memory cell and memory thereof

Номер патента: US20230422494A1. Автор: Yulong Wang,Dan Ning. Владелец: Chengdu Analog Circuit Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

One-time programmable (OTP) memory device and method of operating an OTP memory device

Номер патента: US11882696B2. Автор: Jinwoo Park,Hoonsung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

One-time programmable fuse using pn junction over gate metal layer, and related method

Номер патента: US20240188287A1. Автор: Shesh Mani Pandey,George Robert MULFINGER,Md Nasir Uddin Bhuyian,Adam S. Rosenfeld,Selina A. Mala. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

One-time programmable fuse using pn junction over gate metal layer, and related method

Номер патента: EP4383328A1. Автор: Shesh Mani Pandey,George Robert MULFINGER,Md Nasir Uddin Bhuyian,Adam S. Rosenfeld,Selina A. Mala. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

One-time programmable (otp) arrays with metal-semiconductor-metal (msm) selectors for integrated circuitry

Номер патента: US20240038314A1. Автор: Yao-Feng CHANG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

One-time programmable memory and method for making the same

Номер патента: US20110309421A1. Автор: Yue-Song He,Harry S. Luan,Ting-Wah Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Secure key access with one-time programmable memory and applications thereof

Номер патента: EP2381672A1. Автор: Norman Stewart,Paul Ducharne,Albert Yunsang Wong,Wendy Wai Yin,Shijun Hunang. Владелец: ViXS Systems Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US20220301631A1. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

One time programmable anti-fuse physical unclonable function

Номер патента: EP4107906A1. Автор: Xiaojun LU. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time programmable memory

Номер патента: US20200265907A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US11854588B2. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

One-time programmable memory circuit, one-time programmable memory and operation method thereof

Номер патента: EP4386758A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-19.

One-time programmable memory devices and methods

Номер патента: US20240321371A1. Автор: Dimitri Houssameddine,Mark Lin,Juan P. Saenz,Deniz Bozdag. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

One-time programmable memory circuit, one-time programmable memory and operation method thereof

Номер патента: US20240203515A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: US20240321372A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Reverse programmed resistive random access memory (ram) for one time programmable (otp) applications

Номер патента: US20230317157A1. Автор: ZHI Li,Sung-Hyun JO,Derek Lau. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Reverse programmed resistive random access memory (RAM) for one time programmable (OTP) applications

Номер патента: US12020748B2. Автор: ZHI Li,Sung-Hyun JO,Derek Lau. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

One time programmable memory and method of operation

Номер патента: KR101236582B1. Автор: 알렉산더 비. 호플러,고우리샨카르 엘. 친달로레. Владелец: 프리스케일 세미컨덕터, 인크.. Дата публикации: 2013-02-22.

Method for producing one-time-programmable memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09589968B2. Автор: Philippe Candelier,Stephane Denorme. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-03-07.

One-transistor (1t) one-time programmable (otp) anti-fuse bitcell with reduced threshold voltage

Номер патента: WO2022132540A1. Автор: Andrew Edward Horch. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

One time programmable non-volatile memory device

Номер патента: US09735288B2. Автор: Tae Ho Kim,Kyung Ho Lee,Sung Jin Choi,Young Chul SEO. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130302960A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

LDMOS One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130299904A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Die crack detector with integrated one-time programmable element

Номер патента: US09646897B2. Автор: Robert A. Pryor,Audel A. Sanchez,Jose L. Suarez,Michele L. Miera. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Antifuse one-time programmable memory

Номер патента: US09589970B1. Автор: Yuan-Heng Tseng,Chih-Shan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device including decoupling capacitor array arranged overlying one-time programmable device

Номер патента: US20200343253A1. Автор: Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

One-time programmable memory unit cell

Номер патента: US20230413540A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Capacitor-coupled n-type transistor-based one-time programmable device

Номер патента: US20200020706A1. Автор: Yuan Yuan,YU Chen,Hualun CHEN. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Capacitor-coupled N-type transistor-based one-time programmable device

Номер патента: US10679999B2. Автор: Yuan Yuan,YU Chen,Hualun CHEN. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

One-Time Programmable Memory and Operating Method Thereof

Номер патента: US20090323387A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Art Talent Industrial Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

One-time programmable memory device

Номер патента: US11778814B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

One-transistor (1t) one-time programmable (otp) anti-fuse bitcell with reduced threshold voltage

Номер патента: EP4264668A1. Автор: Andrew Edward Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Antifuse one time programmable memory array and method of manufacture

Номер патента: US7678620B2. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-03-16.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US20240015958A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US11825648B2. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

One-time programmable memory cell

Номер патента: US20230247827A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Ching-Hsiang Tseng,Kuo-Hsing Lee,Chang-Chien Wong,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

One-time programmable (OTP) memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US11765891B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Yung-Chen Chiu,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Integrated one-time programmable semiconductor device pair

Номер патента: US20110248356A1. Автор: Douglas Smith. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Initiating operation of a timing device using a read only memory (rom) or a one time programmable non volatile memory (otp nvm)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: HUI Li,John Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Initiating operation of a timing device using a read only memory (ROM) or a one time programmable non volatile memory (OTP NVM)

Номер патента: US09495285B2. Автор: HUI Li,John Hsu. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

System implementation of one-time programmable memories

Номер патента: US20200242022A1. Автор: Ghavam Shahidi,Chitra Subramanian,Seiji Munetoh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device with a plurality of different one time programmable elements

Номер патента: US20080180983A1. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Electronic circuit for and method of executing an application program stored in a one-time-programmable (OTP) memory in a system on chip (SoC)

Номер патента: US09606913B2. Автор: Tobias Mueller,Nikolaos Moschopoulos,Konstantinos Ninos,Dimitrios Papadopoulos,Jakobus Johannes Verhallen. Владелец: Dialog Semiconductor BV. Дата публикации: 2017-03-28.

eFUSE one-time programmable memory with inter integrated circuit (I2C) communication and operation method thereof

Номер патента: US12046312B2. Автор: Sungbum Park,Ilwoo LEE,Keesik AHN,Woojin Han,Wan-Chul KONG,Changbum IM. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Secure programming of one-time-programmable (otp) memory

Номер патента: US20230259629A1. Автор: Arun Krishnan,Ravindra Kumar,Eileen Marando. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US11397535B2. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US20210200440A1. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuits and methods for dynamic allocation of one-time programmable memory

Номер патента: US20180286489A1. Автор: Jun Xie,Rakesh Pandey,Mohit Arora. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

One-time programmable memory device and method for verifying data for such memory device

Номер патента: US09740561B2. Автор: Cheng-Tie Chen,Guobing Mo,Shuna Xu. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Protection of one-time programmable (otp) memory

Номер патента: US20140025915A1. Автор: John A. Fifield,Jeffrey S. Zimmerman,Gerald P. Pomichter, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

One-time programmable features for storage devices

Номер патента: US11977662B2. Автор: Gregory M. Allen,Frank Widjaja Yu,Jonathan Jay Kellen. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-07.

Secure programming of one-time-programmable (otp) memory

Номер патента: WO2023158773A1. Автор: Arun Krishnan,Ravindra Kumar,Eileen Marando. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit feature definition using one-time-programmable (otp) memory

Номер патента: US20080258757A1. Автор: Edwin A. Muth,James L. Archibald,Kang W. Lee,Clinton H. Holder,Kreg D. Ulery. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-10-23.

One-time programmable (otp)/ read only (ro) data storage device

Номер патента: US20160351273A1. Автор: Siva Sakthivel Sadasivam. Владелец: HCL Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Application-specific integrated circuit (asic) with one-time programmable (otp) bits

Номер патента: US20230401340A1. Автор: Gary M. Nobel. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-12-14.

Chip fingerprint management based upon one-time programmable memory

Номер патента: US20190347446A1. Автор: Moyang CHEN. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for patching code located in one time programmable memory

Номер патента: US20240264825A1. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Hacker-proof one time programmable memory

Номер патента: US20040228157A1. Автор: Myron Buer,Tony Turner. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

One-time programmable memory device with ecc circuit and double error processing

Номер патента: EP4280214A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Method apparatus for resuming and recovery checking from interrupted programming of one-time programmable memory device

Номер патента: US20200104221A1. Автор: Michael A Kost,Girish Subramaniam,John P Tourish,Bradley A Lambert. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

One-time programmable memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20230377672A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuits and methods for dynamic allocation of one-time programmable memory

Номер патента: US11551769B2. Автор: Jun Xie,Rakesh Pandey,Mohit Arora. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Integrated circuits and methods for dynamic allocation of one-time programmable memory

Номер патента: US20180060164A1. Автор: Jun Xie,Rakesh Pandey,Mohit Arora. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Controlling access to data storage means using a one-time-programmable memory device

Номер патента: GB2490875A. Автор: Nick Evans,Ian Storey. Владелец: FUTURE UPGRADES Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

One-time programmable memory controller, related processing system, integrated circuit and method

Номер патента: US20230409320A1. Автор: Stefano Catalano,Giuseppe Guarnaccia,Antonino Giuseppe Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-21.

Electronic device having one-time-programmable (OTP) memory and method for writing and reading OTP memory

Номер патента: US11494262B2. Автор: Liang-Liang Song,Ming-Rui Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Structures and methods of identifying unprogrammed bits for one-time-programmable-memory (OTPM)

Номер патента: US11694757B2. Автор: Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Amit K. Mishra. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

One time programmable memory

Номер патента: US20090059645A1. Автор: Jonathan A. Schmitt,Joseph Eugene Glenn. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

오티피[OTP(One Time Programmable)]프로텍션 회로

Номер патента: KR980011501A. Автор: 김현숙. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-04-30.

One-time programmable memory and an operation method thereof

Номер патента: US20210312998A1. Автор: Ying Yan,Jianming Jin. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20240324192A1. Автор: Shigenobu Maeda,Eun Young Lee,Sangjin Lee,Kwan Young Kim,Bora KIM,Hoonjin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

One-time programmable memory and method for verification and access

Номер патента: US11823750B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Giovanni Luca Torrisi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: GB2587089A. Автор: Chung Shine. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: EP4435786A1. Автор: Anirban Roy,Nihaar N. Mahatme,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Circuit for reading one time programmable memory

Номер патента: US09659667B2. Автор: Beom Seon RYU. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Write enhancement for one time programmable (OTP) semiconductors

Номер патента: US09852805B2. Автор: Tao Su,Steve Wang,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Three-dimensional one time programmable memory

Номер патента: US20230386579A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for characterizing an active track and latch sense-amp (comparator) in a one time programmable (otp) salicided poly fuse array

Номер патента: EP1402537A1. Автор: Elie G. Khoury. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-31.

Method for characterizing an active track and latch sense-amp (comparator) in a one time programmable (otp) salicided poly fuse array

Номер патента: EP1402537B1. Автор: Elie G. Khoury. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-12-09.

