Methods and Systems for Low Resistance Contact Formation
Номер патента: US20140065799A1
Опубликовано: 06-03-2014
Автор(ы): AHMED Khaled
Принадлежит: INTERMOLECULAR, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-03-2014
Автор(ы): AHMED Khaled
Принадлежит: INTERMOLECULAR, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low resistance source drain contact formation
Номер патента: US10381442B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.