Structural silicone facade/curtain wall.

Structural silicone facade/curtain wall

Номер патента: GB9226002D0
Опубликовано: 10-02-1993
Автор(ы):
Принадлежит: VITALI LUCIANO A

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

All glass structural silicone facade/curtain wall

Номер патента: GB9120473D0. Автор: . Владелец: VITALI LUCIANO A. Дата публикации: 1991-11-06.

Nano-structured silicon material and manufacturing method for use in lithium ion based secondary batteries

Номер патента: EP4323311A1. Автор: Axel Georg SCHÖNECKER,Pierre-Yves PICHON,Marco Alberto SPREAFICO,Pierre Aymeric Fernand BERNERON,Adrianus Maria GROENLAND,Bernard Jan KRAAIJVELD. Владелец: E Magy BV. Дата публикации: 2024-02-21.

Method for structuring silicon carbide

Номер патента: US4735920A. Автор: Dietrich Stephani,Peter Lanig,Guenther Ziegler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-04-05.

Structured silicone anode

Номер патента: RU2325008C2. Автор: Мино ГРИН. Владелец: Империал Колледж Инновэйшнс Лимитед. Дата публикации: 2008-05-20.

3d network-structured silicon-containing prepolymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150309212A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

3D network-structured silicon-containing prepolymer and method for fabricating the same

Номер патента: US9341745B2. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

3d network-structured silicon-containing preploymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150252194A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of creating structure - silicon on insulator

Номер патента: RU2704199C1. Автор: Валерий Евгеньевич Пауткин,Игорь Николаевич Чебурахин,Владимир Алексеевич Петрин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2019-10-24.

Method for increasing radiation resistance of static ram microcircuits on structures "silicon on sapphire"

Номер патента: RU2727332C1. Автор: Юрий Аркадьевич Кабальнов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом". Дата публикации: 2020-07-21.

Structured silicon particles

Номер патента: EP2820703A2. Автор: William James Macklin,Christopher Michael Friend,Fiona SCOTT. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2015-01-07.

Structured silicon particles

Номер патента: WO2013128201A3. Автор: William James Macklin,Christopher Michael Friend,Fiona SCOTT. Владелец: Nexeon Limited. Дата публикации: 2013-11-28.

Process for Structuring Silicon

Номер патента: US20140252564A1. Автор: Brent A. Buchine,Marcie R. Black,Faris Modawar. Владелец: Bandgap Engineering Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Process for structuring silicon

Номер патента: WO2010042209A1. Автор: Brent A. Buchine,Marcie R. Black,Faris Modawar. Владелец: BANDGAP ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2010-04-15.

Structured silicon battery anodes

Номер патента: EP2494635A1. Автор: Mark J. Isaacson,Michael S. Wong,Steven L. Sinsabaugh,Sibani Lisa Biswal,Madhuri Thakur. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2012-09-05.

Closed cage-shaped structure silicon-carbon composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN107863513B. Автор: 谭强强,王鹏飞. Владелец: Hebei Aipuai Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2020-12-25.

Structured silicon battery anodes

Номер патента: CN102598365B. Автор: S·L·比斯沃尔,M·S·黄,M·撒克尔,S·L·辛萨堡,M·J·艾萨克森. Владелец: William Ma Shi Rice University. Дата публикации: 2015-07-08.

Photoreactor comprising a photocatalyst based on three-dimensional structured silicon carbide foams

Номер патента: EP2341948B1. Автор: Marc-Jacques Ledoux,Nicolas Keller,Izabela Janowska,Dominique Begin,Valérie Keller-Spitzer,Shabnam Hajesmaili,Mathieu Grandcolas,Cuong Pahm-Huu. Владелец: Universite De Strasbourg. Дата публикации: 2016-04-13.

Mfi topological structure silicon molecular sieve, preparation method thereof and catalyst containing the same

Номер патента: US20220001364A1. Автор: Han Wang,Fei Shen,Zhimin Hu,Shibiao Cheng,Songlin Wang,Yixuan HE,Zhaobin JIANG. Владелец: Zhejiang Henglan Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

ITH structure silicon-aluminum molecular sieve and preparation method thereof

Номер патента: CN111186846B. Автор: 牛超,申宝剑,曾鹏晖,郭巧霞,李晓舟,任申勇. Владелец: China University of Petroleum Beijing. Дата публикации: 2021-07-20.

