Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
Номер патента: US6320206B1
Опубликовано: 20-11-2001
Автор(ы): Arto V. Nurmikko, Carrie Carter Coman, Fred A. Kish, Jr., Michael R Krames, R. Scott Kern, Yoon-Kyu Song
Принадлежит: LUMILEDS LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-11-2001
Автор(ы): Arto V. Nurmikko, Carrie Carter Coman, Fred A. Kish, Jr., Michael R Krames, R. Scott Kern, Yoon-Kyu Song
Принадлежит: LUMILEDS LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
Номер патента: US09837578B2. Автор: Sun Kyung Kim,Jun Ho Jang,Hyun Kyong Cho. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.