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04-01-2018 дата публикации

SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS

Номер: KR101814362B1
Автор: PARK, HYEONG SIN, LEE, GI WOO, KIM, MI JEE
Принадлежит: KCTECH CO., LTD.

The present invention relates to a substrate treatment apparatus. The substrate treatment apparatus for performing a chemical coating process on a substrate to be treated comprises: a vibration plate lifting a substrate using vibration energy by an ultrasonic wave; a chemical coating unit for coating a chemical on the surface of the substrate; a groove arranged in a lower part of the chemical coating unit, and formed to be recessed on the upper surface of the vibration plate; and a suction pressure forming unit for applying a suction pressure to the groove. Therefore, a beneficial effect of removing foreign materials present in a lower part of the substrate can be obtained while restraining an effect due to vibration in a region where the chemical is coated. COPYRIGHT KIPO 2018 (114) Suction pressure forming unit ...

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Номер записи: 1
08-05-2017 дата публикации

반도체 연마용 슬러리 조성물

Номер: KR0101732435B1
Автор: 박광수, 이혜희, 최보혁, 윤영호
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 반도체 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 연마용 슬러리 조성물은, 연마입자; 자유 라디칼 공급제; 산화제; 및 보조산화제;를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 연마용 슬러리 조성물에 의하여, 산화제 및 보조 산화제의 함량 변경으로 실리콘게르마늄 막의 연마율을 조절할 수 있고, 이를 통하여, 실리콘게르마늄 막과 폴리실리콘 막의 동등 수준의 연마선택비 구현이 가능하다.

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Номер записи: 2
08-01-2016 дата публикации

APPARATUS AND METHOD OF COMPENSATING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS

Номер: KR0101583817B1
Автор: 최광락, 조문기, 서강국, 최재영
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 공정의 보정 제어 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 화학 기계적 연마 공정 중의 파라미터를 측정하는 파라미터 측정부와; 상기 파라미터 측정 단계에서 얻어진 데이터를 수신하여 파라미터의 측정값을 디스플레이하는 디스플레이와; 상기 디스플레이 단계에서 디스플레이된 파라미터의 측정값의 개략적인 분포를 하나의 선 형태로 터치 입력받는 입력부와; 상기 입력 단계에서 입력된 형태로 상기 화학 기계적 연마 공정을 제어하여 상기 파라미터의 측정값의 편차를 제거하는 파라미터 보정부를; 포함하여 구성되어, 입력된 곡선의 형태 및 기울기에 따라 파라미터 보정부에서 보정 제어 공정이 행해짐으로써, 파라미터 보정부에서 행해지는 보정 제어 공정이 단순화되면서도, 작업자에 의하여 파라미터의 보정이 가장 필요한 영역을 중심으로 입력부에 보정 공정을 위한 선이 입력되므로, 파라미터 보정 공정이 급격한 편차를 보다 우선하여 바로잡는 방향으로 이루어져 짧은 시간 내에 파라미터의 편차를 보정할 수 있는 화학 기계적 연마 공정의 보정 제어 장치 및 그 방법을 제공한다.

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Номер записи: 3
03-04-2017 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHOD

Номер: KR101722555B1
Автор: CHOI, DONG JCYU, AN, JOON HO
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and method. The chemical mechanical polishing apparatus for polishing the abrasive layer of a substrate includes a polishing pad which the substrate touches in a chemical mechanical polishing process, and a slurry supply part for supplying slurry at different temperatures to the upper surface of the polishing pad in a polishing process where the substrate is polished while touching the polishing pad. Therefore, it is possible to shorten the time required for an initial polishing step where a polishing amount per unit time is kept low and to prevent the overheating of the slurry and ensure polishing uniformity in a main polishing step having a high polishing amount per unit time. COPYRIGHT KIPO 2017 (300) Slurry temperature adjustment part (400) Control part (500) Temperature measurement part ...

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Номер записи: 4
16-08-2018 дата публикации

기판 이송 장치

Номер: KR0101888530B1
Автор: 정현호
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 습식공정에서의 기판 이송 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 기판 이송 장치는 하부 롤러부 및 상부 롤러부로 구성되는 더블 롤러 형태로 이루어지고, 이때 상부 롤러부는 회전을 함으로써 기판을 일정 방향으로 이송하는 샤프트축; 샤프트축의 일단을 지지하기 위한 것으로, 상부면이 개방되고 샤프트축이 안착되는 만곡부를 갖는 하우징; 및 하우징의 상부면을 덮으면서 샤프트축을 고정하되, 만곡부와 대응하는 영역은 샤프트축과 이격 간격을 갖도록 하우징과 결합하는 하우징 캡;을 구비한다.

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Номер записи: 5
29-11-2018 дата публикации

스핀식 헹굼 건조 장치

Номер: KR0101923382B1
Автор: 정희철
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 스핀식 헹굼 건조 장치에 관한 것으로, 스핀식 헹굼 건조 장치는, 상부에 기판이 안착되며 회전 가능하게 마련되는 기판거치부와, 기판거치부의 측면 둘레에 배치되는 가드링과, 기판거치부의 주변을 감싸도록 형성되며 가드링의 내부에 배치되는 스핀커버를 포함하는 것에 의하여, 기판거치부가 회전함에 따른 상승 기류를 저감시키고, 기판의 2차 오염을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

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Номер записи: 6
08-01-2019 дата публикации

ILD 연마 공정용 슬러리 조성물

Номер: KR0101935965B1
Автор: 황준하, 최낙현
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 ILD 연마 공정용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 ILD 연마 공정용 슬러리 조성물은 양전하로 분산된 금속산화물 연마입자를 포함하는 연마액; 및 1개 이상의 1차 또는 2차 질소 원소를 포함하는 아민 화합물을 포함하는 첨가액;을 포함한다.

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Номер записи: 7
11-11-2015 дата публикации

RETAINER RING OF CARRIER HEAD OF CHEMICAL MECHANICAL APPARATUS AND MEMBRANE USED THEREIN

Номер: KR0101568177B1
Автор: 윤근식
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 리테이너 링에 관한 것으로, 웨이퍼의 판면을 바닥판으로 가압하는 멤브레인과, 멤브레인의 상기 바닥판을 감싸는 구비한 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 리테이너 링으로서, 상기 리테이너 링은, 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 웨이퍼의 둘레를 감싸는 링 형태로 형성되어, 상기 웨이퍼의 연마면이 접하는 연마 패드의 표면에 저면이 접촉한 상태를 유지하고, 상기 연마 패드의 표면과 접촉하는 저면에는 제1원주방향성분을 갖도록 뻗어 저면을 반경 방향으로 관통시키는 제1유입홈과, 상기 제1원주방향과 반대 방향인 제2원주방향성분을 갖도록 뻗어 저면을 반경 방향으로 관통시키는 제2유입홈이 저면에 형성되되, 상기 제1유입홈과 상기 제2유입홈은 원주 방향을 따라 다수 배열되어, 하나의 연마 패드 상에서 웨이퍼를 정,역방향으로 자전 방향을 변경하면서 화학 기계적 연마 공정이 행해지더라도, 연마 패드 상에 공급된 슬러리가 서로 다른 원주 방향 성분을 갖는 제1유입홈과 제2유입홈을 통해 웨이퍼로 원활히 유입시킬 수 있는화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 리테이너 링을 제공한다.

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Номер записи: 8
06-07-2018 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер: KR101875386B1
Автор: PARK, JAE WOOK, PARK, DONG WOO
Принадлежит: KCTECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and a control method thereof. The chemical mechanical polishing apparatus comprises a carrier unit carrying out a chemical mechanical polishing process with a substrate mounted thereon; and a posture sensing unit sensing a posture change of the carrier unit. Accordingly, a polishing state or a polishing condition of the substrate can be precisely controlled according to a posture change amount of the carrier unit. COPYRIGHT KIPO 2018 (400) Detecting unit ...

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Номер записи: 9
31-01-2017 дата публикации

화학 기계적 연마 장치 및 이에 사용되는 온도조절패드

Номер: KR0101700869B1
Автор: 조문기, 모연민
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 웨이퍼가 접촉하면서 자전하는 연마 패드와; 상기 연마 패드의 온도를 조절하도록 상기 연마 패드의 상측에 배치되는 온도조절패드를; 포함하여 구성되어, 화학 기계적 연마 공정을 시작하기 이전이나 화학 기계적 연마 공정 중에 연마 패드의 온도를 적정 온도로 유지하여, 화학적 연마와 기계적 연마의 균형을 맞춤으로써 웨이퍼의 단위 시간당 연마량을 일정하게 유지하고, 웨이퍼의 연마면 마모 상태를 일정하게 유지하여 웨이퍼의 연마면 품질을 향상시킬 수 있는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.

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Номер записи: 10
07-03-2017 дата публикации

기판 코터 장치용 슬릿 노즐의 청소 시스템 및 이를 이용한 청소 방법

Номер: KR0101713098B1
Автор: 박상명
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판 코팅 장치용 슬릿 노즐의 청소 시스템 및 이를 이용한 청소 방법에 관한 것으로, 상기 슬릿 노즐이 청소 위치로 이동한 상태에서 상기 슬릿 노즐의 하측에 위치하여 이물질을 수거하는 트래이와; 상기 트래이의 상측에 위치하고, 상기 청소 위치에 위치한 상기 슬릿 노즐의 토출구의 주변 표면에 접촉한 상태로 상기 토출구의 길이 방향을 따라 이동하여 상기 토출구의 주변 표면에 묻은 이물질을 닦아 제거하는 클리너와; 상기 클리너의 청소 상태를 촬영하는 카메라를 포함하여 구성되어, 클리너가 닦아낸 토출구 주변의 청소 상태를 카메라로 촬영하면서 슬릿 노즐의 토출구 주변을 닦아냄으로써, 슬릿 노즐의 토출구 주변에 묻은 약액 등의 이물질을 보다 깨끗하고 확실하게 닦아내어, 피처리 기판의 약액 도포 공정 중에 슬릿 노즐의 토출구 주변의 이물질에 의하여 악영향을 받는 것을 근본적으로 방지하여 우수한 도포 품질을 안정적으로 확보할 수 있는 기판 코팅 장치용 슬릿 노즐의 청소 시스템 및 그 청소 방법을 제공한다.

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Номер записи: 11
16-05-2016 дата публикации

GAS SUPPLY DEVICE AND LARGE ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS HAVING SAME

Номер: KR101621377B1
Автор: PARK, SUNG HYUN, SHIN, IN CHUL, LEE, KEUN WOO, KIM, KYUNG JOON
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

Disclosed are a gas supply device which can process a large substrate, and a large atomic layer deposition apparatus having the same. The gas supply device for a large atomic layer deposition apparatus comprises: a first housing having a first buffer unit communicating with a process chamber therein and provides a first deposition gases; a first opening/closing unit having a cylindrical shape which is provided to be able to rotate within the first buffer unit, and forms a first supply flow channel which selectively communicates with the first buffer unit when rotating around a shaft in the center of the cross section; a second housing which is provided to be parallel with the first housing, forms a second buffer unit communicating with the process chamber, and provides a second disposition gases; a second opening/closing unit having a cylindrical shape which is provided to be able to rotate within the second buffer unit, and forms a second supply flow channel which selectively communicates ...

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Номер записи: 12
20-12-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS

Номер: KR101684842B1
Автор: KIM, JONG CHEON, YIM, HWA HYUK, KIM, MIN SEONG, CHO, MOON GI
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus. The chemical mechanical polishing apparatus comprises: a polishing surface plate to rotate, wherein a polishing pad is worn on an upper surface thereof; a polishing head to come in contact with a plate surface of a wafer to press the plate surface of the wafer during a chemical mechanical polishing process; a thickness sensor to apply a signal to the wafer to obtain thickness information of the wafer; and a control unit to receive a first output signal from the thickness sensor while the wafer is not positioned on a membrane bottom plate, and then receive a second output signal from the thickness sensor during the chemical mechanical polishing process while the wafer is positioned on the membrane bottom plate to obtain a thickness distribution of the wafer from a signal obtained by subtracting the first output signal from the second output signal. A thickness of a polishing layer of the wafer which is not distorted ...

