• Главная
  • Coherent receiver having low voa-induced phase changes

Coherent receiver having low voa-induced phase changes

Реферат: A coherent receiver (10) includes a receive signal, SIG, path (14) including i) an input configured to connect a receive signal, ii) one or more signal paths connected to the input and to one or more optical hybrids (32), and iii) at least one variable optical attenuator, VOA (12); a local oscillator, LO, signal path (16) including an input configured to connect to an LO and the one or more optical hybrids (32); and a VOA-induced phase change compensation mechanism that reduces any VOA-induced phase change in a SIG-LO beat signal due to the at least one VOA (12).

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Coherent receiver having low voa-induced phase changes

Номер патента: WO2023177640A1. Автор: Francois Pelletier,Tom Luk,Sean Sebastian O'Keefe,Michel Poulin,Antoine Bois. Владелец: Ciena Corporation. Дата публикации: 2023-09-21.

Coherent receiver having low voa-induced phase changes

Номер патента: CA3210052A1. Автор: Francois Pelletier,Tom Luk,Sean Sebastian O'Keefe,Michel Poulin,Antoine Bois. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2023-09-17.

Coherent receiver having low VOA-induced phase changes

Номер патента: US20230299855A1. Автор: Francois Pelletier,Tom Luk,Sean Sebastian O'Keefe,Michel Poulin,Antoine Bois. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Coherent receiver having low voa-induced phase changes

Номер патента: EP4282094B1. Автор: Francois Pelletier,Tom Luk,Sean Sebastian O'Keefe,Michel Poulin,Antoine Bois. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Coherent receiver, method, and system for coherent light source frequency offset estimation and compensation

Номер патента: US09900107B1. Автор: Lei Gao,Yin Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Digital coherent receiver and skew adjustment method thereof

Номер патента: US20200396005A1. Автор: Masao Morie. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Coherent receiver based virtual optical spectrum analyzer

Номер патента: US09793984B2. Автор: Andrew Sinclair,Eric Maniloff. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for carrier frequency recovery and optical intradyne coherent receiver

Номер патента: WO2010145075A1. Автор: Changsong Xie. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-12-23.

Optical coherent receiver

Номер патента: US5325226A. Автор: Giok D. Khoe. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Coherent receiving device and anemometry lidar system

Номер патента: EP4246835A1. Автор: Bo Zhang,Honggang Chen,Chuan SHI,Xuerui LIANG,Xuanxuan Cheng. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Signal processing method and apparatus, and coherent receiver

Номер патента: US20230163857A1. Автор: Wanyang Wu,Dmitry Anatolievich DOLGIKH,Plotnikov PAVEL. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Signal processing method and apparatus, and coherent receiver

Номер патента: EP4150794A1. Автор: Wanyang Wu,Dmitry Anatolievich DOLGIKH,Plotnikov PAVEL. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Method and System for Pilot-Based Time Domain Phase Noise Mitigation for Coherent Receiver

Номер патента: US20130259174A1. Автор: Ting Wang,Dayou Qian. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Signal processing method and apparatus, and coherent receiver

Номер патента: US12081275B2. Автор: Wanyang Wu,Dmitry Anatolievich DOLGIKH,Plotnikov PAVEL. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated coherent receiver for distributed fiber sensing apparatus

Номер патента: US20210336695A1. Автор: Gideon Yoffe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-28.

Integrated coherent receiver for distributed fiber sensing apparatus

Номер патента: US20230421255A1. Автор: Gideon Yoffe. Владелец: Fiber Sense Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated coherent receiver for distributed fiber sensing apparatus

Номер патента: EP4143517A1. Автор: Gideon Yoffe. Владелец: Fiber Sense Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Coherent receiving device and anemometry lidar system

Номер патента: US20240007194A1. Автор: Bo Zhang,Honggang Chen,Chuan SHI,Xuerui LIANG,Xuanxuan Cheng. Владелец: Accelink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Multi-wavelength coherent receiver with a shared optical hybrid and a multi-wavelength local oscillator

Номер патента: SG196804A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Self-coherent receiver based on single delay interferometer

Номер патента: US11757534B1. Автор: Dong Wang,Yibo Zhao,Dongsheng Chen. Владелец: Beijing Zhongke Guoguang Quantum Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Digital coherent receiver, optical reception system, and optical reception method

Номер патента: US20140328602A1. Автор: Katsumi Fukumitsu,Yuichirou SAKAMOTO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

A coherent receiver optical sub-assembly

Номер патента: EP4092932A1. Автор: Ahmed Osman,Ilias Sourikopoulos,Leontios Stampoulidis. Владелец: Leo Space Photonics. Дата публикации: 2022-11-23.

Phase error estimator, coherent receiver and phase error estimating method

Номер патента: US20090141831A1. Автор: Hisao Nakashima,Zhenning Tao,Lei Ll. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Phase error estimator, coherent receiver and phase error estimating method

Номер патента: US8750443B2. Автор: Lei Li,Hisao Nakashima,Zhenning Tao. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-06-10.

Determining a position of user equipment by using adaptive phase-changing devices

Номер патента: EP4162287A1. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Determining a position of user equipment by using adaptive phase-changing devices

Номер патента: AU2021309975B2. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Multiple-input, multiple-output transmissions using adaptive phase-changing devices

Номер патента: EP4437656A1. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-10-02.

Position control of adaptive phase-changing devices

Номер патента: AU2021277195B2. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Position control of adaptive phase-changing devices

Номер патента: US12015459B2. Автор: Jibing Wang,Erik Richard Stauffer. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Method and apparatus for real-time demodulation of a gmsk signal by a non-coherent receiver

Номер патента: CA2075302C. Автор: David L. Weigand. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-08-27.

Methods and apparatus for phase change detection using a resonator

Номер патента: US20230370313A1. Автор: Benjamin P. Dolgin,Gary M. Graceffo,Andrew Kowalevicz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-11-16.

Phase-change memory cell, phase-change memory, electronic device and preparation method

Номер патента: EP4343869A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: EP4262006A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase-change microcapsule, separator, electrode plate, battery, and electrical device

Номер патента: US20230395903A1. Автор: Shaojun Niu,Fengsheng Han. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: US20230284541A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: US20240130253A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase change memory, electronic device, and preparation method for phase change memory

Номер патента: EP4354525A1. Автор: Xiang Li,Ping Ma. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Three terminal phase change memory with self-aligned contacts

Номер патента: US12108692B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin W. Brew. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US09653683B2. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Phase change material (pcm) switch having low heater resistance

Номер патента: US20240099022A1. Автор: Hai-Dang Trinh,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: EP1264343A2. Автор: Damion T. Searls,Terrance J. Dishongh,David H. Pullen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Apparatus and method for passive phase change thermal management

Номер патента: MY137459A. Автор: PULLEN David,Terrance J Dishongh,Damion T Searls. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-30.

Phase change memory cell with heat shield

Номер патента: US20140252294A1. Автор: Chung H. Lam,Alejandro G. Schrott,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Single-Crystal Phase Change Material on Insulator for Reduced Cell Variability

Номер патента: US20140069577A1. Автор: Guy Cohen,Simone Raoux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Phase change memory and method for making the same

Номер патента: US20220231224A1. Автор: Zhitang Song,Sannian Song. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-21.

Phase change material based temperature sensor

Номер патента: US20090001336A1. Автор: Robert Mcmahon,Chung Hon Lam,Nazmul Habib. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20210376237A1. Автор: Yu Zhu,Chung-Hon Lam,Kuo-Feng Lo. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Phase change memory cell with improved phase change material

Номер патента: US20150048291A1. Автор: Simone Raoux,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Phase change memory cells

Номер патента: US09773977B2. Автор: Roberto Bez,Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Electronic chip with two phase change memories

Номер патента: US20230309423A1. Автор: Remy Berthelon,Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase change liquid cooling heat dissipation device

Номер патента: EP4239671A1. Автор: Xin Nie,Ruohan Yang,Yongheng WANG. Владелец: Thero New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Spike-timing-dependent plasticity using inverse resistivity phase-change material

Номер патента: WO2023011885A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Heat retentive food servingware with temperature self-regulating phase change core

Номер патента: AU3822897A. Автор: Brian L. Clothier,Amil J. Ablah. Владелец: Thermal Solutions Inc. Дата публикации: 1998-02-20.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US9837604B2. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices using semiconductor-metal phase change materials

Номер патента: EP4401149A2. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Heat sink with internal chamber for phase change material

Номер патента: WO2020148728A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-07-23.

Configurable circuits using phase change switches

Номер патента: US20080029753A1. Автор: Yang Xu,Mehdi Asheghi,Lawrence Pileggi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Phase Change Memory Cells And Methods Of Forming Phase Change Memory Cells

Номер патента: US20140252302A1. Автор: Damon E. Van Gerpen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: EP3238283A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20160181324A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: WO2016105750A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Phase-change memory cell implant for dummy array leakage reduction

Номер патента: US20170125671A1. Автор: Max F. Hineman,Ugo Russo,Lequn J. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Phase change memory cell with heater and method therefor

Номер патента: US20120007031A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Dharmesh Jawarani,Leo Mathew,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US11107525B2. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-31.

