High transmittance glass sheet and method of manufacture the same
Номер патента: EP2261183B1
Опубликовано: 25-02-2015
Автор(ы): Akihiro Koyama, Isamu Kuroda, Nobuyuki Yamamoto, Yasunori Seto
Принадлежит: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-02-2015
Автор(ы): Akihiro Koyama, Isamu Kuroda, Nobuyuki Yamamoto, Yasunori Seto
Принадлежит: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same
Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.