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Номер записи: 13
10-05-2018 дата публикации

금속산화물 유기 나노분산액, 필름 및 이를 포함하는 디스플레이용 광학부재

Номер: KR0101855987B1
Автор: 김권중
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 금속산화물 유기 나노분산액, 필름 및 이를 포함하는 디스플레이용 광학부재에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속산화물 유기 나노분산액은, 금속산화물 고형분; 유기첨가제; 및 모노머;를 포함하고, 200 cP 내지 5,000 cP 범위의 점도를 가지는 것이다.

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Номер записи: 14
08-06-2017 дата публикации

화학 기계적 기판 연마장치

Номер: KR0101739426B1
Автор: 조문기, 조현기
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 복수의 연마정반에 대해서 서로 다른 온도로 제어할 수 있는 화학 기계적 기판 연마장치가 개시된다. 화학 기계적 기판 연마장치는, 기판의 연마를 위한 연마패드를 구비하는 복수의 연마정반, 상기 각 연마정반에 구비되며, 상기 각 연마패드에 접촉되도록 상기 기판을 파지하는 복수의 기판 캐리어, 상기 각 연마정반 상부에 구비되어서 상기 각 연마패드를 미소 절삭하는 복수의 컨디셔너, 상기 각 연마패드의 온도를 측정하는 복수의 온도 측정부, 상기 각 연마패드의 온도를 조절하는 온도 조절부 및 상기 복수의 연마정반에 구비된 연마패드의 온도를 서로 다르게 제어하는 제어부를 포함하여 구성된다.

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Номер записи: 15
03-01-2018 дата публикации

기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법

Номер: KR0101814361B1
Автор: 권영규, 안준호, 손병철, 노진성
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 기판 처리 시스템은, 기판에 대해 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 수행하는 연마 파트와, 연마 공정이 완료된 기판을 세정하는 세정 파트와, 기판 반입출 파트에 반입된 기판을 연마 파트에서 연마하기 전에 세정 파트로 이송하는 기판이송부를 포함하며, 기판은 연마 공정이 진행되기 전에 세정 파트에서 먼저 준비 세정(primary cleaning)된 후 연마 파트에 진입되도록 하는 것에 의하여, 기판의 연마 공정이 진행되기 이전에 기판에 존재하는 이물질을 일차적으로 분리시켜 연마 효율 및 세정 효율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.

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Номер записи: 16
12-10-2015 дата публикации

LOW PRESSURISED CONDITIONER OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS

Номер: KR0101559278B1
Автор: 채희성, 조문기
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 컨디셔너에 관한 것으로, 회전 중심으로부터 연장되어 왕복 회전 운동하는 아암과; 상기 아암의 끝단부에서 회전 구동되는 회전축과; 상기 회전축에 의하여 회전 구동되고, 저면에는 컨디셔닝 디스크를 파지하여 상기 연마 패드를 가압하면서 상기 연마 패드의 표면을 미소 절삭하는 컨디셔닝 유닛과; 상기 컨디셔닝 유닛과 상기 회전축 사이에 밀폐된 형성되어 부압이 인가되면 상기 컨디셔닝 유닛을 상기 회전축으로 인상하는 인상 챔버를; 포함하여 구성되어, 인상 챔버에 부압을 인가하여 컨디셔닝 유닛이 회전축을 향하여 들어올리는 힘을 도입하여, 컨디셔닝 유닛의 자중으로 누르는 자압보다 작은 저압으로 연마 패드를 정교하게 제어하면서 가압하면서 개질할 수 있는 화학 기계적 연마 장치의 컨디셔너를 제공한다.

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Номер записи: 17
20-10-2015 дата публикации

METHOD FOR MEASURING WAFER LAYER THICKNESS IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS AND RETAINER RING OF CARRIER HEAD USED THEREIN

Номер: KR101561815B1
Автор: KIM, MIN SEONG, YIM, HWA HYUK
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a method for measuring wafer layer thickness in a chemical mechanical polishing process, which senses the thickness of a conductive layer of a wafer during the chemical mechanical polishing process of the wafer as the surface of the wafer contacts on a rotating polishing pad. The method of the present invention includes: a wafer polishing step of performing the chemical mechanical polishing process by pressurizing the wafer with a carrier head, comprising a retainer ring which is arranged around the wafer in a ring type during the chemical mechanical polishing process, and includes a ring type first member having a first stepped protrusion side and a second stepped protrusion side having different height with each other and formed with a conductive material, and includes a second member formed with a non-conductive material below the first member and contacting the polishing pad during the chemical mechanical polishing process; a signal applying step of ...

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Номер записи: 18
07-11-2018 дата публикации

화학 기계적 연마 장치 및 그 방법

Номер: KR0101916211B1
Автор: 조문기, 채희성
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 상기 웨이퍼를 하측에 위치시킨 상태로 가압하면서 회전시키는 연마 헤드와; 화학 기계적 연마 공정 중에 연마 패드의 반경 방향으로의 높이 편차를 얻는 패드높이 측정부와; 선회축을 중심으로 정해진 각도만큼 선회 회전하는 아암과, 상기 선회축으로부터 이격된 상기 아암의 하측에 상기 연마 패드를 가압하면서 회전하는 컨디셔닝 디스크를 구비한 컨디셔너와; 상기 연마 패드의 높이가 제1위치에 비하여 더 높은 제2위치에서 상기 제1위치를 통과하는 제1선회속도보다 더 낮은 제2선회속도로 상기 아암의 선회 속도를 조절하는 제어부를; 포함하여 구성되어, 연마 패드의 서로 다른 위치에서의 높이 편차를 컨디셔닝 디스크의 선회 속도 조절에 의하여 완화할 수 있게 되므로, 동일한 가압력이 웨이퍼에 작용하더라도 연마 패드의 높이 편차에 따라 마찰력이 달라져 웨이퍼의 단위 시간당 연마량을 영역별로 조절할 수 있는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.

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Номер записи: 19
28-03-2017 дата публикации

화학 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마층 두께 측정 방법

Номер: KR0101720518B1
Автор: 김민성, 임화혁
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마층 두께 측정 방법에 관한 것으로, 웨이퍼의 화학 기계적 연마 장치로서, 상면에 연마 패드가 입혀지고 자전하는 연마 정반과; 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 연마 패드에 상기 웨이퍼를 가압하면서 회전시키고, 상기 연마 패드의 반경 방향 성분을 갖는 방향으로 왕복 이동하는 연마 헤드와; 상기 연마 정반에 고정되어 연마 정반과 함께 회전하면서, 상기 웨이퍼의 연마층 두께 정보를 갖는 수신 신호를 수신하는 센서와; 상기 연마 정반에 고정된 상기 센서의 회전 위치를 감지하는 센서위치감지수단과; 상기 센서가 상기 웨이퍼의 저면으로 위치하기 시작하면서 수신하는 제1수신신호의 발생 위치로부터 상기 연마 패드 상에서의 상기 웨이퍼의 위치를 감지하여, 상기 웨이퍼의 감지 위치로부터 상기 센서로부터 수신되는 상기 제1수신신호에 해당하는 상기 웨이퍼에 대한 감지 궤적을 감지하고, 상기 감지 궤적에서의 상기 웨이퍼의 연마층 두께를 측정하는 제어부를; 포함하여 구성되어, 웨이퍼가 화학 기계적 연마 공정 중에 규칙적으로 또는 불규칙적으로 왕복 이동하더라도, 웨이퍼의 연마층 두께 분포를 실시간으로 정확하게 측정하여 정교한 웨이퍼 연마층의 두께를 조절할 수 있는 화학 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마층 두께 측정 방법을 제공한다.

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Номер записи: 20
29-02-2016 дата публикации

SUBSTRATE REST

Номер: KR101598333B1
Автор: SHIN, HYUNG HWAN
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a substrate rest which comprises: a substrate support which is in contact with the bottom of a substrate to support the substrate; a fluid supply passage installed to be in communication with a hole formed on the bottom of the substrate support and extending to have a gravity direction component; and a flow sensor detecting a flow rate of fluid flowing through the fluid supply passage per unit time, and detects whether the substrate is rested or not through a change in flow rate per unit time detected by the flow sensor when the substrate is rested on the bottom of the substrate support, thereby detecting the existence of a substrate accurately even if there is fluid such as pure water and the like on a surface of the substrate on the substrate support. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 21
11-08-2017 дата публикации

화학 기계적 기판 연마장치

Номер: KR0101767059B1
Автор: 조문기, 윤근식, 최재영
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 연마 패드를 컨디셔닝하는 컨디셔닝 디스크의 표면을 미소 절삭하는 클리닝부를 구비하는 기판 연마장치가 개시된다. 화학 기계적 기판 연마장치는, 기판의 연마를 위한 연마 패드를 구비하는 연마정반, 상기 연마정반 상에 구비되고 상기 연마 패드에서 연마 공정에서 발생하는 부산물을 제거하고 상기 연마 패드 표면을 미소 절삭하는 컨디셔너 및 상기 컨디셔너의 컨디셔닝 디스크를 미소 절삭하는 클리닝부를 포함하여 구성된다.

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Номер записи: 22
12-12-2016 дата публикации

반도체 웨이퍼를 연마하는 연마 장치

Номер: KR0101684228B1
Автор: 정인권
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 연마 장치는 적어도 하나의 연마 모듈을 포함한다. 각 연마 모듈은 적어도 하나의 연마면, 적어도 하나의 연마 헤드, 적어도 하나의 웨이퍼 이송 스테이션 및 상기 적어도 하나의 연마 헤드를 상기 적어도 하나의 연마면과 상기 적어도 하나의 웨이퍼 이송 스테이션 사이에서 이송하기 위한 이송 장치를 포함한다. 상기 연마 모듈은 외부 파티클로부터 상기 적어도 하나의 연마면을 보호하기 위하여 차폐 수단과 유체 분사 장치들을 포함할 수 있다. 상기 세정 장치는 높은 생산성을 위하여 2개 또는 그 이상의 건조 챔버들을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 23
30-03-2023 дата публикации

기판 연마 장치

Номер: KR102515390B1
Автор: 최동규, 임종일, 조문기
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 대면적 기판을 연마할 수 있는 기판 연마 장치가 개시된다. 기판 연마 장치는, 기판의 피연마면이 상부를 향하는 상태에서 상기 기판의 상부에 구비되어서 상기 기판의 연마를 위한 연마패드를 포함하는 연마모듈을 포함하고, 상기 연마패드는, 상기 기판의 피연마면에 접촉된 상태에서 자전하면서 왕복 선형 이동하여 상기 기판을 연마하며, 상기 연마패드가 이동하는 궤적이 중첩되도록 이동한다.

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Номер записи: 24
17-10-2016 дата публикации

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING GATE VALVE

Номер: KR101666163B1
Автор: KIM, KYOUNG MO, KANG, HAN MOOK, LEE, KEUN WOO
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

Disclosed is a gate valve. The gate valve comprises: a first opening and closing member which selectively opens and closes a substrate transfer path to allow a substrate to be drawn thereinto/therefrom; a second opening and closing member formed to be lifted to the first opening and closing member, closing the substrate transfer path when coming in contact with the first opening and closing member; a drive part which lifts the second opening and closing member; an injection part which provides gas to the second opening and closing member; a flow path part formed inside the second opening and closing member, guiding the gas provided from the injection part; and a jetting part which jets the gas provided from the flow path part to the outside, and formed on a surface of the second opening and closing member facing the first opening and closing member. As such, the present invention prevents a pneumatic change in a process chamber. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 25
08-11-2016 дата публикации

화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드

Номер: KR0101673140B1
Автор: 손준호
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인에 관한 것으로, 가요성 재질로 형성된 바닥판과; 상기 바닥판의 가장 자리에 절곡 형성되고 가요성 재질로 형성되되, 상기 바닥판과 인접한 외주면에 링 형태의 제1완충홈이 형성된 측면과; 상기 측면 및 상기 바닥판에 비하여 높은 경도를 갖는 재질로 형성되고, 상기 제1완충홈의 상측 내측에 고정된 내측 고정체를; 포함하여 구성되어, 멤브레인 측면의 외주면에 링 형태의 제1완충홈이 형성됨에 따라, 가압력이 전달되는 측면을 따르는 경로에서 제1완충홈의 위치에서 단면이 줄어들면서 하방으로 전달되는 가압력이 웨이퍼 가장자리 끝단에 집중되지 않고 분산됨으로써, 웨이퍼 가장자리에 전달되는 가압력이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있는 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드를 제공한다 ...

