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24-08-2023 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: US20230268185A1
Автор: Hiroyuki TAKAHATA, Yuji NAGUMO, Masashi UECHA
Принадлежит:

A manufacturing method of a semiconductor device, includes: preparing a wafer having a first surface on which a plurality of semiconductor elements is formed and to which a support plate is attached through an adhesive; grinding a second surface of the wafer opposite to the first surface in a state where the support plate is attached to the first surface of the wafer; forming a vertical crack inside the wafer and along a boundary between the adjacent semiconductor elements by pressing a scribe wheel against the wafer along the boundary; separating the support plate from the wafer while leaving the adhesive on the first surface of the wafer; cleaving the wafer along the boundary by pressing a breaking bar against the wafer over the adhesive and along the boundary; and removing the adhesive from at least one of the semiconductor elements divided from the wafer by the cleaving.

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Номер записи: 1
08-06-2023 дата публикации

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер: US20230178497A1
Автор: Masashi UECHA, Yuji NAGUMO, Hiroki TSUMA, Teruaki KUMAZAWA
Принадлежит:

A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an end region, and an active region. The end region is located above the semiconductor substrate, has a frame shape, and has been brought into contact with a blade in a scribing process. The active region is surrounded by the end region and is configured to serve as a path of a main current. The end region has a stress relaxation film on an outermost surface of the end region.

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Номер записи: 2
28-04-2022 дата публикации

PROCESSED WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING CHIP FORMATION WAFER

Номер: US20220130675A1
Автор: Masatake NAGAYA, Teruaki KUMAZAWA, Yuji NAGUMO, Kazuya HIRATA, Asahi NOMOTO
Принадлежит: Denso Corp, Disco Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

A method of manufacturing a chip formation wafer includes: forming an epitaxial film on a first main surface of a silicon carbide wafer to provide a processed wafer having one side adjacent to the epitaxial film and the other side; irradiating a laser beam into the processed wafer from the other side of the processed wafer so as to form an altered layer along a surface direction of the processed wafer; and separating the processed wafer with the altered layer as a boundary into a chip formation wafer having the one side of the processed wafer and a recycle wafer having the other side of the processed wafer. The processed wafer has a beveling portion at an outer edge portion of the processed wafer, and an area of the other side is larger than an area of the one side in the beveling portion.

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Номер записи: 3
16-05-2024 дата публикации

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер: US20240162092A1
Автор: Yuji NAGUMO, Masashi UECHA, Masaru OKUDA, Masatake NAGAYA, Mitsuru KITAICHI, Akira MORI, Naoya KIYAMA, Masakazu TAKEDA
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd, Toyota Motor Corp

A manufacturing method of a semiconductor device includes: forming a plurality of element structures in a form of matrix on a first surface of a semiconductor wafer; forming a crack extending in a thickness direction of the semiconductor wafer along a boundary between the element structures adjacent to each other by pressing a pressing member against a second surface of the semiconductor wafer opposite to the first surface along the boundary; and dividing the semiconductor wafer along the boundary by pressing a dividing member against the semiconductor wafer on a first surface side along the boundary.

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Номер записи: 4
22-06-2023 дата публикации

Manufacturing method of semiconductor device

Номер: US20230197519A1
Автор: Hiroki TSUMA, Masashi UECHA, Teruaki Kumazawa, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

In a manufacturing method of a semiconductor device, a semiconductor wafer that is made of a semiconductor material harder than silicon and has a first surface and a second surface opposite to each other is prepared, a roughened layer is formed by grinding the second surface of the semiconductor wafer, a blade is pressed against the roughened layer to form a vertical crack in a surface layer of the semiconductor wafer, the roughened layer is removed after the vertical crack is formed, a rear surface electrode is formed on a rear surface of the semiconductor wafer on which the vertical crack is formed, and after the rear surface electrode is formed, the first surface of the semiconductor wafer is pressed and the semiconductor wafer is cleaved into multiple pieces with the vertical crack as a starting point.

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Номер записи: 5
18-05-2023 дата публикации

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер: US20230154987A1
Автор: Hiroki TSUMA, Masashi UECHA, Teruaki Kumazawa, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

A silicon carbide semiconductor device includes a silicon carbide semiconductor layer and a side silicide layer. The silicon carbide semiconductor layer includes a silicon carbide single crystal and has a main surface, a rear surface opposite to the main surface, and a side surface connecting the main surface and the rear surface and formed by a cleavage plane. The silicon carbide semiconductor layer further includes a modified layer. The modified layer forms a part of the side surface located close to the rear surface and has an atomic arrangement structure of silicon carbide different from an atomic arrangement structure of the silicon carbide single crystal. The side silicide layer includes a metal silicide that is a compound of a metal element and silicon. The side silicide layer is disposed on the side surface of the silicon carbide semiconductor layer and is adjacent to the modified layer.