Structure of post-process one-time programmable read only memory cell

Номер патента: US20040114415A1. Автор: Wenying Wen. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Circuit for verifying the write enable of a one time programmable memory

Номер патента: US20110267869A1. Автор: Alexander B. Hoefler,Mohamed S. Moosa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

One-time programmable (otp) memory device for reading multiple fuse bits

Номер патента: US20180108425A1. Автор: Sang-Seok Lee,Hyun-Taek Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

One-time programmable memory device having access circuit

Номер патента: US09905309B2. Автор: Sang Seok Lee,Hoon Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Reduced power read sensing for one-time programmable memories

Номер патента: US09548131B1. Автор: Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

One-time programmable (OTP) memory cell and OTP memory device for multi-bit program

Номер патента: US09524795B2. Автор: Joon-Hyung Lee,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for characterizing an active track and latch sense-amp (comparator) in a one time programmable (otp) salicided poly fuse array

Номер патента: WO2002103705A1. Автор: Elie G. Khoury. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-27.

One-time programmable memory read-write circuit

Номер патента: US11682466B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Method of programming one-time programmable (OTP) memory device and method of testing semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09754678B2. Автор: Do-Hoon Byun,Chang-Su Sim,Na-Rae Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Structures and methods of identifying unprogrammed bits for one-time-programmable-memory (otpm)

Номер патента: US20220343988A1. Автор: Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Amit K. Mishra. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Built-in self test for one-time-programmable memory

Номер патента: US8508972B2. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20120092916A1. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20130294143A1. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

One-time programmable memory devices

Номер патента: US20060056222A1. Автор: Joachim Reiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-16.

One-time programmable memory device

Номер патента: EP1573747A1. Автор: Joachim Christian Reiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-14.

Quad SRAM Based One Time Programmable Memory

Номер патента: US20090109723A1. Автор: Myron Buer,Jonathan Schmitt,Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

One-time programmable memory device

Номер патента: EP1573747B1. Автор: Joachim Christian Reiner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-10-21.

Apparatus and method for testing one-time-programmable memory

Номер патента: WO2012012711A4. Автор: Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Configuration and method of manufacturing the one-time programmable (OTP) memory cells

Номер патента: US20100035397A1. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: US20220301647A1. Автор: Karthik Ramanan,Jacob T. Williams,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao,Maurits Mario Nicolaas Storms. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Write Enhancement for One Time Programmable (OTP) Semiconductors

Номер патента: US20160379720A1. Автор: Tao Su,Steve Wang,Harry Luan,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Testing one-time programmable (otp) memory with data input capture through sense amplifier circuit

Номер патента: US20210257007A1. Автор: Hochul Lee,Keejong Kim,Anil Kota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Multi-state one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20240071538A1. Автор: Chen-Feng Chang,Shu-Chieh Chang,Meng-Lin Wu,Yu-Chen Lo,Tsung-Han Lu,Chun-Hao Liang,Dong-Yu Wu. Владелец: Jmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

One-time programmable (otp) memory and method of operating the same

Номер патента: US20230360711A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

One-time programmable (otp) memory devices and methods of testing otp memory devices

Номер патента: US20200219570A1. Автор: Min-Yeol Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Read-write circuit of one-time programmable memory

Номер патента: EP3905252A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Method and device for programming memory cells of the one-time-programmable type

Номер патента: US20160307640A1. Автор: Philippe Candelier,Joel Damiens,Stephane Denorme,Antoine Benoist. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2016-10-20.

Anti-fuse one-time programmable resistive random access memories

Номер патента: EP3127121A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

1.5-transistor (1.5t) one time programmable (otp) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US20220059551A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

1.5-transistor (1.5T) one time programmable (OTP) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US11315937B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Low power embedded one-time programmable (OTP) structures

Номер патента: US09735164B2. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Low power embedded one-time programmable (otp) structures

Номер патента: US20170110465A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

LOW POWER EMBEDDED ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) STRUCTURES

Номер патента: US20170345830A1. Автор: Toh Eng Huat,Zheng Ping,Quek Kiok Boone Elgin,SUN YUAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Low power embedded one-time programmable (otp) structures

Номер патента: US20170345830A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Low power embedded one-time programmable (OTP) structures

Номер патента: US10381356B2. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-13.

Low power embedded one-time programmable (otp) structures

Номер патента: US20170110465A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

One-time programmable memory using rupturing of gate insulation

Номер патента: US09953990B1. Автор: Andrew E. Horch,Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for programming antifuse-type one time programmable memory cell

Номер патента: US09799410B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Data Storage with In-situ String-Searching Capabilities Comprising Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20180268900A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-09-20.

Processor Comprising Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory for Enhancing Network Security

Номер патента: US20180270255A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-09-20.

Anti-fuse one-time programmable memory cell and anti-fuse one-time programmable memory array

Номер патента: US09589971B1. Автор: Yu-Wen Chen,Ching-Hsiang Lin,Jui-Lung Chen,Chia-Chiuan Chang,Hsuan-Chi Su. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for programming a one-time programmable structure, semiconductor component and radio frequency component

Номер патента: US20200043562A1. Автор: Rainer Leuschner,Josef Boeck,Gunther Mackh,Wolfgang Liebl,Stefan Almstaetter,Jens Arkenau. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-02-06.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY IN A HIGH-DENSITY THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE

Номер патента: US20190221277A1. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

One-time-programmable memory in a high-density three-dimensional structure

Номер патента: US10672490B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell and anti-fuse type one-time programmable memory cell arrays

Номер патента: US09418754B2. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method And System For Using One-Time Programmable (OTP) Read-Only Memory (ROM) To Configure Chip Usage Features

Номер патента: US20070290715A1. Автор: David Baer,Iue-Shuenn Chen,Jeffrey Beach,James D. Sweet,Heather Bowers. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Method and system for using one-time programmable (OTP) read-only memory (ROM) to configure chip usage features

Номер патента: TW200817922A. Автор: David Baer,Iue-Shuenn Chen,Jeffrey Beach,Heather Bowers,James D Sweet. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

One time programmable read-only memory (ROM) in SOI CMOS

Номер патента: US09704569B1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Efficient feeding system and corresponding OTP (one time programmable) detector

Номер патента: CN114014007A. Автор: 文爱华,胡剑鸣,蒋海锁,何璐君. Владелец: Shenzhen Tech Sen Automation Equipment Co ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

One-time programmable (otp) memory cell

Номер патента: WO2024196542A1. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

Dielectric film based one-time programmable (otp) memory cell

Номер патента: US20240321369A1. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

One-time programmable memory array having small chip area

Номер патента: US9620176B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

One-time programmable storage cell and one-time programmable storage circuit

Номер патента: CN104966532A. Автор: 陈达,艾瑞克·布劳恩. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

One time programmable (OTP) cell and an OTP memory array using the same

Номер патента: US09899100B2. Автор: Su Jin Kim,Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Antifuse one-time programmable semiconductor memory

Номер патента: US9941017B1. Автор: Donghyuk Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

One time programmable semiconductor nonvolatile memory device and method for production of same

Номер патента: EP1229552A1. Автор: Yoshiaki Hagiwara,Hideaki Kuroda,Michitaka Kubota,Akira Nakagawara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-08-07.

Circuit configurations and methods for manufacturing five-volt one time programmable (OTP) memory arrays

Номер патента: TW200820260A. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-05-01.

One-time programmable (OTP) memory device

Номер патента: US09984755B2. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Implementation of a one time programmable memory using a MRAM stack design

Номер патента: US09805816B2. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

One-Time Programmable Memory Cell, Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130163306A1. Автор: Lin Yinyin. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20170053927A1. Автор: Luan Harry Shengwen. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

EMBEDDED SELECTOR-LESS ONE-TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20150062996A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa,Mittal Anurag. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20220084611A1. Автор: Wang Yih,NOGUCHI Hiroki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220181336A1. Автор: CHERN GEENG-CHUAN. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

GATE SUBSTANTIAL CONTACT BASED ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE

Номер патента: US20150194433A1. Автор: Ponoth Shom,PARK Changyok,Shiau Guang-Jye,Lu Chao-Yang,LEE JIAN-HUNG. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

Multi bit OTP(One Time Programmable) memory device using multi plug and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR101446332B1. Автор: 성정헌,김덕기,정성엽,유하영,주영창,황수정. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2014-10-08.

One-time programmable memory cell, memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US9019741B2. Автор: Yinyin Lin. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-28.

One-time programmable memory cell and its manufacture method

Номер патента: CN103579246B. Автор: 全成都. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

One-time programmable vertical field-effect transistor

Номер патента: US10229920B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Diode-less array for one-time programmable memory

Номер патента: US7486534B2. Автор: Kuan Fu Chen,Yin Jen Chen,Tzung Ting Han,Ming Shang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-03.

Diode-less array for one-time programmable memory

Номер патента: CN100466265C. Автор: 韩宗廷,陈冠复,陈铭祥,陈映仁. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11362097B1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Embedded selector-less one-time programmable non-volatile memory

Номер патента: US20150062996A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu,Anurag Mittal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220181336A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Integrated circuit, has one time programmable type memory device with memory cells, each comprising bipolar transistor buried in substrate, and fusible unit made of dielectric material that undergoes breakdown in irreversible manner

Номер патента: FR2884346A1. Автор: Jean Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-10-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL INCLUDING ANTI-FUSE WITH MAETAL/POLYCIDE GATE

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Chiu Re-Long,Ying Shu-Lan,Chung Wen-Szu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING VERTICAL ONE-TIME-PROGRAMMABLE FUSE

Номер патента: US20180025982A1. Автор: Grivna Gordon M.,Hall Jefferson W.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-01-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL INCLUDING ANTI-FUSE WITH METAL/POLYCIDE GATE

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Chiu Re-Long,Ying Shu-Lan,Chung Wen-Szu. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor devices including reversible and one-time programmable magnetic tunnel junctions

Номер патента: US10431276B2. Автор: Choong Jae Lee,Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Tri-states one-time programmable memory (OTP) cell

Номер патента: US20070069297A1. Автор: YU Chang,Sung-Shan Tai,Yongzhong Hu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING REVERSIBLE AND ONE-TIME PROGRAMMABLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS

Номер патента: US20170110171A1. Автор: Seo BoYoung,Lee YongKyu,KOH GWANHYEOB,Lee Cheong Jae. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING REVERSIBLE AND ONE-TIME PROGRAMMABLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS

Номер патента: US20190198077A1. Автор: Seo BoYoung,Lee YongKyu,KOH GWANHYEOB,LEE Choong Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-27.

One-time programmable memories using polysilicon diodes as program selectors

Номер патента: US20120044738A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Chung Shine C. Дата публикации: 2012-02-23.

FINFET Based One-Time Programmable Device

Номер патента: US20140050007A1. Автор: Chen Xiangdong,Xia Wei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-20.

One-time programmable devices using junction diode as program selector for electrical fuses with extended area

Номер патента: US20150003143A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-01.

ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170004887A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

One Time Programmable Memory with a Twin Gate Structure

Номер патента: US20170005103A1. Автор: ITO Akira,Zhang Qintao,YANG Wenwei,XUE Mei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2017-01-05.

ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180033488A1. Автор: JEONG Duk Ju. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2018-02-01.

One-Time Programmable Bitcell with Native Anti-Fuse

Номер патента: US20180033795A1. Автор: Horch Andrew E.,Hu Ting-Jia,Niset Martin L.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

1.5-transistor (1.5t) one time programmable (otp) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US20220059551A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

One-Time Programmable Device with Integrated Heat Sink

Номер патента: US20170047126A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) CELL HAVING IMPROVED PROGRAMMING RELIABILITY

Номер патента: US20180047735A1. Автор: JEONG Duk Ju,PARK Sung Bum,AHN Kee Sik,SEO Young Chul. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2018-02-15.

ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) BIT CELL WITH INTEGRATED INHIBIT DEVICE

Номер патента: US20200051653A1. Автор: Kurjanowicz Wlodek. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

One time programmable memory cell and memory array

Номер патента: US20180061756A1. Автор: Henning Feick,Martin Bartels,Kerstin Kaemmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICES USING FinFET TECHNOLOGY

Номер патента: US20170062071A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY ARRAY HAVING SMALL CHIP AREA

Номер патента: US20170076757A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Memory devices including one-time programmable memory cells

Номер патента: US20160093621A1. Автор: Hyun-Min Choi,Sangwoo Pae,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-31.

One time programmable non-volatile memory

Номер патента: US20160104712A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

ONE TIME PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (ROM) IN SOI CMOS

Номер патента: US20180102179A1. Автор: Ning Tak H.,Shahidi Ghavam G.,Yau Jeng-Bang. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE (OTP) IMPLEMENTATION USING MAGNETIC JUNCTIONS

Номер патента: US20200098440A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Chiang Tien-Wei,Chen Yu-Lin,HUANG Jian-Cheng,CHEN Chang-Hung,Chiu Yi-Chieh,You Wen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

ONE-TIME PROGRAMMABLE BITCELL WITH NATIVE ANTI-FUSE

Номер патента: US20180114582A1. Автор: Horch Andrew E.,Niset Martin Luc Cecil Arthur,Hu Ting-Jia. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL CAPABLE OF REDUCING LEAKAGE CURRENT AND PREVENTING SLOW BIT RESPONSE, AND METHOD FOR PROGRAMMING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20170117284A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

ANTI-FUSE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND RELATED ARRAY STRUCTURE

Номер патента: US20210158881A1. Автор: Chen Wei-Fan,Wu Chun-Peng. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES USING JUNCTION DIODE AS PROGRAM SELECTOR FOR ELECTRICAL FUSES WITH EXTENDED AREA

Номер патента: US20170133102A9. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND METHOD FOR PROGRAMMING AND READING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20160141295A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory Comprising No Separate Diode Layer

Номер патента: US20180137927A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-05-17.

DIELECTRIC-BASED MEMORY CELLS HAVING MULTI-LEVEL ONE-TIME PROGRAMMABLE AND BI-LEVEL REWRITEABLE OPERATING MODES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140241031A1. Автор: Kumar Tanmay,Scheuerlein Roy E.,HERNER Scott Brad,Petti Christopher J.,Bandyopadhyay Abhijit. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD OF PROGRAMMING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20190156895A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan,Lu Xiao. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES USING GATE-ALL-AROUND STRUCTURES

Номер патента: US20190165045A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES USING FINFET STRUCTURES

Номер патента: US20180174650A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Discrete Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20160189791A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

Discrete Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20160189792A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-06-30.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY USING GATE-ALL-AROUND STRUCTURES

Номер патента: US20200194499A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory Comprising Multiple Antifuse Sub-Layers

Номер патента: US20180204844A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

ONE-TIME-PROGRAMMABLE RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190214556A1. Автор: Wang Ping-Kun,Liao Shao-Ching,Wu Chien-Min,Fu Chih-Cheng,Chen Frederick. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND METHOD FOR PROGRAMING AND READING A MEMORY ARRAY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20150243366A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wu Meng-Yi,HUANG CHIH-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

ONE-TIME PROGRAMMABLE CAPACITIVE FUSE BIT AND A MEMORY

Номер патента: US20210280513A1. Автор: Li Liang,Chen Xi,Xu Mingyuan,SHEN Xiaofeng,Chen Guangbing,"WANG Jianan",FU Dongbing,HUANG Xingfa,YAO Shuiqin,YANG Hongrui. Владелец: NO.24 RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION. Дата публикации: 2021-09-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE WITH ANTIFUSE

Номер патента: US20210351192A1. Автор: Lin Gang,Matloubian Mishel,KWON Taehun. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Implementation of a One Time Programmable Memory Using a MRAM Stack Design

Номер патента: US20160293268A1. Автор: Jan Guenole,Wang Po-Kang,Zhu Jian,Liu Huanlong,Lee Yuan-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20170301674A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-19.

ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) CELL AND AN OTP MEMORY ARRAY USING THE SAME

Номер патента: US20170372790A1. Автор: Kim Su Jin,JEONG Duk Ju. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2017-12-28.

One-time programmable(otp) implementation using magnetic junctions

Номер патента: KR102290154B1. Автор: 해리-하크-레이 추앙,티엔-웨이 치앙,창-훙 첸,웬-춘 유,유-린 첸,이-치에 치우,지안-쳉 후앙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-08-19.

Dielectric-based memory cells having multi-level one-time programmable and bi-level rewriteable operating modes and methods of forming the same

Номер патента: US9472301B2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Tanmay Kumar,Abhijit Bandyopadhyay,Christopher J. Petti,Scott Brad Herner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Three-dimensional vertical one-time-programmable memory comprising multiple antifuse sub-layers

Номер патента: US10490562B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

One-time programmable memory element and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115440671A. Автор: 薛胜元,李国兴,林俊贤,杨智伟,翁彰键,叶德炜. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

One-time programmable memory unit and memory unit array

Номер патента: CN105869678B. Автор: 朴圣根. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-14.

eFuse ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT USING JUNCTION DIODE

Номер патента: KR101762918B1. Автор: 김영희. Владелец: 창원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-07-28.

One-time-programmable logic bit with multiple logic elements

Номер патента: CN101548376B. Автор: 桑厚·帕克,宋杰·殷,保洋·安. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

One time programmable read-only memory (ROM) in SOI CMOS

Номер патента: US10008281B2. Автор: Ghavam G. Shahidi,Tak H. Ning,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

One-time programmable device based on FINFET

Номер патента: CN202996838U. Автор: 陈向东,夏维. Владелец: Zyray Wireless Inc. Дата публикации: 2013-06-12.

One-time programmable memory

Номер патента: DE60224622T2. Автор: Frederick A. Palo Alto Perner,Lung T. Saratoga Tran,Thomas C. Sunnyvale Anthony. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-10-23.

Anti-fuse one-time programmable memory cell and related array structure

Номер патента: TWI756882B. Автор: 陳偉梵,吳俊鵬. Владелец: 補丁科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-03-01.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Discrete three-dimensional one-time-programmable memory

Номер патента: US9558842B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: CN106537590A. Автор: B·杨,X·李,X·陈,Z·王,J·袁,X·陆,J·J·徐. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

One time programmable memory cell capable of reducing current leakage

Номер патента: EP3196936B1. Автор: Hsin-Ming Chen,Meng-Yi Wu,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: TWI795275B. Автор: 林崇榮,金雅琴,黃耀弘. Владелец: 國立清華大學. Дата публикации: 2023-03-01.

Buried bit line anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory

Номер патента: US8476157B2. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

One-time programmable device with integrated heat sink

Номер патента: US9767915B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

One time programmable (otp) magnetoresistive random-access memory (mram)

Номер патента: US20210398579A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Po-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

And-type one time programmable memory cell

Номер патента: US20110103127A1. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: SIDENCE CORP. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

One-time programmable memory apparatus

Номер патента: KR101619779B1. Автор: 김영희. Владелец: 창원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-05-11.

System and method for batch loading OTP (one time programmable) data of secure and trusted CPU (Central processing Unit) chip

Номер патента: CN110929254A. Автор: 黄臻,黄橙,秦放. Владелец: Sichuan Westone Information Safe Platform Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-27.

Device and method for realizing OTP (one time programmable) by eFlash memory and OTP memory

Номер патента: CN111159071A. Автор: 何雅乾,朱建银. Владелец: Jiangsu Keda Hengxin Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-15.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Integrated circuit (ic) signatures with random number generator and one-time programmable device

Номер патента: US20240348435A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih,Cheng-En Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Kun-Hsi Li,Shih-Liang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

One-time programmable memories for key storage

Номер патента: US8433930B1. Автор: Martin Langhammer,Keone Streicher,David Jefferson,Juju Joyce. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-04-30.

One-time programmable integrated circuit security

Номер патента: CN104903911B. Автор: 阿萨夫·阿什克纳济. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-10.

One-time programmable integrated circuit security

Номер патента: KR101727678B1. Автор: 아사프 아쉬케나지. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-04-17.

One-time programmable memories for key storage

Номер патента: US7818584B1. Автор: Martin Langhammer,Keone Streicher,David Jefferson,Juju Joyce. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Integrated circuit (ic) signatures with random number generator and one-time programmable device

Номер патента: US20230121502A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih,Cheng-En Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Kun-Hsi Li,Shih-Liang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated circuit (IC) signatures with random number generator and one-time programmable device

Номер патента: US11962693B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih,Cheng-En Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Kun-Hsi Li,Shih-Liang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit device using multiple one-time programmable bits to control access to a resource

Номер патента: US10424389B2. Автор: John L McWilliams. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2019-09-24.

Integrated circuit device using multiple one-time programmable bits to control access to a resource

Номер патента: WO2017171865A1. Автор: John L. Mcwilliams. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2017-10-05.

MULTIPLE TIME PROGRAMMABLE MEMORY USING ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND ERROR CORRECTION CODES

Номер патента: US20220301631A1. Автор: SALO Teemu,TÖRNQVIST Vesa. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Non-Volatile Multiple Time Programmable Integrated Circuit System with Selectiive Conversion to One Time Programmable or Permanent Configuration Bit Programming Capabilities and Related Methods

Номер патента: US20190348986A1. Автор: Hamilton Brett J.,Kay Matthew James,Gadladge Matthew John,Duncan Adam Ray,Howard Andrew Mark. Владелец: The United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2019-11-14.

Non-volatile multiple time programmable integrated circuit system with selective conversion to one time programmable or permanent configuration bit programming capabilities and related methods

Номер патента: US10855287B2. Автор: Matthew James Kay,Matthew John Gadladge,Adam Ray Duncan,Brett J. Hamilton,Andrew Mark Howard. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2020-12-01.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time-programmable memory

Номер патента: US20200265906A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B. Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time-programmable memory

Номер патента: WO2020172050A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B. Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-08-27.

One-time programmable memory, electronic system, method for operating one-time programmable memory and method for programming one-time programmable memory

Номер патента: CN106133841B. Автор: 庄建祥. Владелец: Shangfeng Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

One-time programmable data security system for programmable logic device

Номер патента: WO1988000372A1. Автор: John E. Turner. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1988-01-14.

METHODS AND APPARATUS TO IMPROVE PERFORMANCE WHILE READING A ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20200265906A1. Автор: Balasubramanian Suresh,Spriggs Stephen Wayne,Jamison George B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

METHODS AND APPARATUS TO IMPROVE PERFORMANCE WHILE READING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20200265907A1. Автор: Balasubramanian Suresh,Spriggs Stephen Wayne,Jamison George B. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

One-time programmable memory array having small chip area

Номер патента: JP2018032460A. Автор: 陳　信銘,Shinmei Chin,信銘 陳,孟益 ▲呉▼,Meng Yi Wu,偉哲 翁,Itetsu O. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20240224512A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

One-time programmable memory cell and method for managing the logic state of the memory cell

Номер патента: US20240292610A1. Автор: Pascal Fornara. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-29.

