Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure
Номер патента: US09466761B2
Опубликовано: 11-10-2016
Автор(ы): Dong Seon LEE, Gyu Beom Kim, Joo Won Choi, Sang Joon Lee
Принадлежит: Seoul Viosys Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-10-2016
Автор(ы): Dong Seon LEE, Gyu Beom Kim, Joo Won Choi, Sang Joon Lee
Принадлежит: Seoul Viosys Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Light emitting diode having well and/or barrier layers with superlattice structure
Номер патента: EP1976031A3. Автор: Joo Won Choi,Dong Sun Lee,Gyu Beom Kim,Sang Joon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-08.