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07-11-2018 дата публикации

PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD OF SILICON THIN FILM CONTAINING NITROGEN AND DOUBLE PATTERNING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: KR1020180121096A
Принадлежит:

The present invention provides a plasma atomic layer deposition method of a silicon thin film containing nitrogen to perform a unit cycle at least once. A unit cycle comprises: a first step of supplying silylene ([1,3-bis(1,1-dimethylethyl)-4,4-dimethyl-1,3-diaza-2 silacyclopent-2-ylidene, tBu_Si]) as a source gas to a reactor charged with the substrate to adsorb the silylene on the substrate; and a second step of generating a plasma containing nitrogen (N) in the reactor to form a silicon unit film containing nitrogen on the substrate. COPYRIGHT KIPO 2018 (100) Mount a substrate on a reactor (110) Supply a source gas (silylene) (120) Supply an inert purge gas (130) Generate a plasma containing nitrogen (140) Supply an inert purge gas ...

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02-02-2021 дата публикации

Rebar coupling

Номер: KR102211521B1
Автор: 박형상
Принадлежит: 박형상

... 본 발명은 커플링의 양측 중공부에 내치 와셔와 분할압지구를 각각 내장시켜 양측으로 삽입되는 철근(이형 철근)의 외주연을 완고하게 구속함으로써 두 개의 철근이 연결되도록하고, 상기 내치 와셔는 스프링에 의해 탄지되도록 함으로써 연결된 철근이 유동하지 않도록 한 철근 커플링에 관한 것으로서, 소정 길이와 소정 지름을 갖는 연결관체(2)와, 연결관체(2) 양측 내부에 형성되는 중공부(3)(4)와, 중공부(3)와 중공부(4) 사이에 형성되는 격리부(5)와, 중공부(3)(4)에 형성되고 양측으로 이행할수록 좁아지는 내외측 경사면(6)(7)과, 중공부(3)(4)에 차례로 결합되는 스프링(8)(9)과 내치 와셔(10)(11) 및 분할압지구(12)(13)와, 분할압지구(12)(13)의 분리를 방지하는 스톱링(14)(15)을 포함한다.

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30-01-2024 дата публикации

기판 처리 장치

Номер: KR102629908B1
Принадлежит: (주)아이작리서치

... 본 발명은 원격 플라즈마를 발생시켜서 원자층 증착 공정 등의 기판 처리 공정을 수행하여 기판에 균일한 박막을 형성할 수 있게 하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 기판을 수용할 수 있도록 내부에 기판 수용 공간이 형성되는 챔버; 상기 기판 수용 공간에 설치되고, 적어도 하나의 상기 기판을 지지하는 서셉터; 및 상기 챔버에 설치되고, 상기 기판 방향으로 가스를 공급하는 가스 공급 장치;를 포함하고, 상기 가스 공급 장치는, 내부에서 플라즈마가 형성될 수 있도록 버퍼 공간이 형성될 수 있다.

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24-08-2015 дата публикации

Internal Antenna for Multi Band

Номер: KR0101547027B1
Принадлежит: 한양대학교 산학협력단

... 다중 대역 내장형 안테나가 개시된다. 개시된 안테나는, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1 방사체; 및 상기 기판 상에 형성되고 상기 제1 방사와 결합되는 제2 방사체를 포함하되, 상기 제1 방사체는 제1 물리적 루프를 포함하고, 상기 제2 방사체는 제2 물리적 루프를 포함한다. 개시된 안테나는 어느 방사체의 길이 변경이 다른 방사체의 공진 대역에 영향을 미치지 않아 용이한 설계가 가능한 장점이 있다.

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06-04-2017 дата публикации

ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD

Номер: WO2017057871A1
Автор: PARK, Hyung Sang
Принадлежит:

The present invention provides an atomic layer deposition device and an atomic layer deposition method, the atomic layer deposition device comprising: a vacuum chamber; a substrate support body, which is arranged in the vacuum chamber, and on which a substrate is seated; a source gas supply unit comprising a metal target, which is arranged inside the vacuum chamber so as to face the substrate support body, and a first gas injection unit for supplying a first gas comprising an etching gas for etching the metal target, thereby generating a source gas; and a reaction gas supply unit coupled to the vacuum chamber so as to supply a second gas, which comprises a reaction gas, onto the substrate, wherein the source gas and the reaction gas are supplied alternately onto the substrate.