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03-07-2017 дата публикации

반도체 연마용 슬러리 조성물

Номер: KR0101751689B1
Автор: 최보혁, 박광수, 이혜희, 윤영호
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 반도체 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 연마용 슬러리 조성물은, 연마입자; 자유 라디칼 공급제; 산화제; 및 질화막 연마 정지제;를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 연마용 슬러리 조성물에 의하여, 질화막과 Ge, SiGe 등을 포함하는 Ⅳ족 재료 또는 GaN, GaP, GaAs 등을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 재료를 함유하는 반도체 막을 연마할 수 있고, 산성 영역에서 질화막 자동연마 정지 기능을 가질 수 있다.

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06-10-2016 дата публикации

기판 처리장치의 오토셔터

Номер: KR0101662608B1
Автор: 심형섭, 김성엽
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판 처리장치의 오토셔터에 관한 것으로, 회전축부와, 상기 회전축부에 결합되어 회전축부의 회전에 따라 기판이 이송되는 공간인 이송공간부를 열거나 닫는 도어부와, 상기 도어부의 일부에 결합되어, 상기 이송공간부가 열린상태에서 상향으로 에어를 분사하여, 상기 기판을 부상시켜 이송되도록 하는 에어부상부를 더 포함한다. 본 발명은 도어부와 함께 회전하는 기판부상부를 포함하여, 기판을 비접촉식으로 부상시켜 이송되도록 함으로써, 석출물이 발생하더라도 기판에 직접 접촉되어 기판을 손상시키는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

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14-03-2017 дата публикации

SLURRY COMPOSITION FOR TUNGSTEN POLISHING

Номер: KR101715932B1
Автор: HWANG, JIN SOOK, PARK, HAN TEO
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a slurry composition for tungsten polishing. According to an embodiment of the present invention, the slurry composition for tungsten polishing comprises polishing particles which satisfy conditions below. An average size is 100 nm to 150 nm which represents multi-dispersion shaped particle distribution. A specific surface area of BET is 50 m^2/g to 55 m^2/g. An average pore size is 10 to 15 nm. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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17-10-2017 дата публикации

기판 코팅장치

Номер: KR0101787009B1
Автор: 조강일
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 기판 코팅장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 코팅장치는, 기판 상에 약액이 도포되는 약액을 토출하는 슬릿 형상의 슬릿노즐과, 코팅 진행방향을 기준으로 상기 슬릿 노즐의 립(Rib) 전방에 마련된 부압 모듈을 포함한다. 부압모듈은 상기 슬릿 노즐의 토출구 전방에 부압공간을 형성함으로써, 슬릿 노즐의 토출구에서 배출되는 약액을 토출구 전방으로 잡아당겨 토출구 아래에서 반월 형상을 형성하여 원할한 코팅이 수행되도록 한다. 부압 모듈은, 윗부분이 밀폐되고 아랫면이 상기 부압공간을 향해 개방된 내부공간부를 형성하는 흡입부와, 상기 흡입부의 윗부분에 형성된 배출구에 연결된 흡입펌프를 포함한다. 흡입 펌프는 상기 부압공간의 공기를 흡입함으로써 부압을 형성한다.

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04-09-2015 дата публикации

CARRIER HEAD OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS

Номер: KR0101550187B1
Автор: 권영규
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드에 관한 것으로, 회전 구동되는 본체와 함께 회전하는 베이스와; 가요성 재질로 형성되고 상기 베이스에 고정되어 상기 베이스와의 사이 공간에 압력 챔버를 형성하고, 화학 기계적 연마 공정 중에 저면에 웨이퍼를 위치시켜 상기 압력 챔버의 압력에 따라 상기 웨이퍼를 가압하며, 저면에 위치한 상기 웨이퍼에 직접 공압이 도달하도록 관통로가 관통 형성된 멤브레인과; 상기 압력 챔버에 공압을 인가하는 압력 조절기와; 상기 관통로의 입구로부터 상기 압력 조절기까지 이르는 관로에 위치하여, 공기는 통과시키지만 액체 및 고체의 통과를 억제하는 채움재를; 포함하여 구성되어, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼의 흡착면에 묻어있던 순수나 슬러리가 관통로를 통해 압력 제어기나 압력 센서로 유입되는 것을 채움재에 의해 방지하면서도, 관통로를 통해 직접 정압이나 부압을 인가할 수 있는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드를 제공한다.

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03-01-2018 дата публикации

디스플레이 장치용 피처리 기판에 대한 약액 도포 장치 및 그 방법

Номер: KR0101814363B1
Автор: 조강일, 이경일
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 약액 도포 장치 및 방법에 관한 것으로, 슬릿 노즐의 상대 이동 방향의 전방에 위치하여 제1약액을 토출하는 슬릿 형태의 제1토출구와; 상기 제1토출구보다 후방에 이격되게 위치하여 상기 제1약액과 혼합되지 않는 성질의 제2약액을 토출하는 슬릿 형태의 제2토출구를 구비하여, 상기 슬릿 노즐이 상기 피처리 기판에 대하여 상대 이동하는 것에 의하여 상기 피처리 기판의 표면에 상기 제1약액과 상기 제2약액이 적층된 형태로 도포함으로써, 슬릿 노즐이 피처리 기판의 상측에서 1회만 이동하더라도 피처리 기판의 표면에는 2겹의 약액층이 도포되므로, 보다 빠른 시간 내에 서로 다른 성질의 약액을 2겹으로 피처리 기판에 도포할 수 있는 약액 도포 장치 및 방법을 제공한다.

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05-10-2018 дата публикации

대면적 기판의 이송장치

Номер: KR0101904892B1
Автор: 이용진
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 대면적 기판 이송장치에 관한 것으로, 한 쌍의 가이드 프레임에 회전 가능하게 지지되는 다수의 이송 샤프트를 사용하여 기판을 이송하는 대면적 기판 이송장치에 있어서, 상기 기판을 처리하는 기판처리부에 인접하여 설치되며, 상기 이송 샤프트들 상호간의 간격보다 좁은 간격으로 기판을 지지하여 이송하는 이송모듈을 더 포함한다. 다수의 이송 샤프트를 사용하여 기판을 이송하는 장치에서, 기판을 처리하는 처리 설비의 전후단에 결합되는 이송모듈을 포함하여, 가이드 프레임을 별도로 가공하지 않고도 원하는 위치에 이송모듈을 설치함이 가능하여 설치가 용이한 효과가 있다.

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20-01-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM

Номер: KR101587007B1
Автор: SON, BYOUNG CHAUL
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing (CMP) system which comprises: a substrate carrier unit which is installed to be movable along a guide rail while a substrate is mounted thereon, and which moves to reach a first location where a chemical and mechanical polishing process is performed and a polishing table is located; and a posture fixing part which restricts motion of the substrate carrier unit on at least two different surfaces if the substrate carrier unit reaches the first location. Rotation displacement of the substrate carrier unit is fundamentally restricted to be solidly maintained with a set posture. The substrate performs a polishing process while the substrate stably touches a polishing pad of the polishing table so as to perform the polishing process with high precision without oscillation and slip phenomena. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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14-12-2016 дата публикации

화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드

Номер: KR0101685914B1
Автор: 손준호
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 멤브레인에 관한 것으로, 가요성 재질로 형성된 바닥판과; 상기 바닥판의 가장 자리부에서 절곡 형성되고 가요성 재질로 형성된 측면과; 상기 바닥판의 상면으로부터 연장 형성되는 다수의 격벽을; 포함하여 구성되고, 상기 격벽들 중 최외측에 위치한 격벽을 포함하는 위치와 상기 측면의 사이의 상기 바닥판의 가장자리 영역의 저면에 링형 홈이 형성되어, 멤브레인 측면을 통해 가압하는 가압력이 멤브레인 바닥판으로 전파되는 것을 링형 홈에 의해 차단함으로써, 링형 홈의 내측 영역에서는 주름이 생기지 않게 유도하여, 웨이퍼 가장자리에 도입되는 가압력을 보다 정교하게 제어할 수 있는 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드를 제공한다 ...

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30-05-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHOD

Номер: KR101625459B1
Автор: KIM, MIN SEONG, YIM, HWA HYUK, DONG, MIN SEOB
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to chemical mechanical polishing apparatus and method. The chemical mechanical polishing apparatus of a wafer includes: a polishing surface plate which has a polishing pad covering the top surface of the polishing surface plate, and rotates about a rotation axis thereof; a polishing head which rotates while pressurizing the wafer to the polishing pad; a first sensor which is placed on the polishing surface plate to rotate along with the polishing surface plate, and receives an output signal including information on a polished layer thickness of the wafer when the first sensor passes through a lower part of the wafer; a sensor rotation position sensing unit which senses a rotation position of the first sensor which rotates along with the polishing surface plate; a wafer rotation position sensing unit which senses a rotation position of the wafer; and a control unit which calculates the polished layer thickness of the wafer according to the trajectory along which ...

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22-09-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS

Номер: KR101655076B1
Автор: KIM, MIN SEONG, KIM, JONG CHEON
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus, and to a CMP apparatus to polish a polishing layer of a wafer where a device is arranged at intervals as much as an area between the devices in order to manufacture multiple devices. According to the present invention, the apparatus comprises: a polishing surface plate having an upper surface covered by a polishing pad being contact with a polishing layer of a wafer, and performing self-rotation; an optical sensor which is fixed in the polishing surface plate to be rotated together with the polishing surface plate, and includes a light emitting unit to emit multiple optical signals to the polishing layer of a wafer to form a spot region and a light receiving unit to receive a light receiving signal, which is an optical signal emitted from the light emitting unit and reflected from the polishing layer; and a control unit to calculate the thickness of the polishing layer of a wafer from the light receiving signal ...

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13-10-2015 дата публикации

MEMBRANE OF CARRIER HEAD USED IN CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING APPARATUS

Номер: KR101558852B1
Автор: SON, JUN HO
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a membrane of a carrier head used in a chemical and mechanical polishing apparatus. The membrane includes: a floor plate which is made of a flexible material and has the lower surface coming in contact with the flat surface of a wafer during a chemical and mechanical polishing process; a first ring-type fixture having a side surface which is formed to be curved on an edge of the floor surface and is made of a flexible material and a ring-shaped groove which is fixed to a surface of the side surface and is made of a material having a hardness higher than that of the material forming the side surface. The first ring-type fixture is formed on either or both of the inner and outer peripheral surfaces to buffer the vertical impact delivered through the side surface by the ring-shaped groove. When an excessive pressure is transmitted to an edge of the wafer through the side surface of the membrane, the ring-shaped groove of the first ring-type fixture can absorb ...

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27-02-2017 дата публикации

연마 슬러리 조성물

Номер: KR0101710580B1
Автор: 최동규, 윤영호, 공현구
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 연마 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 연마 슬러리 조성물은 제1 연마입자, 제2 연마입자, 제3 연마입자 중 적어도 둘 이상의 연마입자; 및 산화제;를 포함하고, 상기 연마입자와 텅스텐-함유 막과의 접촉면적(contact area)이 증가함에 따라 피크투밸리(peak to valley; Rpv) 값이 감소하는 것이다.