Forced air cooling system with phase change material

Номер патента: US20190390096A1. Автор: Giti Karimi-Moghaddam,Pietro CAIROLI,Taosha Jiang. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-12-26.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for fabricating phase change memory

Номер патента: US20140162428A1. Автор: Yoshihiro Hirota,Kenichi Oyama,Hajime Nakabayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Phase Change Magnetic Ink And Process For Preparing Same

Номер патента: US20120162306A1. Автор: Peter G. Odell,Gabriel Iftime,C. Geoffrey Allen,Caroline Turek. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Doped phase change material and pram including the same

Номер патента: US20080149908A1. Автор: Matthias Wuttig,Yoon-Ho Khang,Ki-Joon Kim,Dong-Seok Suh,Daniel Wamwangi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Phase change memory device

Номер патента: US20090194759A1. Автор: Chien-Min Lee,Chin-Fu Kao,Tsung-Shune Chin,Ming-Jinn Tsai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2009-08-06.

Phase change memory with finite annular conductive path

Номер патента: US20100328994A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-30.

Phase change memory with metastable set and reset states

Номер патента: US20160125938A1. Автор: Wanki Kim,Chung H. Lam,Sangbum Kim,Matthew J. BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Phase change memory cell and phase change memory

Номер патента: US20150318469A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Peng Liu,Qun-Qing Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Phase change material-based data center cooling system

Номер патента: US09681589B1. Автор: James R. Hamilton,Peter G. Ross,Michael P. Czamara. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Double self-aligned phase change memory device structure

Номер патента: US09640757B2. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: WO2024081081A1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-23.

Phase change memory cell with high read margin at low power operation

Номер патента: EP1846961A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-10-24.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US12051792B2. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: US20230123642A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: AU2021234173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: WO2021181173A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-16.

Phase change memory having gradual reset

Номер патента: GB2609776A. Автор: LI NING,Sadana Devendra,KIM WANKI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20220173309A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: US20230189669A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: CA3194448A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-09.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: WO2022117264A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor stack incorporating phase change material

Номер патента: US20140061580A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Phase-change material-based XOR logic gates

Номер патента: US12058943B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20190096480A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-03-28.

Phase change memory device

Номер патента: US8263963B2. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Phase Change Memory Device

Номер патента: US20110180774A1. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US11735786B1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Metal oxide liner for cross-point phase change memory cell

Номер патента: US20220102625A1. Автор: Rajesh Venkatasubramanian,Hari Chandrasekaran,Hoi-sung Chung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Phase change storage unit and phase change memory

Номер патента: US20240268242A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Phase change material in substrate cavity

Номер патента: US20200118990A1. Автор: Cheng Xu,YING Wang,Chong Zhang,Junnan Zhao,Yikang Deng,Zhimin Wan,Kyu-Oh Lee,Chandra Mohan M. Jha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Data center and phase change coolant distribution unit thereof

Номер патента: US20240365517A1. Автор: Shu-Jung Yang,Chih-Yao Wang,Heng-Chieh Chien. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-10-31.

Multi-level phase change memory

Номер патента: US09747975B2. Автор: Charles C. Kuo,Ilya V. Karpov. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Battery pack with phase change material

Номер патента: US09742047B2. Автор: Troy C. Thorson,Michael Kolden,Jeremy R. Ebner,Cameron R. Schulz,Todd M. Gehring. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Thermal management in electronic apparatus with phase-change material and silicon heat sink

Номер патента: US09502740B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Phase change memory element and method of making the same

Номер патента: US7456460B2. Автор: Yi-Chou Chen,Hsiang-Lan Lung,Geoffrey W. Burr. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-25.

Phase change switch device

Номер патента: WO2023227773A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change nano electro-mechanical relay

Номер патента: US11742162B2. Автор: James Best,Gianluca Piazza. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-29.

Phase change nano electro-mechanical relay

Номер патента: US20240062975A1. Автор: James Best,Gianluca Piazza. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200303638A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: EP3622556A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2020-03-18.

Optoelectronic device using a phase change material

Номер патента: WO2018206919A1. Автор: Syed Ghazi Sarwat,Harish Bhaskaran,Gerardo Rodriguez HERNANDEZ. Владелец: Oxford University Innovation Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10720575B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006646A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US10811607B2. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US10923653B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-16.

Phase-change storage unit, phase-change memory, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240114808A1. Автор: Xiang Li,Xin Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Phase change memory unit and phase change memory

Номер патента: EP4391016A1. Автор: Xiang Li,Hao Tong,Xin Chen,Ping Ma,Yanrong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Phase change memory with gradual resistance change

Номер патента: US20200006645A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Phase Change Inhibited Materials for Lithium-ion Battery Cooling

Номер патента: AU2020100654A4. Автор: Dongya Lu,Qinglong Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-04.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

3d phase change memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240224541A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Thermal management system with phase change and auxiliary cooling systems

Номер патента: US20220418168A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Laser Chalcogenide Phase Change Device

Номер патента: US20090179201A1. Автор: Robert Hainsey,Andy E. Hooper,Allen Kawasaki. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: WO2007109021A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-09-27.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: WO2006121473A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-16.

Cooling fin using phase change material and battery module including the same

Номер патента: US20240213570A1. Автор: Kihoon AHN. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Regenerative preheater for phase change cooling applications

Номер патента: US20230247795A1. Автор: Bahgat Sammakia,Sadegh Khalili. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2023-08-03.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Thermoelectric cooling and/or moderation of transient thermal load using phase change material

Номер патента: WO2006047240A3. Автор: Uttam Ghoshal. Владелец: NanoCoolers Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20190006421A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Etching process for phase-change films

Номер патента: US20090246964A1. Автор: Yi-Chou Chen,Huai-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Phase-change heat dissipater and power module

Номер патента: US20230360999A1. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Nianan PAN,Jie Ding,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Qiyao Zhu. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Short bridge phase change memory cells and method of making

Номер патента: US20090289243A1. Автор: Song S. Xue,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-26.

Laser chalcogenide phase change device and method

Номер патента: WO2009088910A3. Автор: Robert Hainsey,Andy E. Hooper,Allen Kawasaki. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2009-09-11.

Laser chalcogenide phase change device and method

Номер патента: WO2009088910A2. Автор: Robert Hainsey,Andy E. Hooper,Allen Kawasaki. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2009-07-16.

Reducing shunts in memories with phase-change material

Номер патента: US20050136557A1. Автор: Chien Chiang,Daniel Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-23.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067487A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase Change Memory Cell Design with Adjusted Seam Location

Номер патента: US20080179591A1. Автор: Alejandro Gabriel Schrott,Thomas Happ,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Phase change memory

Номер патента: US20110193047A1. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Heatsinks comprising a phase change material

Номер патента: US12082374B2. Автор: Jason Graham. Владелец: Simmonds Precision Products Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Switch based on a phase-change material

Номер патента: US20240298552A1. Автор: Bruno Reig,Denis Mercier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-05.

Swich based on a phase-change material

Номер патента: US20240298554A1. Автор: Bruno Reig,Denis Mercier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20150357563A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Battery with selective phase change features

Номер патента: AU2024220103A1. Автор: Lewis Romeo Hom. Владелец: Wisk Aero LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

A multifunctional tunable metasurface using vo2 phase changing material

Номер патента: WO2024197816A1. Автор: Huanhuan Gu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Phase-change memory cell

Номер патента: US12114580B2. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-10-08.

Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698346B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Phase-change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060006374A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US20090020741A1. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Phase change memory unit and preparation method therefor

Номер патента: US20240065120A1. Автор: Ming Li,Min Zhong,Gaoming FENG. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20230343531A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Phase change memory with gradual conductance change

Номер патента: US20200219933A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Integrated switch using stacked phase change materials

Номер патента: US20220285614A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Phase Change Memory with Various Grain Sizes

Номер патента: US20140110656A1. Автор: Fu-Liang Yang,Tzyh-Cheang Lee,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Memory device including phase-change material

Номер патента: US20230380195A1. Автор: Kiyeon YANG,Changseung LEE,Dongho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Encapsulated phase change porous layer

Номер патента: US20200258811A1. Автор: Shailesh N. Joshi. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20120108037A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Memory device with improved phase change material nucleation rate

Номер патента: US20210305318A1. Автор: Dan Gealy,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Phase change memory device with reinforced adhesion force

Номер патента: US7687795B2. Автор: Hae Chan PARK,Nam Kyun PARK,Cheol Seong Hwang,Byung Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Phase change heat storage rubber, method for preparing the same, and using method thereof

Номер патента: US20220081601A1. Автор: Liqiang Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4266482A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-25.

Phase change memory with graded heater

Номер патента: US20220416162A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Multi-layer phase change memory device

Номер патента: WO2022142647A1. Автор: Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Nicole Saulnier,Matthew Joseph BrightSky,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-07-07.

Small footprint phase change memory cell

Номер патента: US20140166967A1. Автор: Eric A. Joseph,Chung H. Lam,Hsiang-Lan Lung,Matthew J. Breitwisch. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase change memory with multi-level programming

Номер патента: US20230301207A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Phase change memory with reduced programming current

Номер патента: US20230284543A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Self-aligned embedded phase change memory cell

Номер патента: US20200161370A1. Автор: Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Phase change material energy storage for electric vehicle thermal management system and method

Номер патента: EP4382331A2. Автор: Weiye Yuan,Hong Quan Lu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Thermal management of integrated circuits using phase change material and heat spreaders

Номер патента: EP2842161A1. Автор: LIANG Cheng,Zhongping Bao,James D. BURRELL. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-03-04.