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26-09-2017 дата публикации

반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법

Номер: KR0101779112B1

... 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패턴 형성 방법에 의하면, 포토 레지스트의 트리밍의 적어도 일부를 원자층 증착 방법에 의해, 스페이서 산화막 증착과 함께 실시함으로써, 단계가 간단해지고, 트리밍의 정밀도를 높일 수 있고, 트리밍 중 발생할 수 있는 포토 레지스트 푸팅(footing)을 줄일 수 있다.

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10-05-2016 дата публикации

Atomic layer deposition system

Номер: KR0101619308B1
Автор: 박형상
Принадлежит: (주)아이작리서치

... 본 발명은 복수개의 반응실로 이루어지는 멀티 챔버를 이용하여 복수개의 기판에 원자층을 동시 증착시킬 수 있는 원자층 증착 시스템에 관한 것으로서, 복수개의 반응실로 이루어지는 멀티 챔버; 복수개의 상기 반응실에 복수개의 기판을 동시에 로딩 및 언로딩할 수 있는 기판 이송 장치; 및 상기 기판에 원자층을 증착하기 위하여 상기 멀티 챔버의 일측에 설치되고, 제 1 가스 및 제 2 가스를 교대로 또는 혼합하여 공급하는 가스 공급 장치;를 포함하고, 상기 멀티 챔버는, 외부에 진공 챔버가 설치되고, 상기 진공 챔버의 내부에, 복수개의 히팅 플레이트가 복층을 이루어 설치되는 트레이가 설치되는 것일 수 있다.

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13-10-2015 дата публикации

SYSTEM FOR DEPOSITING ATOMIC LAYER

Номер: KR1020150114697A
Автор: PARK, HYUNG SANG
Принадлежит:

The present invention relates to a system for depositing an atomic layer, which uses a multi chamber composed of multiple reaction rooms to simultaneously deposit atomic layers on multiple substrates. The system of the present invention comprises: the multi chamber composed of the multiple reaction rooms; a substrate transporter simultaneously loading or unloading the multiple substrates in the multiple reaction rooms; and a gas feeder installed at one side of the multi chamber so as to deposit an atomic layer on the substrate to alternately feed first gas or second gas, or feed a mixture of the first and second gas. A vacuum chamber is installed outside the multi chamber and a tray composed of multiple stacked heating plates is installed inside the vacuum chamber. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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02-09-2022 дата публикации

가이드 홈을 구비한 냉각판을 포함하는 화학기상증착 반응기

Номер: KR20220122427A
Принадлежит:

... 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기는 개시제 및 단량체를 반응기 내부로 공급하는 공급부, 개시제 및 단량체에 열에너지를 공급하여 개시제를 라디칼화시키는 필라멘트, 고분자 유기 박막이 증착될 기재의 표면에 단량체가 흡착되고, 라디칼화된 개시제가 기재에 흡착된 단량체를 활성화시켜 고분자 유기 박막으로 증착시키며, 냉매가 순환하도록 내부에 냉각라인을 포함하고, 기재에 접촉하여 기재를 냉각시키는 냉각판, 냉각판을 지지하는 지지대, 및 공급부, 필라멘트 및 지지대를 내부에 감싸고, 저진공 상태를 유지하여 개시제 및 단량체가 기재에 증착되도록 유도하는 반응기 몸체를 포함하고, 냉각판 상부에는 중심으로부터 가장자리 방향으로 가이드 홈을 포함하여, 박막의 균일한 증착을 유도하고, 냉각효율을 향상시킴으로써 성막 속도를 높이고 고품질의 고분자 유기 박막을 형성할 수 있도록 한다.

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17-11-2016 дата публикации

SUBSTRATE TREATMENT DEVICE

Номер: KR101677157B1
Автор: PARK, HYUNG SANG
Принадлежит: ISAC RESEARCH, INC.

The present invention relates to a substrate treatment device. The substrate treatment device comprises: a fixing drum; a substrate transport device to transport a flexible substrate along at least a portion of an outer circumferential surface of the fixing drum; a first opening part installed on a portion of the outer circumferential surface of the fixing drum; a first gas supply device to supply first gas to the first opening part; a second opening part installed on another portion of the outer circumferential surface of the fixing drum; a second gas supply device to supply second gas to the second opening part; a third opening part installed on a different portion of the outer circumferential surface of the fixing drum; a third gas supply device to supply third gas to the third opening part; and a rotary drum which has at least one through hole to open any one among the first, the second, and the third opening part and close the rest to allow any one among the first gas, the second gas ...