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08-11-2016 дата публикации

금속막 연마용 슬러리

Номер: KR0101674083B1
Автор: 황진숙, 박광수
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 금속막 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 메탈 연마용 슬러리는 방향족 고리화합물류인 아졸류 금속막 부식방지제를 사용하지 않고도, 금속막 표면의 부식을 방지한다. 또한, 방향족의 아졸류를 사용하는 금속막 슬러리 조성물과 비교하여 부식방지성, 친환경성, 단가 경쟁력 등이 우수하다. 따라서, 본 발명의 금속막 연마용 슬러리는 금속막을 연마하는 데에 특히 효과적이며 금속막 연마 단계를 포함하는 반도체 소자 제조에 유용하다.

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09-06-2017 дата публикации

이물질에 의한 도포 불량을 방지하는 부상식 기판 코터 장치

Номер: KR0101744531B1
Автор: 강신재
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 부상식 기판 코터 장치 및 그 코팅 방법에 관한 것으로, 부상 스테이지의 부상력에 의해 피처리 기판을 부상시킨 상태로 상기 피처리 기판을 파지한 파지 기구가 이동시키면서 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 부상식 기판 코터 장치에 있어서, 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 공급 기구와; 상기 약액 공급 기구의 전방의 일측에 위치하여, 상기 피처리 기판을 가로지르는 광을 조사하고, 서로 다른 높이로 설치되는 2개 이상의 발광부와; 상기 약액 공급 기구의 전방의 타측에 위치하여, 상기 발광부로부터 조사되어 상기 피처리 기판을 가로지르는 광을 수광하고, 서로 다른 높이로 설치되는 2개 이상의 수광부와; 상기 2개 이상의 수광부에 수신되는 광량으로부터 상기 피처리 기판의 표면에 이물질이 묻어있는지 여부를 감지하는 제어부를; 포함하여 구성되어, 서로 다른 위치에서 조사하여 수신된 광 분포를 서로 맵핑하는 것에 의해, 부상 높이가 매번 달라지더라도 피처리 기판의 표면 상에 이물질이 있는 것을 감지할 수 있는 부상식 기판 코터 장치 및 그 코팅 방법을 제공한다.

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13-12-2016 дата публикации

기판 이송 샤프트의 처짐 방지 장치

Номер: KR0101686227B1
Автор: 노진성, 최재영
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판 이송 샤프트의 처짐 방지를 위해 그 중간부를 지지하는 베이링의 유지보수를 간편하게 수행할 수 있도록 하는 동시에 베어링의 설치 수량을 줄일 수 있는 구조를 갖는 기판 이송 샤프트의 처짐 방지 장치를 제공함에 그 목적이 있다. 이를 구현하기 위한 본 발명의 기판 이송 샤프트의 처짐 방지 장치(100)는, 기판을 지지하는 이송롤러(130)가 길이방향으로 이격되어 다수로 결합되고, 일측단은 샤프트 지지블록(140)에 의해 회전 가능하게 지지되며, 타측단에는 결합홈부(111)가 형성된 제1샤프트(110); 기판을 지지하는 이송롤러(130)가 길이방향으로 이격되어 다수로 결합되고, 일측단에는 상기 결합홈부(111)에 삽입되어 결합되는 결합돌출부(121)가 형성되고, 타측단은 샤프트 지지블록(140)에 의해 회전 가능하게 지지되는 제2샤프트(120); 및 상기 제1샤프트(110)와 제2샤프트(120)의 연결부에 결합되어 상기 제1샤프트(110)와 제2샤프트(120)를 회전 가능하게 지지하며 처짐을 방지하는 지지수단을 포함한다.

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22-02-2017 дата публикации

화학 기계적 연마 장치

Номер: KR0101709081B1
Автор: 김민성, 임화혁, 동민섭
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 다수의 디바이스를 제작하기 위하여 상기 디바이스가 간격을 두고 배치되는 웨이퍼의 연마층을 연마하는 화학 기계적 연마 장치로서, 상기 웨이퍼의 상기 연마층이 접촉하는 연마 패드가 상면에 입혀지고 자전하는 연마 정반과; 상기 웨이퍼의 연마면에 광을 조사하여 상기 웨이퍼의 연마층 두께를 감지하되, 상기 광의 스폿 크기는 상기 디바이스의 폭과 길이 중 어느 하나 이상보다 더 큰 직경으로 형성되는 광 센서를 포함하여 구성되어, 확대된 면적으로 연마층에 입사되어 반사된 수광 신호로부터 연마층의 두께를 정확하게 감지하는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.

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21-02-2019 дата публикации

기판 연마 장치

Номер: KR0101950676B1
Автор: 조문기
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판 연마 장치에 관한 것으로, 연마 패드가 입혀진 연마 정반과; 상기 기판의 연마 공정 동안에, 상기 연마 패드에 기판의 연마면을 접촉시킨 상태로 상기 기판을 가압하는 연마 헤드와; 상기 연마 정반에 공급되는 상기 기판의 온도 정보를 얻는 온도 측정부와; 상기 온도 측정부로부터 상기 기판의 온도 정보를 수신하여, 상기 기판의 연마 공정의 공정 변수를 조절하는 제어부를; 포함하여 구성되어, 기판의 온도 상태에 따라 기판에 대한 가압력, 연마 패드에 대한 가압력, 연마 패드의 온도 등의 공정 변수를 조절함으로써, 기판 연마면의 연마 두께를 보다 정교하게 제어하면서도 연마면의 균일도를 향상시키는 기판 연마 장치를 제공한다.

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03-06-2015 дата публикации

CMP SLURRY COMPOSITION HAVING AUTOMATIC POLISHING STOP FUNCTION

Номер: KR101524625B1
Автор: KWON, JANG KUK, LEE, SUNG PYO, CHOI, NAK HYOUN, JUNG, KI HWA
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a CMP slurry composition having an automatic polishing stop function, which maintains a positive charge when mixing an additive composition and a slurry composition, has high polishing selectivity since a step removing rate is rapid in an oxide film when polishing a double membrane, and can implement the automatic polishing stop function and polishing flatness since a polishing rate slows down when a polycrystalline silicon film is exposed after removing step. COPYRIGHT KIPO 2015 (AA) Polishing Profile (Å/min) (BB) Comparative example (CC) Example ...

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26-05-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM WITH MOVABLE SPINDLE

Номер: KR101624837B1
Автор: PARK, YOUNG KYOU, SON, BYOUNG CHAUL, CHOI, HYUK YUL
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing (CMP) system. Provided is a CMP system which comprises a spindle which can move along a guide rail while mounting a substrate and reaches a first position where a polishing plate for a CMP process is located; a posture fixing part which has a pin-type confinement member inserted into an accommodating groove formed on the upper surface of the spindle, when the spindle reaches the first position. The rotation displacement of the spindle is fundamentally confined. A predetermined posture is stably maintained. A high-accuracy polishing process can be carried out while the substrate stably touches the polishing pad of the polishing plate. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 46
09-07-2018 дата публикации

기판 처리 방법 및 그 장치

Номер: KR0101876191B1
Автор: 조강일, 이경일
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 밀폐 챔버 내에서의 기판 처리 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 기판 스테이지에 피처리 기판을 거치시키는 기판 거치 단계와; 상기 피처리 기판에 약액을 도포하는 약액 도포 단계와; 상기 밀폐 챔버 내를 대기압보다 낮은 압력 상태로 조절하는 압력 조절 단계와; 합착 기판을 상기 피처리 기판의 상측에서 하방으로 이동하여 상기 약액을 사이에 두고 상기 피처리 기판에 결합하여 패널을 제작하는 기판 결합 단계와; 상기 피처리 기판과 상기 합착 기판의 결합 과정에서 상기 피처리 기판의 바깥으로 유출된 약액을 세정 건조시키는 세정 건조 단계를; 포함하여 구성되어, 피처리 기판과 합착 기판의 사이 간극보다 더 두꺼운 두께로 피처리 기판에 약액을 도포하더라도, 약액의 두께가 일정하게 유지된 상태를 유지하면서 합착 공정에서 패널 바깥으로 누출된 약액에 의한 오염을 최소화하고, 후속 공정을 곧바로 진행함으로써, 공정의 효율을 유지하면서 패널에 도포되는 약액의 성질 및 분포 상태를 보다 다양하게 적용하여 화질을 보다 우수하게 구현할 수 있는 기판 처리 방법 및 그 장치를 제공한다.

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Номер записи: 47
26-07-2017 дата публикации

STI 연마용 슬러리 조성물

Номер: KR0101761792B1
Автор: 윤영록, 권민석, 서지훈, 백운규, 윤희성, 김기정, 이강천, 조윤성
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍, 한양대학교 산학협력단

... 본 발명은 STI 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 STI 연마용 슬러리 조성물은 초임계 또는 아임계 조건 하에서 제조된 산화세륨 연마입자 및 분산제를 포함하는 연마액; 및 술폰기를 포함하는 고분자 첨가제;를 포함한다.

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Номер записи: 48
09-02-2018 дата публикации

고단차 연마용 슬러리 조성물

Номер: KR0101827366B1
Автор: 김정윤, 황준하, 김선경, 박광수
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 고단차 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 고단차 연마용 슬러리 조성물은 양전하로 분산된 금속산화물 연마입자를 포함하는 연마액; 및 양전하로 활성화될 수 있는 원소를 하나 이상 포함하는 고분자 중합체를 포함하는 첨가액;을 포함하고, 볼록부와 오목부를 갖는 산화막 패턴 웨이퍼에서의 단차 제거 속도와 산화막 평판 웨이퍼에서의 제거 속도의 연마 선택비가 5:1 이상인 것이다.

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Номер записи: 49
12-05-2016 дата публикации

APPARATUS FOR CLEANING SUBSTRATE

Номер: KR101619811B1
Автор: LEE, JAI HONG
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to an apparatus for cleaning a substrate. According one embodiment, the apparatus for cleaning a substrate includes: a spin chuck to support and rotate the substrate; a rotation driving part to rotate the spin chuck; and a ring-shaped blower disposed on the top of the substrate to supply air onto the substrate. The blower includes a ring-shaped pipeline configured to guide the air to the top of the substrate, and an air spray tip attached to the pipeline to spray the air toward the substrate. By using the constituents, a uniform clean air zone can be formed on the immediately upper portion and the edge of the substrate by uniformly spraying the air to the surroundings of the substrate. Therefore, the cleaning and drying processes for the substrate can be uniformly performed, and a defect caused by the confused air flow or re-attachment of fume can be prevented, so atmospheric environment suitable for the cleaning and drying processes can be made. COPYRIGHT ...

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Номер записи: 50
06-02-2017 дата публикации

ATOMIC LAYER ETCHING APPARATUS

Номер: KR101702869B1
Автор: LEE, KEUN WOO, PARK, SUNG HYUN, KIM, KYOUNG MO
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

An atomic layer etching apparatus for etching a thin film by using an atomic layer etching method is disclosed. The atomic layer etching apparatus includes a process chamber, a substrate support part provided within the process chamber and having a plurality of substrates placed along a circumferential direction, and a gas injection part provided on the substrate support part and having a plurality of injection parts for individually and continuously supplying a plurality of etching gases to the substrate. So, an etching process can be performed without causing electrical and physical damage. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 51
05-02-2016 дата публикации

MEMBRANE IN CARRIER HEAD

Номер: KR0101592216B1
Автор: 손준호, 조문기
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 멤브레인에 관한 것으로, 바닥판과, 상기 바닥판의 가장 자리에 절곡 형성된 측면과, 상기 측면의 내측에 압력 챔버를 다수로 분할하도록 상기 바닥판으로부터 돌출되게 연장되어 본체부에 고정되는 고정 플랩을 포함하고 가요성 재질로 이루어진 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인에 있어서, 상기 고정 플랩은 상기 바닥판으로부터 제1높이(L1)만큼 뻗은 상향 구간과, 상기 제1높이의 2배 이상인 제2높이(L2)만큼 곡면으로 형성된 곡면 구간과, 곡면 구간의 끝단으로부터 뻗어 상기 본체부에 고정되는 연장 구간을 포함하여, 상기 압력 챔버의 압력 변동에 따라 상기 고정 플랩의 변위가 상기 곡면 구간의 휨 변위에 의해 이루어지도록 유도되어, 웨이퍼를 가압하는 압력 챔버의 경계에서 과도한 응력이 집중되는 것을 방지는 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 멤브레인을 제공한다.