Phase change material variable capacitor

Номер патента: US20140376149A1. Автор: Mark C. Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Lateral phase change memory

Номер патента: US20110003454A1. Автор: Richard Dodge,Guy Wicker. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-01-06.

Computing device with phase change material thermal management

Номер патента: US20150271908A1. Автор: Manish Arora,Michael J. Schulte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-24.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Phase change cooling device and control method

Номер патента: US20200224983A1. Автор: Masanori Sato,Minoru Yoshikawa,Arihiro Matsunaga,Koichi TODOROKI,Mizuki WADA. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Phase-change memory with supply-voltage regulation circuit

Номер патента: EP3767627A1. Автор: Mr. Michele LA PLACA,Mr. Fabio Enrico Carlo DISEGNI,Mr. Federico GOLLER. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-20.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Phase-change memory

Номер патента: US20240276894A1. Автор: Philippe Boivin,Roberto Simola,Yohann MOUSTAPHA-RABAULT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase change photovoltaic thermal management device

Номер патента: US20240266457A1. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-08.

Solar photovoltaic powered phase change material thermal energy storage system

Номер патента: US20240125492A1. Автор: Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-04-18.

Phase change material (pcm)-based conductive thermal actuator switch

Номер патента: EP4402417A1. Автор: James E. Benedict,Andrew J. Pitts. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-24.

Solar photovoltaic powered phase change material thermal energy storage system

Номер патента: US12092360B2. Автор: Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-09-17.

Phase change material

Номер патента: US20240292762A1. Автор: Fumio Sato,Yoshimasa Matsushita. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Cooling mechanism for high-brightness X-ray tube using phase change heat exchange

Номер патента: US09905390B2. Автор: Xiaodong Xiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

Materials and components in phase change memory devices

Номер патента: US09741930B2. Автор: Davide Erbetta,Valter Soncini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change memory stack with treated sidewalls

Номер патента: US09673256B2. Автор: SHU QIN,Yongjun Jeff Hu,Tsz W. Chan,Everett Allen McTeer,Swapnil Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Phase change memory and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2004055916A3. Автор: Charles H Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Multi-terminal phase change devices

Номер патента: WO2007056171A3. Автор: Vei-Han Chan,Antonietta Oliva,Narbeh Derhacobian,Louis C Ii Kordus. Владелец: Louis C Ii Kordus. Дата публикации: 2009-04-30.

Phase change memory cell including multiple phase change material portions

Номер патента: EP1783844A3. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philip. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-12-08.

Vertical phase change bridge memory cell

Номер патента: US11683998B2. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Phase change random access memory

Номер патента: US7504652B2. Автор: Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-03-17.

Composite phase change material

Номер патента: CA2812332C. Автор: Dezhong Yang,Hao Du,Jianjun Shuang. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

A composite phase change material

Номер патента: GB2501393A. Автор: Dezhong Yang,Hao Du,Jianjun Shuang. Владелец: Chevron HK Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Encapsulated phase change cell structures and methods

Номер патента: US8058095B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Storage node, phase change random access memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070200108A1. Автор: Ki-Joon Kim,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Self-aligned process for manufacturing a phase change memory cell and phase change memory cell thereby manufactured

Номер патента: EP1469532A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Phase change switch device and method of operating a phase change switch device

Номер патента: US11863168B2. Автор: Hans Taddiken,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-02.

Phase Change Switch Device and Method of Operating a Phase Change Switch Device

Номер патента: US20230021991A1. Автор: Hans Taddiken,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-26.

Phase-change memory with an insulating layer on a cavity sidewall

Номер патента: US11800821B2. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods Of Manufacturing Non-Volatile Phase-Change Memory Devices

Номер патента: US20120088347A1. Автор: Dong-ho Ahn,Young-Kuk Kim,Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: WO2022117279A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory constructions comprising thin films of phase change material

Номер патента: US20140110658A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Methods of forming a phase change material

Номер патента: US20130017664A1. Автор: Keith R. Hampton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Dissipating heat using phase change material

Номер патента: US10524392B1. Автор: Tsung-Yu Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Lateral phase change memory cell

Номер патента: US20230309425A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Low current phase-change memory device

Номер патента: US20230397510A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Polyurethane phase-change compositions and methods of manufacture thereof

Номер патента: GB2583389A. Автор: WEI MING,Litke Brian. Владелец: Rogers Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US11276818B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Phase change memory structure comprising phase change alloy center-filled with dielectric material

Номер патента: US20130284999A1. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Phase change memory with supply voltage regulation circuit

Номер патента: US20210012836A1. Автор: Michele La Placa,Fabio Enrico Carlo Disegni,Federico Goller. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor devices using insulator-metal phase change materials

Номер патента: WO2020154028A1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2020-07-30.

Vertical phase change memory device

Номер патента: WO2024037524A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-22.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20140369114A1. Автор: Charalampos Pozidis,Chung Hon Lam,Sangbum Kim,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Multi-Bit Storage Device Using Phase Change Material

Номер патента: US20240016071A1. Автор: Timothy Crockett,Lester Bartus, JR.. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Holdings Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20060289850A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Norikatsu Takaura. Дата публикации: 2006-12-28.

Phase change memory and phase change recording medium

Номер патента: US20050156150A1. Автор: Tomio Iwasaki,Hideyuki Matsuoka,Hiroshi Moriya,Norikatsu Takaura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Multi-bit phase change memory devices

Номер патента: US20100220520A1. Автор: Hong-Sik Jeong,Gi-Tae Jeong,Young-Nam Hwang,Soon-Oh Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Reducing contact resistance of phase change memory bridge cell

Номер патента: US20230165170A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zuoguang Liu,Arthur Gasasira. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Bridge cell phase change memory

Номер патента: US20230200266A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Multi-level programming of phase change memory device

Номер патента: WO2023104452A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Switch based on phase-change material

Номер патента: US20240023467A1. Автор: Bruno Reig,Stephane Monfray,Alain Fleury. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-18.

Battery cell with phase change core

Номер патента: US20200303790A1. Автор: Ying Liu,Brennan Campbell,Scott Monismith,Yifan Tang,Derek Wong. Владелец: SF Motors Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Insulated phase change memory using porous dielectrics

Номер патента: WO2023041296A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW,Anirban Chandra. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-03-23.

Heat sink for semiconductor die employing phase change cooling

Номер патента: WO2003073475B1. Автор: Ajit Dubhashi. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Magnetic Phase Change Material for Heat Dissipation

Номер патента: US20190096780A1. Автор: Michael Roesner,Christoph Bergmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-28.

Phase change memory structure and the same

Номер патента: US20200287130A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Phase-change memory

Номер патента: US20200381617A1. Автор: DANIEL Benoit,Philippe Boivin,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-12-03.

Phase change memory device and fabrication thereof

Номер патента: US20100213432A1. Автор: Chien-Min Lee,Ming-Jeng Huang,Jen-Chi Chuang,Jia-Yo Lin,Min-Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Phase change memory coding

Номер патента: US20140119110A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11127790B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Integrated schottky diode phase change memory device

Номер патента: EP4256631A1. Автор: Lawrence Clevenger,Timothy Mathew Philip,Kevin BREW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20190363136A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Phase-change memory cells

Номер патента: US20150001457A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Phase Change Switch Arrangement

Номер патента: US20240122081A1. Автор: Valentyn Solomko,Dominik Heiss,Semen Syroiezhin,Christian BUTSCHKOW,Jochen Braumueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-11.

Vertical phase change memory device

Номер патента: US20240065119A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Thermal management using phase change material

Номер патента: US20170176118A1. Автор: Michael K. Patterson,Andrew C. Alduino. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Phase-change memory cell with reduced heater size

Номер патента: US20230292637A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor devices using insulator-metal phase change materials

Номер патента: EP3915154A1. Автор: Vincent Gambin,Benjamin Heying,Rachel A. KOLTUN. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-12-01.

Phase change memory cell with heater

Номер патента: WO2024083094A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Arthur Roy Gasasira. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Multi-bit storage device using phase change material

Номер патента: US12004433B2. Автор: Timothy Crockett,Lester Bartus, JR.. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Phase change memory structures

Номер патента: WO2009042293A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-04-02.

Projected phase change memory devices

Номер патента: US20210305503A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Timothy Mathew Philip,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Phase change memory cell with double active volume

Номер патента: WO2023165853A1. Автор: Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN,Kevin BREW. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-07.

Tellurium (Te) Precursors for Making Phase Change Memory Materials

Номер патента: US20130129603A1. Автор: Manchao Xiao,Thomas Richard Gaffney. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor Device Including a Phase Change Material

Номер патента: US20150318272A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-11-05.

Phase change material energy storage for electric vehicle thermal management system and method

Номер патента: EP4382331A3. Автор: Weiye Yuan,Hong Quan Lu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Chalcogenide phase change materials and their use

Номер патента: WO2011114173A1. Автор: Konstantin B. Borisenko. Владелец: ISIS INNOVATION LIMITED. Дата публикации: 2011-09-22.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20180090542A1. Автор: Laurent Favennec,Emmanuel Gourvest,Yannick Le Friec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-29.

Phase change material (pcm)-based conductive thermal actuator switch

Номер патента: US20230081977A1. Автор: James E. Benedict,Andrew J. Pitts. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-03-16.

Thermal Energy Storage With A Phase-Change Material In A Non-Metal Container

Номер патента: US20160157333A1. Автор: Gerald Ho Kim,Jay Eunjae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-02.