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03-07-2014 дата публикации

DEPOSITION APPARATUS USING VERTICAL-TYPE PLATE HEATER

Номер: WO2014104551A1
Автор: PARK, Hyung Sang
Принадлежит:

The present invention provides a deposition apparatus for a plurality of substrates using a vertical-type plate heater including: a chamber; a shower head disposed in the chamber so as to spray a process gas; a plurality of plate heaters disposed vertically so as to be parallel to each other in the chamber; and supporting units for the plurality of substrates, which support a pair of substrates such that the substrates are inclined at a certain angle so as to be disposed in each of the plate heaters. According to the present invention, temperature deviations, depending on the positions where the plurality of substrates are mounted, can be prevented, and changes in deposition characteristics with respect to all of the substrates can be minimized because changes in process gas concentrations can be compensated in each area of the substrate. Also, productivity can be improved because the time consumed to raise the temperature of the plurality of substrates to a predetermined temperature can ...

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03-11-2022 дата публикации

스마트 미터의 펌웨어 업그레이드 시스템 및 이를 이용한 업그레이드 방법

Номер: KR102461961B1
Автор: 박형상, 정호기
Принадлежит: (주)위지트에너지

... 본 발명은 스마트 미터의 펌웨어 업그레이드 방법에 관한 것으로, 본 발명은, 수용가에 설치되어 상기 수용가에 공급되는 가스량, 수도량, 전기량 및 열량 중 적어도 2가지를 포함하는 생산 또는 소비되는 자원들의 계량 데이터를 각각 검침하는 복수 개의 스마트 미터들의 펌웨어를 관제 서버를 통해 원격으로 업그레이드 하는 방법에 있어서, 상기 관제 서버가 상기 스마트 미터들과, 상기 스마트 미터들 중 어느 하나로 설치되며 상기 자원들 중 어느 하나의 계량 데이터를 주기적으로 검침하여 근거리 통신망으로 연결된 다른 스마트 미터들에 주기적으로 검침되는 다른 계량 데이터들과 함께 취합하는 허브 스마트미터 간의 통신 성공 여부, 통신 주기 및 통신 속도를 기반으로 하는 상기 스마트 미터들과 상기 허브 스마트미터 간의 통신 안정성을 도출하는 단계; 상기 관제 서버가 상기 통신 안정성이 양호하다 판정하는 경우, 상기 허브 스마트미터를 통해 상기 스마트 미터들에게 펌웨어 데이터를 전송하여 상기 스마트 미터들의 펌웨어를 업그레이드 하는 단계; 상기 관제 서버가 상기 통신 안정성이 불량하다 판정하되, 특정 스마트 미터의 통신 안정성이 불량한 경우, 상기 수용가의 사용자가 상기 통신 안정성이 불량한 특정 스마트 미터의 펌웨어를 직접 업그레이드 하도록, 상기 사용자에게 상기 펌웨어 데이터를 전송하는 단계; 및 상기 사용자 단말이 상기 관제 서버로부터 전송된 상기 펌웨어 데이터를 이용하여 상기 특정 스마트 미터의 펌웨어를 업그레이드 하는 단계를 포함하는 스마트 미터의 펌웨어 업그레이드 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 여러 업체의 스마트 미터들이 설치된 하나의 수용가 내에 스마트 미터와 허브 기능을 겸비한 허브 스마트미터를 설치하여 수용가의 계량 데이터들을 검침 및 취합하여 전송함은 물론, 펌웨어 데이터를 전송받아 각 스마트 미터들의 펌웨어를 업그레이드함으로써, 수용가에 설치되는 여러 스마트 미터들을 보다 쉽게 관리할 수 있고, 허브 스마트미터와 스마트 미터들 간의 통신이 원활하지 않은 ...