One time programmable memory cell

Номер патента: FR3125352A1. Автор: Patrick Calenzo,Lia MASOERO. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-20.

One-time programmable memory cell

Номер патента: EP4120275A1. Автор: Patrick Calenzo,Lia MASOERO. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-01-18.

Method And Apparatus For Hot Carrier Programmed One Time Programmable (Otp) Memory

Номер патента: US20070274126A1. Автор: Ranbir Singh,Ross Kohler,Richard McPartland. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-11-29.

One-time programmable memory cell in cmos technology

Номер патента: US20020027822A1. Автор: Philippe Candelier,Jean-Pierre Schoellkopf. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-03-07.

One time programmable read-only memory comprised of fuse and two selection transistors

Номер патента: US20060203591A1. Автор: Dong Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

memory device including one-time programmable memory cells

Номер патента: KR102358054B1. Автор: 조학주,최현민,배상우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-02-04.

Multi-layer one-time programmable permanent memory unit and preparation method therefor

Номер патента: WO2018149109A1. Автор: 彭泽忠. Владелец: 成都皮兆永存科技有限公司. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for operating one-time programmable read-only memory

Номер патента: US8089798B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Shao-Chang Huang,Chun-Hung Lu,Ming-Chou Ho,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-03.

Method and apparatus for hot carrier programmed one time programmable (otp) memory

Номер патента: EP1709646A1. Автор: Ranbir Singh,Richard Joseph Mcpartland,Ross Alan Kohler. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-10-11.

One-time programmable read-only memory

Номер патента: US20080296701A1. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Shao-Chang Huang,Chun-Hung Lu,Ming-Chou Ho,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

One time programmable memory cell

Номер патента: WO2006121828A2. Автор: Yongzhong Hu. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2006-11-16.

One time programmable phase change memory

Номер патента: TW200623117A. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

One-time programmable memory device

Номер патента: US11956947B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

One time programmable memory cell

Номер патента: TW200701443A. Автор: Sung-Shan Tai,Yong-Zhong Hu. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2007-01-01.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US20210200671A1. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

One-time programmable memory device and fault tolerant method thereof

Номер патента: TWI719779B. Автор: 吳坤益,李鈺珊. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-21.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE COMPATIBLE WITH VERTICAL TRANSISTOR PROCESSING

Номер патента: US20200365607A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

One-Time Programmable Memory Cell

Номер патента: US20140071731A1. Автор: Yong Lu,Jonathan Schmitt,Owen Hynes,Roy Milton Carlson. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

One time programmable device

Номер патента: US20240145469A1. Автор: Santosh Sharma,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for producing one-time-programmable memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US09881928B2. Автор: Philippe Candelier,Stephane Denorme. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: KR100261188B1. Автор: 조창섭. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-07-01.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: KR19990086534A. Автор: 조창섭. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: KR19990086886A. Автор: 조창섭. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422491A1. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Yung-Chen Chiu,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380148A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

One-time-programmable device structure

Номер патента: US20230307356A1. Автор: Po-Hsiang Huang,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Capacitor-coupled n-type transistor-based one-time programmable device

Номер патента: US20200020706A1. Автор: Yuan Yuan,YU Chen,Hualun CHEN. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

METHOD FOR PRODUCING ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY CELLS AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170133390A1. Автор: Denorme Stéphane,Candelier Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140217484A1. Автор: Luan Harry Shengwen. Владелец: KILOPASS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

One-Time Programmable Memory and Method for Making the Same

Номер патента: US20150311215A1. Автор: Luan Harry Shengwen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Method for Producing One-Time-Programmable Memory Cells and Corresponding Integrated Circuit

Номер патента: US20160343720A1. Автор: Denorme Stéphane,Candelier Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING DECOUPLING CAPACITOR ARRAY ARRANGED OVERLYING ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE

Номер патента: US20200343253A1. Автор: Lin Shian-Jyh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

One-time programmable nonvolatile memory array and method for operating and fabricating the same

Номер патента: KR101067412B1. Автор: 이정훈,박병국,조성재. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-09-27.

For manufacture include MOS capacitor One Time Programmable type memory cell method and corresponding integrated circuit

Номер патента: CN106169474B. Автор: S·德努尔梅,P·康德利耶. Владелец: Yifa Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-11.

One-time programmable devices and methods of forming the same

Номер патента: US8653623B2. Автор: Chun-Yao Ko,Jyun-Ying LIN,Ting-Chen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-18.

One-time programmable charge-trapping non-volatile memory device

Номер патента: US20110156157A1. Автор: Luca Milani,David Vigar,Rainer Herberholz. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

One-time programmable device having an LDMOS structure and related manufacturing method

Номер патента: EP2579310A2. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-10.

Mos transistor having lower gate-to-source/drain breakdown voltage and one-time programmable memory device using the same

Номер патента: US20210320110A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-Volatile Multiple Time Programmable Integrated Circuit System with Selective Conversion to One Time Programmable or Permanent Configuration Bit Programming Capabilities and Related Methods

Номер патента: US20210016885A1. Автор: Armes Craig Michael. Владелец: The United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor Device Having One-Time Programmable ROM And Method Of Fabricating The Same

Номер патента: KR100481870B1. Автор: 김명수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-11.

Memory devices having one-time-programmable fuses and/or antifuses formed from thin-film transistors

Номер патента: US20240074168A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

One-time-programmable memory devices

Номер патента: US20230337419A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

One Time Programmable Structure Using a Gate Last High-K Metal Gate Process

Номер патента: US20130082347A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130161761A1. Автор: He Yue-Song,Luan Harry S.,Wong Ting-Wah. Владелец: KILOPASS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

LDMOS One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130299904A1. Автор: ITO Akira,Chen Xiangdong. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

One-Time Programmable Device

Номер патента: US20130302960A1. Автор: ITO Akira,Chen Xiangdong. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

DIE CRACK DETECTOR WITH INTEGRATED ONE-TIME PROGRAMMABLE ELEMENT

Номер патента: US20150115266A1. Автор: Sanchez Audel A.,Suarez Jose L.,MIERA Michele L.,PRYOR Robert A.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor One-Time Programmable Memory for Nanometer CMOS

Номер патента: US20210125999A1. Автор: Ju Donghyuk. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

ONE TIME PROGRAMMABLE AND MULTI-LEVEL, TWO-TERMINAL MEMORY CELL

Номер патента: US20150129829A1. Автор: Kumar Tanmay. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.

One time programmable memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20170154890A1. Автор: Hyun-Min Choi,Sang-Woo Pae,Min-jung Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-01.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220310633A1. Автор: CHIU Hsih-Yang,LI WEI-ZHONG. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

ONE TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170179297A1. Автор: LEE Kyung Ho,Kim Tae Ho,CHOI Sung Jin,SEO Young Chul. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2017-06-22.

ONE TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY CELL ON GLASS SUBSTRATE

Номер патента: US20210249426A1. Автор: Sun Wein-Town,HSIAO Woan-Yun. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Three-Dimensional Vertical One-Time-Programmable Memory Comprising Schottky Diodes

Номер патента: US20180226414A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-08-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE INCLUDING ANTI-FUSE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210366918A1. Автор: Lin Jian-Hong,Wang Ming-Yih,OU Chiung-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-11-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING DECOUPLING CAPACITOR ARRAY ARRANGED OVERLYING ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICE

Номер патента: US20200343182A1. Автор: Lin Shian-Jyh. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

One time programmable read only memory

Номер патента: EP1878057A4. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-22.

One-time programmable anti-fuse element and method

Номер патента: EP1208597A2. Автор: Todd Mitchell. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Current in one-time-programmable memory cells

Номер патента: US8664706B2. Автор: Allan T. Mitchell,Weidong Tian,Shanjen “Robert” Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-03-04.

[methods for forming pn junction, one-time programmable read-only memory and fabricating processes thereof]

Номер патента: US20050062079A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

One-time programmable memory device

Номер патента: CN113270412A. Автор: 王奕,黄家恩,张盟昇. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

One time programmable memory device, integrated circuit including the same and method for fabricating thereof

Номер патента: KR100518577B1. Автор: 구정모,오희선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-04.

Method and apparatus for using cobalt silicided polycrystalline silicon for a one time programmable non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7180102B2. Автор: Frank Yauchee Hui. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-02-20.

One-time-programmable anti-fuse formed using damascene process

Номер патента: US20080012138A1. Автор: Ming-Tsong Wang,Tong-Chern Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

One-time programmable memory element

Номер патента: CN115249711A. Автор: 薛胜元,李国兴,林俊贤. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-28.

One-time programmable (otp) memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20230015480A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Yung-Chen Chiu,Te-Wei Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US20220336479A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor One-Time Programmable Memory for Nanometer CMOS

Номер патента: US20210125999A1. Автор: Donghyuk Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-29.

One-time programmable memory device including anti-fuse element

Номер патента: US20230284442A1. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

One time programmable system

Номер патента: TWI286360B. Автор: Bily Wang. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2007-09-01.

One-time programmable memory device including anti-fuse element

Номер патента: US11963347B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

One-time programmable memory device including anti-fuse element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366918A1. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

One-time programmable memory device including anti-fuse element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11665890B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

One time programmable system.

Номер патента: TW200426955A. Автор: Bily Wang. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2004-12-01.

One-time programmable memory capacitor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230147512A1. Автор: Po-Wen Su,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Enforcing performance longevity on semiconductor devices

Номер патента: US8901953B2. Автор: Gyan Prakash,Abdi Nassib. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Enforcing performance longevity on semiconductor devices

Номер патента: US20140091831A1. Автор: Gyan Prakash,Abdi Nassib. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US9564243B2. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Cmos power amplifiers having integrated one-time programmable (otp) memories

Номер патента: WO2011093996A2. Автор: Timothy J. DuPuis,Abhay Misra. Владелец: Javelin Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-08-04.

Cmos power amplifiers having integrated one-time programmable (otp) memories

Номер патента: WO2011093996A3. Автор: Timothy J. DuPuis,Abhay Misra. Владелец: Javelin Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2011-12-01.

Method and apparatus for post-packaging testing on one-time programmable memories

Номер патента: HK1000389A1. Автор: OKA Hiroyuki,Paul E Grimme,Paul D Shannon,Robert W Sparks. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-03-13.

Method and System of Using One-Time Programmable Memory as Multi-Time Programmable in Code Memory of Processors

Номер патента: US20120047322A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Chung Shine C. Дата публикации: 2012-02-23.

NON-VOLATILE ONE-TIME-PROGRAMMABLE AND MULTIPLE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CONFIGURATION CIRCUIT

Номер патента: US20130120023A1. Автор: Liu David K.Y.. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for updating program components stored on a one-time programmable memory

Номер патента: GB9908563D0. Автор: . Владелец: Mitel Corp. Дата публикации: 1999-06-09.

Apparatus and method for providing one time programmable memory features in a hypervisor of a computing device

Номер патента: EP3814913B1. Автор: Kui Wang,Liming Wu,Igor STOPPA,Rémi Robert Michel DENIS-COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Controller for controlling one-time programmable memory, system, and operation method thereof

Номер патента: US20230376211A1. Автор: Ja Hyun KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Low cost digital camera with one-time programmable memory

Номер патента: US20060152601A1. Автор: Kunal Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-07-13.