Power supplying circuit and phase-change random access memory including the same

Номер патента: US20090122601A1. Автор: Won-seok Lee,Kwang-Ho Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-14.

Forming phase change memory cells

Номер патента: US20100163827A1. Автор: Fabio Pellizzer,Yudong Kim. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Portable Regulated Temperature Container with Phase Change Materials

Номер патента: US20240310086A1. Автор: Uttam Ghoshal,Dan GRIMM,James Borak,Key Kolle. Владелец: Sheetak Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase Change Material In An Electronic Switch Having A Flat Profile

Номер патента: US20240341205A1. Автор: Tsung-Hsueh Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Phase change photovoltaic thermal management device

Номер патента: US12113143B2. Автор: Md. Hasan Zahir,Kashif IRSHAD. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device including a phase change material

Номер патента: US09972613B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Thermal energy storage with a phase-change material in a non-metal container

Номер патента: US09924588B2. Автор: Gerald Ho Kim,Jay Eunjae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

Phase-change material based reconfigurable antenna

Номер патента: US09923267B1. Автор: Arash Ahmadivand,Nezih Pala,Burak Gerislioglu,Mustafa Karabiyik. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2018-03-20.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09892785B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Cooling mechanism for batteries using L-V phase change materials

Номер патента: US09865907B2. Автор: Xiaodong Xiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Support frame with integrated phase change material for thermal management

Номер патента: US09836100B2. Автор: QIAN Han. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Multistage set procedure for phase change memory

Номер патента: US09583187B2. Автор: LU LIU,Sanjay Rangan,Kiran Pangal,Gayathri Rao Subbu,Nevil N Gajera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

A circuit for generating a high power rf signal having low am and fm noise components

Номер патента: US3775698A. Автор: J Nugent,H Claypool. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1973-11-27.

Phase changing circuit

Номер патента: CA1250349A. Автор: Tatsuro Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-21.

Forming phase change memories

Номер патента: MY135719A. Автор: Chien Chiang,Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-06-30.

Single Crystal Phase Change Material

Номер патента: US20110108792A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Chieh-Fang Chen,Chung Hon Lam. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory

Номер патента: US20030164515A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Daniel Xu. Дата публикации: 2003-09-04.

Phase change material memory device

Номер патента: US6881603B2. Автор: Stefan K. Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Phase change memory device, manufacturing method thereof and operating method thereof

Номер патента: US20090067228A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Phase change memory element and method for forming the same

Номер патента: US20090250691A1. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Novel phase change magnetic material

Номер патента: WO2007046769A1. Автор: Tow Chong Chong,Wendong Song,Xiangshui Miao,Luping Shi. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2007-04-26.

Phase-change memory cell

Номер патента: US20230389450A1. Автор: Paolo Giuseppe Cappelletti,Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-30.

One-mask phase change memory process integration

Номер патента: WO2012019843A1. Автор: Chung Hon Lam,Matthew Joseph Breitwisch,Eric Andrew Joseph,Hasiang-Lan Lung. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2012-02-16.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20240032445A1. Автор: Hans Taddiken,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Optimized phase change memory structure to improve nucleation time variation

Номер патента: US20230371408A1. Автор: LU LIU,Hemant P. Rao,Kumar R. Virwani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11856795B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Piezoelectric mems resonator with integrated phase change material switches

Номер патента: EP3132473A1. Автор: Gwendolyn HUMMEL,Mateo RINALDI. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2017-02-22.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4312484A1. Автор: Hans Taddiken,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-31.

Phase change switch with self-aligned heater and rf terminals

Номер патента: EP4106023A3. Автор: Matthias Markert,Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-26.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: EP4261905A1. Автор: Hans-Dieter Wohlmuth,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-18.

Phase Change Switch Fabricated with Front End of the Line Process

Номер патента: US20230389451A1. Автор: Matthias Markert,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US10879463B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Encapsulated phase change material heat sink and method

Номер патента: EP3126774A1. Автор: Adam C. Wood. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-08.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: US20240107900A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: US11910731B2. Автор: Robert L. Bruce,Ching-Tzu Chen,Jin Ping HAN,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Phase-change nonvolatile memory and manufacturing method therefor

Номер патента: US8026502B2. Автор: Tomoyasu Kakegawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-09-27.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: EP1829110A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-05.

Programmable phase-change memory and method therefor

Номер патента: US20120230100A1. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve,Niek Lambert,Victor Van Acht. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Phase change memory apparatus having row control cell

Номер патента: US20120081954A1. Автор: Kyoung Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Thermal management system with phase change and auxiliary cooling systems

Номер патента: US11889664B2. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-13.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Reduced power consumption phase change memory

Номер патента: EP2383811B9. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-11.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120009757A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase-change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074334A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same

Номер патента: EP2002491B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US20210202837A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1787329B1. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-10-27.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Phase change composite and preparation method and use thereof

Номер патента: US20240076497A1. Автор: Xiaoqing Yang,Guoqing Zhang,Ziqian Wu,Yuming LI,XinXi LI. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Selection element-integrated phase-change memory and method for producing same

Номер патента: US11980109B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase-change material-based xor logic gates

Номер патента: EP4256630A1. Автор: Takashi Ando,Guy Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Phase-Change Memory and Method of Forming Same

Номер патента: US20230320239A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of Forming Phase-Change Memory Layers on Recessed Electrodes

Номер патента: US20230309424A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Phase change random access memory (PRAM) device

Номер патента: US20060285380A1. Автор: Byung-Gil Choi,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

A non-volatile memory cell comprising a dielectric layer and a phase change material in series

Номер патента: WO2006078505A3. Автор: S Brad Herner. Владелец: S Brad Herner. Дата публикации: 2009-06-04.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: AU2021244850B2. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: WO2021191696A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: GB2608771A. Автор: CLEVENGER Lawrence,Brew Kevin,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

Method of manufacturing phase change memory and phase change memory

Номер патента: US20230024030A1. Автор: Chung-Hon Lam,Dong Gan. Владелец: Beijing Advanced Memory Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Phase change memory device

Номер патента: US20080067488A1. Автор: Tsuyoshi Kawagoe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1554763A2. Автор: Femke K. De Theije,Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Ronald M. Wolf. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-20.

Smart phase change composite for passive thermal management

Номер патента: EP4348756A1. Автор: Said Al-Hallaj,Stoyan Stoyanov,Hexu WANG,Samuel T. PLUNKETT,Scott Morehouse,Panos Prezas. Владелец: Beam Global. Дата публикации: 2024-04-10.

Phase change material switch device and related methods

Номер патента: US20230337554A1. Автор: Hans-Dieter Wohlmuth,Valentyn Solomko,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Electric device comprising phase change material

Номер патента: EP1787329A2. Автор: Erwin R. Meinders,Martijn H. R. Lankhorst,Franciscus P. Widdershoven,Robertus A. M. Wolters. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-05-23.

Pouch with thermal insulator and phase change material

Номер патента: US20240120578A1. Автор: Erica Viola Lewis,Nigel Adrien Myers,Mark Daniel Goldman,Jason Jaspreet Singh HAER. Владелец: Lunar Energy Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: US20240147874A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210320147A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Phase change memory cell sidewall heater

Номер патента: WO2024060645A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Juntao Li,Ching-Tzu Chen. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase-change memory

Номер патента: US20140175370A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2014-06-26.

Phase change memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080121863A1. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Phase change material switch device and related method

Номер патента: WO2023198632A1. Автор: Christoph Kadow,Dominik Heiss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Phase-change memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20070120106A1. Автор: Shinpei Iijima,Tsutomu Hayakawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Phase change memory structure to reduce power consumption

Номер патента: US20200035919A1. Автор: Shih-Chang Liu,Yi Jen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20120074370A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Embedded heater in a phase change memory material

Номер патента: EP4292141A1. Автор: Robert Bruce,Jin-Ping Han,Ching-Tzu Chen,Philip Joseph Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Non-volatile phase-change resistive memory

Номер патента: US20140355338A1. Автор: Luca Perniola. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-12-04.

Thermal storage system using phase change materials in led lamps

Номер патента: WO2009110987A1. Автор: Matthew Weaver,James Kingman. Владелец: Lighting Bug, Llc. Дата публикации: 2009-09-11.

Phase change memory cell structures and methods

Номер патента: US20110291065A1. Автор: Joseph N. Greeley,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Battery pack containing phase change material

Номер патента: US20190051955A1. Автор: Normand Lebreux,Eric Menard. Владелец: Consortium de Recherche BRP Universite de Sherbrooke SENC. Дата публикации: 2019-02-14.

Phase change memory device

Номер патента: EP1878065A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-16.

Phase change memory device

Номер патента: WO2006117063A1. Автор: Shoaib Hasan Zaidi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Phase-change memory

Номер патента: US20130196467A1. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2013-08-01.

Phase-change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120007036A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device having reset gate and phase change layer

Номер патента: US9825222B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Heat sink with condensing fins and phase change material

Номер патента: US20200340752A1. Автор: Salah Addin Burhan Al Omari. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-29.

An electronic assembly with phase-change material for thermal performance

Номер патента: AU2020202790A1. Автор: William F. Cooper,Christopher J. Schmit,Andrew SCHEFTER. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods of manufacturing phase-change random access memory devices

Номер патента: US20100323492A1. Автор: Tae-Yon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-23.