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21-02-2023 дата публикации

원자층 증착 장치

Номер: KR102501682B1
Автор: 윤태호, 박형상
Принадлежит: (주)아이작리서치

... 본 발명은 공간 분할 방식을 이용하여 균일한 기판 증착, 박막 특성 향상 및 생산성을 높일 수 있게 하는 원자층 증착 장치에 관한 것으로서, 수용 공간이 형성되는 챔버; 상기 수용 공간에 설치되고, 기판이 회전축을 중심으로 공전 회전될 수 있도록 적어도 하나의 상기 기판을 지지하는 서셉터; 상기 챔버의 제 1 천정 영역에 설치되는 소스 가스 샤워 헤드; 상기 챔버의 제 2 천정 영역에 설치되는 제 1 퍼지 가스 샤워 헤드; 상기 챔버의 제 3 천정 영역에 설치되는 반응 가스 샤워 헤드; 및 상기 챔버의 제 4 천정 영역에 설치되는 제 2 퍼지 가스 샤워 헤드;를 포함하고, 상기 반응 가스 샤워 헤드 또는 상기 소스 가스 샤워 헤드는, 상기 기판 방향으로 제 1 가스 경로가 형성되는 헤드 몸체; 상기 제 1 가스 경로의 가스 진행 방향과 연직된 방향으로 수평 전자기장이 발생될 수 있도록 상기 헤드 몸체의 일측에 설치되는 제 1 전극체; 및 상기 제 1 전극체와 수평 이격 거리만큼 이격되어 상기 제 1 전극체와 대향될 수 있도록 상기 헤드 몸체의 타측에 형성되는 제 2 전극체;를 포함할 수 있다.

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03-04-2017 дата публикации

ATOMIC LAYER DEPOSITING APPARATUS AND ATOMIC LAYER DEPOSITING METHOD

Номер: KR101721931B1
Автор: PARK, HYUNG SANG
Принадлежит: ISAC RESEARCH, INC.

The present invention provides an atomic layer depositing apparatus and an atomic layer depositing method. The atomic layer depositing apparatus includes: a vacuum chamber; a substrate supporter which is arranged in the vacuum chamber and receives the substrate; a source gas supply unit which includes a metal target which is arranged in the vacuum chamber to face the substrate supporter and a first gas injection unit for supplying a first gas including an etching gas for generating a source gas by etching the metal target; and a reactive gas supply unit which is combined with the vacuum chamber and supplies a second gas including the reactive gas on the substrate, wherein, the source gas and the reactive gas are alternately supplied on the substrate. Accordingly, the present invention can deposit an atomic layer thin film by using metal halogen compounds formed in a reactor without external supply of metal precursors. COPYRIGHT KIPO 2017 ...

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26-08-2022 дата публикации

개시제를 이용한 화학기상증착장치

Номер: KR102437018B1

... 본 발명은 개시제를 이용한 화학기상증착장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 재료소비를 절감하고, 균질한 대면적의 박막을 형성할 수 있는 화학기상증착장치 관한 것이다. 본 발명의 개시제를 이용한 화학기상증착장치는 내부에 기판이 장입되는 챔버; 상기 챔버 내부에 위치하며, 제1이격거리(d1)로 상기 기판과 이격되고 기상의 유기단량체 및 개시제를 상기 기판에 공급하는 상부노즐과, 상기 제1이격거리(d1)보다 짧은 제2이격거리(d2)로 상기 기판과 이격되고 기상의 금속 전구체를 상기 기판에 공급하는 하부노즐을 포함하는 이중샤워헤드부; 및 상기 상부노즐과 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 상부노즐로부터 공급되는 개시제를 가열하는 열원;을 포함할 수 있다.

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21-04-2023 дата публикации

기판 처리 장치

Номер: KR20230053096A
Принадлежит:

... 본 발명은 원격 플라즈마를 발생시켜서 원자층 증착 공정 등의 기판 처리 공정을 수행하여 기판에 균일한 박막을 형성할 수 있게 하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 기판을 수용할 수 있도록 내부에 기판 수용 공간이 형성되는 챔버; 상기 기판 수용 공간에 설치되고, 적어도 하나의 상기 기판을 지지하는 서셉터; 및 상기 챔버에 설치되고, 상기 기판 방향으로 가스를 공급하는 가스 공급 장치;를 포함하고, 상기 가스 공급 장치는, 내부에서 플라즈마가 형성될 수 있도록 버퍼 공간이 형성될 수 있다.

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13-07-2015 дата публикации

LATERAL-FLOW DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF DEPOSITING FILM BY USING THE APPARATUS

Номер: KR0101536257B1

... 본 발명의 한 실시예에 따른 증착 장치는 기판이 놓인 면과 그와 마주한 면 사이를 공정 기체가 기판에 대체로 평행한 방향으로 흐르는 수평 흐름 증착 장치로서, 기판을 지지하고 상하 이동 및 회전 이동할 수 있는 기판 지지대, 상기 기판 지지대와 접촉하여 반응실을 규정하는 반응기 덮개, 상기 기판 지지대를 구동하는 기판 지지대 상하 구동 수단 및 기판 지지대 회전 구동 수단을 포함한다.

