METHOD OF DEPOSITING GATE DIELECTRIC, METHOD OF PREPARING MIS CAPACITOR, AND MIS CAPACITOR
Номер патента: US20120273861A1
Опубликовано: 01-11-2012
Автор(ы): Chao Xia, Dawei He, Dawei Xu, Xinhong Cheng, Yuehui Yu, Zhaorui Song, Zhongjian Wang
Принадлежит: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-11-2012
Автор(ы): Chao Xia, Dawei He, Dawei Xu, Xinhong Cheng, Yuehui Yu, Zhaorui Song, Zhongjian Wang
Принадлежит: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
METHODS OF SCALING THICKNESS OF A GATE DIELECTRIC STRUCTURE, METHODS OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT, AND INTEGRATED CIRCUITS
Номер патента: US20150129972A1. Автор: Choi Kisik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.