Process for producing high-purity hafnium amide
Номер патента: KR100830529B1
Опубликовано: 22-05-2008
Автор(ы): 슈헤이 야마다, 아츠시 료카와
Принадлежит: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-05-2008
Автор(ы): 슈헤이 야마다, 아츠시 료카와
Принадлежит: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Process for producing high-purity hafnium amide
Номер патента: US20070197809A1. Автор: Shuhei Yamada,Atsushi Ryokawa. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-23.