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15-11-2022 дата публикации

ALD를 이용하여 제작하는 초미세 패턴 불량 분석을 위한 분석시편 및 제조법

Номер: KR20220152105A
Автор: 박형상, 정성준, 이정훈
Принадлежит:

... 본 발명의 실시예에 따른 초미세 패턴 불량 분석을 위한 분석시편 제조방법은 ALD 반응챔버 내에 분석시편을 마련하는 제1단계 및 분석시편의 표면에 보호막을 형성하는 제2단계를 포함하고, 제2단계는, 반응챔버 내에 전구체(precursor)를 주입하는 단계, 반응챔버 내에 전구체를 퍼지하는 단계, 반응챔버 내에 반응물질(reactant)를 주입하는 단계 및 반응챔버 내에 반응물질을 퍼지하는 단계를 포함하여, ALD 장비를 이용하여 미세 패턴의 외형을 강화하여 TEM 또는 SEM 장비를 이용한 분석 과정에서 형태 변형이 없도록 내구성을 향상시킬 수 있다.

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29-06-2015 дата публикации

MIMO ANTENNA FOR HUMAN BODY COMMUNICATION

Номер: KR1020150072119A
Принадлежит:

Disclosed is a MIMO antenna for human body communication. The antenna comprises: a substrate; a tread formed on some areas of the substrate; a first radiator formed on a first side of the substrate at a certain distance from the tread; a second radiator formed on a second side facing the first side of the substrate at a certain distance from the tread; a first slot formed on the tread with respect to the position of the first radiator; and a second slot formed on the tread with respect to the position of the second radiator. The disclosed antenna can be applied to a medical device used in human body communication and manufactured in small size. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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22-08-2018 дата публикации

PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер: KR1020180093685A
Принадлежит:

The present invention relates to a plasma chemical vapor deposition apparatus for forming a thin film on a target substrate by using plasma The plasma chemical vapor deposition apparatus includes a chamber accommodated therein with the target substrate and capable of providing a process environment; a gas supply device provided on one side of the chamber to form a one-way flow of gas from one side to the other side of the target substrate; a plasma generating device for generating plasma to excite at least a portion of the gas; and a gas discharge device provided on the other side of the chamber to form a one-way flow of the gas from one side to the other side of the target substrate. The plasma generating device includes a block type first electrode having one side formed with a gas inlet and the other side formed with a gas outlet, and formed therein with an inner space, and a tubular second electrode inserted into the inner space to form plasma between the block type first electrode ...

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02-09-2022 дата публикации

이중 샤워헤드를 포함하는 화학기상증착 반응기

Номер: KR20220122432A
Автор: 김지혜, 장환검, 박형상
Принадлежит:

... 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착 반응기는 소스기체인 개시제 및 단량체를 각각 가열하는 복수의 캐니스터, 캐니스터로부터 가열된 각각의 소스기체가 반응기 내부로 분리되어 유입될 수 있도록 배치되는 복수의 가스라인, 복수의 캐니스터 및 복수의 가스라인 각각에 연결되어 반응기 내부로 소스기체를 투입하도록 복수로 배치되는 복수의 투입구, 복수의 투입구를 통해 유입된 소스기체가 반응기 내부에서 균일하게 확산되어 하강할 수 있도록 배치되는 샤워헤드본체, 샤워헤드본체 하부에 배치되며, 단량체를 활성화시키기 위해 개시제에 열에너지를 공급하여 라디칼화시키는 필라멘트, 필라멘트 하부에 배치되고, 필라멘트로부터 방사되는 열에너지가 하부로 방사되는 것을 차단하며, 소스기체가 반응기 내부에서 균일하게 확산되어 하강할 수 있도록 하는 이너샤워헤드, 단량체의 중합반응에 의해 고분자 유기 박막이 증착되는 기재가 놓여지고, 기재를 냉각하는 냉각스테이지 및 냉매를 통해 냉각스테이지를 냉각하는 냉각부를 포함하여, 단차가 있는 기재에도 균일한 박막 증착을 가능하게 하고, 냉각효율을 향상시켜 성막 속도를 증가시킴으로써, 고품질의 고분자 유기 박막을 형성할 수 있도록 한다.

