• Главная
  • DEVELOPMENT OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY NATURAL FRITTAGE FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS

DEVELOPMENT OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY NATURAL FRITTAGE FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS

Реферат: The invention relates to a silicon sintering process, with no external force added, which comprises positioning a silicon sample in a furnace and then heat-treating this sample at least at a certain temperature and with at least a partial pressure of oxidizing species in order to control the thickness of a silicon oxide layer on the surface thereof.

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Roller coating device for photovoltaic glass coated with AR coating liquid

Номер патента: US20180346373A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Suzhou Lavennano Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Polycrystalline silicon and method of casting the same

Номер патента: US09546436B2. Автор: Takahiro Abe,Daichi Yagi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates

Номер патента: US3961997A. Автор: Ting L. Chu. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1976-06-08.

Method for manufacturing a polycrystalline silicon ingot

Номер патента: US09966494B2. Автор: Chia-Ying Yang,Ya-Lu Tsai,Kuo-Chen Ho,Chien-Chia Tseng. Владелец: AUO Crystal Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Process for producing polycrystalline silicon

Номер патента: CA2749641C. Автор: Karl Hesse,Reinhard Wolf,Walter Haeckl,Wilhelm Hoebold. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2014-10-21.

Cleaning of metallic contaminants from the surface of polycrystalline silicon with a halogen gas or plasma

Номер патента: US5753567A. Автор: Richard L. Hansen,Mohsen Banan. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 1998-05-19.

Method for producing high-purity polycrystalline silicon

Номер патента: US20150170976A1. Автор: Shuichi Miyao,Kazuomi Sato,Kazunori Funazaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Electromagnetic casting method and apparatus for polycrystalline silicon

Номер патента: US09553221B2. Автор: Mitsuo Yoshihara,Tomohiro Onizuka,Koichi MAEGAWA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Polycrystalline Silicon Sputtering Target

Номер патента: US20150001069A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Polycrystalline silicon sputtering target

Номер патента: US09982334B2. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

System and process for deposition of polycrystalline silicon with silane in vacuum

Номер патента: US3900597A. Автор: Jerry L Chruma,Paul G Hilton. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1975-08-19.

Vicinal surfaces of polycrystalline structures

Номер патента: US09446949B2. Автор: Shirly Borukhin,Boaz Pokroy. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Crystal structure control of polycrystalline silicon in a single wafer chamber

Номер патента: EP1295318A2. Автор: Shulin Wang,Steven A. Chen,Errol Sanchez,Luo Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Method for producing silicon dioxide/polycrystalline silicon interfaces

Номер патента: US4341818A. Автор: Hyman J. Levinstein,Arthur C. Adams. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-07-27.

Deposition apparatus for the formation of polycrystalline materials on mobile substrates

Номер патента: EP1937867A4. Автор: Stanford R Ovshinsky. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Polycrystalline Silicon Wafer

Номер патента: US20150108490A1. Автор: Ryo Suzuki,Hiroshi Takamura. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Method for producing polycrystalline silicon carbide substrate

Номер патента: EP4421220A1. Автор: Kuniaki Yagi. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Super-transparent electrodes for photovoltaic applications

Номер патента: WO2013003427A2. Автор: Yang Wang,Zhifeng Ren,Krzystof J. KEMPA. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-03.

Interconnections for photovoltaic energy cells in tandem modules

Номер патента: US20210074871A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Rouin Farshchi,Timothy NAGLE. Владелец: Miasole Hi-Tech Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Back-contact back-sheet for photovoltaic modules with pass-through electric contacts

Номер патента: EP2989662A1. Автор: Luigi Marras,Elisa BACCINI,Bruno Bucci. Владелец: EBFOIL Srl. Дата публикации: 2016-03-02.

Blister-free polycrystalline silicon for solar cells

Номер патента: US09559245B2. Автор: Périne Jaffrennou,Nada Habka,Taiqing Qiu,Sergej Filonovich,Gilles Olav Tanguy Sylvain Poulain. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Using polyamide as sealant for photovoltaic modules

Номер патента: RU2444807C2. Автор: Харальд МУКЕНХУБЕР. Владелец: Изовольтаик Аг. Дата публикации: 2012-03-10.

