Россия, г. Королев.
eburdiyg@gmail.com
8 (903) 781-84-63
© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.
Measure contaminated materials to contribute to the method for the amount of the impurity of HIGH-PURITY SILICON
Номер патента: CN103149326B. Автор: J·霍斯特,D·德彼萨,T·霍索德,A·瑞特莱维斯基. Владелец: Hemlock Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-09-09.