Digital storage media with one-time programmable read only memory

Номер патента: US20030204659A1. Автор: Kan-Chuan Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: KR20230070993A. Автор: 최명식,박소현,염윤호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-05-23.

New configuration and method of manufacturing the one-time programmable (otp) memory cells

Номер патента: WO2008030583A3. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-07-17.

Self-latch sense timing in a one-time-programmable memory architecture

Номер патента: US10192629B2. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20180137928A1. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Self-latch sense timing in a one-time-programmable memory architecture

Номер патента: US09881687B2. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR DYNAMIC ALLOCATION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20180060164A1. Автор: Xie Jun,Pandey Rakesh,Arora Mohit. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Method apparatus for resuming and recovery checking from interrupted programming of one-time programmable memory device

Номер патента: US20200104221A1. Автор: Michael A Kost,Girish Subramaniam,John P Tourish,Bradley A Lambert. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

SYSTEM IMPLEMENTATION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORIES

Номер патента: US20200242022A1. Автор: Munetoh Seiji,SHAHIDI Ghavam,Subramanian Chitra. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS FOR DYNAMIC ALLOCATION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20180286489A1. Автор: Xie Jun,Pandey Rakesh,Arora Mohit. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Memory card having one-time programmable memory

Номер патента: US6836834B2. Автор: Paul E. Schulze,Laurence J. Lobel. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-12-28.

Method for accessing one-time programmable memory and related circuit

Номер патента: CN113568560A. Автор: 李朝明,彭作辉,王婕妤. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-29.

File management of one-time-programmable non volatile memory devices

Номер патента: EP1331548A2. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2003-07-30.

Memory card having one-time programmable memory

Номер патента: US20040098428A1. Автор: Paul Schulze,Laurence Lobel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-20.

Error detection and correction of one-time programmable elements

Номер патента: CN104956445A. Автор: S·金,T·金,J·P·金. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-30.

Error detection and correction of one-time programmable elements

Номер патента: EP2951835B1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

Protection of one-time programmable (OTP) memory

Номер патента: US8990478B2. Автор: John A. Fifield,Jeffrey S. Zimmerman,Gerald P. Pomichter, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

INITIATING OPERATION OF A TIMING DEVICE USING A READ ONLY MEMORY (ROM) OR A ONE TIME PROGRAMMABLE NON VOLATILE MEMORY (OTP NVM)

Номер патента: US20160077958A1. Автор: Li Hui,Hsu John. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Memory device with function of one-time programmable, display driver ic and display device with the same

Номер патента: KR101057699B1. Автор: 조기석,신창희,오권영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-08-19.

METHOD AND APPARATUS FOR USING REFERENCE RESISTOR IN ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY OF AN ARTIFICIAL INTELLIGENCE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190180173A1. Автор: Torng Chyu-Jiuh,Liu Daniel H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

One time programmable (otp) low power circuits and methods for providing bias voltages to wordlines

Номер патента: US20240079070A1. Автор: Himanshu Saxena,Ankur Gupta,Mukul Agarwal. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

PROTECTION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY

Номер патента: US20140025915A1. Автор: FIFIELD John A.,Zimmerman Jeffrey S.,Pomichter,JR. Gerald P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-23.

VIRTUAL ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY MANAGEMENT

Номер патента: US20200026474A1. Автор: Kumar Ambuj,Moss Roy. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

SECURE KEY ACCESS WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND APPLICATIONS THEREOF

Номер патента: US20140136855A1. Автор: Ducharme Paul D.,Cheung Wendy Wai Yin,Wong Albert Yunsang,Huang Shijun,Stewart Norman V.D.. Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

One-time programmable integrated circuit security

Номер патента: US20140201607A1. Автор: Ashkenazi Asaf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-17.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR VERIFYING DATA FOR SUCH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170132078A1. Автор: XU Shuna,MO Guobing,Chen Cheng-Tie. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

ERROR DETECTION AND CORRECTION OF ONE-TIME PROGRAMMABLE ELEMENTS

Номер патента: US20140215294A1. Автор: Kim Sungryul,Kim Taehyun,Kim Jung Pill. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

ELECTRONIC DEVICE HAVING ONE-TIME-PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY AND METHOD FOR WRITING AND READING OTP MEMORY

Номер патента: US20220276926A1. Автор: Li Ming-Rui,Song Liang-Liang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2022-09-01.

SECURITY METHOD AND APPARATUS TO PREVENT REPLAY OF EXTERNAL MEMORY DATA TO INTEGRATED CIRCUITS HAVING ONLY ONE-TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20160140357A1. Автор: Newell G. Richard. Владелец: Microsemi SoC Corporation. Дата публикации: 2016-05-19.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE AND FAULT TOLERANCE METHOD THEREOF

Номер патента: US20210200440A1. Автор: LI Yu-Shan,WU Kun-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Electronic Circuit for and Method of Executing an Application Program Stored in a One-Time-Programmable (OTP) Memory in a System on Chip (SoC)

Номер патента: US20140297928A1. Автор: Mueller Tobias,Verhallen Jakobus Johannes,Moschopoulos Nikolaos,Papadopoulos Dimitrios,Ninos Konstantinos. Владелец: Dialog Semiconductor B.V.. Дата публикации: 2014-10-02.

SYSTEM AND METHOD FOR MODIFICATION OF CODED INSTRUCTIONS IN READ-ONLY MEMORY USING ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150242213A1. Автор: Wang Zhongze,Li Yanru,CHUN Dexter Tamio,Uvieghara Gregory Ameriada,Ali Dhamim Packer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY FEATURES IN A HYPERVISOR OF A COMPUTING DEVICE

Номер патента: US20210342092A1. Автор: WANG Kui,Wu Liming,DENIS-COURMONT Rémi Robert Michel,STOPPA Igor. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

Patching of Program Code Executed from One Time Programmable Memory

Номер патента: US20150317152A1. Автор: Todd Philip. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-11-05.

VIRTUAL ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY MANAGEMENT

Номер патента: US20160335196A1. Автор: Kumar Ambuj,Moss Roy. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

CHIP FINGERPRINT MANAGEMENT BASED UPON ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20190347446A1. Автор: CHEN Moyang. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices

Номер патента: US6950918B1. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

One-time programmable microcontroller debugging method based on flash memory

Номер патента: CN106354598A. Автор: 黄坚,丁蔚,吴志玲,陈恒江. Владелец: WUXI I-CORE ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

One Time Programmable storage device and the method that data check is carried out to it

Номер патента: CN106681855B. Автор: 陈正泰,莫国兵,许树娜. Владелец: Lanqi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-05.

One-time programmable memory device and data verification method thereof

Номер патента: CN106681855A. Автор: 陈正泰,莫国兵,许树娜. Владелец: Acrospeed Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

OTP (one time programmable) burning method of image sensor

Номер патента: CN105677434B. Автор: 李翔. Владелец: Geke Microelectronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-26.

File management of one-time-programmable nonvolatile memory devices

Номер патента: EP1359500B1. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

Data programming method and data reading method and one-time programmable memory using thereof

Номер патента: TWI419168B. Автор: Chun Hsiung Hung,Chung Kuang Chen,Han Sung Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-11.

Apparatus and method for providing one time programmable memory features in a hypervisor of a computing device

Номер патента: US11775201B2. Автор: Kui Wang,Liming Wu,Igor STOPPA,Rémi Robert Michel DENIS-COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Patching of Program Code Executed from One Time Programmable Memory

Номер патента: US20150317152A1. Автор: Philip Todd. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2015-11-05.

Apparatus and method for providing one time programmable memory features in a hypervisor of a computing device

Номер патента: WO2020030268A1. Автор: Kui Wang,Liming Wu,Igor STOPPA,Remi DENIS COURMONT. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-13.

Automatic programming time selection for one time programmable memory

Номер патента: US20040170059A1. Автор: Myron Buer,Tony Turner. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

One-time-programmable bit cell with latch circuit having selectively programmable floating gate transistors

Номер патента: TW200423136A. Автор: Jason Stevens,Agustinus Sutandi,Daran DeShazo. Владелец: HPL Technologies Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

One-time-programmable bit cell with latch circuit having selectively programmable floating gate transistors

Номер патента: TWI305646B. Автор: Stevens Jason,Sutandi Agustinus,DeShazo Daran. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Semiconductor nonvolatile memory device with one-time programmable memories

Номер патента: US09355740B2. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL ARRAYS

Номер патента: US20160078962A1. Автор: PARK Sung Kun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND SYSTEM-ON CHIP INCLUDING ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150138870A1. Автор: JOO Jong-Doo. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

One Time Programmable Memory and System-on Chip including One Time Programmable Memory

Номер патента: KR102217240B1. Автор: 주종두. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-18.

Electrically one time programmable and one time erasable fuse

Номер патента: EP1943653A1. Автор: David William Boerstler,Subramanian Srikanteswara Iyer,Eskinder Hailu,Jieming Qi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Electrically one time programmable and one time erasable fuse

Номер патента: WO2007042372A1. Автор: David William Boerstler,Subramanian Srikanteswara Iyer,Eskinder Hailu,Jieming Qi. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-04-19.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09786383B2. Автор: Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

New configuration and method of manufacturing the one-time programmable (otp) memory cells

Номер патента: WO2008030583A2. Автор: Shekar Mallikararjunaswamy. Владелец: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4280839A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Apparatus and method for programming a one-time programmable memory device

Номер патента: US20050070052A1. Автор: Ranbir Singh,Ross Kohler,Richard McPartland. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2005-03-31.

MEMORY DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE FUNCTION, AND DISPLAY DRIVER IC AND DISPLAY DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20140035801A1. Автор: SHIN Chang-Hee,CHO Ki-Seok,Oh Kwon-Young. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2014-02-06.

Memory device with function of one-time programmable, display driver ic and display device with the same

Номер патента: KR101363831B1. Автор: 조기석,신창희,오권영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2014-02-18.

Apparatus and method for programming a one-time programmable memory device

Номер патента: TW200527437A. Автор: Ranbir Singh,Richard Joseph Mcpartland,Ross A Kohler. Владелец: AGERE SYSTEMS INC. Дата публикации: 2005-08-16.

Memory with one-time programmable (otp) cells

Номер патента: EP4060667B1. Автор: Karthik Ramanan,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao,Maurits Mario Nicolaas Storms,Jacob T Williams. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US09627088B2. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

One time programmable memory

Номер патента: US20210391018A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method and apparatus for performing multi-programmable function with one-time programmable memories

Номер патента: TWI271620B. Автор: Chien-Liang Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-21.

Methods and systems for managing read operation of a one-time programmable (otp) memory

Номер патента: US20230197162A1. Автор: Himanshu Saxena. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

One time programmable memory

Номер патента: US20230282287A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

One time programmable memory

Номер патента: US20220199167A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

New configuration and method of manufacturing the one-time programmable (OTP) memory cells

Номер патента: TW200814305A. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2008-03-16.

New configuration and method of manufacturing the one-time programmable (otp) memory cells

Номер патента: TWI339440B. Автор: Mallikarjunaswamy Shekar. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2011-03-21.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20180137928A1. Автор: Qiu Yunchen,Davis Harold L.,Toops David J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

PARALLEL PROGRAMMING OF ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY ARRAY FOR REDUCED TEST TIME

Номер патента: US20180158532A1. Автор: ANAND Darren L.,Hunt-Schroeder Eric D.,LAMPHIER Steven. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20170178742A1. Автор: Qiu Yunchen,Davis Harold L.,Toops David J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Integrated circuit one time programmable memory cell having two branches with silicon programming resistor connected one terminal and differential memory state reading terminals with switches connecting read/second terminal.