On-chip structured silicon-on-insulator vortex inducer

Номер патента: US20230056762A1. Автор: Wouter Olthuis,Wim DE MALSCHE,Eiko WESTERBEEK,Jan EIJKEL. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2023-02-23.

On-chip structured silicon-on-insulator vortex inducer

Номер патента: EP4100160A1. Автор: Wouter Olthuis,Wim DE MALSCHE,Eiko WESTERBEEK,Jan EIJKEL. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2022-12-14.

adhesive layer structure, silicone gel coated

Номер патента: BR112017024545A2. Автор: Casu Sascha,Peter WOGRAM Marco,Krause- Kyora Felix. Владелец: BSN medical GmbH. Дата публикации: 2018-07-24.

Method for growing high-surface-quality ultra-thick IGBT structure silicon carbide epitaxial material

Номер патента: CN111005068A. Автор: 李忠辉,周平,李赟,王翼,赵志飞. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2020-04-14.

Core-shell structured silicone rubber graft polymers, impact-resistant modified molding compounds and molded bodies and method for producing the same

Номер патента: AU2003202558A1. Автор: Klaus Schultes,Werner Höss,Klaus Albrecht,Reiner Muller. Владелец: Roehm GmbH Darmstadt. Дата публикации: 2003-09-02.

Process for structuring silicon carbide

Номер патента: DE3603725C2. Автор: Peter Lanig,Guenther Dr Ziegler,Dietrich Dr Stephani. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-08-18.

Structured silicon-based thermal emitter

Номер патента: US09793478B2. Автор: Yasser M. Sabry,Tarik E. Bourouina,Diaa Khalil,Momen Anwar. Владелец: SI Ware Systems SAE. Дата публикации: 2017-10-17.

Structured silicon anode

Номер патента: US7842535B2. Автор: Mino Green. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2010-11-30.

Structured silicon anode

Номер патента: WO2004042851A3. Автор: Mino Green. Владелец: Mino Green. Дата публикации: 2005-07-14.

Structured silicon anode

Номер патента: CA2504634C. Автор: Mino Green. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Structured silicon anode

Номер патента: GB2395059B. Автор: Mino Green. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2005-03-16.

Structured silicon-based thermal emitter

Номер патента: WO2017011269A2. Автор: Yasser M. Sabry,Tarik E. Bourouina,Diaa Khalil,Momen Anwar. Владелец: SI-WARE SYSTEMS. Дата публикации: 2017-01-19.

Structured silicon anode

Номер патента: US7683359B2. Автор: Mino Green. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Structured silicon anode

Номер патента: US8017430B2. Автор: Mino Green. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2011-09-13.

Structured silicon anode

Номер патента: US8384058B2. Автор: Mino Green. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2013-02-26.

Structured silicon anode

Номер патента: CN100399606C. Автор: M·格林. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Structured Silicon Anode

Номер патента: KR100785695B1. Автор: 미노 그린. Владелец: 임페리얼 이노베이션스 리미티드. Дата публикации: 2007-12-14.

Electrode comprising structured silicon-based material

Номер патента: US9012079B2. Автор: Mino Green. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Preparation method and application of network structure silicon-based lattice

Номер патента: CN111017867B. Автор: 李静,尹君,郑南峰,林水潮,钟昌祥. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-03-17.

A kind of core-shell structure silicon/carbon fiber flexible combination electrode material and the preparation method and application thereof

Номер патента: CN110112405A. Автор: 陈明华,陈庆国,张守志. Владелец: Harbin University of Science and Technology. Дата публикации: 2019-08-09.

Core-shell structure silicon/carbon fiber flexible composite electrode material and preparation method and application thereof

Номер патента: CN110112405B. Автор: 陈明华,陈庆国,张守志. Владелец: Harbin University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-05-18.

New 2-carboxy-5-hydroxy-6-norbornyl (meth)acrylate, ester and copolymers useful in photoresist, e.g. for structurizing silicon wafer

Номер патента: DE19860832A1. Автор: Jae Chang Jung,Min Ho Jung,Cheol Kyu Bok,Ki Ho Baik. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-22.

Preparation method of three-dimensional net structure silicon-based anode material for lithium ion battery

Номер патента: CN106025248A. Автор: 李新海,王志兴,郭华军,彭文杰,周玉,周融. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-12.