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Номер записи: 6
30-09-2022 дата публикации

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер: JP2022142485A
Автор: Yuji NAGUMO, 裕司 南雲
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

【課題】チッピングの進展や、チッピングを起点とするクラックの発生を抑制できるようにする。【解決手段】ダイシング領域にトレンチ１２を形成し、このトレンチ１２を埋め込むようにしてＳｉＣに対する異種材料となるＰｏｌｙ－Ｓｉ膜１３で構成されたチッピング抑制層を形成する。これにより、ダイシングブレード２０にてダイシングラインに沿ってダイシングを行った際にチッピングが形成されたとしても、チッピングがチッピング抑制層内に形成されるようにできる。したがって、チッピングが発生したとしても、その進展がチッピング抑制層とＳｉＣとの界面で止まり、ＳｉＣ内にまで進展しないようにできる。【選択図】図２Ｅ

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Номер записи: 7
01-02-2024 дата публикации

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер: US20240038590A1
Автор: Akira Mori, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masashi UECHA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd, Toyota Motor Corp

A semiconductor device includes a semiconductor substrate having a quadrangular shape when viewed from above and having a front surface, a rear surface opposite to the front surface, and four side surfaces connecting the front surface and the rear surface. Each of the side surfaces has a step section in which a plurality of protruding portions and a plurality of recessed portions alternately and repeatedly appear along a direction in which a peripheral edge of the front surface of the semiconductor substrate extends.

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Номер записи: 8
08-02-2024 дата публикации

半導体装置及びその製造方法

Номер: JP2024018453A
Автор: Akira Mori, Masafumi Uecha, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Yuji NAGUMO, 亮 森, 充 北市, 勝 奥田, 正武 長屋, 直哉 木山, 真和 武田, 裕司 南雲, 雅史 植茶
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd, Toyota Motor Corp

【課題】 半導体装置と樹脂との密着性を確保することができる新たな技術を提案する。【解決手段】 半導体装置は、上から見たときに四角形であり、表面と、表面の反対側に位置する裏面と、表面及び裏面を接続する４つの側面と、を有する半導体基板を備える。各側面は、半導体基板の表面の周縁が伸びる方向に沿って凸部と凹部が交互に繰り返し出現する段差部を有している。【選択図】図４

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Номер записи: 9
08-02-2024 дата публикации

半導体装置及びその製造方法

Номер: JP2024018220A
Автор: Akira Mori, Masafumi Uecha, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Teruaki Kumazawa, Yuji NAGUMO, 亮 森, 充 北市, 勝 奥田, 正武 長屋, 直哉 木山, 真和 武田, 裕司 南雲, 輝顕 熊澤, 雅史 植茶
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd, Toyota Motor Corp

【課題】半導体基板をはんだ接合する際に、はんだの不要な濡れ広がりを好適に抑制する半導体装置及びその製造を提供する。【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板１２と、半導体基板の表面に設けられた金属層２０と、を備える。金属層は、第１金属層（ニッケル層２４、チタン層２２）と、第１金属層の表面を覆っており、第１金属層よりもはんだ濡れ性が高い第２金属層（金層２６）と、を有している。第２金属層は、金属層の主表面に露出している。第１金属層は、金属層の側面に露出している。金属層の主表面２０ａには、突起部３０が設けられている。突起部は、主表面の外周縁に沿って一巡するように伸びている。【選択図】図１

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Номер записи: 10
31-01-2024 дата публикации

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер: EP4312253A1
Автор: Akira Mori, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masashi UECHA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd

A semiconductor device (10, 100) includes a semiconductor substrate (12) having a quadrangular shape when viewed from above and having a front surface (12a), a rear surface (12b) opposite to the front surface, and four side surfaces (12c) connecting the front surface and the rear surface. Each of the side surfaces has a step section (30) in which a plurality of protruding portions (30a) and a plurality of recessed portions (30b) alternately and repeatedly appear along a direction in which a peripheral edge of the front surface of the semiconductor substrate extends.

