THIN FILM TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE

相关申请的交叉引用

本申请主张在2015年10月20日在中国提交的中国专利申请号No.201510684583.9的优先权，其全部内容通过引用包含于此。

本公开涉及显示技术，具体涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。

相关技术中的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)，主要是通过像素电极和公共电极之间产生的电场控制液晶分子的转动，来呈现所要显示的画面的。由此，像素电极上的电位与像素的灰阶值有着严格的对应关系。而像素电极的电位能否达到要求值，主要是由TFT的开启电流等性能参数决定的。相同工艺条件下，TFT的宽长比(W/L，其中的W为沟道宽度、L为沟道长度)对TFT的性能参数起很大作用。

现有技术中的薄膜晶体管结构中，由于工艺能力的限制，TFT的沟道长度很难被减小，因此提高性能参数的方法主要是增大沟道宽度，比如将沟道沿任一方向整体拉长。但是，该类方式会增大TFT的大小，从而挤占一部分透光区域的面积、减小像素的开口率，影响显示效果。

发明内容

针对相关技术中的缺陷，本公开提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，可以在不减小像素开口率的前提下增加薄膜晶体管的宽长比。

第一方面，本公开提供了一种薄膜晶体管，包括同层设置的第一电极图形与第二电极图形；所述第一电极图形包括沿第一方向延伸的第一条状部，所述第二电极图形包括围绕所述第一条状部的第一端的弯曲部；所述第二电极图形还包括从所述弯曲部的第一端沿所述第一方向延伸的第二条状部；该薄膜晶体管的沟道的形成区域包括所述弯曲部与所述第一条状部之间所夹的区域，以及 所述第二条状部与所述第一条状部之间所夹的区域。

可选地，所述第一电极图形还包括与所述第一条状部的第二端相接的本体部。

可选地，所述第一电极图形和所述第二电极图形上覆盖有绝缘层，所述绝缘层中形成有用于连接所述本体部的过孔。

可选地，所述过孔的形状为圆形、半圆形、方形或者长方形。

可选地，所述第二条状部的一端与所述本体部的一侧边缘对齐；该薄膜晶体管的沟道的形成区域还包括所述第二条状部与所述本体部之间所夹的区域。

可选地，所述薄膜晶体管还包括有源层图形；所述薄膜晶体管的沟道的形成区域位于所述有源层图形的设置区域内。

可选地，所述薄膜晶体管还包括栅电极图形，所述栅电极图形的设置区域包含所述沟道的形成区域。

可选地，所述薄膜晶体管还包括有源层图形；

所述薄膜晶体管的沟道的形成区域在第二方向上的投影位于所述有源层图形的设置区域在第二方向上的投影内；所述第二方向垂直于所述栅电极图形。

可选地，所述薄膜晶体管还包括栅电极图形，所述薄膜晶体管的沟道的形成区域在第二方向上的投影位于所述栅电极图形的设置区域内。

可选地，所述第二条状部的远离所述弯曲部的侧边与所述本体部远离所述弯曲部的侧边对齐；该薄膜晶体管的沟道的形成区域还包括所述第二条状部与所述本体部之间的区域。

可选地，所述弯曲部的形状为U形、L形。

第二方面，本公开还提供了一种上述任意一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成包括所述第一电极图形与所述第二电极图形的导电层。

第三方面，本公开还提供了一种阵列基板，包括设置在像素区域内的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管为上述任意一种的薄膜晶体管。

第四方面，本公开还提供了一种显示装置，包括上述任意一种的阵列基板。

由上述技术方案可知，本公开通过第二电极图形中第二条状部的设置，可以在不增大薄膜晶体管设置面积的前提下增加沟道宽度，从而可以用于器件性 能的提升或者设置面积的减小。在具体应用至相关技术中的TFT-LCD中时，本公开只需要改变相关技术中的图案化工艺的图案形状即可实现，有利于产品成本的降低和产品性能的提升。

当然，实施本公开的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

为了更清楚地说明本公开实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术中一种薄膜晶体管的结构示意图；