A kind of preparation method of lithium ion battery three-dimensional net structure silicon based anode material

Номер патента: CN106025248B. Автор: 李新海,王志兴,郭华军,彭文杰,周玉,周融. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-07.

3D NETWORK-STRUCTURED SILICON-CONTAINING PREPOLYMER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150309212A1. Автор: Cheng Hung-Hsuan,CHU SHIH-HONG. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

DEVICE FOR PRODUCING POLYMER DISPERSION SOLUTION OF CORE-SHELL STRUCTURED SILICON NANOPARTICLES

Номер патента: US20160121279A1. Автор: KIM Cheon-Bae,KIM Yo-Seop,JUNG Sung-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Multi-level nano-structure silicon carbide or silicon nitride fiber felt and preparation method thereof

Номер патента: CN106835497B. Автор: 吴楠,王应德. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-11-15.

Preparation method of multi-stage structure silicon-porous carbon composite negative electrode material for lithium battery

Номер патента: CN109659549B. Автор: 朱晓,贾希来. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2021-02-12.

A kind of preparation method of secondary Cluster Structures Silicon Based Anode Materials for Lithium-Ion Batteries

Номер патента: CN106935817A. Автор: 陈欢,褚有群,蒋力,单沈桃. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2017-07-07.

Pomegranate-like structure silicon-carbon composite material, preparation method and application thereof

Номер патента: CN112786855B. Автор: 王鹏,陈振,贺艳兵,康飞宇,吕伟,王翠翠,游从辉,谢伟森,何远标. Владелец: Shenzhen International Graduate School of Tsinghua University. Дата публикации: 2022-04-22.

Pomegranate-like structure silicon-carbon composite material, preparation method and application thereof

Номер патента: CN112786855A. Автор: 王鹏,陈振,贺艳兵,康飞宇,吕伟,王翠翠,游从辉,谢伟森,何远标. Владелец: Shenzhen International Graduate School of Tsinghua University. Дата публикации: 2021-05-11.

Method for preparing thin-wall structure silicon carbide ceramics through slip casting and solid phase sintering

Номер патента: CN105601279A. Автор: 张启富,王晓波,贺智勇,千粉玲. Владелец: China Iron and Steel Research Institute Group. Дата публикации: 2016-05-25.

A kind of high volume resistivity structural silicone adhesive of low modulus

Номер патента: CN108047968A. Автор: 王林,周光大,刘正伟,高传花,林天翼,江昊,韩志远,张利安. Владелец: Hangzhou Forster Applied Materials Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2018-05-18.

Preparation method of waterborne polyurethane with hyperbranched structure silicone oil side chain

Номер патента: CN106632964A. Автор: 鲍亮,林伟鸿,郭玉良. Владелец: GUANGDONG DEMEI FINE CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

COSMETIC COMPOSITION COMPRISING A FATTY-STRUCTURING SILICONE POLYMER CHARACTERIZED BY HARDNESS

Номер патента: FR2892929B1. Автор: Xavier Blin. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2012-04-27.

COSMETIC COMPOSITION COMPRISING A STRUCTURING SILICONE POLYMER OF A FATTY PHASE CHARACTERIZED BY VISCOSITY

Номер патента: FR2892930B1. Автор: Lezer Nathalie Jager,Jean Louis Mattei,Stéphane Arditty. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2012-03-09.

COMPOSITION BASED ON STRUCTURED SILICONE OIL IN RIGID FORM, IN PARTICULAR FOR COSMETIC USE

Номер патента: FR2825916A1. Автор: Veronique Ferrari,Jean Mondet. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2002-12-20.

Method for structuring silicon carbide for e.g. silicon carbide-trench-MOSFET, involves reperforming anisotropic plasma etching step such that passivation layer is removed from trench bottom, and forming enlarged trench region in substrate

Номер патента: DE102012200236B3. Автор: Achim Trautmann,Christian Tobias Banzhaf. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-02-21.

3D NETWORK-STRUCTURED SILICON-CONTAINING PREPLOYMER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150252194A1. Автор: Cheng Hung-Hsuan,CHU SHIH-HONG. Владелец: UNICON OPTICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-09-10.