Номер патента: FR2836749A1. Автор: Alexandre Malherbe,Luc Wuidart,Michel Bardouillet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-09-05.

One-time programmable (rotp) nvm

Номер патента: US20230395171A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Two-terminal one-time programmable fuses for memory cells

Номер патента: US11948630B2. Автор: Federico Nardi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

One-time programmable (rotp) nvm

Номер патента: WO2023239556A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Method and apparatus for testing one time programmable (otp) arrays

Номер патента: US20130188410A1. Автор: Gregory A. Uvieghara,Amer Christophe G. Cassier,Anil C. Kota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Spurious induced charge cleanup for one time programmable (otp) memory

Номер патента: US20130194885A1. Автор: Jack Z. Peng. Владелец: Jack Z. Peng. Дата публикации: 2013-08-01.

Circuit and System of a Low Density One-Time Programmable Memory

Номер патента: US20130201745A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

CIRCUIT AND SYSTEM FOR TESTING A ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY

Номер патента: US20130201746A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

Circuit and System for Using Junction Diode as Program Selector for One-Time Programmable Devices

Номер патента: US20130201749A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

CIRCUIT AND SYSTEM OF USING JUNCTION DIODE AS PROGRAM SELECTOR AND MOS AS READ SELECTOR FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES

Номер патента: US20130208526A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

Circuit and System of Using Junction Diode as Porgram Selector for One-Time Programmable Devices with Heat Sink

Номер патента: US20130215663A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

BURIED BIT LINE ANTI-FUSE ONE-TIME-PROGRAMMABLE NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20130286709A1. Автор: LUNG HSIANG-LAN. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20130294143A1. Автор: Samuels Howard R.,Kelly Thomas W.,Lee James M.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Circuit and System of Using Junction Diode as Program Selector for One-Time Programmable Devices

Номер патента: US20130308366A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

CCIRCUIT AND SYSTEM OF USING JUNCTION DIODE AS PROGRAM SELECTOR FOR METAL FUSES FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES

Номер патента: US20140016394A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

DIODE-LESS ARRAY FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20140050006A1. Автор: Han Tzung-Ting,Chen Kuan-Fu,CHEN YIN-JEN,Chen Ming-Shang. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-20.

Reduced Power Read Sensing for One-Time Programmable Memories

Номер патента: US20170025186A1. Автор: Bill Colin Stewart. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180025785A1. Автор: JEONG Duk Ju. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

METHOD OF PROGRAMMING ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY DEVICE AND METHOD OF TESTING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170040067A1. Автор: Byun Do-Hoon,Sim Chang-Su,Hong Na-Rae. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

One-Time Programmable (OTP) Lock Circuit

Номер патента: US20200043563A1. Автор: GALINSKI Martin F.,SUHENCO Andrei,SNELLA Michael T.. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory Comprising Off-Die Address/Data-Translator

Номер патента: US20170047127A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: XiaMen HaiCun IP Technology LLC. Дата публикации: 2017-02-16.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING POLYSILICON DIODES AS PROGRAM SELECTORS

Номер патента: US20140126266A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-08.

MEMORY HAVING ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) ELEMENTS AND A METHOD OF PROGRAMMING THE MEMORY

Номер патента: US20150085557A1. Автор: Hoefler Alexander B.,Tkacik Thomas E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

One-time programmable memory and test method thereof

Номер патента: US20140177364A1. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Write driver and program driver for otp (one-time programmable) memory with magnetic tunneling junction cells

Номер патента: US20150103586A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

One-time programmable (otp) memory device for reading multiple fuse bits

Номер патента: US20180108425A1. Автор: Sang-Seok Lee,Hyun-Taek Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

MARGIN TEST FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY (OTPM) ARRAY WITH COMMON MODE CURRENT SOURCE

Номер патента: US20190108895A1. Автор: FIFIELD John A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

ONE TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY AND READ SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170125121A1. Автор: HUANG CHIH-HAO,Chen Yung-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ANTI-FUSE TYPE ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160141049A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY CELL AND OTP MEMORY DEVICE FOR MULTI-BIT PROGRAM

Номер патента: US20160148705A1. Автор: LEE Joon-hyung,Kwon Oh-Kyum. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

MEMORY WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) CELLS

Номер патента: US20220301647A1. Автор: Ramanan Karthik,Storms Maurits Mario Nicolaas,Sanjeevarao Padmaraj,Choy Jon Scott,Williams Jacob T.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

ONE TIME PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORY AND READ SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170178745A1. Автор: Chen Yung-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICES USING FinFET TECHNOLOGY

Номер патента: US20150187431A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory Comprising Off-Die Read/Write-Voltage Generator

Номер патента: US20160189754A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-06-30.

METHOD FOR PROGRAMMING ANTIFUSE-TYPE ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL

Номер патента: US20170206980A1. Автор: Chen Hsin-Ming,Wong Wei-Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY BIT CELL

Номер патента: US20210249095A1. Автор: Chang Meng-Sheng,YANG Yao-Jen,WU Min-Shin. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

TESTING ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY WITH DATA INPUT CAPTURE THROUGH SENSE AMPLIFIER CIRCUIT

Номер патента: US20210257007A1. Автор: Kota Anil,Lee Hochul,KIM Keejong. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY DEVICES AND METHODS OF TESTING OTP MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200219570A1. Автор: HA Min-Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL, AND OTP MEMORY AND MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20200219575A1. Автор: HA Min Yeol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-09.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US20160247580A1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND A DATA WRITING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170243660A1. Автор: Kim Tae-Seong,JUNG Hyun-taek. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD OF PROGRAMMING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20160254056A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan,Lu Xiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Systems and Methods to Provide Write Termination for One Time Programmable Memory Cells

Номер патента: US20210280263A1. Автор: Lee Hochul,KIM Keejong,Kota Anil Chowdary. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND AN OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210312998A1. Автор: Yan Ying,JIN Jianming. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

DIFFERENTIAL ONE-TIME-PROGRAMMABLE (OTP) MEMORY ARRAY

Номер патента: US20160268002A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

ANTI-FUSE ONE-TIME PROGRAMMABLE RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORIES

Номер патента: US20150279479A1. Автор: Li Xia,Chen Wei-Chuan,Lee Kangho,Kang Seung Hyuk. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-01.

One Time Programmable Memory

Номер патента: US20160276042A1. Автор: Simmons Michael,Pesavento Rodney. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-22.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20150287474A1. Автор: YOON Hyun-Su. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Circuit and System of Using Junction Diode as Program Selector for One-Time Programmable Devices with Heat Sink

Номер патента: US20150294732A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY DEVICE HAVING ACCESS CIRCUIT

Номер патента: US20170287570A1. Автор: Lee Sang Seok,BANG Hoon Jin. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

METHOD AND DEVICE FOR PROGRAMMING MEMORY CELLS OF THE ONE-TIME-PROGRAMMABLE TYPE

Номер патента: US20160307640A1. Автор: Denorme Stéphane,Candelier Philippe,Damiens Joel,Benoist Antoine. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2016-10-20.

Multi-Bit-Per-Cell Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20170301405A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-19.

DIELECTRIC-BASED MEMORY CELLS HAVING MULTI-LEVEL ONE-TIME PROGRAMMABLE AND BI-LEVEL REWRITEABLE OPERATING MODES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150325310A1. Автор: Kumar Tanmay,Scheuerlein Roy E.,HERNER Scott Brad,Petti Christopher J.,Bandyopadhyay Abhijit. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

CIRCUIT FOR READING ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY

Номер патента: US20160329107A1. Автор: RYU Beom Seon. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

SINGLE CIRCUIT ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20170337985A1. Автор: Gakhar Vikram,VENKATESWARAN Muthusubramanian,Murthy Kushal D.,Tadeparthy Preetam,BORAH Anindita. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200327951A1. Автор: JUNG Chul Moon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

ONE-TIME PROGRAMMABLE (OTP)/ READ ONLY (RO) DATA STORAGE DEVICE

Номер патента: US20160351273A1. Автор: SADASIVAM Siva Sakthivel. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory Comprising Dummy Bit Lines

Номер патента: US20180342307A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: HangZhou HaiCun Information Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-11-29.

One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: US20200350031A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND CIRCUIT

Номер патента: US20150380103A1. Автор: Chen Da,Braun Eric. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Write Enhancement for One Time Programmable (OTP) Semiconductors

Номер патента: US20160379720A1. Автор: Wang Steve,Luan Harry,Cheng Charlie,SU Tao. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory With A Dummy Word Line

Номер патента: US20180366206A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

Double-Biased Three-Dimensional One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20180366207A1. Автор: ZHANG Guobiao. Владелец: ChengDu SanWei IP Technology LLC. Дата публикации: 2018-12-20.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING MULTIPLE ONE-TIME PROGRAMMABLE BITS TO CONTROL ACCESS TO A RESOURCE

Номер патента: US20180374554A1. Автор: McWilliams John L. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

One time programmable memory test structures and methods

Номер патента: US8122307B1. Автор: Todd E. Humes,Chad A. Lindhorst,Andrew E. Horch,Ernest Allen, III. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

One time programmable device, electronic system including the same and operating method of the same

Номер патента: KR100791071B1. Автор: 오형록,정창욱,공준혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-02.

Antifuse one time programmable memory and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100667894B1. Автор: 박성근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-01-11.

And-type one time programmable memory cell

Номер патента: CA2682092C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

OTP(One Time Programmable) Memory Device for improving Write Performance

Номер патента: KR102466355B1. Автор: 이상석,방훈진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-11-14.

Circuit for Reading the One Time Programmable memory

Номер патента: KR102071328B1. Автор: 유범선. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2020-03-03.

One-time programmable memory cell

Номер патента: US20100284210A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

Crosspoint memory array utilizing one time programmable antifuse cells

Номер патента: US7110278B2. Автор: Fabrice Paillet,Muhammad M. Khellah,Dinesh Somasekhar,Yibin Ye,Vivek K. De,Stephen H. Tang,Ali Keshavarzi,Mohsen Alavi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Control method for a memory cell with one-time programmable non-volatile CMOS memory

Номер патента: DE69800188D1. Автор: Richard Fournel,Fabrice Marinet. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2000-08-03.

One time programmable memory

Номер патента: US20060139995A1. Автор: Fabrice Paillet,Vivek De,Dinesh Somasekhar,Yibin Ye,Ali Keshavarzi,Mohsen Alavi,Muhammad Khellah,Stephen Tang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Multi-station burning system and corresponding OTP (one time programmable) detector

Номер патента: CN113764003B. Автор: 文爱华,胡剑鸣,蒋海锁,何璐君. Владелец: Shenzhen Tech Sen Automation Equipment Co ltd. Дата публикации: 2022-01-28.

One-time programmable memory and its data recording method

Номер патента: TWI269306B. Автор: Yi-Jou Huang,Shiau-Lung Wu. Владелец: Fortune Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

One-time programmable memory cell

Номер патента: EP0996064A1. Автор: Francois Jacquet,Richard Ferrant. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2000-04-26.