Discrete attachment point apparatus and system for photovoltaic arrays

Номер патента: US09647157B2. Автор: Brian Atchley,Tyrus Hudson,Jack Raymond West. Владелец: SolarCity Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Inverter system for photovoltaic power generation

Номер патента: US09608438B2. Автор: Moo Jung Chu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-03-28.

Polycrystalline silicon resistive device for integrated circuits and method for making same

Номер патента: CA1040321A. Автор: Alfred C. Ipri. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Method of gettering using backside polycrystalline silicon

Номер патента: CA1079863A. Автор: Shih-Ming Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-17.

Semiconductor memory device having stacked polycrystalline silicon layers

Номер патента: US4481524A. Автор: Tohru Tsujide. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-06.

Definition control of polycrystalline silicon

Номер патента: CA1050866A. Автор: Donald R. Carley. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-03-20.

Method for purification and compaction of feedstock for photovoltaic applications

Номер патента: EP2303776A1. Автор: Guido Fragiacomo. Владелец: GARBO Srl. Дата публикации: 2011-04-06.

Polycrystalline silicon portion and method for breaking a silicon body

Номер патента: CA2795822C. Автор: Peter Gruebl,Laszlo Fabry,Christian Huber. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2014-10-07.

In-situ deposition and doping process for polycrystalline silicon layers and the resulting device

Номер патента: US6867113B1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-03-15.

Fabrication method of polycrystalline silicon TFT

Номер патента: US20040248422A1. Автор: Sang Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-09.

Fet one-device memory cells with two layers of polycrystalline silicon

Номер патента: CA1079866A. Автор: Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-17.

Polycrystalline silicon layers for semiconductor devices

Номер патента: GB2130009A. Автор: Alois Erhard Widmer,Gunther Harbeke,Liselotte Krausbauer,Edgar Felix Steigmeier. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1984-05-23.

Forming patterned polycrystalline silicon

Номер патента: US4090915A. Автор: Kenneth Robert Keller. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-05-23.

Semiconductor device of polycrystalline silicon resistors

Номер патента: US8604589B2. Автор: Hirofumi Harada,Akiko Tsukamoto. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Enhancement-mode fets and depletion-mode fets with two layers of polycrystalline silicon

Номер патента: CA1088676A. Автор: Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-28.

Disconnector for photovoltaic applications

Номер патента: US09734957B2. Автор: Franco Civettini. Владелец: Bremas Ersce SpA. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for etching polycrystalline silicon, method for manufacturing semiconductor device, and etching program

Номер патента: US20130210204A1. Автор: Takayuki Sakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Connection device for photovoltaic modules and method for installing same

Номер патента: US20130081338A1. Автор: Stefan Giefers,Thomas Beier,Udo Hoppe,Mehmet Sagdic. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-04-04.

Polycrystalline silicon substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490124B2. Автор: Lijuan Tang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Traction battery assembly with plenum arranged to promote development of more uniform pressure therein

Номер патента: US09425444B2. Автор: Thomas A. Wagner. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Process for producing polycrystalline silicon

Номер патента: US09771651B2. Автор: Hanns Wochner. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for producing polycrystalline silicon

Номер патента: US20080233038A1. Автор: Satoshi Hayashida. Владелец: Chisso Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Polycrystalline silicon rod pair and method for producing polycrystalline silicon

Номер патента: MY178268A. Автор: Stefan Färber,Matthias VIETZ. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2020-10-07.

Rinsing apparatus and rinsing method for polycrystalline silicon lump

Номер патента: US09421583B2. Автор: Tetsuya Atsumi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Polycrystalline silicon material

Номер патента: US11932964B2. Автор: Takuya Asano,Miki Emoto,Kouichi Saiki,Tooru Onoda. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for producing polycrystalline silicon

Номер патента: US12060277B2. Автор: Yasushi Kurosawa,Shigeyoshi Netsu,Naruhiro Hoshino. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Process for producing polycrystalline silicon

Номер патента: MY176742A. Автор: Hanns Wochner. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Improved viewing port design for use in production of polycrystalline silicon

Номер патента: CA2916122C. Автор: Heinz Kraus,Göran Klose,Franz Salzeder. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Process for depositing polycrystalline silicon

Номер патента: CA2648378C. Автор: Karl Hesse,Franz Schreieder. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2011-07-05.

