Wafer defect detection methods and systems
Номер патента: US20070013900A1
Опубликовано: 18-01-2007
Автор(ы): Li-Yu Chan, Long-Hui Lin
Принадлежит: Powerchip Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-01-2007
Автор(ы): Li-Yu Chan, Long-Hui Lin
Принадлежит: Powerchip Semiconductor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Die division method and inspection apparatus for avoiding defects locations on silicon carbide wafers
Номер патента: US20220199470A1. Автор: Min Park,Jongho YOON. Владелец: Etamax Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.