УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ С ПЕРЕХОДОМ ШОТТКИ ПОСРЕДСТВОМ ЭЛЕКТРОННОГО УПРАВЛЕНИЯ

1. Фотоэлектрический элемент, содержащий:сетчатый слой, сформированный на полупроводниковом слое, при этом сетчатый слой содержит электропроводящую, прозрачную пористую сетку нанотрубок; и ионный слой, сформированный на сетчатом слое, при этом ионный слой просачивается через пористую сетку нанотрубок и непосредственно контактирует с полупроводниковым слоем.2. Фотоэлектрический элемент, содержащий:первый сетчатый слой, сформированный на полупроводниковом слое, при этом первый сетчатый слой содержит пористую сетку из нанотрубок;первый слой металлизации, соединенный с первым сетчатым слоем;второй электропроводящий электрод с большой площадью поверхности, соединенный с первым слоем металлизации с помощью источника управляющего напряжения; иионный слой, электрически связанный с первым сетчатым слоем и вторым электропроводящим электродом с большой площадью поверхности.3. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором внутренняя разность потенциалов перехода между первым сетчатым слоем и полупроводниковым слоем чувствительна к напряжению, прикладываемому источником управляющего напряжения.4. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором диполь на границе раздела перехода между первым сетчатым слоем и полупроводниковым слоем чувствителен к напряжению, прикладываемому источником управляющего напряжения.5. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором источник управляющего напряжения содержит несколько фотоэлектрических элементов.6. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый слой металлизации образует первый электрод, а второй электропроводящий электрод с большой площадью поверхности образует второ