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31-07-2015 дата публикации

Bubble removal device for chamical tank

Номер: KR0101541050B1
Автор: 이지운, 이용진
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 케미컬 탱크의 기포 제거장치에 관한 것으로, 케미컬을 저장하는 탱크부와, 상기 탱크부에 저장된 케미컬을 순환관을 통해 순환시키는 순환펌프와, 공정 배스에서 사용된 케미컬을 드레인하되, 상기 순환펌프의 출구단측으로 1차 드레인시켜, 공기가 분리되기 전 케미컬을 수용하는 드레인관과, 상기 순환펌프의 압력에 의해 상기 드레인관에 수용된 케미컬의 수위가 상승할 때 상기 케미컬의 상부에 모인 공기를 배기하는 배기관과, 상기 드레인관에 마련되어 케미컬의 드레인과 배기 상태를 조절하는 제1밸브 및 제2밸브와, 상기 순환관에 마련되어 탱크부 내의 케미컬의 순환을 조절하는 제3밸브와, 상기 배기관에 마련되어 상기 기포의 배기를 조절하는 제4밸브를 포함한다. 본 발명은 순환펌프의 압력을 이용하여 드레인되는 케미컬에서 공기를 분리하고, 특정 조건에서 분리된 공기를 외부로 배출시킴으로써, 케미컬에서 공기를 분리하는 분리제거율을 높일 수 있는 효과가 있다.

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03-06-2015 дата публикации

ADDITIVE COMPOSITION OF HIGH ASPECT RATIO POLISHING SLURRY AND HIGH ASPECT RATIO POLISHING SLURRY COMPOSITION COMPRISING THE SAME

Номер: KR0101524624B1
Автор: 김정윤, 황준하, 이재학, 정기화, 황진명
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 고단차 연마용 슬러리 첨가제 조성물 및 이를 포함하는 고단차 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 고단차 연마용 슬러리 첨가제 조성물 및 이를 포함하는 고단차 연마용 슬러리 조성물은, 단차가 큰 요철부를 가지는 패턴 웨이퍼의 단차를 제거하여 평탄화 시키고, 평탄화 이후에는 연마속도가 매우 느려짐에 따라 평탄화면이 보호되는 연마 자동정지 기능을 가질 수 있다. 또한, 고단차 요철부의 고속 연마 성능이 첨가제 조성물 함량에 관계 없이 유지되고, 첨가제 조성물 함량에 따라 자동 연마정지 기능이 조절됨으로써 공정 마진이 우수하며, 공정 시간을 단축하여 생산성이 증대된다.

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14-01-2016 дата публикации

CONTACT CLEANING DEVICE OF LARGE AREA SUBSTRATE

Номер: KR101585526B1
Автор: RHO, JIN SUNG
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a contact cleaning device of a large area substrate. The contact cleaning device of the large area substrate comprises: an upper cleaning unit (1) to clean the upper side of a substrate (S) in a contact manner by including a plurality of disk brush units (100) arranged in a width direction of the substrate (S) being transferred; and a lower cleaning unit (2) to clean the lower side of the substrate (S) in a contact manner by including a plurality of disk brush units located on the lower side of each of the disk brush units, as placed on the lower side of the upper cleaning unit (1). The disk brush unit comprises: a base plate (110); a cylindrical support unit (120) inserted and fixated into a hole plated on a part of the base plate (110); a cylindrical rotary body unit (130) combined to the inside of the support unit (120) to be rotated by a bearing (121); a spring (170) inserted into the rotary body unit (130); a vertical movement axis (160) of which a ...

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26-04-2017 дата публикации

기판 세정 장치 및 그를 구비한 기판 세정 시스템

Номер: KR0101725254B1
Автор: 이제윤
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치는, 세정 대상물인 기판을 세정하기 위한 세정 공간이 형성된 세정 챔버 내에서 회전 가능하게 장착되며, 상면에는 상기 기판이 로딩되는 로딩척; 상기 기판을 세정하기 위하여 상기 기판 상에 적어도 2개의 세정물질이 믹싱(mixing)된 세정액을 상기 기판 상으로 공급하는 세정액 공급부; 및 상기 세정액 공급부의 작동을 제어하는 제어부;를 포함하며, 상기 제어부는 상기 세정액 공급부에서 믹싱된 상기 세정액의 온도를 실시간 측정하여 상기 세정액 공급부에 제공되는 상기 적어도 2개의 세정물질의 각각의 공급량을 선택적으로 조절할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 세정액 공급부에서 예를 들면 황산이라는 제1 물질과 과산화수소라는 제2 세정 물질을 믹싱하여 생성된 고온의 세정액을 기판 상으로 분사할 수 있는데 이 때 믹싱된 세정액의 온도 측정을 통해 세정물질들의 공급량을 선택적으로 조절할 수 있어 최적화된 고온의 세정액을 기판으로 제공할 수 있다.

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03-01-2018 дата публикации

기판의 약액 도포 방법 및 이에 사용되는 기판의 약액 도포 장치

Номер: KR0101814365B1
Автор: 이경일
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판의 약액 도포 방법 및 이에 사용되는 기판의 약액 도포 장치에 관한 것으로, 상기 약액을 도포하고자 하는 도포 영역의 면적보다 더 넓은 면적에 약액을 도포하는 약액 도포 단계와; 상기 도포 면적의 바깥에 도포된 약액에 플라즈마, 자외선 중 어느 하나 이상을 쬐어 상기 도포 영역 이외에 도포된 약액을 제거하는 약액 제거 단계를; 포함하여 구성되어, 약액을 도포하는 속도를 저하시키지 않고서도 사용하고자 하는 도포 영역의 약액 도포 두께를 균일하게 조절할 수 있는 기판의 약액 도포 방법 및 이에 사용되는 기판의 약액 도포 장치를 제공한다.

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08-06-2018 дата публикации

기판 처리 장치

Номер: KR0101865534B1
Автор: 조문기
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 피처리 기판에 대한 약액 도포 공정을 처리하는 기판 처리 장치는, 기판의 이송 경로에 배치되는 진동플레이트와, 진동플레이트 상에 형성되며, 초음파에 의한 진동 에너지에 의해 기판을 부상시키는 제1가진영역과, 제1가진영역과 인접하게 진동플레이트 상에 형성되며 초음파에 의한 진동 에너지에 의해 기판을 부상시키는 제2가진영역과, 제1가진영역에서 최대 진폭으로 가진되는 제1위치와, 제2가진영역에서 최대 진폭으로 가진되는 제2위치의 중간위치영역에 배치되며 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 도포 유닛을 포함하는 것에 의하여, 약액이 도포되는 영역에서 진동에 의한 얼룩의 발생을 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

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21-01-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING DEVICE AND METHOD

Номер: KR101587482B1
Автор: YIM, HWA HYUK, KIM, MIN SEONG, DONG, MIN SEOB
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to chemical mechanical polishing device and method. The device comprises: a polishing table polishing a polishing surface of a wafer by being rotated while touching the polishing surface; a slurry supply part supplying slurry during a process of polishing the wafer while touching the polishing table; and a temperature control unit heating the wafer before the wafer is supplied to the polishing table. Therefore, the time required for an initial step in which a polishing amount by unit time is kept low can be reduced, so the whole time required for chemical mechanical processes is reduced to improve productivity, and an environment to minimize a polishing amount variation of the polishing surface is provided. COPYRIGHT KIPO 2016 (130) Control part ...

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15-06-2016 дата публикации

RETAINER RING IN CARRIER HEAD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND CARRIER HEAD WITH THE SAME

Номер: KR0101630185B1
Автор: 최광락, 손준호, 조문기, 서강국
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 리테이너 링 및 이를 구비한 캐리어 헤드에 관한 것으로, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼를 가압하는 캐리어 헤드의 리테이너 링으로서, 상기 리테이너 링은 상기 웨이퍼의 둘레를 감싸는 링 형태로 형성되고, 연마 패드와 접촉하는 저면에 링 형태의 요홈이 형성되어, 화학 기계적 연마 공정 중에 리테이너 링에 의하여 가압되는 연마 패드가 밀려 리테이너 링의 반경 내측이나 반경 외측으로 밀려 돌출되는 양의 일부 또는 전부가 리테이너 링의 요홈의 내부로 수용됨에 따라, 리테이너 링의 바깥으로 돌출되는 연마 패드의 돌출량을 최소화함으로써, 리테이너 링의 가압에 의한 연마 패드의 돌출에 의하여 리테이너 링의 내측에 인접한 웨이퍼 가장자리에 대해 균일한 연마를 가능하게 하는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드의 리테이너 링 및 이를 구비한 캐리어 헤드를 제공한다 ...

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19-02-2016 дата публикации

CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING APPARATUS WITH IMPROVED POLISHING QUALITY OF WAFER EDGE AREA

Номер: KR101595775B1
Автор: CHO, MOON GI
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical-mechanical polishing apparatus and a method thereof, wherein the apparatus comprises: a carrier head formed with a retainer ring which surrounds the circumference of a wafer, and rotationally driven while pressurizing the wafer downward; a polishing pad having a flat surface, which protrudes in a ring shape with the width greater than or equal to the diameter of the wafer, comes into contact with the wafer during chemical-mechanical polishing so as to be formed as a contact region, and rotating while being supported by a polishing plate; a polishing thickness measurement unit for measuring the amount of polishing an edge of the wafer; and a control unit for moving the wafer to the edge of the contact region if the amount of polishing the edge region of the wafer detected by the polishing thickness measurement unit exceeds an expected amount of polishing, and for moving the wafer to a central unit of the contact region if the amount of polishing ...

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12-01-2018 дата публикации

기판 처리 장치

Номер: KR0101818070B1
Автор: 이경일
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판 처리 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 피처리 기판이 거치되는 기판 스테이지와; 상기 기판 스테이지에 거치된 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 슬릿 노즐과; 약액 도포 공정이 행해진 이후에 상기 피처리 기판을 그 다음 공정이 행해지는 제2장치까지 이송하는 이송 경로에 설치되어 에어를 상방으로 분사하여 상기 피처리 기판을 부상시키는 부상 유닛과; 상기 기판 스테이지로부터 상기 제2장치까지 상기 피처리 기판을 파지하여 부상된 상태로 이동시키는 캐리지를; 포함하여 구성되어, 피처리 기판의 저면을 균일하게 분사되는 에어로 부상한 상태로 운반함에 따라, 피처리 기판의 운반하는 도중이나 피처리 기판을 운반의 시작 및 정지시에 발생되는 진동을 최소화하고, 피처리 기판에 발생되는 자중에 의한 휨 변위를 억제하여 약액이 두껍게 도포되었더라도 도포된 약액 상태를 그대로 그 다음 공정이 행해지는 제2장치로 이송할 수 있는 기판 처리 장치 및 그 방법을 제공한다.