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07-03-2023 дата публикации

파우더용 원자층 증착 장치

Номер: KR20230031618A
Автор: 김재웅, 송수한, 박형상
Принадлежит:

... 본 발명의 파우더용 원자층 증착 장치는, 내부에 분말이 수용될 수 있는 분말 수용 공간이 형성되는 원통형상의 리액터; 상기 리액터의 중심축을 기준으로 회전가능하도록 형성되는 구동축부와 상기 분말을 교반시킬 수 있도록 상기 구동축부에 형성된 교반부를 포함하는 교반 장치; 상기 분말의 외부 누출을 방지하도록 상기 리액터의 하부에 결합되는 하부 메쉬 구조체; 상기 하부 메쉬 구조체와 소정 거리 이격되어 가스 유동 공간이 형성되도록 상기 하부 메쉬 구조체의 상부에 형성되고, 상기 분말의 다져짐 현상을 방지하도록 상기 구동축부의 하부에 결합되어 상기 구동축부의 회전에 따라 회전되는 보조 메쉬 구조체; 및 상기 하부 메쉬 구조체의 하방에 배치되되, 원료가스, 퍼지가스 및 반응가스 중 어느 하나 이상을 하방에서 상방으로 공급하여 상기 가스 유동 공간에 제공하도록 상기 리액터 하부에 겹합되는 샤워헤드;를 포함할 수 있다.

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22-01-2024 дата публикации

분말의 표면 처리 장치

Номер: KR20240009212A
Принадлежит:

... 본 발명은 분말의 표면 처리 장치에 관한 것으로서, 공정 후 분말의 로딩 및 언로딩을 위해 메인 챔버를 냉각시키고 다시 승온시키는 과정을 삭제할 수 있고, 공정 완료 후 메인 챔버 냉각 없이 연속적으로 분말의 로딩 및 언로딩이 가능한 분말의 표면 처리 장치를 제공하는데 주된 목적이 있는 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위해, 각각의 내부공간에 분말이 충전된 상태로 메인 챔버의 수용공간을 따라 다단으로 적층 배치되고 메인 챔버의 수용공간으로 주입된 가스가 통과하도록 된 복수 개의 서브 챔버; 비활성 가스가 충전된 하우징의 밀폐된 내부공간에서 메인 챔버의 수용공간 내에 새로운 서브 챔버를 로딩하는 로딩 장치; 및 비활성 가스가 충전된 하우징의 밀폐된 내부공간에서 메인 챔버의 수용공간에 적층 배치된 복수 개의 서브 챔버들 중 적어도 하나를 수용공간으로부터 배출 및 언로딩하는 언로딩 장치를 포함하는 분말의 표면 처리 장치가 개시된다.

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15-05-2014 дата публикации

SHOWER HEAD, AND THIN FILM DEPOSITION APPARATUS INCLUDING SAME

Номер: WO2014073806A1
Автор: PARK, Hyung Sang
Принадлежит:

An objective of the present invention is to provide a shower head which can form a uniform thin film by preventing heterogeneous process gases from being mixed before reaching a reactor, which prevents a defect in the thin film, and which facilitates the easy manufacturing, maintenance, and repair, and to provide a thin film deposition apparatus including same. The shower head includes: a first injection unit that injects a first gas through multiple first injection holes that are formed in a distribution plate; and a second injection unit that injects a second gas through multiple second injection holes which are formed in an injection tube disposed on one side in which the first gas is injected from the first injection holes.

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07-03-2023 дата публикации

분말용 스퍼터 장치

Номер: KR20230031619A
Автор: 김재웅, 송재형, 박형상
Принадлежит:

... 본 발명의 분말용 스퍼터 장치는, 내부가 진공으로 형성되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내측에 구비되고 상기 공정 챔버와 연통되며, 내부에 분말이 수용될 수 있는 분말 수용 공간이 형성되는 리액터; 상기 리액터 내부에 수평 방향으로 형성되는 구동축과 회전을 통하여 상기 분말을 교반시킬 수 있도록 상기 구동축에 형성된 교반부를 포함하는 교반 장치; 상기 공정 챔버 내부의 상기 교반 장치 상방에 스퍼터링 소스로 사용되는 타겟이 형성되고, 상기 공정 챔버 외부에서 전원을 인가받는 스퍼터링 캐소드부; 상기 리액터에 DC 또는 RF 바이어스를 인가하는 바이어스 인가부; 및 상기 리액터 내부의 상기 분말 수용 공간에 플라즈마가 형성될 수 있도록 상기 스퍼터링 캐소드부에 전류를 인가하는 스퍼터링 전원부;를 포함할 수 있다.