Differential one-time-programmable (OTP) memory array

Номер патента: US9496048B2. Автор: Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Reusable sold-state one-time programmable read only memory

Номер патента: US20030193826A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Kan-Chuan Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Method for programming and reading a plurality of one-time programmable memory blocks

Номер патента: US6728137B1. Автор: Ching-Yuan Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-27.

One-time programmable devices including chalcogenide material and electronic systems including the same

Номер патента: US20100090213A1. Автор: Hyung-rok Oh,Chang-Wook Jeong,Jun-Hyok Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Circuit and system for testing a one-time programmable (OTP) memory

Номер патента: US8917533B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Shine C. Chung. Дата публикации: 2014-12-23.

One time programmable memory cell, and otp memory and memory system having the same

Номер патента: KR102524804B1. Автор: 하민열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-24.

One-time programmable memory device and methods thereof

Номер патента: US20110107010A1. Автор: Timothy J. Strauss,Kelly K. Taylor. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-05-05.

Multilevel one-time programmable memory device

Номер патента: US8054667B2. Автор: Hoon-Sang Oh,Dong-ki Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

System and method for providing write termination for one-time programmable memory cells

Номер патента: CN115210813A. Автор: H·李,金基中,A·C·科塔. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-10-18.

Method using a one-time programmable memory cell

Номер патента: US7376022B2. Автор: Myron Buer,Douglas D. Smith,Bassem F. Radieddine. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

Multi-bit-per-cell three-dimensional one-time-programmable memory

Номер патента: US10102917B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-10-16.

One-time programmable memory device and methods thereof

Номер патента: CN102597975A. Автор: K·K·泰勒,T·J·施特劳斯. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-18.

One time programmable element system in an integrated circuit

Номер патента: US20080304347A1. Автор: Prashant U. Kenkare,Michael Zimin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Method using a one-time programmable memory cell

Номер патента: US20070041246A1. Автор: Myron Buer,Douglas Smith,Bassem Radieddine. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Retention improvement technique for one time programmable non-volatile memory

Номер патента: US6982907B1. Автор: Vladislav Vashchenko,Peter J. Hopper,Yuri Mirgorodski. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

One-time-programmable memory emulation

Номер патента: US8417902B2. Автор: Jean-Pascal Maraninchi,Majid Kaabouch,Carine Lefort. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-09.

Single circuit one-time programmable memory and volatile memory

Номер патента: US10297334B2. Автор: Vikram Gakhar,Preetam Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Anindita BORAH,Kushal D. Murthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Non-volatile memory devices and systems including phase-change one-time-programmable (OTP) memory cells and related methods

Номер патента: US7457152B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-25.

One-time-programmable cell and otp memory having it

Номер патента: KR100845407B1. Автор: 조기석,신창희. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-07-10.

Circuit and system of using junction diode as program selector for metal fuses for one-time programmable devices

Номер патента: US9431127B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Circuit and method for programming a one-time programmable memory

Номер патента: US11183258B1. Автор: Pavel Latal,Pavel Londak,Petr Hlavica. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-11-23.

Differential Latch-Based One Time Programmable Memory

Номер патента: US20090109724A1. Автор: Myron Buer,Jonathan Schmitt,Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

One-time programmable cell circuit and semiconductor integrated circuit having the same

Номер патента: JP5302157B2. Автор: 宏幸 古川,功夫 成竹. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-02.

One time programmable memory

Номер патента: US11651826B2. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

OTP (one time programmable) embedded memory and programming method and reading method thereof

Номер патента: CN110459257B. Автор: 王志刚,李弦,贾宬. Владелец: Zhuhai Chuangfeixin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-23.

Electrical fuse one time programmable (otp) memory

Номер патента: US20240046992A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park,Jong Min CHO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Electrical fuse one time programmable (OTP) memory

Номер патента: US11854622B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park,Jong Min CHO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

One-time programmable memory bit cell

Номер патента: US11817160B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US20160247580A1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof

Номер патента: US9653177B1. Автор: Chih-Hao Huang,Yung-Jui Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Programming method of one-time programmable memory of integrated circuit

Номер патента: TW200807424A. Автор: Po-Yin Chao,Kuo-Yuan Yuan,Hsiang-Min Lin. Владелец: Fortune Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-02-01.

One-time programmable memory bit cell

Номер патента: US20240071536A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Verifiable one-time programmable memory device

Номер патента: EP4205113A1. Автор: Hakan Englund,Niklas LINDSKOG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-07-05.

면적 감소를 위해 다이오드 회로를 이용하는 otp(one-time programmable) 메모리 셀 회로들, 및 관련된 otp 메모리 셀 어레이 회로들 및 방법들

Номер патента: KR20230088697A. Автор: 호철 이,아닐 차우다리 코타,앤 스리칸스. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2023-06-20.

One-time programmable (otp) memory cell circuits employing a diode circuit for area reduction, and related otp memory cell array circuits and methods

Номер патента: EP4233054A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Anne Srikanth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

One-time programmable memory bit cell

Номер патента: US20210249095A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Min-Shin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Read-write circuit of one-time programmable memory

Номер патента: EP3905252A4. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

Verifiable one-time programmable memory device

Номер патента: US20230317187A1. Автор: Hakan Englund,Niklas LINDSKOG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and cleaning system

Номер патента: US20220238356A1. Автор: Chao Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and cleaning system

Номер патента: US12106975B2. Автор: Chao Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and Apparatus for Providing Multiple Power Domains to A Programmable Semiconductor Device

Номер патента: US20220393685A1. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Method and apparatus for providing multiple power domains a programmable semiconductor device

Номер патента: US20210376834A1. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Vertically mountable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20020008310A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Vertically mountable and alignable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20010026023A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

AlxGayIn1-x-yN CRYSTALLINE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING SAID DEVICE

Номер патента: RU2401481C2. Автор: Томоки УЕМУРА,Син ХАСИМОТО,Такудзи ОКАХИСА,Мунейюки НИСИОКА,Синсуке ФУДЗИВАРА,Кодзи УЕМАЦУ,Манабу ОКУИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-10-10.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20240347635A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20230299204A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363417A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Socket device for testing semiconductor device

Номер патента: US09494616B2. Автор: Dong Weon Hwang,Jae Baek Hwang,Jae Suk Hwang. Владелец: HICON CO Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of determining temperature of semiconductor device

Номер патента: US20240044720A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chang-Yu Huang,Chih-Pin Hung,Sin-I Du,Sui-An Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Handler for testing semiconductor device and method for checking whether semiconductor device remains using the same

Номер патента: US09964588B2. Автор: Jae Hun Jeong,Sung Il KWON. Владелец: Techwing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: WO2017039874A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Stacked semiconductor device assembly

Номер патента: US09880959B2. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device including low-voltage device and middle-voltage device, display driving device including the same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266368A1. Автор: Kee Joon Choi. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, display device and electronic device

Номер патента: US09984640B2. Автор: Yasunori Yoshida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20240257751A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Kouhei Toyotaka,Yuto Yakubo,Seiko Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having an inter-layer via (ilv), and method of making same

Номер патента: US20210272968A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09842830B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US8659018B2. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20110297932A1. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

PCSS-based semiconductor device, switching device, and method

Номер патента: US09595623B1. Автор: Chenggang Xie. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US7859915B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Method and system for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US8673764B1. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

Semiconductor Device

Номер патента: US20030038330A1. Автор: Ayumi Obara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240334671A1. Автор: Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US9620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices with flexibility in capacitor design for power noise reduction

Номер патента: EP4084065A1. Автор: Chang Liang,Jinghao Chen,Yung-Ching Chen,Zhigang Duan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249368A1. Автор: Meng-Wei Hsieh,Kuo-Chang KANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240266238A1. Автор: Kyeong Tae Kim,Tae Yong Lee,Yi Seul Han,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor Device Having a Flexible Printed Circuit

Номер патента: US20090091014A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Junya Maruyama,Toru Takayama,Noriko Shibata,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240274512A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12100672B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371791A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110186968A1. Автор: Takeshi Kishida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US20170301581A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112981B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US09728535B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device structure having protection caps on conductive lines

Номер патента: US11557508B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor device structure with protection cap

Номер патента: US20200381293A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Switching board on aluminum nitride for power and high-power microwave semiconductor devices, mounted on the base of the device housing

Номер патента: RU2696369C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Андрей Сергеевич Корпухин. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20150061001A1. Автор: Masahiro Ikeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for semiconductor device planarization

Номер патента: US20020151137A1. Автор: Byoung-Ho Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11488829B1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20240258182A1. Автор: Jae Yun Kim,Min Hwa Chang,Byoung Woo Cho,Ju Hyung Lee,Dong Joo Park,Jin Young Khim,Shaun Bowers,Seul Bee Lee,Won Bae Bang,Se Hwan Hong,Gyu Wan Han,Gi Tae LIM,Myung Jea Choi,Seung Jae Yu,Sang Goo Kang,Kyung Rok Park. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20180190543A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220301939A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220068718A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220367192A1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of fabricating semiconductor device for preventing polysilicon line being damaged during removal of photoresist

Номер патента: US20020160601A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Hao Lin,Cheng-Tung Huang,Shih-Chieh Hsu,Chang-Chi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160126309A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US12119237B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240355744A1. Автор: Ji Young Chung,Ron Huemoeller,Seung Chul Jang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having improved core and input/output device reliability

Номер патента: US09985015B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09905468B2. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893060B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09875972B1. Автор: Han-Ping Pu,Kai-Chiang Wu,Shou-Zen Chang,Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Chi-Ming Huang,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09825139B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and an integrated circuit comprising an ESD protection device, ESD protection devices and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09825020B2. Автор: Patrice Besse,Alexis Huot-Marchand,Alain SALLES,Jean-Philippe Laine. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device isolation using an aligned diffusion and polysilicon field plate

Номер патента: US09818742B2. Автор: William Larson. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Inductor embedded in a substrate of a semiconductor device

Номер патента: US20240332170A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Yu-Jui Wu,Harry-HakLay Chuang,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US20240290918A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US20160172318A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US11757072B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US09748185B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US6232146B1. Автор: Warren M. Farnworth,Walter L. Moden,Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20180226400A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Conductivity-controlled power semiconductor device

Номер патента: EP4409641A1. Автор: Qin Huang. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US20170133567A1. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor Device

Номер патента: US20220302290A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US20010050845A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20240365568A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Coupled polysilicon guard rings for enhancing breakdown voltage in a power semiconductor device

Номер патента: US12136646B2. Автор: Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device on hybrid substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991262B1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09929263B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US09882106B2. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Voltage fluctuation estimating method and apparatus, semiconductor device operation verification apparatus, semiconductor device designing method, printed circuit board designing method, and program

Номер патента: US20100023909A1. Автор: Yasuo Kouzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Method and system for derived layer checking for semiconductor device design

Номер патента: US20140040839A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method and system for organizing programmable semiconductor device into multiple clock regions

Номер патента: US12038781B2. Автор: Tianxin Wang,Ning Song,Jianhua Liu,Jinghui Zhu,ChienKuang Chen,Zhenyu Gu,Xiaozhi Lin,Diwakar Chopperla,Tianping Wang. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Analog switch for measuring sources with semiconductor devices under test

