Method for wafer outgassing control
Номер патента: US20170352557A1
Опубликовано: 07-12-2017
Автор(ы): Chun Yan, Xinyu Bao
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-12-2017
Автор(ы): Chun Yan, Xinyu Bao
Принадлежит: Applied Materials Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing method of the same
Номер патента: US20190287788A1. Автор: Cheng-Hsien Chou,Yung-Lung Lin,Chih-Hui Huang,Kuo-Hwa Tzeng,Hau-Yi Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.