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05-01-2023 дата публикации

스마트 미터의 펌웨어 업그레이드 시스템 및 이를 이용한 업그레이드 방법

Номер: KR20230001788A
Автор: 박형상, 정호기
Принадлежит:

... 본 발명은 스마트 미터의 펌웨어 업그레이드 방법에 관한 것으로, 본 발명은, 수용가에 설치되어 상기 수용가에 공급되는 가스량, 수도량, 전기량 및 열량 중 적어도 2가지를 포함하는 생산 또는 소비되는 자원들의 계량 데이터를 각각 검침하는 복수 개의 스마트 미터들의 펌웨어를 관제 서버를 통해 원격으로 업그레이드 하는 방법에 있어서, 상기 관제 서버가 상기 스마트 미터들과 상기 수용가에 설치되어 상기 스마트 미터들과 근거리 통신망으로 연결되어 상기 스마트 미터들의 검침 데이터를 주기적으로 취합하는 중계 허브 간의 통신 성공 여부, 통신 주기 및 통신 속도를 기반으로 하는 상기 스마트 미터들과 상기 중계 허브 간의 통신 안정성을 도출하는 단계; 상기 관제 서버가 상기 통신 안정성이 양호하다 판정하는 경우, 상기 중계 허브를 통해 상기 스마트 미터들의 펌웨어를 업그레이드 하는 단계; 상기 관제 서버가 상기 통신 안정성이 불량하다 판정하는 경우, 상기 수용가의 사용자가 상기 통신 안정성이 불량한 특정 스마트 미터들의 펌웨어를 업그레이드 하도록, 상기 사용자에게 상기 펌웨어 데이터를 전송하는 단계; 및 상기 사용자 단말이 상기 관제 서버로부터 상기 펌웨어 데이터를 다운로드 받아 상기 특정 스마트 미터의 펌웨어를 업그레이드 하는 단계를 포함하는 스마트 미터의 펌웨어 업그레이드 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 여러 업체의 스마트 미터들이 설치된 하나의 수용가 내에 중계 허브를 설치하여 각 스마트 미터들의 검침 데이터를 취합하여 전송함은 물론, 펌웨어 데이터를 전송받아 각 스마트 미터들의 펌웨어를 업그레이드함으로써, 수용가에 설치되는 여러 스마트 미터들의 전송 데이터들을 보다 손쉽게 관리할 수 있고, 중계 허브와 스마트 미터들 간의 통신이 원활하지 않은 경우, 다른 통신망을 사용하는 사용자 단말을 이용하여 통신이 원활하지 않은 특정 스마트 미터의 검침 데이터를 전송한다거나, 펌웨어 업그레이드를 진행함으로써 각 스마트 미터들의 데이터 전송 과정을 더욱 원활하게 할 수 있다.

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22-10-2018 дата публикации

BATCH TYPE APPARATUS FOR DEPOSITING PLASMA ATOMIC LAYER

Номер: KR1020180115238A
Принадлежит:

The present invention provides a batch type apparatus for depositing a plasma atomic layer. The apparatus comprises: a plurality of sub-reactors each including an electrode to which RF power may be applied and a susceptor disposed at a position opposite to the electrode and capable of mounting a substrate; at least one RF generator configured to apply RF power to independently generate direct plasma in each of the sub-reactors; and at least one matching unit capable of forming a matching network between the RF generator and the sub-reactors. COPYRIGHT KIPO 2018 ...

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04-07-2013 дата публикации

PREPARATION METHOD OF SEMISOLID HUMAN PHANTOM FOR MEASURING RF CHARACTERISTICS, AND COMPOSITION FOR PREPARING HUMAN PHANTOM

Номер: WO2013100732A1
Принадлежит:

Disclosed are a preparation method of a semisolid human phantom for measuring RF characteristics, and a composition for preparing a human phantom. The disclosed method comprises the following steps: (a) dissolving NaCl and NaN3 in distilled water; (b) mixing an agar powder with the solution of step (a); (c) mixing a gelling agent with the solution of step (b); and (d) mixing a polyethylene powder with the solution of step (c) to prepare a composition for preparing a phantom. According to the disclosed method, it is possible to provide a human phantom which can be appropriately used in a wireless communication test for medical equipment used on the human body, and can be manufactured into a semisolid form at low cost.

