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05-04-2024 дата публикации

반도체 소자 및 그 제조 방법

Номер: KR20240045079A
Автор: 조병진, 김동빈, 박영근, 백용구, 정재중
Принадлежит:

... 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, (a) 기판을 제공하는 단계, (b) 상기 기판 상에 산화막을 형성하는 단계, (c) 상기 산화막을 식각하여 상기 기판을 외부로 노출시키는 개구부를 형성하는 단계, (d) 전기적 접속을 위해 상기 개구부를 채워 비아 플러그를 형성하는 단계, (e) 상기 비아 플러그 상에 금속 배선을 형성하는 단계 및 (f) 상기 금속 배선에 레이저광을 적어도 한 번 조사하는 단계를 포함하되, 상기 단계 (f)는 상기 레이저광을 상기 금속 배선에 수직으로 조사하여 상기 금속 배선과 상기 비아 플러그의 접촉부에 간접적으로 열전달하는 것을 특징으로 한다.

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Номер записи: 1
26-08-2022 дата публикации

개시제를 이용한 화학기상증착장치

Номер: KR102437018B1
Автор: 조병진, 김민주, 정재중, 박형상, 탁영덕, 김지혜
Принадлежит: 한국과학기술원, (주)아이작리서치

... 본 발명은 개시제를 이용한 화학기상증착장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 재료소비를 절감하고, 균질한 대면적의 박막을 형성할 수 있는 화학기상증착장치 관한 것이다. 본 발명의 개시제를 이용한 화학기상증착장치는 내부에 기판이 장입되는 챔버; 상기 챔버 내부에 위치하며, 제1이격거리(d1)로 상기 기판과 이격되고 기상의 유기단량체 및 개시제를 상기 기판에 공급하는 상부노즐과, 상기 제1이격거리(d1)보다 짧은 제2이격거리(d2)로 상기 기판과 이격되고 기상의 금속 전구체를 상기 기판에 공급하는 하부노즐을 포함하는 이중샤워헤드부; 및 상기 상부노즐과 상기 기판 사이에 위치하며, 상기 상부노즐로부터 공급되는 개시제를 가열하는 열원;을 포함할 수 있다.

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Номер записи: 2
22-11-2016 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF LOGO FILM FOR VEHICLE DOOR LIGHTING DEVICE

Номер: KR101677500B1
Автор: JEONG, JAE JOONG, JEONG, JAE YOUNG, OH, SUNG KI
Принадлежит: MULTITECH CO., LTD., JEONG, JAE JOONG

Disclosed is a manufacturing method of a logo film for a vehicle door lighting device, comprising the steps of: forming a logo capable of penetrating light to the film; attaching a first and a second protective film on both surfaces of the film in which the logo is formed; primarily punching a portion corresponding to a part of outline in the logo of the film; removing any one of the first and the second protective film, and replacing the same with a third protective film; and secondarily punching a portion corresponding to the rest of the outline in the logo of the film. COPYRIGHT KIPO 2016 ...

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Номер записи: 3
25-10-2022 дата публикации

공중합체 기반 저전력 유연 저항 변화 메모리 소자

Номер: KR20220143401A
Автор: 조병진, 정재중, 김민주
Принадлежит:

... 본 발명은 공중합체 기반 저전력 유연 저항 변화 메모리 소자에 관한 것으로, 고성능 및 고신뢰성을 나타내면서도 유연상태에서 성능을 유지하는 유기 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저전력 유연 저항 변화 메모리는 iCVD로 증착한 공중합체 박막 내부의 하이드록시기와 금속 이온을 함께 이용해 형성한 전류 통로를 사용해 저항이 변화하는 메모리 소자를 구현하여, 유연 기판에서도 높은 신뢰성을 가지고, 메모리 소자로 사용하기에 충분한 보존성(retention)을 가지며 구동 전류가 낮아 저항 변화에 필요한 전력 소모가 줄어들어 저전력 소자로 적합하다.

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Номер записи: 4
12-04-2023 дата публикации

이종의 메커니즘이 적용된 다층형 유-무기 박막 기반 저항 변화 메모리 소자

Номер: KR20230048699A
Автор: 조병진, 김민주, 정재중
Принадлежит:

... 저항 변화 메모리 소자에 있어서 저항 변화층이 하이브리드 박막인 메모리 소자에 관한 것으로, 유-무기 하이브리드 박막이 금속 산화물과 금속 수산화물 중 어느 하나 이상과 고분자 매트릭스를 포함하고, 금속 산화물과 금속 수산화물이 고분자 매트릭스에 화학적으로 결합되어 있는 저항 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다. 또한, 이러한 저항 변화층이 다층으로 적층되어 있어 메모리 소자의 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다.

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Номер записи: 5