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Номер записи: 62
22-08-2016 дата публикации

다양한 웨이퍼 연마 공정을 처리할 수 있는 화학 기계적 연마 시스템

Номер: KR0101649894B1
Автор: 모연민, 손병철
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 시스템에 관한 것으로, 웨이퍼를 보유한 상태로 이동하면서 상기 웨이퍼가 화학 기계적 연마 공정을 행하게 하는 웨이퍼 캐리어와; 제1연마정반과 제2연마정반을 통과하게 배열되어 상기 웨이퍼 캐리어가 이동하는 제1가이드레일과; 제3연마정반과 제4연마정반을 통과하게 배열되어 상기 웨이퍼 캐리어가 이동하는 제2가이드레일과; 상기 제1가이드레일과 상기 제2가이드레일의 사이에 배열되어 상기 웨이퍼 캐리어가 이동하는 제3가이드레일과; 상기 제1가이드레일의 일단과 이격된 제1위치와 상기 제2가이드레일의 일단과 이격된 제2위치를 연결하는 제1연결레일과; 상기 제1가이드레일과 상기 제3가이드레일 중 어느 하나에 위치한 상기 웨이퍼 캐리어를 수용할 수 있고, 상기 웨이퍼 캐리어를 수용한 상태로 상기 제1연결레일을 따라 왕복 이동 가능하게 설치되고, 상기 제1연결레일을 따라 왕복 이동하다가 수용하고 있던 상기 웨이퍼 캐리어가 상기 제1가이드레일과 상기 제3가이드레일 중 어느 하나로 이동할 수 있는 위치로 이동하는 제1캐리어 홀더와; 상기 제3가이드레일과 상기 제2가이드레일 중 어느 하나에 위치한 상기 웨이퍼 캐리어를 수용할 수 있고, 상기 웨이퍼 캐리어를 수용한 상태로 상기 제1연결레일을 따라 왕복 이동 가능하게 설치되고, 상기 제1연결레일을 따라 왕복 이동하다가 수용하고 있던 상기 웨이퍼 캐리어가 상기 제3가이드레일과 상기 제2가이드레일 중 어느 하나로 이동할 수 있는 위치로 이동하는 제2캐리어 홀더를; 포함하여 구성되어, 정해진 공간을 차지하는 하나의 배치 구조에서 웨이퍼의 종류에 따라 다양한 방식의 다단계 화학 기계적 연마 공정을 행할 수 있는 화학 기계적 연마 시스템을 제공한다.

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Номер записи: 63
08-07-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHOD

Номер: KR0101637537B1
Автор: 손준호, 조문기
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 웨이퍼가 연마 패드에 접촉한 상태로 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 장치로서, 상면에 연마 패드가 입혀진 상태로 자전하는 연마 정반과; 상기 연마 패드에 웨이퍼의 공정면이 접촉하도록 가압하면서 회전하는 연마 헤드와; 상기 연마 패드의 회전 중심으로부터 반경 방향으로 서로 다른 거리만큼 이격된 다수의 위치에 슬러리를 공급하되, 상기 연마 패드 상에서 웨이퍼가 위치하고 있는 영역에 해당하는 상기 연마 패드의 반경 방향으로의 위치에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급구가 구비된 슬러리 공급부를; 포함하여 구성되어, 연마 패드의 다수의 반경 방향으로의 위치에 슬러리를 공급함으로써, 웨이퍼의 연마층에 골고루 슬러리를 원하는 분량만큼씩 공급하는 것이 가능해지므로, 웨이퍼의 화학적 연마 효과를 높일 수 있는 화학 기계적 연마 장치 및 그 방법을 제공한다.

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Номер записи: 64
08-07-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS

Номер: KR0101637540B1
Автор: 조문기, 손준호, 김민성
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치 및 이에 사용되는 캐리어 헤드에 관한 것으로, 웨이퍼의 판면이 자전하는 연마 패드 상에 접촉하면서 상기 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 데 사용되는 캐리어 헤드로서, 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 웨이퍼의 판면에 접촉하여 가압하는 멤브레인 바닥판을 포함하는 멤브레인과; 서로 다른 높이를 갖는 제1단턱면과 제2단턱면이 형성되고 도전성 소재로 형성된 링 형태의 제1부재와, 상기 제1부재의 하측에 비도전성 부재로 적층 형성되어 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 연마 패드에 접촉하는 제2부재를 포함하고, 상기 멤브레인의 둘레에 링 형태로 배치된 리테이너 링을; 포함하여 구성되어, 제1단턱면과 제2단턱면에서의 2개의 출력 신호로부터 미리 알고 있는 제1단턱면과 제2단턱면의 높이차이를 이용하여 연마 패드의 두께 변동량을 측정한 후, 웨이퍼의 도전층에서의 와전류 출력 신호로부터 산출된 웨이퍼의 도전층 두께에 연마 패드의 두께 변동량을 반영함으로써, 연마 패드의 마모량을 고려한 웨이퍼의 도전층 두께를 정확하게 측정할 수 있는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.

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Номер записи: 65
26-04-2016 дата публикации

RETAINER RING OF CARRIER HEAD OF CHEMICAL MECHANICAL APPARATUS AND MEMBRANE USED THEREIN

Номер: KR0101615536B1
Автор: 윤근식, 조문기
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 리테이너 링에 관한 것으로, 웨이퍼의 판면을 바닥판으로 가압하는 멤브레인과, 멤브레인의 상기 바닥판을 감싸는 구비한 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드의 리테이너 링으로서, 상기 리테이너 링의 저면에는 원주 방향으로 간격을 두고 이격된 다수의 절개부가 구비되되, 상기 절개부는 상기 리테이너 링의 내주면과 연통되지만 상기 리테이너 링의 외주면까지는 연통되지 않는 형상으로 형성되고; 상기 절개부의 입구로부터 상기 리테이너 링의 외측의 출구까지 상기 저면으로부터 이격된 경로로 연장된 배출 통로가 마련되어, 리테이너 링에 의하여 둘러싸인 상태로 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 웨이퍼(W)의 가장자리에서도 슬러리 찌꺼기에 의하여 화학 기계적 연마 공정이 방해받지 않고 균일한 연마가 이루어지게 하는 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드 및 이에 사용되는 리테이너 링을 제공한다.

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Номер записи: 66
27-09-2016 дата публикации

연마 슬러리 조성물

Номер: KR0101660384B1
Автор: 홍승철, 윤주형, 윤영호, 백운규, 서지훈, 김기정, 이강천
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍, 한양대학교 산학협력단

... 본 발명은 연마 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 연마 슬러리 조성물은 제1 연마입자, 제2 연마입자, 제3 연마입자 중 적어도 둘 이상의 연마입자; 및 산화제;를 포함하고, 상기 제1 연마입자의 1차 입도는 20 nm 이상 45 nm미만이고, 상기 제2 연마입자의 1차 입도는 45 nm 이상 130 nm미만이고, 상기 제3 연마입자의 1차 입도는 130 nm 이상 250 nm미만인 것이다.

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Номер записи: 67
07-12-2015 дата публикации

MEMBRANE ASSEMBLY OF CARRIER HEAD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS, AND CARRIER HEAD THEREFOR

Номер: KR101575087B1
Автор: YOON, GEUN SIK, CHO, MOON GI
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a membrane assembly of a carrier head for a chemical mechanical polishing apparatus, and a carrier head for a chemical mechanical polishing apparatus. The membrane assembly of the present invention includes: a flexible membrane assembly which includes a bottom plate contacting a printing plate of a wafer, a lateral side bent upwardly from an edge of the bottom plate, and a barrier wall formed in a ring shape between the lateral side and a center of the bottom plate, and has a pressure chamber formed in an inner side of the barrier wall in a radial direction, and an outer side of the barrier wall in the radial direction, separately, and is formed with a flexible material; and a correction block which is arranged to be in contact with an upper plane of the bottom plate by being formed in the shape of a cross section of the pressure chamber, and is formed with a material having high hardness in comparison with the bottom plate. The membrane assembly of the ...

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Номер записи: 68
02-12-2016 дата публикации

연마 슬러리 조성물

Номер: KR0101682097B1
Автор: 윤주형, 홍승철, 윤영호, 백운규, 서지훈, 김기정
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍, 한양대학교 산학협력단

... 본 발명은 연마 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 연마 슬러리 조성물은 연마입자; 전자 수용 화합물을 포함하는 산화제; 및 산화촉진제;를 포함한다.

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Номер записи: 69
16-05-2016 дата публикации

APPARATUS FOR COATING CHEMICAL SOLUTION

Номер: KR101621452B1
Автор: CHO, KANG IL
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to an apparatus for coating a chemical solution, and more particularly, to an apparatus for coating a chemical solution enabling an accurate application of the chemical solution in a plurality of cell areas spaced apart from each other on a substrate to be processed. The apparatus comprises: a substrate chuck holding a substrate to be processed; a mask placed on the upper surface of the substrate chuck to form a penetration part at an area to be coated; a chemical solution nozzle coating a chemical solution on the upper surface of the mask while moving with respect to the substrate chuck; two or more distance sensors measuring a distance from the lower side whiling moving with the chemical solution nozzle; and a control unit detecting an alignment state between the mask and the substrate chuck from a deviation of the measured distances by receiving the measured distances from the sensors. Accordingly, since the alignment state between the mask and the substrate ...

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Номер записи: 70
18-04-2017 дата публикации

박막 형성방법 및 원자층 증착장치

Номер: KR0101723110B1
Автор: 이근우, 박성현, 김경준
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 원자층 증착방법을 이용하여 저온에서 규소질화막을 형성하는 방법과 이를 위한 원자층 증착장치가 개시된다. 규소질화막의 박막 형성방법은, 소스가스는 규소를 포함하는 실리아민(Siliyamine) 계열의 규소 전구체를 사용하고, 반응가스는 다이렉트 플라즈마에 의해 활성화된 N2 가스를 사용하고, 퍼지가스는 N2 가스 또는 비활성 가스를 사용하고, 상기 소스가스, 상기 퍼지가스, 상기 반응가스 및 상기 퍼지가스의 순서대로 가스들을 순차적으로 제공하여 규소질화막(Si3N4)을 형성할 수 있다.

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Номер записи: 71
09-03-2018 дата публикации

SUBSTRATE TRANSFER DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM INCLUDING SAME

Номер: KR101836797B1
Автор: LEE, GI WOO, CHO, MOON GI
Принадлежит: KCTECH CO., LTD.

The present invention relates to a substrate transfer device, and a substrate treatment system including the same. To this end, the substrate transfer device, which is to transfer substrates on which a liquid drug application process is conducted, comprises: a substrate transfer part including a plurality of lifting parts which are independently divided, and transferring the substrate while the substrates are lifted up; and a control part respectively controlling lifting force by the plurality of the lifting parts. According to the present invention, it is possible to evenly lift the substrate without sagging and also improve uniformity in applying liquid drugs. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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Номер записи: 72
31-12-2015 дата публикации

GUARD DEVICE OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM

Номер: KR0101581255B1
Автор: 김해솔
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은, 웨이퍼를 파지한 웨이퍼 캐리어가 연마 정반 상으로 이동하고, 상기 웨이퍼가 상기 연마 정반 상의 연마 패드에 접촉한 상태로 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 가드 장치에 관한 것으로, 상기 연마 패드의 둘레를 일부 이상 감싸는 벽면을 갖는 가드 부재(guard)와; 상기 웨이퍼가 상기 연마 정반 상으로 이동하는 동안에는 상기 가드 부재를 하방으로 이동시키고, 상기 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 동안에는 상기 가드 부재의 상단이 상기 연마 패드에 비하여 높은 위치에 있도록 상기 가드 부재를 상방으로 이동시키는 이동 구동부를; 포함하여 구성되어, 연마 정반 상으로 이송되어 화학 기계적 연마 공정을 행하는 도중에 주변으로 튀는 슬러리, 연마 입자 등의 이물질에 의하여 주변 기계 부품이 손상되거나 주변이 오염되는 것을 방지할 수 있는 화학 기계적 연마 장비의 가드 장치를 제공한다.

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Номер записи: 73
15-01-2019 дата публикации

기판 처리 장치

Номер: KR0101938554B1
Автор: 강신재
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 피처리 기판에 대한 약액 도포 공정을 처리하는 기판 처리 장치는, 초음파에 의한 진동 에너지를 이용하여 기판을 부상시킨 상태로 이송하는 기판이송부와, 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 도포 유닛과, 기판이 이송되는 방향에 대해 경사진 방향을 따라 기판에 점진적으로 흡입압을 인가하는 흡입압 형성부를 포함하는 것에 의하여, 약액이 도포되는 영역에서 진동에 의한 영향을 억제하면서, 기판에 부상력이 작용하는 동안에 기판의 떨림을 효과적으로 억제하고, 기판의 부상 높이 및 부상 자세를 일정하게 유지시키는 효과를 얻을 수 있다.

