Gas field ion source and method for using same, ion beam device, and emitter tip and method for manufacturing same
Номер патента: US8847173B2
Опубликовано: 30-09-2014
Автор(ы): Hironori Moritani, Hiroyasu Kaga, Hiroyasu Shichi, Hiroyuki Muto, Noriaki Arai, Norihide Saho, Shinichi Matsubara, Tomihiro Hashizume, Yoichi Ose, Yoshimi Kawanami
Принадлежит: Hitachi High Technologies Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-09-2014
Автор(ы): Hironori Moritani, Hiroyasu Kaga, Hiroyasu Shichi, Hiroyuki Muto, Noriaki Arai, Norihide Saho, Shinichi Matsubara, Tomihiro Hashizume, Yoichi Ose, Yoshimi Kawanami
Принадлежит: Hitachi High Technologies Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for detecting signal charged particles in a charged particle beam device, and charged particle beam device
Номер патента: US09589763B1. Автор: Jürgen Frosien. Владелец: ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH. Дата публикации: 2017-03-07.