图2是本公开一些实施例中一种薄膜晶体管的局部结构示意图；

图3是本公开一些实施例中一种薄膜晶体管的结构示意图；

图4是本公开一些实施例中一种薄膜晶体管的结构示意图。

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

图1是相关技术中一种薄膜晶体管的结构示意图。参见图1，该TFT的沟道即源电极13与漏电极14之间的U形区域内的有源层12，并且其形成区域位于栅电极11的设置区域内。由于工艺能力的限制，TFT的沟道长度(如图1中源电极13与漏电极14的间距)很难被减小，因此提高性能参数的方法主要是增大沟道宽度(如图1中U形的沟道的轨迹长度)，比如将沟道沿任一方向整体拉长。但是，该类方式会增大TFT的大小，从而挤占一部分透光区域的面积、减小像素的开口率，影响显示效果。

图2是本公开一些实施例中一种薄膜晶体管的局部结构示意图。参见图2，该薄膜晶体管包括同层设置的第一电极图形与第二电极图形。具体地，如图2所示的第一电极图形包括沿第一方向R1延伸的第一条状部21a，而第二电极图形包括围绕该第一条状部21a的第一端(在图2中具体为左端)的弯曲部22a。除此之外，第二电极图形还包括从弯曲部22a的第一端(在图2中具体为有虚线标注的一端)沿第一方向R1延伸的第二条状部22b。基于上述结构，该薄膜晶体管的沟道的形成区域既包括上述弯曲部22a与第一条状部21a之间所夹的区域A1，也包括第二条状部22b与第一条状部21a之间所夹的区域A2。可以理解的是，上述第一电极图形与上述第二电极图形分别形成该薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个。

需要说明的是，本公开实施例中的第一电极图形与第二电极图形是同层设置的，因此可以在一次图案化工艺中利用预先确定的导体材料来同时形成。相对于相关技术中的漏电极与源电极的图案化工艺来说，本公开实施例可以通过改变图案形状来实现。而对于本公开实施例未述及的薄膜晶体管的其他结构，可以根据具体所选取的薄膜晶体管的类型来按照相关技术的方式进行设置，本公开对此不做限制。例如，该薄膜晶体管的沟道应位于一个主要由半导体材料形成的层结构当中，而且该层结构应当与上述第一电极图形及第二电极图形直接接触。

可以看出的是，本公开实施例通过第二电极图形中第二条状部的设置，可以在不增大薄膜晶体管设置面积的前提下增加沟道宽度，从而可以用于器件性能的提升或者设置面积的减小。在具体应用至相关技术中的TFT-LCD中时，本公开实施例只需要改变相关技术中的图案化工艺的图案形状即可实现，有利于产品成本的降低和产品性能的提升。

作为一种更为具体的示例，图3是本公开一些实施例中一种薄膜晶体管的结构示意图。参见图3，该薄膜晶体管与图2所示的薄膜晶体管一致的是：该薄膜晶体管包括同层设置的第一电极图形与第二电极图形，其中的第一电极图形包括沿第一方向R1延伸的第一条状部21a；而第二电极图形包括围绕该第一条状部21a的第一端(在图3中具体为左端)的弯曲部22a，以及从弯曲部22a的第一端(在图3中具体为有虚线标注的一端)沿第一方向R1延伸的第二条 状部22b。

而在图2所示的薄膜晶体管的结构的基础之上，本公开的一些实施例中的薄膜晶体管还具有下述特征：

第一，该薄膜晶体管还包括有源层图形23，该薄膜晶体管的沟道的形成区域位于该有源层图形的设置区域内。可以理解的是，该有源层图形23的形成材料为半导体，而且该有源层图形23与上述第一电极图形及上述第二电极图形接触，以在第一电极图形与第二电极图形之间所夹的区域内形成该薄膜晶体管的沟道。

第二，该薄膜晶体管还包括栅电极图形24，该栅电极图形24的设置区域包含该薄膜晶体管的沟道的形成区域。根据薄膜晶体管的工作原理可以推知，薄膜晶体管的沟道的形成区域需要被薄膜晶体管的栅电极所覆盖，因此上述有源层图形23需要至少在沟道的形成区域内与栅电极图形24相互交叠。可以理解的是，为保持彼此的电绝缘，有源层图形23与栅电极图形24之间应设有附图中未示出的绝缘层(可称为“栅绝缘层”)，本公开对此不做限制。

第三，第一电极图形还包括与第一条状部21a的第二端(在图3中具体为右端)相接的本体部21b。由此，本体部21b可用于形成第一电极图形的电连接。举例来说，第一电极图形和第二电极图形上可以覆盖有绝缘层，而绝缘层中可以形成有用于连接该本体部21b的过孔H1。由此，可以在此基础之上通过形成导体层来在过孔H1中形成该导体层与第一电极图形的电连接。其中，过孔H1的形状可以是圆形、半圆形、方形或者长方形，本公开对此不做限制。本公开的一些实施例中，第二条状部22b、本体部21b、绝缘层24、过孔H1可以如图4所示的方式设置。如图4所示，所述第二方向R2垂直于第二条状部22b、本体部21b、绝缘层24。

