Verfahren zur herstellung eines dünnschicht-photovoltaik-systems und dünnschicht-photovoltaik-system
Номер патента: EP2404326A2
Опубликовано: 11-01-2012
Автор(ы): Dieter Ostermann
Принадлежит: Zylum Beteiligungs GmbH and Co Patente II KG
Опубликовано: 11-01-2012
Автор(ы): Dieter Ostermann
Принадлежит: Zylum Beteiligungs GmbH and Co Patente II KG
Реферат: Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Photovoltaik- Systems (2) mit einer flächigen Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiterschicht (7) als Absorber für Sonnenlicht und einer auf der Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiter- schicht (7) aufgebrachten Metallschicht (8), wobei die Metallchalkogenid-Verbindungs- halbleiterschicht (7) und die Metallschicht (8) an ihrer Kontaktfläche einen Schottky- Kontakt ausbilden. Die beschriebene technische Lösung zeichnet sich dadurch aus, dass die Metallchalkogenid-Verbindungshalbleiterschicht (7) durch Aufbringen einer Dispersion, die nanoskalige Partikel mit einem Durchmesser von ca. 3 bis 30 nm enthält, auf ein transparentes Substratmaterial (12) hergestellt wird, wobei die Schichtstärke der auf das Substratmaterial aufgebrachten Metallchalkogenid- Verbindungshalbleiterschicht (7) ca. 150 nm bis ca. 2500 nm beträgt.
Halbleiterchip, verfahren zur herstellung einer vielzahl an halbleiterchips und verfahren zur herstellung eines elektronischen oder optoelektronischen bauelements und elektronisches oder optoelektronisches bauelement
Номер патента: WO2016087374A1. Автор: Andreas Plossl,Bernd Barchmann,Fabian Eigenmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-09.