processus de fabrication de film mince semi-conducteur polycristallin
Номер патента: WO2008018134A1
Опубликовано: 14-02-2008
Автор(ы): Akira HEYA, Naoto Matsuo
Принадлежит: Hyogo Prefecture
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-02-2008
Автор(ы): Akira HEYA, Naoto Matsuo
Принадлежит: Hyogo Prefecture
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Procede de fabrication d'une structure en couches minces et structure en couches minces ainsi obtenue
Номер патента: EP1941538A1. Автор: Joel Eymery,Pascal Pochet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-07-09.