Phase change memory device

Номер патента: US9779805B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Planar phase-change memory cell with parallel electrical paths

Номер патента: US8685785B2. Автор: Michele M. Franceschini,John P. Karidis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Phase Change Inhibited Materials for Solar Panel Cooling

Номер патента: AU2020100650A4. Автор: Dayong Hu,Dongya Lu. Владелец: Pci Green Tech Pty Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: US11812676B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kevin W. Brew,Timothy Mathew Philip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Frequency synthesizers having low phase noise

Номер патента: US11817871B2. Автор: Oleksandr Chenakin. Владелец: Anritsu Co. Дата публикации: 2023-11-14.

Cooling head for temperature-control phase change cooler

Номер патента: US20140360225A1. Автор: De-Yin HSIEH,De-Fong Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-11.

Vertical phase change switch devices and methods

Номер патента: US20230422644A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Systems and methods for phase change material based thermal assessment

Номер патента: US11812674B2. Автор: Chien-Mao Chen,Hung-Jen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Shunted phase change memory

Номер патента: US20070242504A1. Автор: Guy Wicker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Shunted phase change memory

Номер патента: US7916514B2. Автор: Guy Wicker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Phase change material switch and method of fabricating same

Номер патента: AU2021237822B2. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Kevin BREW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for producing a memory device having a phase change film and reset gate

Номер патента: US10026893B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Systems and methods for phase change material based thermal assessment

Номер патента: US20230397509A1. Автор: Chien-Mao Chen,Hung-Jen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Multilayer structure comprising a phase change material layer and a method of producing the same

Номер патента: EP2232602A1. Автор: Romain Delhougne,Vasile Paraschiv,Judit Lisoni. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-29.

Phase-change memory device with conductive cladding

Номер патента: WO2024093753A1. Автор: Kangguo Cheng,Guy M. Cohen,Ruilong Xie,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-05-10.

Multi-terminal phase change memory device

Номер патента: CA3168067A1. Автор: Lawrence Clevenger,Kevin BREW,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-30.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Battery pack containing phase change material

Номер патента: US20180053977A1. Автор: Normand Lebreux,Eric Menard. Владелец: Consortium de Recherche BRP Universite de Sherbrooke SENC. Дата публикации: 2018-02-22.

Phase change random access memory and layout method of the same

Номер патента: US20090231899A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Phase change memory devices, method for encoding, and methods for storing data

Номер патента: US20130155766A1. Автор: Zhiyong Liu. Владелец: INTERMEC IP CORP. Дата публикации: 2013-06-20.

Method and apparatus for cooling with a phase change material and heat pipes

Номер патента: EP1218965A1. Автор: James L. Haws,Byron Elliott Short, Jr.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2002-07-03.

Method and structure for peltier-controlled phase change memory

Номер патента: EP1878064A1. Автор: Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Regenerative preheater for phase change cooling applications

Номер патента: US20240032250A1. Автор: Bahgat Sammakia,Sadegh Khalili. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-01-25.

Sea water cell having low self-discharge

Номер патента: WO1988006806A1. Автор: Cesare Tiriolo,Giuseppe Bellipanni,Rinaldo Job,Tomaso Adami Rook. Владелец: Tomaso Adami Rook. Дата публикации: 1988-09-07.

Phase change memory using multiple stacks of pcm materials

Номер патента: WO2021161117A1. Автор: TIAN Shen,Jingyun Zhang,Heng Wu,Kevin BREW. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-08-19.

Phase change memory using multiple stacks of PCM materials

Номер патента: GB2608308A. Автор: Wu Heng,Zhang Jingyun,Shen Tian,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Coherent receiver array

Номер патента: US20190310071A1. Автор: Christopher Doerr. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Techniques for using a coherent receiver in a fmcw lidar system

Номер патента: US20240036178A1. Автор: Kumar Bhargav Viswanatha,Pradeep Srinivasan,Srikanth Kuthuru,Ryan Wayne Going. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Techniques for using a coherent receiver in a FMCW LiDAR system

Номер патента: US12025750B2. Автор: Kumar Bhargav Viswanatha,Pradeep Srinivasan,Srikanth Kuthuru,Ryan Wayne Going. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Techniques for using a coherent receiver in a fmcw lidar system

Номер патента: US20240353544A1. Автор: Kumar Bhargav Viswanatha,Pradeep Srinivasan,Srikanth Kuthuru,Ryan Wayne Going. Владелец: Aeva Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US20240263806A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

System and Method of Generating a Momentum Change in a Vehicle by Phase Changing Matter in a Closed System

Номер патента: US20240191701A1. Автор: Ivaylo Trendafilov Vasilev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Heat supply system coupling passive phase change energy storage sunlight room and air source heat pump

Номер патента: US12130022B2. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-29.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US7978490B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Data recording method and device, and phase-change optical disc

Номер патента: EP1241665A3. Автор: Fumiya Ohmi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-18.

Phase change of a recording layer under a temporary capping layer

Номер патента: EP1265235A3. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-09-17.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: WO2004011550A3. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2004-04-08.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: WO2004011550A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2004-02-05.

Novel phase change solvents

Номер патента: EP1562998B1. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-05-12.

Content addressable memory cell and content addressable memory using phase change memory

Номер патента: US20080068872A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Phase change solvents for thermoplastic elastomers

Номер патента: EP1525262A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2005-04-27.

Phase change initiator for use with an exothermic phase change material

Номер патента: WO2010089586A2. Автор: Richard Thom,Jim Shaikh,Adam Kyte. Владелец: Feed Me Bottles Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: EP3860407A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2021-08-11.

Method for producing crockery filled with phase-change material

Номер патента: WO2020070709A1. Автор: Karim Redjal. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2020-04-09.

Method and apparatus for fabricating phase-change recording medium

Номер патента: US20010054604A1. Автор: Eiji Sahota,Yasumi Horiguchi,Gian Zardini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US20080219046A1. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Writing method and system for a phase change memory

Номер патента: US7773409B2. Автор: Ming-Jung Chen,Te-Sheng Chao,Philip H. Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Method of Operating A Linear Friction Welding System With Phase Change Assembly

Номер патента: US20200156181A1. Автор: Stephen A. Johnson. Владелец: APCI LLC. Дата публикации: 2020-05-21.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US20090080243A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Optimized phase change write method

Номер патента: US20090161416A1. Автор: Thomas Happ,Mark Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Content addressable memory using phase change devices

Номер патента: US20100002481A1. Автор: Chung H. Lam,Brian L. Ji,Bipin Rajendran,Robert K. Montoye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-07.

Phase change memory

Номер патента: US20100165723A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-01.

Electrostatic phase change generating apparatus

Номер патента: WO2009047645A3. Автор: . Владелец: Albonia Innovative Technologies Ltd.. Дата публикации: 2011-01-20.

Phase change memory

Номер патента: US20120230099A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chinag. Владелец: Higgs Opl Capital Llc. Дата публикации: 2012-09-13.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: US20240298825A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-09-12.

Data storage method and phase change memory

Номер патента: US09899084B2. Автор: ZHEN Li,Junfeng Zhao,Qiang He,Xiangshui Miao,Shujie Zhang,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: US09890313B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Nidhi Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods and systems for verifying cell programming in phase change memory

Номер патента: US09747977B2. Автор: Raymond W. Zeng,Doyle Rivers,Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase change memory devices and systems having reduced voltage threshold drift and associated methods

Номер патента: US09627055B1. Автор: Mattia Robustelli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Phase change materials for refrigeration and ice making

Номер патента: US09528730B2. Автор: Patrick J. Boarman. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Solar phase-change energy storage heating ventilation partition wall and modular heating system thereof

Номер патента: US20230417425A1. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-28.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US20070014173A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-18.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: WO2017192235A1. Автор: Philip Campbell,Larry W. Akers,Joseph F. Wrinn,David GRAZIOSE. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2017-11-09.

Rewritable phase-change optical recording medium

Номер патента: US20080310279A1. Автор: Hideki Hirata,Tatsuya Kato,Yasuhiro Takagi,Hiroshi Takasaki,Masanori Kosuda,Hiroshi Shingai,Masaki Sobu. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-12-18.

Phase Change Memory

Номер патента: US20100165722A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Energy adjusted write pulses in phase-change memory cells

Номер патента: US20080106928A1. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-08.

Energy adjusted write pulses in phase-change memories

Номер патента: US7327623B2. Автор: Thomas Happ,Zaidi Shoaib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-05.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Phase change memory

Номер патента: US8014194B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Phase change sensor

Номер патента: EP1644473A2. Автор: Ray F. Stewart. Владелец: Bay Materials LLC. Дата публикации: 2006-04-12.

Method of initializing phase-change optical disk and phase-change optical disk

Номер патента: US20010012262A1. Автор: Yutaka Kasami,Kazumine Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Method for reducing rub-off from a toner image using a phase change composition with a rotary brush

Номер патента: US20030030711A1. Автор: John Crichton,Dana Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of encapsulating a phase change material

Номер патента: US20230295918A1. Автор: Georgios Polyzos,Jaswinder K. Sharma. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09803123B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Phase change inks containing wax-soluble near-infrared dyes

Номер патента: US09738811B2. Автор: Jeffrey H. Banning,Stephan V. Drappel,Bo Wu,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09695349B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Neal Energy Management LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

System and method of generating a momentum change in a vehicle by phase changing matter in a closed system

Номер патента: EP4278079A1. Автор: Ivaylo Trendafilov Vasilev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-22.