One kind resin fire retardant of structural silicone containing phosphonitrile and preparation method thereof

Номер патента: CN108794751A. Автор: 吴勇,邓清田,宋升�,唐培�,徐亭. Владелец: China Bluestar Chengrand Research Institute of Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Process for producing a planar and densely structured silicon on insulator structure

Номер патента: DE10003014B4. Автор: Effendi Leobandung,Ghavam Shahidi,Devendra K. Sadana,Dominic J. Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

A kind of processing method through cavity structure silicon wafer

Номер патента: CN110078017A. Автор: 李响. Владелец: SHENYANG SILICON TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2019-08-02.

Multi-structure silicon fin and its making method

Номер патента: CN100527351C. Автор: 孙龙勋,崔时荣,金泽中,李德炯,李炳讚,丁仁洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-12.

Method of forming buried layer of horizontal structure silicon transistor

Номер патента: KR970053001A. Автор: 김현수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-29.

Electro-static protection structure, silicon controlled rectifier and semiconductor memory

Номер патента: US20230402450A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Silicon cluster superlattice, silicon cluster superlattice manufacturing method, silicon cluster manufacturing method, silicon cluster superlattice structure, silicon cluster superlattice structure manufacturing method, semiconductor device, and quantum device

Номер патента: JPWO2003026017A1. Автор: 直樹山本,山本　直樹,井一佐藤,啓作木村. Владелец: New Industry Research Organization NIRO. Дата публикации: 2005-01-06.

STRUCTURED SILICON-BASED THERMAL EMITTER

Номер патента: US20170012199A1. Автор: Sabry Yasser M.,Khalil Diaa,Bourouina Tarik E.,Anwar Momen. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

ELECTRODE STRUCTURE, SILICON SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING THE ELECTRODE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, CIRCUIT BOARD MOUNTING THE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: JP3785822B2. Автор: 孝志荘司,丈和堺. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-06-14.

High cycle-life lithium-ion cells with nano-structured silicon comprising anodes

Номер патента: WO2024010448A1. Автор: Ashley COOKE. Владелец: Leydenjar Technologies B.V.. Дата публикации: 2024-01-11.

High Cycle-life Lithium-ion Cells with Nano-structured Silicon Comprising Anodes

Номер патента: NL2032368B1. Автор: Cooke Ashley. Владелец: Leydenjar Tech B V. Дата публикации: 2024-01-19.

A kind of preparation method of large-area small-size core-shell structure silicon nanowire array

Номер патента: CN103489753B. Автор: 李正操,苏诗茗,林琳涵,冯嘉猷. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-06.

High Cycle-life Lithium-ion Cells with Nano-structured Silicon Comprising Anodes

Номер патента: NL2032414B1. Автор: Li Zhaolong,Cooke Ashley,AHN Yiseop,Dubbelink Thijs,Sivaraj Rohan,Homewood Thomas. Владелец: Leydenjar Tech B V. Дата публикации: 2024-01-23.

High cycle-life lithium-ion cells with nano-structured silicon-comprising anodes

Номер патента: WO2024010454A1. Автор: Zhaolong Li,Ashley COOKE,Thomas HOMEWOOD,Yiseop AHN,Thijs DUBBELINK,Rohan SIVARAJ. Владелец: Leydenjar Technologies B.V.. Дата публикации: 2024-01-11.

STRUCTURED SILICON PARTICLES

Номер патента: US20140349183A1. Автор: Friend Christopher Michael,Macklin William James,Scott Fiona. Владелец: Nexeon Limited. Дата публикации: 2014-11-27.

A kind of array cantilever beam diaphragm structure silicon microflow sensor chip

Номер патента: CN106595786B. Автор: 李华峰,田边. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2019-06-14.

A kind of four three axis jet gyros of sensitive structure silicon micro mechanical

Номер патента: CN106989741B. Автор: 田文杰,朴林华,朴然,田子敬. Владелец: Beijing Information Science and Technology University. Дата публикации: 2019-10-25.

Micro-nano structured silicon-carbon composite microsphere, preparation method and application thereof

Номер патента: CN105609711A. Автор: 智林杰,李祥龙,张兴豪. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2016-05-25.

Method for preparing micro-structure silicon avalanche diode

Номер патента: CN103258912A. Автор: 陈长水,韩田. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-21.

Laser scanning microscope for defect detection in materials, especially structured silicon wafers

Номер патента: DE19733194A1. Автор: Ralf Wolleschensky,Ulrich Dr Simon,Rainer Dipl Phys Danz. Владелец: Carl Zeiss Jena GmbH. Дата публикации: 1999-02-04.