Method for producing of polycrystalline silicon and apparatus thereof

Номер патента: US4715317A. Автор: Hiroshi Ishizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 1987-12-29.

Method for the production of polycrystalline silicon

Номер патента: WO2010046751A3. Автор: Anatoli Vasilievich Pushko,Silvio Tozzoli. Владелец: Sunlit S.R.L.. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for the production of polycrystalline silicon

Номер патента: WO2010046751A8. Автор: Anatoli Vasilievich Pushko,Silvio Tozzoli. Владелец: Sunlit S.R.L.. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for the production of polycrystalline silicon

Номер патента: EP2362852A2. Автор: Anatoli Vasilievich Pushko,Silvio Tozzoli. Владелец: Sunlit Srl. Дата публикации: 2011-09-07.

Apparatus and process for deposition of polycrystalline silicon

Номер патента: CA2789486C. Автор: Mikhail Sofin. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2015-06-30.

Polycrystalline silicon deposition method

Номер патента: US09738530B2. Автор: Heinz Kraus,Tobias Weiss,Goeran KLOSE. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Reactor for the deposition of polycrystalline silicon

Номер патента: CA2968292C. Автор: Heinz Kraus,Tobias Weiss. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2019-04-30.

Method for evaluating crystal grain size distribution of polycrystalline silicon

Номер патента: US20160187268A1. Автор: Shigeyoshi Netsu,Shuichi Miyao. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Protection Device of Battery for Photovoltaic Power Generation

Номер патента: LU504672B1. Автор: HUI Yin. Владелец: Xuzhou Vocational College Of Industrial Tech. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for recharging raw material polycrystalline silicon

Номер патента: US09670593B2. Автор: Hideo Kato,Takeshi Ninomiya,Satoko Yoshimura. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of obtaining polycrystalline silicon and workpiece useful therein

Номер патента: CA1125028A. Автор: Dennis Garbis,Robert Heller,Lawrence R. Hill. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1982-06-08.

Jig and method for manufacturing boxed body of polycrystalline silicon

Номер патента: US20240199258A1. Автор: Kazuhiro Kawaguchi,Takahisa Imai. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

System and process for the production of polycrystalline silicon for photovoltaic use

Номер патента: WO2009150152A2. Автор: Mariano Zarcone,Luis Maria Antonello. Владелец: Luis Maria Antonello. Дата публикации: 2009-12-17.

Method and apparatus for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge

Номер патента: EP1337697A1. Автор: Mohsen Banan,John D. Holder,Robert H. Fuerhoff. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2003-08-27.

Method and heating device for forming large grain size silicon material structure for photovoltaic devices

Номер патента: US20090272720A1. Автор: Jian Zhong Yuan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Process of stacking and melting polycrystalline silicon for high quality single crystal production

Номер патента: EP1151154A1. Автор: Hariprasad Sreedharamurthy,John D. Holder. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2001-11-07.

Mlpe photovoltaic system and method for photovoltaic string control in mlpe photovoltaic system

Номер патента: US20220147090A1. Автор: Yu Yang,Jun Xu,Yuqi Peng. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Cetp taqib polymorphism as risk factor for development of coronary heart disease

Номер патента: WO2001085999A1. Автор: Ernst J. Schaefer,Jose M. Ordovas. Владелец: TRUSTEES OF TUFTS COLLEGE. Дата публикации: 2001-11-15.

Process for the development of silver halide light-sensitive material

Номер патента: US3772021A. Автор: H Iwano,M Yoneyama,I Shimamura,R Ohi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1973-11-13.

Positive relief forming of polycrystalline diamond structures and resulting cutting tools

Номер патента: EP3183211A1. Автор: David P. Miess. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2017-06-28.

Floating module for photovoltaic panels

Номер патента: EP4286266A1. Автор: Polina Igorevna VASILENKO,Aleksandr Vladimirovich GMYZOV. Владелец: Heliorec Sas. Дата публикации: 2023-12-06.