Номер патента: RU2751647C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-07-15.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Testing semiconductor devices

Номер патента: US09470719B2. Автор: Scott E. Meninger,Jonathan K. Brown,Rohan Arora. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192263A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Sivakumar Nadarajan,Amit K. Gupta,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for retesting semiconductor device

Номер патента: US7109740B2. Автор: Chiu-Cheng Lin,Chin-Chen Chuan,Cheng Chieh Lee,Kuei Lin Huang,Yong Liang Chen,Jui Liang Wang,Pao Ta Chien,Hsiang-Han Kung,Chao Hsiung Hwu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-09-19.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for retesting semiconductor device

Номер патента: US20060022697A1. Автор: Yong Chen,Cheng Lee,Jui Wang,Chiu-Cheng Lin,Chin-Chen Chuan,Hsiang-Han Kung,Kuei Huang,Pao Chien,Chao Hwu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Circuit and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US09863999B2. Автор: Masanori Miyata,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods and apparatus for organizing a programmable semiconductor device into multiple clock regions

Номер патента: US20240319762A1. Автор: Tianxin Wang,Ning Song,Jianhua Liu,Jinghui Zhu,ChienKuang Chen,Zhenyu Gu,Xiaozhi Lin,Diwakar Chopperla,Tianping Wang. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device feature density gradient verification

Номер патента: US20130346935A1. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Po-Zeng Kang,Young-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Control of semiconductor devices

Номер патента: GB2600049A. Автор: Laurence Pennock John,Paul Lesso John. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Control of semiconductor devices

Номер патента: US11831311B2. Автор: John Paul Lesso,John Laurence Pennock. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Control of semiconductor devices

Номер патента: WO2021014146A1. Автор: John Paul Lesso,John Laurence Pennock. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Limited. Дата публикации: 2021-01-28.

Control of semiconductor devices

Номер патента: US20220085814A1. Автор: John Paul Lesso,John Laurence Pennock. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods and apparatus for organizing a programmable semiconductor device into multiple clock regions

Номер патента: US20220083094A1. Автор: Tianxin Wang,Ning Song,Jianhua Liu,Jinghui Zhu,ChienKuang Chen,Zhenyu Gu,Xiaozhi Lin,Diwakar Chopperla,Tianping Wang. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US20090285214A1. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US8488606B2. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US11599631B2. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US20200143048A1. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Estimating a property of a semiconductor device using a quantum computing device

Номер патента: WO2024096767A1. Автор: Rui Hou,Ahsan Javed AWAN,Anders WINKA. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-05-10.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Dynamically adjusting operation of a circuit within a semiconductor device

Номер патента: US20090072855A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Raghukiran Sreeramaneni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Electrically programmable semiconductor device with concurrent program and verification operations

Номер патента: US6141253A. Автор: Chin-His Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244834A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Mei-Yuan CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of operating semiconductor device including variable resistance device

Номер патента: US20130051125A1. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Seong-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Anti-fuse one time programmable memory cell and anti-fuse one time programmable memory array

Номер патента: TWI644416B. Автор: 張家銓,陳瑞隆,陳裕文,蘇瑄淇,林敬翔. Владелец: 世界先進積體電路股份有限公司. Дата публикации: 2018-12-11.

NON-VOLATILE ONE-TIME-PROGRAMMABLE AND MULTIPLE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CONFIGURATION CIRCUIT

Номер патента: US20120140564A1. Автор: . Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

Multiple-State One-Time Programmable (OTP) Memory to Function as Multi-Time Programmable (MTP) Memory

Номер патента: US20120314473A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

Tri-states one-time programmable memory (otp) cell

Номер патента: TWI373825B. Автор: Hu YongZhong,TAI SUNG-SHAN,Cheng Chang Yu. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2012-10-01.

One time programmable read only memory and programming method thereof

Номер патента: TW201101466A. Автор: Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-01.

One time programmable read only memory

Номер патента: TW399306B. Автор: Guang-Ye Jang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-21.

Tri-states one-time programmable memory (OTP) cell

Номер патента: TW200816382A. Автор: Yu Cheng Chang,Sung-Shan Tai,Yongzhong Hu. Владелец: Alpha & Amp Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-04-01.

One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: GB202013530D0. Автор: . Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-14.

One time programmable read only memory

Номер патента: TW392344B. Автор: Guang-Ye Jang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-01.

One-time-programmable memory having memory cells with asymmetrical source and drain configuration

Номер патента: TWI254320B. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Cheng-Tung Huang,Jih-Wen Chou. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

One-time-programmable memory having memory cells with asymmetrical source and drain configuration

Номер патента: TW200502985A. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Cheng-Tung Huang,Jih-Wen Chou. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

One-time programmable memory and operating method thereof

Номер патента: TW201019464A. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Art Talent Ind Ltd. Дата публикации: 2010-05-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL INCLUDING ANTI-FUSE WITH METAL/POLYCIDE GATE

Номер патента: US20130114343A1. Автор: Chiu Re-Long,Ying Shu-Lan,Chung Wen-Szu. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2013-05-09.

Diode-Less Array for One-Time Programmable Memory

Номер патента: US20120008363A1. Автор: Han Tzung-Ting,Chen Kuan-Fu,CHEN YIN-JEN,Chen Ming Shang. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY AND THE MANUFACTURING METHOD AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120008364A1. Автор: Lai Tung-Ming,Hsueh Kai-An,Wang Teng-Feng. Владелец: MAXCHIP ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-12.

Apparatus and Method for Testing One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20120020139A1. Автор: Samuels Howard R.,Kelly Thomas W.. Владелец: Analog Devices, Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

One-Time Programmable Memory Cell

Номер патента: US20120039108A1. Автор: Chen Xiangdong,Xia Wei,Hui Frank. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-16.

CIRCUIT AND SYSTEM OF USING POLYSILICON DIODE AS PROGRAM SELECTOR FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES

Номер патента: US20120044737A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

CIRCUIT AND SYSTEM OF USING JUNCTION DIODE AS PROGRAM SELECTOR FOR ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES

Номер патента: US20120044739A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORIES USING JUNCTION DIODES AS PROGRAM SELECTORS

Номер патента: US20120044740A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20120092916A1. Автор: Samuels Howard R.,Kelly Thomas W.,Lee James M.. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR CAPACITOR, ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND FABRICATING METHOD AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120099361A1. Автор: . Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2012-04-26.

Circuit and System of Using Junction Diode as Program Selector for One-Time Programmable Devices

Номер патента: US20120224406A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

AREA EFFICIENT HIGH-SPEED DUAL ONE-TIME PROGRAMMABLE DIFFERENTIAL BIT CELL

Номер патента: US20120248538A1. Автор: Qiu Yunchen,Davis Harold L.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-10-04.

ONE-TIME PROGRAMMABLE DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120256293A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-10-11.

FINFET Based One-Time Programmable Device and Related Method

Номер патента: US20130051112A1. Автор: Chen Xiangdong,Xia Wei. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-28.

One-Time Programmable Device Having an LDMOS Structure and Related Method

Номер патента: US20130082325A1. Автор: ITO Akira,Chen Xiangdong. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-04.

On Current in One-Time-Programmable Memory Cells

Номер патента: US20130143375A1. Автор: Mitchell Allan T.,Tian Weidong,Pan Shanjen "Robert". Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-06.

CURRENT IN ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY CELLS

Номер патента: US20130143376A1. Автор: Mitchell Allan T.,Tian Weidong,Pan Shanjen "Robert". Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-06.

ONE-TIME PROGRAMMABLE FUSE READ

Номер патента: US20130170276A1. Автор: Daigle Tyler. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY, INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SAME, AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20130286710A1. Автор: Hall Jefferson W.,Halamik Josef,Londak Pavel. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

One-Time Programmable Memory Cell

Номер патента: US20140071731A1. Автор: Lu Yong,Schmitt Jonathan,Carlson Roy Milton,Hynes Owen. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

One time programmable latch and method

Номер патента: CN101128884A. Автор: 巴巴克·A·塔贺利,桑吉维·马赫许瓦里. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-02-20.

One time programmable (OTP) circuit

Номер патента: CN102543199A. Автор: 郭璐. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

OTP (one time programmable) burner for camera modules

Номер патента: CN103024280A. Автор: 王满龙,刘统权. Владелец: Kunshan Q Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

OTP (one time programmable) device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102916013A. Автор: 马春霞,王德进,张花威. Владелец: Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

One-time programmable non-volatile fuse memory cell

Номер патента: CN109903802B. Автор: 洪根刚. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-20.

Method for modeling P-channel metal oxide semiconductor (PMOS) one-time programmable memory (OTP) device

Номер патента: CN102081680B. Автор: 王正楠. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-01.

One time programmable memory and making, programming and reading method

Номер патента: CN101908547B. Автор: 朱一明,苏如伟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2012-07-25.

Method, system, medium and electronic device for realizing OTP (one time programmable) multiple programming

Номер патента: CN115712414A. Автор: 高鹰,刘泽义. Владелец: Geruitong Intelligent Technology Shenzhen Co ltd. Дата публикации: 2023-02-24.

OTP (one time programmable) device structure, OTP memory and operation method thereof

Номер патента: CN112687692B. Автор: 王志刚,李弦,贾宬. Владелец: Zhuhai Chuangfeixin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-24.

Cell structure of one-time programmable memory (OTP) device and manufacturing method and operating method of cell structure

Номер патента: CN102064178B. Автор: 胡晓明. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

One-time programmable memory and manufacturing method

Номер патента: CN102522408A. Автор: 吴小利,令海阳. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2012-06-27.

OTP (one time programmable) register reading-writing device

Номер патента: CN203773956U. Автор: 李林,胡健,伍俊. Владелец: HWA CREATE SHANGHAI CO Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

One time programmable (OTP) circuit

Номер патента: CN102543199B. Автор: 郭璐. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

Method for manufacturing one time programmable (OTP) device

Номер патента: CN102543884B. Автор: 张磊,王智勇,王德进. Владелец: Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-27.

One-time programmable read only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI258840B. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yen-Hao Shih,Shih-Ping Hong,Chia-Hua Ho,Shih-Chin Lee. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-21.

One-time programmable read only memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200634989A. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yen-Hao Shih,Shih-Ping Hong,Chia-Hua Ho,Shih-Chin Lee. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-01.

One time programmable read only memory and programming method thereof

Номер патента: TWI379408B. Автор: Tsung Mu Lai,Shih Chen Wang,Wen Hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2303314C1. Автор: Александр Васильевич Градобоев,Павел Владимирович Рубанов,Александр Васильевич Ащеулов. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2007-07-20.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Metal semiconductor device

Номер патента: RU2559161C1. Автор: Василий Иванович Юркин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-08-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2506660C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-02-10.

Device for cooling power semiconductor devices

Номер патента: RU2548052C1. Автор: Степан Александрович Панфилов,Валерий Михайлович Каликанов,Юрий Андреевич Фомин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2280915C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Адиль Мухадинович Кумахов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2256980C1. Автор: А.Г. Мустафаев,А.М. Кумахов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет. Дата публикации: 2005-07-20.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: RU2278448C2. Автор: Валерий Моисеевич Иоффе,Асхат Ибрагимович Максутов. Владелец: Асхат Ибрагимович Максутов. Дата публикации: 2006-06-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.