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21-02-2023 дата публикации

디퓨저겸용 향수병

Номер: KR102501966B1
Автор: 박형상
Принадлежит: 박형상

... 디퓨저겸용 향수병에 관한 발명이다. 본 발명의 디퓨저겸용 향수병은 향수가 내부에 충전되는 용기; 상기 용기 내에 마련되고 상기 용기 내의 공간을 2개의 제1 및 제2 공간으로 구획하되 일단부는 상기 용기의 일측면에서 이격되게 배치되는 칸막이; 상기 용기의 일측에 착탈 가능하게 결합하되 향수로 사용하는 향수용 뚜껑; 상기 용기의 타측에 착탈 가능하게 결합하되 디퓨저로 사용하는 디퓨저용 뚜껑; 상기 용기의 제1 공간에 배치되고 상기 제1 공간의 향수를 끌어 올리는 향수관과, 상기 향수관의 단부에 결합하되 상기 용기의 외측에서 상기 향수용 뚜껑에 의해 보호되고 상기 향수관을 통해 끌어 올려진 향수를 분사하는 향수 분사구를 구비하는 향수 버튼을 구비하는 향수 유닛; 및 상기 용기의 제2 공간에 배치되고 상기 제2 공간의 향수를 끌어 올리는 디퓨저 스틱과, 상기 디퓨저 스틱의 단부에 결합하되 상기 용기의 외측에서 상기 디퓨저용 뚜껑에 의해 보호되되 상기 디퓨저 스틱을 통해 끌어 올려진 향수를 분사하는 디퓨저 헤드를 구비하는 디퓨저 유닛을 포함한다.

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08-10-2018 дата публикации

ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM AND METHOD

Номер: KR1020180109117A
Принадлежит:

The present invention relates to an atomic layer deposition system and method that is capable of rapidly switching gas through a rotating pipe having a gas outlet. According to the present invention, the atomic layer deposition system includes: a chamber having a first accommodation space in which a first object substrate is accommodated; and a first gas supply device disposed in the chamber to supply a first gas to the first object substrate, the first gas supply device comprising: a first fixing block having a rotating space formed at the inside thereof, a first passage formed in a first direction with respect to the rotating space, and a second passage formed in a second direction with respect to the rotating space; and a first rotating pipe having a first gas convey passage formed at the inside thereof and at least one first gas outlet formed on one side thereof, the first rotating pipe being rotatably disposed in the rotating space of the first fixing block in such a manner as to allow ...

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13-11-2015 дата публикации

Transfer apparatus for substrate and transfer method for substrate

Номер: KR0101569004B1
Автор: 박형상, 탁영덕
Принадлежит: (주)아이작리서치

... 본 발명은 화학 기상 증착 또는 원자층 증착을 수행할 수 있는 반응기 내부에 기판을 이송할 수 있는 기판 이송 장치 및 기판 이송 방법에 관한 것으로서, 지지대; 상기 지지대에 설치된 제 1 가이드부재를 따라 반응기 방향으로 전후진이 가능한 제 1 가동대; 상기 제 1 가동대를 상기 반응기 방향으로 전후진시킬 수 있는 제 1 가동장치; 상기 제 1 가동대에 의해서 상기 반응기 내부로 로딩될 수 있고, 기판이 안착될 수 있는 적어도 하나의 스키 플레이트; 및 상기 제 1 가동대에 설치되고, 상기 스키 플레이트를 상기 제 1 가동대에 선택적으로 고정 또는 해제시킬 수 있는 고정 부재;를 포함할 수 있다.

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12-08-2015 дата публикации

METHOD OF DEPOSITING RUTHENIUM FILM

Номер: KR0101544198B1
Автор: 김종수, 박형상

... 본 발명의 실시예에 따른 루테늄 막 형성 방법에 의하면, 원자층 증착법으로 루테늄(Ru) 박막을 형성하는 단계와, 기상 반응법으로 산화 루테늄 박막을 형성하는 단계 후에, 암모니아(NH3) 기체를 공급하여, 루테늄 박막 또는 산화 루테늄 내부의 산소를 환원시키는 단계를 포함함으로써, 박막 내 산소 함유량을 감소시키고, 고유전체 막과의 접합성을 향상시키며, 후처리 공정에서 응력 차이에 의해 막 분리 현상이 나타나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 원자층 증착 방법을 이용함으로써, 종횡비가 큰 표면에 단차 피복성이 우수한 루테늄 막을 형성할 수 있다.

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07-07-2015 дата публикации

MULTI-BAND ANTENNA

Номер: KR1020150076719A
Принадлежит:

A multi-band antenna is disclosed. The disclosed antenna comprises: a substrate; a first radiator formed on the substrate; and a second radiator formed on the substrate and coupled to the first radiator. The first radiator includes a first physical loop. The second radiator includes a second physical radiator. The disclosed antenna can be easily designed by not affecting a resonance frequency of another radiator different in the length of any radiator. COPYRIGHT KIPO 2015 ...

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