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Номер записи: 11
31-01-2024 дата публикации

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер: EP4312255A1
Автор: Akira Mori, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masashi UECHA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Teruaki Kumazawa, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd

A semiconductor device (10) includes a semiconductor substrate (12) and a metal layer (20) disposed on a surface (12a) of the semiconductor substrate. The metal layer includes a first metal layer (22, 24) and a second metal layer (26). The second metal layer covers a surface of the first metal layer and has a higher solder wettability than the first metal layer. The second metal layer is exposed on a main surface (20a) of the metal layer. The first metal layer is exposed on a side surface (20b) of the metal layer. The metal layer has a protruding portion (30) on the main surface. The protruding portion extends to make one round along an outer peripheral edge of the main surface.

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Номер записи: 12
19-12-2023 дата публикации

半導体装置の製造方法

Номер: JP2023179261A
Автор: Akira Mori, Masafumi Uecha, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Yuji NAGUMO, 亮 森, 充 北市, 勝 奥田, 正武 長屋, 直哉 木山, 真和 武田, 裕司 南雲, 雅史 植茶
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd, Toyota Motor Corp

【課題】 表面に金属膜が形成された半導体基板を分割するための新たな技術を提案する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、複数の素子領域を有する半導体基板の第１表面に、前記素子領域の境界に沿って押圧部材を押し当てることにより、前記半導体基板の第１表面側に、前記境界に沿うとともに前記半導体基板の厚み方向に延びるクラックを形成する工程と、前記クラックを形成する前記工程の後に、前記第１表面に前記複数の素子領域に跨る金属膜を形成する工程と、前記金属膜を形成する前記工程の後に、前記第１表面の裏側に位置する第２表面側から前記境界に沿って前記半導体基板に分割部材を押し当てることにより、前記境界に沿って前記半導体基板と前記金属膜を分割する工程、を備える。 【選択図】図１１

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Номер записи: 13
05-09-2023 дата публикации

半導体装置の製造方法

Номер: JP2023123189A
Автор: Fumito Tachibana, Masafumi Uecha, Yuji NAGUMO, 文人 立花, 裕司 南雲, 雅史 植茶
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

【課題】ウエハと支持板の間に異物が混入してもスクライブ工程においてウエハが受けるダメージを軽減する。【解決手段】本明細書は半導体装置（３）の製造方法を開示する。その製造方法は、溝形成工程、スクライブ工程、ブレイク工程を備える。溝形成工程では、複数の半導体素子（３）が形成されたウエハ（２）の第１面（２ａ）に、隣り合う半導体素子の境界（４）に沿って溝（１１）を形成する。スクライブ工程では、第１面を支持板に向けてウエハを支持板（３１）に取り付け、境界に沿ってウエハの第２面側からスクライブブレード（３３）を押し当て、境界に沿ってウエハの内部に垂直クラック（５）を形成する。ブレイク工程では、境界にブレイクブレード（３４）を押し当て、境界に沿ってウエハを劈開させる。【選択図】図６

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16-06-2023 дата публикации

半導体装置およびその製造方法

Номер: JP2023083860A
Автор: Hiroki TSUMA, Masafumi Uecha, Teruaki Kumazawa, Yuji NAGUMO, 博基 津間, 裕司 南雲, 輝顕 熊澤, 雅史 植茶
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

【課題】端部における沿面放電を抑制しつつ、端部領域における絶縁膜の剥離およびこれに起因する異物発生が抑制された半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１上に設けられた領域のうちスクライブ工程においてブレードに接触した領域である枠体状の端部領域１３０と、端部領域に囲まれた領域に設けられ、主電流の経路となる活性領域１１０と、を備える。端部領域は、半導体基板の側から絶縁膜１９、応力緩和膜２０の順の積層構成または絶縁性材料で構成された応力緩和膜が半導体基部を直接覆っており、応力緩和膜が最表面である。【選択図】図１

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22-05-2024 дата публикации

Manufacturing method of semiconductor device

Номер: EP4372795A1
Автор: Akira Mori, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masashi UECHA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd

A manufacturing method of a semiconductor device (10) includes: forming a plurality of element structures (6) in a form of matrix on a first surface (2a) of a semiconductor wafer (2); forming a crack (5) extending in a thickness direction of the semiconductor wafer (2) along a boundary between the element structures (6) adjacent to each other by pressing a pressing member (60) against a second surface (2b) of the semiconductor wafer (2) opposite to the first surface (2a) along the boundary; and dividing the semiconductor wafer (2) along the boundary by pressing a dividing member (62) against the semiconductor wafer (2) on a first surface side along the boundary.

