Россия, г. Королев.
eburdiyg@gmail.com
8 (903) 781-84-63
© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.
Metall-halbleiter feldeffekttransistor hoher leistung und hoher frequenz, hergestellt aus siliziumcarbid
Номер патента: ATE223109T1. Автор: John W Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2002-09-15.