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Номер записи: 74
23-01-2017 дата публикации

화학 기계적 연마 장치

Номер: KR0101694669B1
Автор: 안준호, 조문기
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 웨이퍼의 상기 연마층이 접촉하는 연마 패드가 상면에 입혀지고 자전하는 연마 정반과; 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼를 하측에 위치시킨 상태로 가압하면서 회전시키고, 상기 연마 정반의 반경 방향 성분을 갖는 방향으로 왕복 이동하되, 왕복 이동하는 제1왕복이동경로의 중심부인 제1위치로부터 멀리 이동할 수록 상기 왕복 이동 속도가 줄어드는 연마 헤드를; 포함하여 구성되어, 연마 패드의 위치에 관계없이 화학 기계적 연마 공정 중에 연마 헤드에 의하여 눌리는 시간을 균일하게 유도되면서, 연마 헤드의 하측에 위치한 웨이퍼와 접촉하는 연마 패드의 전체 영역에 걸쳐 마모량 분포를 균일하게 제어할 수 있게 되어, 화학 기계적 연마 공정 중에 웨이퍼의 가장자리 부분에서 중앙부와 동등한 수준의 마모량을 유지할 수 있으므로, 웨이퍼의 연마층 두께 제어를 보다 용이하고 정확하게 할 수 있는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.

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17-11-2016 дата публикации

SPIN TYPE RINSING AND DRYING DEVICE

Номер: KR101677037B1
Автор: RHO, JIN SUNG
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a spin type rinsing and drying device. The spin type rinsing and drying device comprises: a casing having a processing space therein; a substrate holding unit rotatably provided into the casing wherein a substrate is placed on the substrate holding unit; a gas guide unit configured to guide a gas toward a surface of the substrate to form a gas flow field on an upper side of the substrate; and a vortex suppressing unit provided into a lower portion of the substrate and configured to suppress vortex generation caused by inputting the gas flow field into the lower portion of the substrate, thereby preventing an abnormal gas flow in the casing and preventing secondary contamination of the substrate due to the abnormal gas flow. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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14-03-2017 дата публикации

ABRASIVE PARTICLE-DISPERSION LAYER COMPOSITE AND POLISHING SLURRY COMPOSITION INCLUDING SAME

Номер: KR101715931B1
Автор: KWON, JANG KUK, LEE, SUNG PYO, KWON, CHANG GIL, HWANG, JUN HA
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to an abrasive particle-dispersion layer composite and a polishing slurry composition including the same. According to an embodiment of the present invention, the abrasive particle-dispersion layer composite comprises: an abrasive particle; a first dispersion agent which is at least one anionic compound selected from the group consisting of a copolymer having a resonance structure functional group, a carboxylic group-containing polymer, and carboxylic group-containing organic acid; a second dispersion agent which is at least one cationic compound selected from the group consisting of amino acid, organic acid, polyalkylene glycol, and glucosamine compound-bonded polymeric polysaccharide; and a third dispersion agent which is a cationic polymer including at least two ionized cations in a molecular formula. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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09-02-2017 дата публикации

GRINDING HEAD FOR CHEMICAL-MECHANICAL GRINDER

Номер: KR101704492B1
Автор: SON, JUN HO
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a grinding head for a chemical-mechanical grinder. The present invention comprises: a first body part including a pressing surface to press a panel surface of a wafer to a grinding pad during a grinding process; and a second body part equipped with a retainer ring of which the bottom surface touches the grinding pad while surrounding at least one part of the edge of the wafer during the grinding process, and changing its posture to the first body part by tilting and rotating with respect to the first body part. As such, even if the bottom surface of the retainer ring makes friction against the surface of the grinding pad which rotates or moves, the retainer ring freely tilts and rotates depending on the frictional force from the grinding pad while keeping the bottom surface thereof in touch with the surface of the grinding pad, and thus uneven and excessive grinding on the edge of the wafer can be suppressed by reducing rebound protrusion variations of the ...

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08-03-2016 дата публикации

BRUSH CLEANSING APPARATUS

Номер: KR101600774B1
Автор: YOON, GEUN SIK, AN, JOON HO, CHO, MOON GI
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a brush cleansing apparatus, which includes: a substrate support body for rotating a substrate of a circular disc shape in order for the substrate to rotate by itself; a first cleansing brush which is rotated and driven in a first rotation direction contacting in an opposite direction to a rotation direction of the substrate, and cleanses a plate surface of the substrate as contacting the plate surface of the substrate; and a second cleansing brush which cleanses the plate surface of the substrate by a contact method by rotating in a state of contacting the plate surface of the substrate, and has a rotation direction fixed to contact in an opposite direction to the rotation direction of the substrate by being rotated and driven in an opposite direction to the rotation direction of the first cleansing brush. The present invention provides the brush cleansing apparatus which can cleanse the substrate more cleanly and rapidly since foreign substances can be ...

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05-02-2016 дата публикации

DEVICE OF MONITORING WAFER METAL LAYER THICKNESS IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHOD THEREOF

Номер: KR0101592211B1
Автор: 조문기, 김민성
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계식 연마 장치의 웨이퍼 막두께 모니터링 장치에 관한 것으로, 연마 패드와 연마 정반을 관통 형성한 위치에 투명창이 구비되고, 웨이퍼의 판면이 자전하는 연마 패드 상에 캐리어 헤드에 의해 접촉하면서 상기 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 시스템에 사용되는 웨이퍼 막두께 모니터링 장치로서, 상기 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 연마 패드의 마모량을 감지하는 마모량 감지부와; 상기 투명창을 통하여 상기 웨이퍼의 판면으로부터 반사되는 수광 신호를 수신하여 상기 웨이퍼의 연마 두께를 감지하는 광센서와; 상기 마모량 감지부에 의하여 상기 연마 패드의 마모량에 따라 상기 광센서의 위치를 조정하는 센서높이 조정유닛을; 포함하여 구성되어, 상기 센서높이 조정유닛에 의해 상기 광센서의 수광면과 상기 웨이퍼의 판면까지의 거리를 일정하게 유지시켜, 웨이퍼의 연마면 두께를 보다 정확하게 감지하여 모니터링할 수 있는 화학 기계연마 장치의 웨이퍼 막두께 모니터링 장치를 제공한다.

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02-02-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND METHOD

Номер: KR101587781B1
Автор: YIM, HWA HYUK, KIM, MIN SEONG, DONG, MIN SEOB
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and method. The chemical mechanical polishing apparatus includes a polishing plate which rotates while touching the polishing surface of a wafer and polishes the polishing surface; and a slurry supply part which supplies slurry of which the temperature is controlled to have a higher temperature than room temperature to at least one from the wafer and the polishing plate in at least part of a chemical mechanical polishing process while the wafer touches the polishing plate to be polished. Since the time required for an initial stage where a polishing level per time is low can be reduced, the total time required for the chemical mechanical polishing process is reduced to improve productivity. In addition, provided is an environment suitable for controlling a deviation in the polishing amount of the wafer polishing surface. COPYRIGHT KIPO 2016 (110) Slurry temperature adjusting unit (120) Control unit ...

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08-09-2016 дата публикации

다공성 연마입자 및 이를 포함하는 연마용 슬러리 조성물

Номер: KR0101655849B1
Автор: 윤주형, 홍승철, 윤영호, 백운규, 서지훈
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍, 한양대학교 산학협력단

... 본 발명은, 다공성 연마입자 및 이를 포함하는 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 다공성 연마입자의 기공 내에 산화촉진제가 함침되어 분산안정성을 높이고, 텅스텐의 토포그래피를 개선시킬 수 있는, 다공성 연마입자 및 이를 포함하는 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.

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Номер записи: 82
18-10-2017 дата публикации

화학 기계적 연마시스템

Номер: KR0101786485B1
Автор: 안준호, 노진성, 이승환, 박종문, 서준성, 이승은
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마시스템에 관한 것으로, 화학 기계적 연마시스템은 기판에 대해 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 수행하는 연마 파트와; 상기 연마 파트에서 연마 공정이 완료된 상기 기판을 예비 세정(pre-cleaning)하는 전처리 파트와; 상기 전처리 파트에서 상기 예비 세정된 상기 기판을 세정하는 세정 파트를; 포함하여 구성됨으로써, 별도의 포스트 세정 공정을 추가적으로 수행하지 않고 기판에 잔존하는 이물질을 효과적으로 제거할 수 있다.

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14-05-2018 дата публикации

기판 코팅장치

Номер: KR0101857770B1
Автор: 조강일
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 코팅 진행방향을 기준으로 슬릿 노즐의 토출구 전방에 부압을 형성하여 슬릿노즐에서 토출되는 약액이 토출구 전방을 향해 반월형상으로 토출되도록 하여 코팅 성능을 개선한 기판 코팅장치를 제공함을 목적으로 한다. 이를 구현하기 위한 본 발명은, 기판 상에 약액이 도포되는 약액을 토출하는 슬릿 형상의 슬릿노즐; 및 코팅 진행방향을 기준으로 상기 슬릿 노즐의 립(Rib) 전방에 위치하여, 상기 슬릿 노즐의 토출구 전방에 부압공간을 형성하여 상기 슬릿 노즐에서 토출되는 약액이 상기 토출구를 기준으로 전방측으로 치우친 상태로 토출되도록 하는 부압 모듈을 구비하되, 상기 부압 모듈은 상기 슬릿 노즐에 형성된 토출구에 비해 보다 큰 여유 공간을 갖도록 상기 부압공간을 향해 개방된 내부공간부를 형성하며 상기 슬릿 노즐의 립 전방을 둘러싸는 형태로 형성된 흡입부를 구비한 것을 특징으로 한다.

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05-01-2017 дата публикации

SLURRY COMPOSITION FOR TUNGSTEN POLISHING

Номер: KR101693237B1
Автор: KONG, HYUN GOO, HWANG, JIN SOOK, PARK, HAN TEO, YOON, YOUNG HO
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a slurry composition for tungsten comprising at least two types of abrasive particles selected among first abrasive particles, second abrasive particles and third abrasive particles, wherein the specific surface area of the abrasive particles satisfies equation 1, 20 m^2/g <= (T_A×K_A) + (T_B×K_B) + (T_C×K_C) <= 100 m^2/g. In equation 1, T_A is the specific surface area of the first abrasive particles; T_B is the specific surface area of the second abrasive particles; T_C is the specific surface area of the third abrasive particles; one among T_A, T_B and T_C may be 0; the K_A is the content of the first abrasive particles; the K_B is the content of the second abrasive particles; K_C is the content of the third abrasive particles; K_A is equal to or greater than 0 and less than 1; K_B is equal to or greater than 0 and less than 1; and K_C is equal to or greater than 0 and less than 1. COPYRIGHT KIPO 2017 (AA) Regular colloidal silica (BB) Iron-substituted ...

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12-05-2016 дата публикации

SURFACE CONTACT UNIT AND ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE INCLUDING SAME

Номер: KR101619814B1
Автор: SHIN, IN CHUL, PARK, SUNG HYUN, LEE, KEUN WOO, KIM, KYUNG JOON
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

Disclosed is an atomic layer deposition device capable of processing a large area substrate. A surface contact unit for a large area atomic layer deposition device comprises: a first block part placed on the lower surface of a susceptor body part; a second block part combined with the bottom of the first block part, and combined with a rotation shaft of the susceptor to combine the susceptor body part with the rotation shaft; a first contact member placed inside the first block part, and penetrating the first block part to make surface contact between an end and the lower surface of the body part; a second contact member placed inside the second block part and placed in the bottom of the first contact member, and penetrating the second block part to make surface contact between an end and the rotation shaft; and connecting part connecting the first and second contact members. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 86
18-05-2018 дата публикации

기판 운반 장치

Номер: KR0101859590B1
Автор: 이경일, 주종규
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 기판 운반 장치에 관한 것으로, 피처리 기판의 제1영역에 약액을 도포하는 약액 도포 장치로부터 상기 피처리 기판을 운반하는 운반 장치에 있어서, 상기 제1영역에 도포된 약액을 감싸는 형태로 수용하는 요입부가 저면에 요입 형성되고, 상기 피처리 기판의 파지하는 파지 몸체와; 상기 약액 도포 장치로부터 상기 합착 장치로 이동시키는 이동부를; 포함하여 구성되어, 피처리 기판을 약액 도포 장치로부터 다른 장치로 운반하는 과정에서 진동이 발생되더라도, 피처리 기판의 표면에 도포된 약액이 도포된 상태 그대로 유지시킬 수 있는 기판 운반 장치를 제공한다.

