Procede de formation lithographique de microcircuits par masquage a transmission d'electrons en utilisant un masque transparent aux electrons
Номер патента: FR2425661A1
Опубликовано: 07-12-1979
Автор(ы):
Принадлежит: Rockwell International Corp
Опубликовано: 07-12-1979
Автор(ы):
Принадлежит: Rockwell International Corp
Реферат: L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FORMATION DE STRUCTURES LITHOGRAPHIQUES A TRAITS FINS ET DE RESOLUTION ELEVEE. ELLE SE RAPPORTE A UN PROCEDE SELON LEQUEL UNE SOURCE D'ELECTRONS PENETRANTS IRRADIE UN CACHE QUI TRANSMET CES ELECTRONS SUIVANT UN DESSIN, SI BIEN QUE CE DESSIN EST REPRODUIT DANS UN DISPOSITIF UTILISATEUR TEL QU'UNE PLAQUETTE REVETUE D'UNE RESERVE. LA SOURCE ELECTRONIQUE PEUT FORMER UN FAISCEAU D'ELECTRONS DE GRANDE SURFACE. APPLICATION A LA FABRICATION DES CACHES ET DES MICROCIRCUITS ELECTRONIQUES.
Method for fabrication of high aspect ratio trenches and formation of nanoscale features therefrom
Номер патента: US09653309B2. Автор: Shane A. Cybart,Robert C. Dynes,Travis Wong,Peter Roediger. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-05-16.