Method for forming an electronic product comprising two capacitors having different dielectric thicknesses, and corresponding electronic product
Номер патента: US12107118B2
Опубликовано: 01-10-2024
Автор(ы): Florent LALLEMAND, Stephane Bouvier
Принадлежит: Murata Manufacturing Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-10-2024
Автор(ы): Florent LALLEMAND, Stephane Bouvier
Принадлежит: Murata Manufacturing Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor substrate, manufacturing method for semiconductor substrate, and electronic device having semiconductor substrate
Номер патента: US20240120259A1. Автор: Koichi Takeuchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-11.