System for detecting plasma reaction and method for using the same
Номер патента: US20080223299A1
Опубликовано: 18-09-2008
Автор(ы): Cheng-Jer Yang, Hong-Ming Chang, Hung-Wen Chiou, Shu-Ching Yang
Принадлежит: Promos Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-09-2008
Автор(ы): Cheng-Jer Yang, Hong-Ming Chang, Hung-Wen Chiou, Shu-Ching Yang
Принадлежит: Promos Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Adaptively plasma source and method of processing semiconductor wafer using the same
Номер патента: EP1800333A1. Автор: Nam-Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp. Дата публикации: 2007-06-27.