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Номер записи: 87
09-03-2017 дата публикации

노즐유닛 및 이를 구비하는 세정장치

Номер: KR0101714433B1
Автор: 이상준
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 노즐유닛 및 이를 구비하는 세정장치가 개시된다. 기판에 약액을 분사하는 노즐유닛은 기판에 약액을 제공하는 노즐부, 노즐부 내부에서 노즐부의 단부보다 내측에 구비되며 복수의 모세관의 집합으로 형성된 약액떨어짐 방지부를 포함할 수 있다.

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Номер записи: 88
19-05-2017 дата публикации

MULTIFUNCTIONAL POLISHING SLURRY COMPOSITION

Номер: KR101737938B1
Автор: CHOI, NAK HYUN, KIM, SUN KYOUNG, KIM, JUNG YOON
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a multifunctional polishing slurry composition, which contains polishing particles, and a cationic polymer with the weight average molecular weight smaller than or equal to 50,000. The cationic polymer contains more than two ionized positive ions in a molecular formula. The purpose of the present invention is to provide a multifunctional polishing slurry composition which has improved polishing rate and flattening degrees, and can control a polishing selection ratio between an oxide film, a nitride film, a polysilicon film, and a doped polysilicon film. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 89
09-03-2017 дата публикации

반도체 연마용 슬러리 조성물

Номер: KR0101713824B1
Автор: 최보혁, 박광수, 이혜희, 윤영호
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 반도체 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 연마용 슬러리 조성물은, 연마입자; 자유 라디칼 공급제; 및 산화제;를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 연마용 슬러리 조성물에 의하여, Ge, SiGe 등을 포함하는 Ⅳ족 재료 또는 GaN, GaP, GaAs 등을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 재료를 함유하는 반도체 연마 대상막을 연마할 수 있고, 각 조성물의 함량 변경으로 다양한 두께의 Ⅳ족 재료 또는 Ⅲ-Ⅴ족 재료를 함유하는 연마 대상막의 연마율을 조절할 수 있다.

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11-06-2015 дата публикации

LOW PRESSURISED CONDITIONER OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS

Номер: KR0101527769B1
Автор: 윤근식
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 시스템의 컨디셔너에 관한 것으로, 회전하는 연마 패드 상에서 웨이퍼을 연마하는 화학 기계식 연마 시스템의 컨디셔너로서, 회전 중심으로부터 연장되어 왕복 회전 운동하는 아암과; 상기 아암의 끝단부에 위치하여 상기 아암의 왕복 회전 운동에 따른 선회운동을 하는 표면 개질부와; 상기 아암의 끝단에서 회전 가능하게 설치되어, 상기 연마 패드와 접촉하여 상기 연마 패드의 표면을 미소 절삭하는 컨디셔닝 디스크와; 상기 회전 중심에 위치하여 상기 아암을 왕복 회전 운동하도록 구동하는 회전 구동부가 구비되고, 상기 아암을 상하로 이동시켜 상기 컨디셔닝 디스크를 통해 상기 컨디셔닝 디스크와 상기 아암의 자중보다 더 작은 가압력으로 상기 연마 패드를 가압할 수 있는 액츄에이터가 설치된 선회 중심체를; 포함하여 구성되어, 표면 개질부의 자중을 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 아암 끝단의 표면 개질부를 연마 패드로부터 멀어지는 상측으로 들어올리는 힘을 도입하는 것에 의하여, 디스크 홀더의 자중보다 작은 저압으로 연마 패드를 정교하게 제어하면서 가압하면서 개질할 수 있는 화학 기계적 연마 시스템의 컨디셔너를 제공한다.

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08-01-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND SURFACE PLATE ASSEMBLY USED THEREIN

Номер: KR101583818B1
Автор: KIM, CHANG IL, KANG, DAE JUNG
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and a polishing surface plate assembly used therein. The chemical mechanical polishing apparatus which polishes a surface of a wafer comprises: a carrier head which rotates while pressing a wafer downward in a state of positioning the wafer at one spot; a polishing surface plate which is rotated; a first polishing pad which is installed on the polishing surface plate to come in contact with a portion including an edge end of the wafer positioned on the bottom of the carrier head during a chemical mechanical polishing process; and a second polishing pad which is installed on the polishing surface plate to come in contact with the other portion of the wafer positioned on the bottom of the carrier head during the chemical mechanical polishing process, and is formed of a material harder than that of the first polishing pad. Accordingly, it is possible to improve a polishing amount per unit time at the wafer edge while ...

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13-02-2019 дата публикации

기판 연마 장치

Номер: KR0101947499B1
Автор: 이호준
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 벨트형의 연마패드를 이용하는 기판 연마 장치에서, 구동 롤러 및 연마패드의 위치 틀어짐을 검출하고 이를 조절할 수 있는 기판 연마 장치가 개시된다. 기판 연마 장치는, 서로 평행하게 배치된 한 쌍의 구동 롤러, 상기 한 쌍의 구동 롤러의 외주면에 감겨서 회전하도록 구비되는 벨트 형태의 연마패드 및 상기 연마패드의 일 측에 구비되어서 상기 연마패드의 위치 변화를 감지하는 위치감지부를 포함하여 구성된다.

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Номер записи: 93
31-01-2018 дата публикации

기판 세정 장치

Номер: KR0101823646B1
Автор: 이재홍, 이제윤
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치는, 서로 다른 유체를 각각 수용하는 제 1수용부 및 제 2수용부, 상기 제 1수용부에 수용된 제 1유체를 이송하는 제 1통로, 상기 제 2수용부에 수용된 제 2유체를 이송하는 제 2통로, 상기 제 2통로의 일측에 연결되어 상기 제 2유체를 가열하는 히터 및 상기 제 1통로 및 상기 제 2통로와 연결되는 분사 노즐을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 94
07-03-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND POLISHING PLATE ASSEMBLY USED THEREIN

Номер: KR101600767B1
Автор: CHOI, GWANG RAK, CHO, MOON GI
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and a polishing plate assembly used therein. As a chemical mechanical polishing apparatus for polishing a surface of a wafer, the chemical mechanical polishing apparatus includes: a carrier head for rotating the wafer while downwardly pressurizing the wafer in a state of locating the wafer at one spot; the polishing plate which is driven while rotating; a first polishing pad which is installed on the polishing plate to contact a part including an edge end of the wafer located on the bottom of the carrier head during a chemical mechanical polishing process; and a second polishing pad which is installed on the polishing plate to contact another part of the wafer located on the bottom of the carrier head during the chemical mechanical polishing process, and is formed with a harder material as compared to the first polishing pad, and can improve a polishing rate per unit hour at the edge of the wafer while the edge of ...

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Номер записи: 95
12-04-2017 дата публикации

기판 세정 장치

Номер: KR0101725257B1
Автор: 이재홍
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 일 실시예에 따른 기판 세정 장치는, 기판을 지지하여 회전하는 스핀척, 상 기 스핀척의 상부에서 노즐을 이동시키는 노즐 암, 상기 노즐 암에 부착되어 약액을 분사하는 노즐 및 상기 노즐의 노즐 팁에 부착되어, 상기 노즐 팁으로부터 분사되는 상기 약액을 가열하기 위한 히터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면 매엽식 기판 세정 과정에서 회전하는 기판 상에 근접하게 히터(Heater)를 설치하여, 초순수나 IPA등 약액을 기판 상에서 가열 함으로써 분사되는 상기 약액의 온도가 떨어지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 약액을 기판 상에서 가열 함으로써, 무너짐(leaning)에 의한 패턴(Pattern) 도괴 현상의 발생 없이 약액 치환 및 건조를 진행할 수 있는 기판 세정 장치를 제공할 수 있다.

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Номер записи: 96
29-01-2016 дата публикации

MEMBRANE OF CARRIER HEAD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS AND CARRIER HEAD HAVING SAME

Номер: KR101589445B1
Автор: SON, JUN HO, KIM, CHANG IL, KIM, SANG IL
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a membrane of a carrier head for a chemical mechanical polishing apparatus. The membrane for a carrier head for a chemical mechanical polishing apparatus comprises: a bottom plate which is formed in a plate shape, made of a flexible material, and pressurizes a plate face of a wafer; a lateral face which is formed of a flexible material, is upwardly extended from an edge portion of the bottom plate, and forms a part of a bottom face of a pressurizing chamber on the upside of the lateral face; and an inner ring which is formed of a material having hardness higher than that of the flexible material, is coupled to the inner circumferential face of the lateral face, and transfers force from the pressing chamber to an edge area of the wafer. Accordingly, the inner ring which fixes the lateral face of the membrane according to the expansion of the outermost pressurizing chamber is used and serves as a medium which transfers a pressurizing force from the pressurizing ...

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Номер записи: 97
04-05-2017 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS

Номер: KR101732358B1
Автор: KIM, DAE SEOK, PARK, JONG YOON
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus comprising: a polishing pad provided on the upper surface of a polishing surface plate and being in contact with a polished surface of a substrate; a fluid injection module injecting a fluid on the surface of the polishing pad; a rotation support part supporting the fluid injection module to be pivotally rotatable; and a constraint part constraining an arrangement status of the fluid injection module for the polishing pad and temporarily allowing forced rotation of the fluid injection module for the rotation support. Since the fluid injection module is forced to rotate when an external shock is applied, damage to the fluid injection module due to the external impact can be prevented. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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Номер записи: 98
08-01-2016 дата публикации

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS WHICH PREVENTS WAFER DECHUCK ERROR AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер: KR0101583816B1
Автор: 주종태
Принадлежит: 주식회사 케이씨텍

... 본 발명은 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 저면에 위치시키고 연마 패드상에 가압하며 회전하는 화학 기계적 연마 장치용 캐리어 헤드로서, 회전 구동되는 베이스와; 상기 베이스에 위치 고정되어 상기 베이스와의 사이에 압력 챔버를 형성하여 저면에 위치한 웨이퍼를 가압하는 가요성 재질의 멤브레인과; 상기 베이스의 상측에 위치하여 상기 압력 챔버의 상측을 가압하는 가압 챔버를; 포함하여 구성되어, 베이스의 상측에 가압 챔버를 형성하여 두고 가압 챔버에 정압을 공급하는 것에 의하여, 베이스를 하방으로 밀어 내리는 것에 의하여 리바운드 현상에 의해 웨이퍼의 연마가 불균일하게 이루어지는 문제를 해결할 수 있고, 웨이퍼의 디척 공정을 보다 확실하게 행할 수 있는 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드 및 그 제어 방법을 제공한다.

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Номер записи: 99
05-02-2016 дата публикации

AIR CURTAIN DEVICE

Номер: KR101592192B1
Автор: RHO, JIN SUNG
Принадлежит: K.C.TECH CO., LTD.

The present invention relates to an air curtain device including: an upper air curtain unit (10) which is fixated in a first processing space unit (1) of an upper partitioning wall (3) dividing the first processing space unit (1) and a second processing space unit (2) processing a substrate (S) and is capable of adjusting a spraying angle of a downward air curtain in accordance with a rotation angle of an upper slit shaft (14); and a lower air curtain unit (20) which is fixated to the first processing space unit (1) of a lower partitioning wall (4) formed at a position spaced at a distance to a transferring space unit (5) downward from the upper partitioning wall (3) and is capable of adjusting a spraying angle of an upward air curtain in accordance with a rotation angle of a lower slit shaft (24). The present invention is capable of adjusting the spraying angle of the air curtains by the rotation of the shafts by forming the shafts with slits on a body unit, thereby precisely adjusting ...

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Номер записи: 100