Positive relief forming of polycrystalline diamond structures and resulting cutting tools

Номер патента: US20170072539A1. Автор: David P. Miess. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Positive relief forming of polycrystalline diamond structures and resulting cutting tools

Номер патента: US09533398B2. Автор: David P. Miess. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Development of scheduling time characteristics for tdd system

Номер патента: RU2643783C1. Автор: Жуй ХУАН,Цзун-Каэ ФУ,Хун ХЭ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-06.

Development of time characteristics of scheduling for tdd system

Номер патента: RU2596151C2. Автор: Жуй ХУАН,Цзун-Каэ ФУ,Хун ХЭ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2016-08-27.

System for controlling the development of a culture in a solid medium in a robotised incubator

Номер патента: EP4113368A1. Автор: Arino Bringue JOAN. Владелец: Sener Aeroespacial SA. Дата публикации: 2023-01-04.

Development of hbv- and/or hdv-susceptible cells, cell lines and non-human animals

Номер патента: EP2917230A1. Автор: Stephan Urban,Yi Ni. Владелец: UNIVERSITAET HEIDELBERG. Дата публикации: 2015-09-16.

Development of Mobile Marine Charging Stations (MMCS)

Номер патента: US20210261005A1. Автор: Hossam GABER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-26.

Development of hbv-and/or hdv-susceptible cells, cell lines and non-human animals

Номер патента: US20150299289A1. Автор: Stephan Urban,Yi Ni. Владелец: UNIVERSITAET HEIDELBERG. Дата публикации: 2015-10-22.

System for assembling a supporting structure, especially for photovoltaic panels

Номер патента: WO2023018339A1. Автор: Henryk Biały. Владелец: Corab Spolka Akcyjna. Дата публикации: 2023-02-16.

Cooling system for photovoltaic panels

Номер патента: US20240106392A1. Автор: Emanuele Giannetti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for treating and/or limiting development of diabetes

Номер патента: US09744232B2. Автор: Shao-Nian Yang,Per Olof Berggren. Владелец: BIOCRINE AB. Дата публикации: 2017-08-29.

Large scale ground mounting system for photovoltaics

Номер патента: US09593867B2. Автор: Martin Seery,Tim Henson,Isaac Childress,Kate Miller,Clara Nagy. Владелец: Sunlink Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for monitoring development of somatic mosaicism

Номер патента: US09463223B2. Автор: Dmitry Dmitrievich Genkin,Georgy Viktorovich Tets,Viktor Veniaminovich Tets. Владелец: CLS Therapeutics Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods and lipid compositions for promoting development of gut flora

Номер патента: US09433599B2. Автор: Yonatan Manor,Tzafra Cohen,Yael Lifshitz,Fabiana Bar-Yoseph,Amit Goren. Владелец: Enzymotec Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Inclined mounting system for photovoltaic panels with wind protection

Номер патента: WO2020070525A4. Автор: Fotis SOUMPARAS. Владелец: Soumparas Fotis. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods of delaying development of CEA-associated tumors using anti-idiotype antibody 3H1

Номер патента: US20030077274A1. Автор: Malaya Chatterjee,Kenneth Foon,Sunil Chatterjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Methods of delaying development of CEA-associated tumors using anti-idiotype antibody 3H1

Номер патента: US20040253230A1. Автор: Malaya Chatterjee,Kenneth Foon,Sunil Chatterjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-16.

Methods for limiting development of a skin wound

Номер патента: US09688724B2. Автор: Kathleen E. Rodgers,Gere S. Dizerega. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2017-06-27.

MLPE photovoltaic system and method for photovoltaic string control in MLPE photovoltaic system

Номер патента: US11841724B2. Автор: Yu Yang,Jun Xu,Yuqi Peng. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Mlpe photovoltaic system and method for photovoltaic string control in mlpe photovoltaic system

Номер патента: EP4002054A1. Автор: Yu Yang,Jun Xu,Yuqi Peng. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

MLPE Photovoltaic system and method for photovoltaic string control in MLPE photovoltaic system

Номер патента: AU2021261865B2. Автор: Yu Yang,Jun Xu,Yuqi Peng. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Floating system for photovoltaic panels

Номер патента: EP4372981A1. Автор: Emilio Pons Puig,Miguel Redón Santafé,Miguel Ángel DEL VECCHIO,Antonio Gómez González. Владелец: Isigenere SL. Дата публикации: 2024-05-22.

