多次可程式記憶體架構、互補金屬氧化物半導體多次可程式記憶體架構、以及操作多次可程式記憶體架構之方法

16-11-2015 дата публикации

Номер:

TW201543487A

Автор: Cheng-Hsiung Kuo, Chung-chieh Chen, Gu-Huan Li, Hsu-Shun Chen, Yue-Der Chih

Принадлежит: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd

Контакты:

Номер заявки:

Дата заявки:

CPC - классификация

G G1 G11 G11C G11C1 G11C11 G11C11/G11C11/1 G11C11/16 G11C11/167 G11C11/1673 G11C16 G11C16/G11C16/0 G11C16/04 G11C16/040 G11C16/0408 G11C16/043 G11C16/0433 G11C16/048 G11C16/0483 G11C16/2 G11C16/24 G11C16/26 G11C16/3 G11C16/30

IPC - классификация

G G1 G11 G11C G11C1 G11C11 G11C11/G11C11/1 G11C11/16 G11C16 G11C16/G11C16/2 G11C16/24 G11C16/26

Получить PDF