System and method of generating a momentum change in a vehicle by phase changing matter in a closed system

Номер патента: US11897637B2. Автор: Ivaylo Trendafilov Vasilev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-13.

Chemical phase change heat stores

Номер патента: WO1985000214A1. Автор: Norman A. Dutton,Richard J. Howling. Владелец: Lingard Engineering Limited. Дата публикации: 1985-01-17.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: US20070097740A1. Автор: Colin Murphy,Narbeh Derhacobian. Владелец: Cswitch Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: EP3259645A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2017-12-27.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: US20160238968A1. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Heating and cooling systems and apparatuses with phase change materials

Номер патента: US11994348B2. Автор: Erik HATFIELD,Daniel Larsen,Hannah MALLALIEU,Jordan KENNIE. Владелец: Stash Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

A device for effecting an exothermic reaction to drive a phase change from a liquid to a gas

Номер патента: WO2017218961A1. Автор: Brian P. Roarty. Владелец: Roarty Brian P. Дата публикации: 2017-12-21.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Temperature self-adjustment leather comprising phase-change microcapsules and method for preparing the same

Номер патента: AU2021104307A4. Автор: Yong Wan. Владелец: Wuxi JHT Homewares Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Shape stable phase change materials

Номер патента: GB2626197A. Автор: Busch Rainer,Stuart Biggin Ian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-17.

Pigment dispersion and curable phase change inks containing the same

Номер патента: US20120123040A1. Автор: Michelle N. Chrétien,Barkev Keoshkerian,Naveen Chopra,Daryl W. Vanbesien. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: WO2007056272A3. Автор: Narbeh Derhacobian,Colin N Murphy. Владелец: Colin N Murphy. Дата публикации: 2009-05-14.

Content-addressable memory having phase change material devices

Номер патента: WO2007056272A2. Автор: Narbeh Derhacobian,Colin N. Murphy. Владелец: Cswitch Corporation. Дата публикации: 2007-05-18.

Phase change material

Номер патента: US20230265332A1. Автор: LIN Cong,Yulong Ding,Derek Chapman,Boyang ZOU. Владелец: Hubbard Products Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205B2. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Phase change materials

Номер патента: WO2024153920A1. Автор: Rainer Busch,Ian Stuart Biggin. Владелец: Ian Stuart Biggin. Дата публикации: 2024-07-25.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: GB2590323A. Автор: Wang Ruoya,J Barrett Jennifer. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: WO2020023577A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent, Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Dispersive return pad with phase change material for active thermal management during an ablation procedure

Номер патента: AU2019312205A1. Автор: Ruoya Wang,Jennifer J. BARRETT. Владелец: Avent Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Phase-change heat exchanger and heat exchange core thereof

Номер патента: AU2023201948B2. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Lele TAN. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Insulated chamber with phase change material

Номер патента: US09927169B2. Автор: Milton F Baker,Dale C Barnett,Robert W Dotterer,David N Figel,Stephen C Keiser. Владелец: CARON PRODUCTS AND SERVICES Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Image transfer product including a phase change material

Номер патента: US09835986B2. Автор: Samuel R. Shuman,Peter Asplund,Scott Bridges. Владелец: Day International Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Sterile status indicator by means of phase change

Номер патента: US09789218B2. Автор: Corvin Motz,Gerold Zieris,Joachim Amann. Владелец: Aesculap AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Phase change ink for ophthalmic lens marking

Номер патента: US09567472B2. Автор: Bo Wu,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Phase changing device for camshaft

Номер патента: RU2560860C2. Автор: Манабу ТАТЕНО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-08-20.

Phase change solvents for thermoplastic polymers

Номер патента: CA2489571C. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-02-22.

Method for multilevel programming of phase change memory cells using a percolation algorithm

Номер патента: US7639526B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-29.

Composition of microwavable phase change material

Номер патента: US9765201B2. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Modular passive solar energy heating unit employing phase change heat storage material state

Номер патента: CA1209429A. Автор: Douglas C. Taff,Robert B. Holdridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-08-12.

Phase change heat exchanger

Номер патента: US5220954A. Автор: William J. Longardner,Robert L. Longardner. Владелец: Shape Inc. Дата публикации: 1993-06-22.

Phase change solvents for thermoplastic polymers

Номер патента: CA2489571A1. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Superheated phase changing nanodroplets for hydrocarbon reservoir applications

Номер патента: US11932810B2. Автор: Amr I. Abdel-Fattah,Jesus Manuel Felix Servin. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Phase-change metasurface for programmable waveguide mode conversion

Номер патента: WO2021216282A1. Автор: Mo Li,Changming Wu. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2021-10-28.

Spatial light modulator using phase-change materials with improved fill factor

Номер патента: US11808937B1. Автор: Jeong-Sun Moon,Kyung-Ah Son,Hwa Chang Seo,Kangmu Lee. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Epoxy based phase change material, composition and method thereof

Номер патента: WO2024023846A1. Автор: Shashikant Sangmeshwar PAYMALLE,Amol Murlidharrao KENDHALE. Владелец: Elantas Beck India Limited. Дата публикации: 2024-02-01.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US8717809B2. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-05-06.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: US20120294074A1. Автор: Godferius Adrianus Maria Hurkx,Jesus Perez Gonzales. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for casting molten materials using phase-change material

Номер патента: US20020195733A1. Автор: John Cortum,Michael Mathiasmeier,Louis Stoecker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Write Operation Method and Device for Phase Change Memory

Номер патента: US20150117096A1. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Ultra-low temperature phase change gel

Номер патента: US20230028657A1. Автор: Tao Tang,Xiaoshan FAN. Владелец: Pregis New Materials Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Superheated phase changing nanodroplets for hydrocarbon reservoir applications

Номер патента: US20230313025A1. Автор: Amr I. Abdel-Fattah,Jesus Manuel Felix Servin. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-10-05.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: EP4369993A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-05-22.

Novel phase change solvents

Номер патента: EP1562998A2. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2005-08-17.

Novel Phase Change solvents

Номер патента: EP1832570B1. Автор: Mark William Hamersky,Steven Daryl Smith. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-07-07.

Phase change memory programming method and phase change memory

Номер патента: WO2011095902A1. Автор: Godefridus Adrianus Hurkx,Jesus Perez Gonzalez. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2011-08-11.

Phase change cold storage agent for strawberry preservation and method for preparing the same

Номер патента: NL2026475A. Автор: Li Li,Luo Zisheng,Xu Yanqun,Ying Tiejin. Владелец: Univ Zhejiang. Дата публикации: 2021-01-26.

Method and system for mitigating write amplification in a phase change memory-based storage device

Номер патента: WO2019010044A1. Автор: Shu Li,Ping Zhou. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2019-01-10.

Sub-zero phase change materials with multiple crystallisation events

Номер патента: CA3207280A1. Автор: David Oliver,Andrew Bissell,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-09.

Sub-zero phase change materials with multiple crystallisation events

Номер патента: EP4301826A1. Автор: David Oliver,Andrew Bissell,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Phase change material panel and passive thermally controlled shipping container employing the panels

Номер патента: WO2023288171A2. Автор: Jason Miller,Kai Goellner. Владелец: Peli Biothermal LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Phase change memory mask

Номер патента: US20150085570A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Flexible phase change material

Номер патента: US20220380651A1. Автор: Johannes Ijsbrand Tiesnitsch. Владелец: TIESNITSCH BEHEER BV. Дата публикации: 2022-12-01.

Phase change inks with improved image permanence

Номер патента: US20040226476A1. Автор: Marcel Breton,H. Goodbrand,Christine Bedford. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Composite coatings containing phase change materials

Номер патента: US20210340387A1. Автор: Narayanan Neithalath,Matthew Aguayo,Aashay Arora. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-04.

Phase change material pack

Номер патента: EP2786076A2. Автор: Mathew Holloway,Zsolt Bako-Biro. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2014-10-08.

Phase change material pack

Номер патента: WO2013079728A2. Автор: Mathew Holloway,Zsolt Bako-Biro. Владелец: VKR Holding A/S. Дата публикации: 2013-06-06.

Phase change materials composite formulations

Номер патента: US12031084B2. Автор: Claudia Catalina Luhrs. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2024-07-09.

Mattress assemblies and components including phase change materials

Номер патента: WO2022108873A4. Автор: Ryan P. LIVELY,Sheri McGuire,Stephen J. A. DEWITT,Yun-Ho Ahn. Владелец: DREAMWELL, LTD.. Дата публикации: 2022-07-21.

Phase change material panel and passive thermally controlled shipping container employing the panels

Номер патента: EP4370848A2. Автор: Jason Miller,Kai Goellner. Владелец: Peli Biothermal LLC. Дата публикации: 2024-05-22.