Flexible support for photovoltaic module

Номер патента: NL2036819A. Автор: Dong Bin,Deng Hua,Luo Liying,Ye Zhaozhong,Dong Chang'an,Liu Hongchuang. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Modular ballast system for photovoltaic panels

Номер патента: EP4407863A1. Автор: Davide CINO,Francesco POZZONI,Elisa FORZINETTI. Владелец: TEKNOMEGA Srl. Дата публикации: 2024-07-31.

An intelligent control system for photovoltaic power generation

Номер патента: LU506240B1. Автор: Wei Zhang. Владелец: Chongqing Vocational Inst Eng. Дата публикации: 2024-07-29.

Supporting structure for photovoltaic panels

Номер патента: WO2024091133A1. Автор: Krzysztof DORYNEK. Владелец: Dorynek Krzysztof. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for development of power plant

Номер патента: RU2398069C1. Автор: . Владелец: Кочергин Игорь Николаевич. Дата публикации: 2010-08-27.

A supporting device for photovoltaic panels in tracking photovoltaic systems

Номер патента: EP2861916A1. Автор: Antonio Timidei,Giuseppe Moro,Marco De Cataldo. Владелец: Convert Italia SpA. Дата публикации: 2015-04-22.

Packaging of polycrystalline silicon

Номер патента: US09550587B2. Автор: Matthias VIETZ,Werner Lazarus,Herbert Schmoelz,Christian FRAUNHOFER. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for producing fractured fragments of polycrystalline silicon

Номер патента: US20120256023A1. Автор: Shigeru Sato,Motoki Sato. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2012-10-11.

Method for development of deposit of highly viscous oil or bitumen

Номер патента: RU2583469C1. Автор: Равиль Рустамович Ибатуллин. Владелец: Тал Ойл Лтд.. Дата публикации: 2016-05-10.

Lactoferrin and development of healthy brain in babies

Номер патента: RU2568596C2. Автор: Бин Ван,Магали ФОР,Йерун ШМИТ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-11-20.

Device and method for the flexible classification of polycrystalline silicon fragments

Номер патента: US20090120848A1. Автор: Reiner Pech,Marcus Schaefer. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for coordinated development of offshore wind power and marine ranching

Номер патента: LU506674B1. Автор: Weiming Yang. Владелец: Yantai Power Plant Of Huaneng Shandong Power Generation Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

An assistive marker and method of assisting users in their development of fine motor skills

Номер патента: WO2024113015A1. Автор: Claudia STOTHART. Владелец: Stothart Claudia. Дата публикации: 2024-06-06.

System and method for controlling the development of a software application

Номер патента: US09354865B2. Автор: Thorsten Fiebig,Gary Woods,Daniel ADELHARDT. Владелец: Software AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Systems and methods for evaluating developers of a device application

Номер патента: US20240338636A1. Автор: Rohan PATEL,Sachin Dev Duggal,Sithara Priyadarshini,Utsav Preet. Владелец: Engineer AI Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for managing development of an application

Номер патента: US20240370257A1. Автор: Rohan PATEL,Sachin Dev Duggal,Harshit Agarwal,Yash Mittal. Владелец: Engineer AI Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Automated and simplified development of database applications

Номер патента: WO2016075702A4. Автор: Arun Kumar. Владелец: Arun Kumar. Дата публикации: 2016-07-07.

Methods for treating and/or limiting development of diabetes in subjects with amyotrophic lateral sclerosis

Номер патента: US10695425B2. Автор: Per-Olof Berggren. Владелец: BIOCRINE AB. Дата публикации: 2020-06-30.

System and method for detecting development of a leak in the dry pipe section of a dry pipe sprinkler system

Номер патента: CA3160252A1. Автор: Jason Paul Hedeen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-03.

Method and system for development of on-campus facilities beneficial to institutions utilizing private capital subsidies

Номер патента: US20070078666A1. Автор: Michael Mouron. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-05.