Nano-structured carbon coated silicon material and manufacturing method for use in lithium ion based secondary batteries

Номер патента: US20240208828A1. Автор: Axel Georg SCHÖNECKER,Pierre-Yves PICHON,Marco Alberto SPREAFICO,Pierre Aymeric Fernand BERNERON,Adrianus Maria GROENLAND,Bernard Jan KRAAIJVELD. Владелец: E Magy BV. Дата публикации: 2024-06-27.

مادة زيوليتية لها هيكل إطار يشتمل على السيليكون، الأكسجين، والتيتانيوم

Номер патента: SA522440609B1. Автор: ميلان كوستور،,توماس ماكسيميليام ورم،,جواكيم هنريكي تيليس،,ياروسلاف مايكل مورمول،,أندريه-نيكولاي بارفوليسكو،,دومينيك ريديل،. Владелец: باسف اس اى.,. Дата публикации: 2024-07-10.

Preparation of silicon composite material, and negative electrode plate containing same

Номер патента: AU2021408748A1. Автор: Hui Cao,Min Hou,Yuwei SUN,Chan LIU,Zhaoyu YU,Jinzuan WANG. Владелец: Rept Battero Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Preparation of silicon composite material, and negative electrode plate containing same

Номер патента: EP4160747A1. Автор: Hui Cao,Min Hou,Yuwei SUN,Chan LIU,Zhaoyu YU,Jinzuan WANG. Владелец: Rept Battero Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Catalyst for catalytic cracking of hydrocarbon oil and method for catalytic cracking of hydrocarbon oil

Номер патента: CA2883084C. Автор: Tetsuya Kimura,Kenji Nagai,Yuji Saka,Mitsunori Tabata,Norihito Chiyoda. Владелец: Cosmo Oil Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Method for stimulating basic biochemical reactions in organism for carrying out treatment and tissue recovery, panel for carrying out treatment and tissue recovery and radiator

Номер патента: RU2314844C2. Автор: Леонид Ефимович Клячкин,Анна Михайловна Маляренко,Николай Таймуразович Баграев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Дипольные структуры". Дата публикации: 2008-01-20.

Process for producing structured coatings

Номер патента: US09865461B2. Автор: Patrik Stenner,Stephan Wieber,Matthias Patz,Janette Klatt,Stephan Traut,Christoph Mader,Odo Wunnicke,Michael Coelle,Joachim Erz,Paul Henrich Woebkenberg. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of making photocell structure

Номер патента: RU2509392C2. Автор: Йоханнес МАЙЕР,Тобиас РОШЕК,Маркус КУПИХ,Стефано БЕНАГЛИ. Владелец: Тел Солар Аг. Дата публикации: 2014-03-10.

Composition for teeth cleansing

Номер патента: RU2155579C2. Автор: Эрл Райс Дэвид. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2000-09-10.

Silicon grid as a reference and calibration standard in a particle beam lithography system

Номер патента: CA1293825C. Автор: Lydia J. Young. Владелец: Etec Systems Inc. Дата публикации: 1991-12-31.

Modified surfaces for attachment of biological materials

Номер патента: EP1998824A2. Автор: Daniel M. Storey,Alexander B. Reising,Terrence S. Magrath. Владелец: Nanosurface Technologies LLC. Дата публикации: 2008-12-10.

Modified surfaces for attachment of biological materials

Номер патента: EP1998824A4. Автор: Daniel M Storey,Terrence S Magrath,Alexander B Reising. Владелец: Chameleon Scientific Corp. Дата публикации: 2009-03-11.

Modified surfaces for attachment of biological materials

Номер патента: US20170112962A1. Автор: Terrence S. Mcgrath,Daniel M. Storey,Alexander B. Reising. Владелец: Nanosurface Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Pixel block with thin-film transistor made of low-temperature polycrystalline silicon and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2670219C1. Автор: Цзую ЯН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-19.

Substrate and method for monolithic integration of electronic and optoelectronic devices

Номер патента: EP4078676A1. Автор: Andreas Mai,Dieter Knoll. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2022-10-26.

Optical integrated device manufacturing process

Номер патента: US20090308839A1. Автор: Ubaldo Mastromatteo,Francesco Martini,Daniela Barge. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-12-17.