Skating rink that retains refrigeration energy by way of a phase-change material

Номер патента: US20240207714A1. Автор: Jacques Mouchet. Владелец: Sun Ice Energy Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Container for phase-change material

Номер патента: US20240159443A1. Автор: Jacques Mouchet. Владелец: Sun Ice Energy Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Isocyanate-derived materials for use in phase change ink jet inks

Номер патента: US20030164116A1. Автор: Donald R. Titterington,Loc V. Bui,Jeffrey H. Banning,Clifford R. King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Phase change memory device with dummy cell array

Номер патента: US20090190393A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Heat dissipating apparatus using phase change heat transfer

Номер патента: US20210156620A1. Автор: Chih-Wei Wang,Yi-Chung Chen,Chun-Hung Lin,Chun-Teng Chiu. Владелец: Taiwan Microloops Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Phase Change Device for Interconnection of Programmable Logic Device

Номер патента: US20120112788A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Detecting Unidirectional Resistance Drift Errors In A Multilevel Cell of a Phase Change Memory

Номер патента: US20160085617A1. Автор: Yan Solihin. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-03-24.

Compositions Comprising Phase Change Materials and Methods of Making the Same

Номер патента: US20230250327A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Phase-change memory device

Номер патента: US20100149860A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

A modular phase change material system

Номер патента: GB201115174D0. Автор: . Владелец: Dublin Institute of Technology. Дата публикации: 2011-10-19.

Compositions comprising phase change materials and methods of making the same

Номер патента: US12077707B2. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Composition and method for preparing microencapsulated phase change materials

Номер патента: EP4423159A1. Автор: Wei Li,Liang Zhang,Jiguang Zhang,Minbiao HU. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Phase change material composition

Номер патента: WO2024180405A1. Автор: Robin Studer,Poppy Jayne Patricia Hurst O'Neill,Remo Waser. Владелец: Cowa Thermal Solutions Ag. Дата публикации: 2024-09-06.

Quick disconnect single shutoff fitting for phase changing material

Номер патента: US09989181B2. Автор: Annie Liu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of modulated exothermic chemical systems through phase change materials

Номер патента: US09976068B2. Автор: Aydin K. Sunol,Sermin G. Sunol. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2018-05-22.

Controlling temperature in exothermic reactions with a phase change material

Номер патента: US09943992B2. Автор: Karl M. Nelson,Geoffrey Allen Butler. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-04-17.

Phase change inks comprising crystalline amides

Номер патента: US09938422B2. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Naveen Chopra,Kentaro Morimitsu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Phase-change nanoparticle

Номер патента: US09872902B2. Автор: Raphael Hof,Raz KHANDADASH,Ella FREMDER. Владелец: NEW PHASE LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Devices for modulation of temperature and light based on phase change materials

Номер патента: US09797187B2. Автор: Dale Timothy Clifford,Shi-Chune Yao. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for detecting phase change temperatures of molten metal

Номер патента: US09719976B2. Автор: Jason Black. Владелец: Heraeus Electro Nite International NV. Дата публикации: 2017-08-01.

Printer for forming a phase change inkjet image

Номер патента: US09649860B2. Автор: Lodewijk T. Holtman,Henricus A. M. Janssen. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2017-05-16.

Heating and/or cooling unit with phase-change material

Номер патента: US20240369311A1. Автор: Jacques Mouchet. Владелец: Sun Ice Energy Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Phase change insulation for subsea flowlines

Номер патента: US6000438A. Автор: Theodore R. Ohrn. Владелец: McDermott Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Constant temperature packaging system and phase change formulation

Номер патента: CA2300618C. Автор: Ted J. Malach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-20.

Phase change and shape change materials

Номер патента: EP2868299A2. Автор: Valery PEREVALOV,Refael Hof. Владелец: NEW PHASE LTD. Дата публикации: 2015-05-06.

Phase-Change Materials and Optical Limiting Devices Utilizing Phase-Change Materials

Номер патента: US20100309539A1. Автор: Anthony Bresenhan Kaye,Richard Forsberg Haglund, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-09.

Delayed phase changing agent for invert emulsion drilling fluid

Номер патента: CA2514592C. Автор: Frank E. Evans,Robert L. Horton,Mark Luyster,Bethicia B. Prasek,Steve Mason,Taylor Green. Владелец: MI LLC. Дата публикации: 2010-03-23.

Skived foam article containing energy absorbing phase change material

Номер патента: US5851338A. Автор: Robert J. Pushaw. Владелец: Wyner R H Associates Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Ultrasound devices incorporating phase change materials and systems and methods using the devices

Номер патента: US20200022714A1. Автор: Paul Douglas Corl. Владелец: Sonomotions Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Fabrication of a phase change material (PCM) integrated insulation

Номер патента: US11828060B2. Автор: Liping Cai,Sheldon Q. Shi,Weihuan Zhao. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2023-11-28.

Linear phase change memory

Номер патента: US20230044919A1. Автор: Ning Li,Wanki Kim,Devendra K. Sadana. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: AU2022311328A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-02-01.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: US11795360B2. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-24.

Waste Phase Change Ink Recycling

Номер патента: US20120176454A1. Автор: Steven Van Cleve Korol,Steven Ross Slotto,Britton T. Pinson,Brian Edward Williams,Clifford Alan Bell. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Treated fiber reinforced form stable phase change

Номер патента: WO2014064518A3. Автор: Anil Kumar Mehta,Devendra Jain,Suman Kumari,Samit JAIN,Nidhi AGRAWAL. Владелец: Agrawal Nidhi. Дата публикации: 2014-07-03.

Catalytic phase change dielectric sphere for methanol combustion and preparation method therefor

Номер патента: US11014081B2. Автор: Bin Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-25.

Catalytic Phase Change Dielectric Sphere for Methanol Combustion and Preparation Method Therefor

Номер патента: US20200055038A1. Автор: Bin Su. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-20.

Linear phase change memory

Номер патента: WO2023012011A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Wanki Kim. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-09.

Crockery comprising microwave-activatable phase-change material

Номер патента: CA3225533A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2023-01-19.

Sub-zero phase change materials with multiple crystallisation events

Номер патента: US20240141221A1. Автор: David Oliver,Gylen ODLING,Kate FISHER. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Phase change memory mask

Номер патента: EP2973579A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Phase change memory mask

Номер патента: US20170025171A1. Автор: Daniel J. Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Thermally reflective encapsulated phase change pigment

Номер патента: WO2007019447A2. Автор: James V. Bellemare. Владелец: The Government of the USA, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2007-02-15.

Refrigerator Having A Water Dispensing Assembly And A Phase Change Material

Номер патента: US20170203948A1. Автор: Frank Bailly,Bernd Brabenec,Michael Laudahn. Владелец: BSH HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2017-07-20.

Phase change material panel and passive thermally controlled shipping container employing the panels

Номер патента: WO2023288171A3. Автор: Jason Miller,Kai Goellner. Владелец: Peli Biothermal LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Flexible phase change material

Номер патента: EP4028483A1. Автор: Johannes Ijsbrand Tiesnitsch. Владелец: TIESNITSCH BEHEER BV. Дата публикации: 2022-07-20.

Flexible phase change material

Номер патента: NL2023799B1. Автор: Ijsbrand Tiesnitsch Johannes. Владелец: Tiesnitsch Beheer B V. Дата публикации: 2021-05-17.

Process for manufacturing a phase change material for a temperature-controlled shipping package

Номер патента: GB2615569A. Автор: Chu Tay. Владелец: Hydropac Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US20170220266A1. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad Gh. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2017-08-03.

Mattress assemblies and components including phase change materials

Номер патента: EP4247912A1. Автор: Ryan P. LIVELY,Sheri McGuire,Stephen J. A. DEWITT,Yun-Ho Ahn. Владелец: Dreamwell Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Time interleaved writing of phase change material for infrared spatial light modulator

Номер патента: US10755782B1. Автор: Jeong-Sun Moon,Daniel M. Zehnder. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2020-08-25.

Thermal buffering of downhole equipment with phase change material

Номер патента: WO2013096550A1. Автор: Sandrine Lelong-Feneyrou. Владелец: Schlumberger Holdings Limited. Дата публикации: 2013-06-27.

Compositions Comprising Phase Change Materials and Methods of Making the Same

Номер патента: US20230227704A1. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Phase change memory device

Номер патента: US20120120724A1. Автор: Hyuck-Soo Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Micro-encapsulated phase-change material, preparation method thereof, and pillow comprising the same

Номер патента: US20230090981A1. Автор: Yong Wan. Владелец: Wuxi JHT Homewares Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Crockery system comprising thermal buffer material and phase- change material

Номер патента: US20240315472A1. Автор: Karim Redjal,Pascal Gabriëlle Nestor Mertens. Владелец: PROMECO NV. Дата публикации: 2024-09-26.

Phase change material composition

Номер патента: EP4424792A1. Автор: Robin Studer,Poppy Jayne Patricia Hurst O'Neill,Remo Waser. Владелец: Cowa Thermal Solutions Ag. Дата публикации: 2024-09-04.

Thermal energy storage assembly with phase change materials

Номер патента: EP3039366A1. Автор: Zidu Ma,Mary Teresa LOMBARDO,Warren CLOUGH,Ivan Rydkin,Robert A. Chopko. Владелец: Carrier Corp. Дата публикации: 2016-07-06.

Compositions comprising phase change materials and methods of making the same

Номер патента: US09914865B2. Автор: Reyad I. Sawafta,Najih Naser. Владелец: PHASE CHANGE ENERGY SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Odd/even invert coding for phase change memory with thermal crosstalk

Номер патента: US09891843B2. Автор: Imtiaz Ahmad,Areej Helmi Hamouda,Mohammad G H. Alfailakawi. Владелец: University of Kuwait. Дата публикации: 2018-02-13.