System and method for detecting development of a leak in the dry pipe section of a dry pipe sprinkler system

Номер патента: US20220390316A1. Автор: Jason Paul Hedeen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-08.

Method and apparatus for the development of competency based educational courses and curriculum

Номер патента: US20160071425A1. Автор: Philip Weintraub. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Methods for treating and/or limiting development of diabetes in subjects with amyotrophic lateral sclerosis

Номер патента: US09700617B2. Автор: Per Olof Berggren. Владелец: BIOCRINE AB. Дата публикации: 2017-07-11.

Development of breathing appliance

Номер патента: RU2556520C2. Автор: Эндрю МИЛЛЕР. Владелец: Интерсерджикал Аг. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of development of hard-to-recover hydrocarbon deposits

Номер патента: RU2741644C1. Автор: Отто Гуйбер. Владелец: Прифолио Инвестментс Лимитед. Дата публикации: 2021-01-28.

Detecting and monitoring development of a dental condition

Номер патента: EP4437943A2. Автор: Rune Fisker,Henrik John Brandt,Alen BOGDANIC. Владелец: 3Shape AS. Дата публикации: 2024-10-02.

Art evaluation engine and method for automatic development of an art index

Номер патента: WO2011080347A1. Автор: Hans Neuendorf. Владелец: Artnet AG. Дата публикации: 2011-07-07.

System and method for expediting distributed feedback for developing of machine learning classifiers

Номер патента: US20240119344A1. Автор: Mark J. Cherney. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of preventing the development of melanoma

Номер патента: US20240216552A1. Автор: Peter Novak,Oleksandr Balakin,Max TEMNIK. Владелец: Vector Vitale IP LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

System ano method for transmitting, detecting ano executing data for the development of a tourist service

Номер патента: WO2020089949A1. Автор: Carlo Maria Aimone. Владелец: Aimone Carlo Maria. Дата публикации: 2020-05-07.

Development of the at the door payment system in e-commerce

Номер патента: WO2020204867A1. Автор: Ayberk ABİK. Владелец: Abik Ayberk. Дата публикации: 2020-10-08.

Computer-Implemented Method and System for Predicting Future Developments of a Traffic Scene

Номер патента: US20230267353A1. Автор: Faris Janjos,Maxim Dolgov. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of inhibiting the progressive development of diabetes mellitus

Номер патента: AU1287892A. Автор: Richard L. Jackson,Keith M. Robinson,Eric W. Heineke. Владелец: Merrell Dow Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 1992-09-24.

Process for development of two component diazotype photosensitive materials

Номер патента: US3820996A. Автор: T Yokoyama,T Aizawa,Y Kamezawa,K Nihyakumen. Владелец: Mita Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1974-06-28.

Cyclic development of metal oxide based photoresist for etch stop deterrence

Номер патента: US20240329538A1. Автор: Da Li,Ji Yeon Kim,Timothy William Weidman,Samantha S.H. Tan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for supporting development of user interface for application in GUI environment and server using the same

Номер патента: US10698665B2. Автор: Ji Won Kim,Jong Yun Hwang. Владелец: TmaxData Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Toner for development of electrostatic images

Номер патента: US09915887B2. Автор: Shiho Sano,Masaya Ota. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method and apparatus to encourage development of long term recollections of given episodes

Номер патента: US09865173B2. Автор: Leslie G. Seymour. Владелец: PERSINVITRO LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Optimization of the noise development of a 3D gradient echo sequence in a magnetic resonance system

Номер патента: US09846213B2. Автор: David Grodzki,Vladimir Jellus. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-12-19.

A method of determining potential susceptibility to development of alte and/or sids

Номер патента: EP1185866A4. Автор: Robert Clancy,Maree Gleeson. Владелец: Newcastle Innovation Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

A method of determining potential susceptibility to development of alte and/or sids

Номер патента: EP1185866A1. Автор: Robert Clancy,Maree Gleeson. Владелец: Newcastle Innovation Ltd. Дата публикации: 2002-03-13.

A method of determining potential susceptibility to development of alte and/or sids

Номер патента: EP1185866B1. Автор: Robert Clancy,Maree Gleeson. Владелец: Newcastle Innovation Ltd. Дата публикации: 2009-02-11.

