Россия, г. Королев.
eburdiyg@gmail.com
8 (903) 781-84-63
© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.
Implementing Enchanced Data Write for Multi-Level Cell (MLC) Memory Using Threshold Voltage-Drift or Resistance Drift tolerant Moving Baseline Memory Data
Номер патента: GB201301472D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.