Phase changing formulations of nucleic acid payloads

Номер патента: US09790498B2. Автор: Sujit Kumar Basu,Bob Dale Brown. Владелец: Dicerna Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Liquid cooling with parasitic phase-change pumps

Номер патента: US09709324B1. Автор: Ryan J. Legge,Qizhou Matthew YAO. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Phase-change heat transfer coupling for aqua-ammonia absorption systems

Номер патента: CA2426526A1. Автор: Paul Sarkisian,Uwe Rockenfeller,Lance D. Kirol. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Phase change inks containing curable amide gellant compounds

Номер патента: US7714040B2. Автор: Peter G. Odell,Jennifer L. Belelie,Eniko Toma. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Phase change inks

Номер патента: CA2568936C. Автор: Bo Wu,Patricia A. Wang,Trevor J. Snyder,Jule W. Thomas, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Recording method for phase-change recording medium

Номер патента: US6606292B2. Автор: Takashi Ohno. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2003-08-12.

Method for reading phase change memories and phase change memory

Номер патента: US20080084735A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-04-10.

Heating and cooling systems and apparatuses with phase change materials

Номер патента: WO2020198846A1. Автор: Erik HATFIELD,Daniel Larsen,Hannah MALLALIEU,Jordan KENNIE. Владелец: Stash Energy Inc.. Дата публикации: 2020-10-08.

Photochromic phase change ink compositions

Номер патента: CA2838598C. Автор: Jennifer L. Belelie,Gabriel Iftime,Stephan V. Drappel,Naveen Chopra,Daryl W. Vanbesien,Adela Goredema. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Phase change composition containing a nucleating agent

Номер патента: WO2002081589A3. Автор: Ival O Salyer. Владелец: Energy Storage Technologies In. Дата публикации: 2002-12-19.

Accessing a Phase Change Memory

Номер патента: US20100020595A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ward Parkinson. Дата публикации: 2010-01-28.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: WO2020161507A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: SUNAMP LIMITED. Дата публикации: 2020-08-13.

Phase-change memory

Номер патента: US11817146B2. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2023-11-14.

System and method for feedback-based colloid phase change control

Номер патента: US20240033701A1. Автор: Krishnan Thyagarajan,Christopher Somogyi. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Portable apparatus and methods using phase change materials for creating a temperature stabilized environment

Номер патента: EP3777600A2. Автор: James Goldie,Stephen Macomber. Владелец: Fruition LLC. Дата публикации: 2021-02-17.

Heat sink phase change material

Номер патента: US20190212080A1. Автор: Gregory John Quinn,Daniel J. Kehoe. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: US20130248166A1. Автор: Mingyu Wang,Prasad Shripad Kadle,Edward Wolfe, IV. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A3. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: Pantas Sutardja. Дата публикации: 2007-11-01.

Phase change thermal management device

Номер патента: US11976885B2. Автор: Yi-Tseng LI,Yion-Ni Liu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-07.

Phase change materials for storage media

Номер патента: WO2004067624A3. Автор: Mercouri G Kanatzidis. Владелец: Mercouri G Kanatzidis. Дата публикации: 2004-11-11.

Phase-change memory

Номер патента: US20220215878A1. Автор: Matthias Wuttig,Xiaoling Lu,Julian Pries,Shuai WEI,Yudong CHENG. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2022-07-07.

Phase change memory and control method thereof

Номер патента: US7773411B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-08-10.

Buoyancy-based platform assembly for phase change material thermal management

Номер патента: US20230119645A1. Автор: Comas Haynes. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Phase Change Inhibited Heat Transfer Materials for LED Cooling

Номер патента: AU2021105612A4. Автор: Lei Li,Dayong Hu,Dongya Lu,Qinglong Gong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-14.

Phase-change spatial light modulator

Номер патента: US20200341264A1. Автор: Abram L. Falk,William Green,Damon B. Farmer,Jessie C. Rosenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Accessing a phase change memory

Номер патента: US8120943B2. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: EP4299548A2. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-03.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: US20200190382A1. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-18.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: EP4299548A3. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-03.

Phase-change material and method for producing same

Номер патента: EP3652266A1. Автор: Mary Anne WHITE,John Alexander Noël. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-20.

Solar phase-change energy storage heating ventilation partition wall and modular heating system thereof

Номер патента: US11994304B2. Автор: Jing Zhao,Dehan LIU,Shilei LYU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Phase change material

Номер патента: EP3303501A1. Автор: Hans-Peter Hentze,Bjarne Nielsen. Владелец: DUPONT NUTRITION BIOSCIENCES APS. Дата публикации: 2018-04-11.

Phase change material

Номер патента: US20220064511A1. Автор: Hans-Peter Hentze,Bjarne Nielsen. Владелец: DuPont Industrial Biosciences USA LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Phase change material

Номер патента: CA2978991C. Автор: Hans-Peter Hentze,Bjarne Nielsen. Владелец: DUPONT NUTRITION BIOSCIENCES APS. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change material

Номер патента: EP3971258A1. Автор: Hans-Peter Hentze,Bjarne Nielsen. Владелец: DuPont Industrial Biosciences USA LLC. Дата публикации: 2022-03-23.

Phase-change water heater

Номер патента: EP4012288A1. Автор: Ming Wang,Yun Zeng,Shaohe QU. Владелец: Wuhu Midea Kitchen and Bath Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Heat exchanger device comprising a phase-change material

Номер патента: US20230194188A1. Автор: Rui Pedro DE JESUS TEIXEIRA. Владелец: Edge Innovation Aveiro Unipessoal Ltda. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit with phase-change memory cells and method for addressing phase-change memory cells

Номер патента: EP1807840B1. Автор: Martijn H. R. Lankhorst,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-26.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: WO2007103220A2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2007-09-13.

Microcapillary films containing phase change materials

Номер патента: EP2731796A2. Автор: Juergen Hoeppner,Rudolf J. Koopmans,Luis G. Zalamea Bustillo,Colmar WOCKE. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-05-21.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: EP2839224A1. Автор: Mingyu Wang,Prasad Shripad Kadle,Edward Wolfe. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Phase change material evaporator charging control

Номер патента: WO2013142462A1. Автор: Mingyu Wang,Prasad Shripad Kadle,Edward Wolfe. Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

Thermal control using phase-change material

Номер патента: US20170322253A1. Автор: Philip Campbell,Larry Akers,David GRAZIOSE,Joseph Wrinn. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Density stabilized phase change material

Номер патента: MY121401A. Автор: James A Robinson,David John Czarnecki. Владелец: Modine Mfg Co. Дата публикации: 2006-01-28.

Block erase for phase change memory

Номер патента: US7755935B2. Автор: Hsiang-Lan Lung,Chung Hon Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Probe having low battery detection/transmission feature

Номер патента: CA1243355A. Автор: Richard O. Juengel. Владелец: Gte Valeron Corp. Дата публикации: 1988-10-18.

Methods for coating a light-transmissive substrate to promote adhesion of a phase-change ink

Номер патента: US4992304A. Автор: Donald R. Titterington. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Phase change visual indicating composition

Номер патента: WO2009047655A3. Автор: John Gavin MacDonald,Phillip A Schorr,Molly K Smith,Ilona F Weart. Владелец: Ilona F Weart. Дата публикации: 2009-05-28.

Phase-change heat exchanger and heat exchange core thereof

Номер патента: EP4253890A1. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Lele TAN. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Calibration system for writing and reading multiple states into phase change memory

Номер патента: US7679953B2. Автор: Pantas Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Thermal receptacle with phase change material

Номер патента: US20200237126A1. Автор: Raymond Booska. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-30.

Phase change material for a temperature-controlled shipping package

Номер патента: GB2615086A. Автор: Chu Tay. Владелец: Hydropac Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Portable apparatus and methods using phase change materials for creating a temperature stabilized environment

Номер патента: EP3777600A3. Автор: James Goldie,Stephen Macomber. Владелец: Fruition LLC. Дата публикации: 2021-05-12.

Phase change memory and operation method of the same

Номер патента: US20110044097A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: EP3921383A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: CA3128739A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Phase change materials (pcms) with solid to solid transitions

Номер патента: US20220195281A1. Автор: David Oliver,Andrew John Bissell,Colin Richard Pulham,Rowan Clark,Hannah Logan. Владелец: Sunamp Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Phase-change heat exchanger and heat exchange core thereof

Номер патента: AU2023201948A1. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Lele TAN. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Phase-change heat exchanger and heat exchange core thereof

Номер патента: US20230349643A1. Автор: Hao Zheng,YE Yang,Xiaohu Wang,Wentao Shu,Lele TAN. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Phase change material

Номер патента: WO2016189090A1. Автор: Bjarne Nielsen,Hans Peter HENTZE. Владелец: DUPONT NUTRITION BIOSCIENCES APS. Дата публикации: 2016-12-01.

Coordination of pressure and temperature during ink phase change

Номер патента: US20120200621A1. Автор: Eric J. Shrader,Scott J. Limb,John Steven Paschkewitz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Feedback-based colloid phase change control

Номер патента: WO2024025583A1. Автор: Krishnan Thyagarajan,Christopher Somogyi. Владелец: PALO ALTO RESEARCH CENTER INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-01.

Thermal storage heat exchanger structures employing phase change materials

Номер патента: EP3491322A1. Автор: David Altman,Nicholas Ian Maniscalco,Jonathan Balducci. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-06-05.

Phase change sensor

Номер патента: WO2005003821A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2006-02-02.