Method of determining potential susceptibility to development of ALTE and/or SIDS

Номер патента: US20070292971A1. Автор: Robert Clancy,Maree Gleeson. Владелец: Newcastle Innovation Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

System and method for the automated development of ai projects

Номер патента: US20240176598A1. Автор: James Conway,Ngoc Minh Tran,Stephen Patrick FLINTER. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

A system and method for the automated development of ai projects

Номер патента: WO2024118157A1. Автор: James Conway,Ngoc Minh Tran,Stephen Patrick FLINTER. Владелец: MasterCard International Incorporated. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of development of deposit and opencast

Номер патента: RU2678752C1. Автор: Стефан Конрад ШВАНК,Йозеф ХАС. Владелец: Бауэр Машинен Гмбх. Дата публикации: 2019-01-31.

System, method and device for development of glow electric discharge

Номер патента: RU2481463C2. Автор: Тодд ФОРЕТ. Владелец: Форет Плазма Лабс, Ллк. Дата публикации: 2013-05-10.

Developing apparatus for the liquid development of electrostatic charge images

Номер патента: CA1220334A. Автор: Erwin Lind,Helmuth Haberhauer. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1987-04-14.

Apparatus for liquid development of electrostatic latent images

Номер патента: US4982692A. Автор: Ryosuke Uematsu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-01-08.

Developing apparatus for the liquid development of electrostatic charge images

Номер патента: US4587192A. Автор: Erwin Lind,Helmuth Haberhauer. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1986-05-06.

The service design framework for structured development of data-based services.

Номер патента: AU2021105328A4. Автор: Prachi Sharma,Adapavenkateswara Rao,J. Durga Prasad Rao. Владелец: Sharma Prachi Dr. Дата публикации: 2021-11-18.

Enhancement of development of oviparous species by in ovo feeding

Номер патента: EP1307230A2. Автор: Zehava Uni,Peter Ferket. Владелец: Yissum Research Development Co of Hebrew University of Jerusalem. Дата публикации: 2003-05-07.

Method for open underground development of main inclined mine openings (shafts)

Номер патента: RU2520225C2. Автор: . Владелец: Черных Николай Георгиевич. Дата публикации: 2014-06-20.

Process of development of frozen ground by suction-tube dredge

Номер патента: RU2204658C2. Автор: С.Г. Чебурашкин. Владелец: ООО "Нордгеотех". Дата публикации: 2003-05-20.

Development of inclined coal bed

Номер патента: RU2515791C2. Автор: . Владелец: Черных Николай Георгиевич. Дата публикации: 2014-05-20.

Puzzle for development of operative thinking

Номер патента: RU2266148C1. Автор: С.А. Аникин. Владелец: Аникин Сергей Александрович. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for combined development of deposits

Номер патента: RU2117155C1. Автор: П.Н. Васильев. Владелец: Институт горного дела Севера СО РАН. Дата публикации: 1998-08-10.

Instrument for development of pelvic floor muscles

Номер патента: RU2307636C1. Автор: Ольга Викторовна Лопаева. Владелец: Ольга Викторовна Лопаева. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of development of hydrocarbon material pool (versions)

Номер патента: RU2187626C1. Автор: А.Л. Западинский. Владелец: Западинский Алексей Леонидович. Дата публикации: 2002-08-20.

Method for development of mineral seam formations

Номер патента: RU2083827C1. Автор: В.П. Зубов,А.А. Иванов. Владелец: Зубов Владимир Павлович. Дата публикации: 1997-07-10.

Method of development of high-viscosity and heavy oil deposits

Номер патента: RU2163292C2. Автор: . Владелец: Позднышев Геннадий Николаевич. Дата публикации: 2001-02-20.

Block for photovoltaic road

Номер патента: CA183266S. Автор: . Владелец: Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-28.

Methods and compositions for promoting the neurological development of an infant

Номер патента: MY172128A. Автор: Gibson Robert,MAKRIDES Maria. Владелец: Womens & Childrens Health Res Institute. Дата публикации: 2019-11-14.

Block for photovoltaic road

Номер патента: CA183265S. Автор: . Владелец: Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-28.