第四，上述第二条状部22b的一端与上述本体部21b的一侧边缘对齐，在图3中具体为第二条状部22b的右端与上述本体部21b的右侧边缘对齐。在此基础之上，该薄膜晶体管的沟道的形成区域除了上述弯曲部22a与第一条状部21a之间所夹的区域A1，和第二条状部22b与第一条状部21a之间所夹的区域A2之外，还包括第二条状部22b与本体部21b之间所夹的区域A3。可以看出的是，区域A1、A2和A3内均覆盖有有源层图形23以及栅电极图形24，因而 这些区域内的沟道都可以形成第一电极图形与第二电极图形之间的电压。

可以理解的是，虽然图3所示的薄膜晶体管同时具备了上述五方面的特征，但在本公开的其他实施方式中，可以根据应用场景的需要选取其中的任意多个特征来实现所期望的技术效果，其显然包含图2所示的薄膜晶体管所具有的特征，因此同样可以在不增大薄膜晶体管设置面积的前提下增加沟道宽度，并有利于产品成本的降低和产品性能的提升，本公开对此不做限制。

另外，在本公开的其他实施方式中，弯曲部22a的形状除了可以为U形之外，还可以是L形(均可以具有预定的弯曲程度)。也就是说，视具体应用需要的不同，上述弯曲部22a可以呈U形包围第一条状部21a的第一端，也可以呈L形部分包围第一条状部21a的第一端。由此，弯曲部22a可以通过其他方式围绕第一条状部21a，以形成其他可以在给定设置面积下比相关技术中的薄膜晶体管具有更大的沟道宽度的薄膜晶体管。

可以理解的是，上述任意一种薄膜晶体管均可以是N型晶体管或者P型晶体管，可以具有顶栅结构或者底栅结构，可以是非晶硅(a-Si)TFT、多晶硅(p-Si)TFT、单晶硅TFT、金属氧化物半导体TFT中的任意一类，本公开对此不做限制。由此，根据薄膜晶体管类型的不同，可以根据应用场景确定上述第一电极图形对应该晶体管的源电极还是漏电极。特别地，在薄膜晶体管具有源电极与漏电极对称的结构时，可以不对源电极与漏电极进行特别区分。

基于同样的发明构思，本公开的一些实施例提供一种上述任意一种薄膜晶体管的制作方法。具体来说，该方法包括：形成包括所述第一电极图形与所述第二电极图形的导电层。可以理解的是，第一电极图形与第二电极图形是同层设置的，因此可以在一次图案化工艺中利用预先确定的导体材料来同时形成在一个导电层当中。相对于相关技术中的漏电极与源电极的图案化工艺来说，本公开实施例可以通过改变图案形状来实现。由此，本公开实施例可以用于器件性能的提升或者设置面积的减小，有利于产品成本的降低和产品性能的提升。

需要说明的是，根据所选用的薄膜晶体管的具体类型和结构的不同，本公开实施例的方法可以包括按照相关技术中的方式形成除该导电层之外的其他结构的步骤，本公开对此不作限制。

基于同样的发明构思，本公开的一些实施例提供一种阵列基板，该阵列基 板包括设置在像素区域内的薄膜晶体管；该薄膜晶体管为上述任意一种的薄膜晶体管。举例来说，本公开的一些实施例的阵列基板可以设置在TFT-LCD或者有源矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示器中，而采用上述任意一种薄膜晶体管可以用于刷新频率和像素分辨率的提升，有利于产品成本的降低和产品性能的提升。

基于同样的发明构思，本公开实施例提供一种显示装置，包括上述任意一种的阵列基板。需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于包括上述任意一种的阵列基板，因此本公开实施例所提供的显示装置可以具有更高的刷新频率和像素分辨率，以及更低的产品成本和更高的产品性能。

在本公开的描述中需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

本公开的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本公开的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

类似地，应当理解，为了精简本公开公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本公开的示例性实施例的描述中，本公开的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释呈反映如下意图：即所要求保护的本公开要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的 权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本公开的单独实施例。

应该注意的是上述实施例对本公开进行说明而不是对本公开进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本公开可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本公开的权利要求和说明书的范围当中。