Method for making light emitting diode chip
Номер патента: US20140134774A1
Опубликовано: 15-05-2014
Автор(ы): Ching-Hsueh Chiu, Po-Min Tu, Shih-Cheng Huang, Ya-Wen Lin
Принадлежит: Advanced Optoelectronic Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-05-2014
Автор(ы): Ching-Hsueh Chiu, Po-Min Tu, Shih-Cheng Huang, Ya-Wen Lin
Принадлежит: Advanced Optoelectronic Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof
Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.