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Номер записи: 16
23-01-2024 дата публикации

Processed wafer and method of manufacturing chip formation wafer

Номер: US11881407B2
Автор: Asahi Nomoto, Kazuya Hirata, Masatake Nagaya, Teruaki Kumazawa, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Denso Corp, Disco Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

A method of manufacturing a chip formation wafer includes: forming an epitaxial film on a first main surface of a silicon carbide wafer to provide a processed wafer having one side adjacent to the epitaxial film and the other side; irradiating a laser beam into the processed wafer from the other side of the processed wafer so as to form an altered layer along a surface direction of the processed wafer; and separating the processed wafer with the altered layer as a boundary into a chip formation wafer having the one side of the processed wafer and a recycle wafer having the other side of the processed wafer. The processed wafer has a beveling portion at an outer edge portion of the processed wafer, and an area of the other side is larger than an area of the one side in the beveling portion.

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Номер записи: 17
26-04-2018 дата публикации

半導体装置の製造方法

Номер: JP2018066861A
Автор: Yuji NAGUMO, 裕司 南雲
Принадлежит: Toyota Motor Corp

【課題】 段差を覆う感光性樹脂を十分に感光させることができるとともに、薄板部に正確にレジストを形成する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、薄板部を囲む厚板部を有する半導体ウエハを準備する工程と、薄板部と厚板部の境界の段差を有する半導体ウエハの表面に感光性樹脂を塗布する工程と、フォトマスクを介して感光性樹脂に光を照射する工程を有する。フォトマスクが、透光性ウエハと、遮光パターンと、減光フィルタを有する。透光性ウエハの下面において、中央部が外周部よりも下側に突出している。中央部内の透光性ウエハの下面に遮光パターンが設けられている。透光性ウエハの上面に、中央部で外周部よりも光透過率が低くなるように減光フィルタが設けられている。光を照射する工程では、中央部を薄板部の上方に位置させ、外周部を厚板部及び段差の上方に位置させて、光を照射する。 【選択図】図６

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Номер записи: 18
01-09-2023 дата публикации

半導体装置の製造方法

Номер: JP2023122204A
Автор: Hiroyuki Takahata, Masafumi Uecha, Yuji NAGUMO, 弘幸 高畑, 裕司 南雲, 雅史 植茶
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

【課題】ウエハから接着剤を除去する際に垂直クラックが広がってしまうことを防止する。【解決手段】本明細書が開示する製造方法は、研削工程、スクライブ工程、支持板取り外し工程、ブレイク工程、除去工程を備える。研削工程では、複数の半導体素子（３）が形成されたウエハ（２）の第１面（２ａ）を、接着剤（１１）を介して支持板（１２）に取り付け、ウエハの第２面（２ｂ）を研削する。スクライブ工程では、隣り合う半導体素子の境界に沿ってウエハにスクライブホイール（３２）を押し当て、境界に沿ってウエハの内部に垂直クラック（５）を形成する。支持板取り外し工程では、接着剤を残したままウエハから支持板を外す。ブレイク工程では、境界に沿って接着剤の上からウエハにブレイクバー（３３）を押し当てて境界に沿ってウエハを劈開する。除去工程では、ウエハから分離した半導体素子から接着剤を除去する。【選択図】図１

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Номер записи: 19
16-05-2024 дата публикации

Herstellungsverfahren für halbleiterbauelement

Номер: DE102023131433A1
Автор: Akira Mori, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masashi UECHA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd, Toyota Motor Corp

Ein Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement umfasst Folgendes: Ausbilden einer Vielzahl von Elementstrukturen (6) in Form einer Matrix auf einer ersten Oberfläche (2a) eines Halbleiterwafers (2); Bilden eines sich in einer Dickenrichtung des Halbleiterwafers (2) erstreckenden Risses entlang einer Grenze zwischen den nebeneinanderliegenden Elementstrukturen (6), indem entlang der Grenze ein Druckelement gegen eine der ersten Oberfläche (2a) gegenüberliege zweite Oberfläche (2b) des Halbleiterwafers (2) gedrückt wird; und Teilen des Halbleiterwafers (2) entlang der Grenze, indem entlang der Grenze auf der Seite der ersten Oberfläche (2a) ein Teilungselement gegen den Halbleiterwafer (2) gedrückt wird.

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Номер записи: 20
27-05-2024 дата публикации

半導体装置の製造方法

Номер: JP2024072003A
Автор: Akira Mori, Masafumi Uecha, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Yuji NAGUMO, 亮 森, 充 北市, 勝 奥田, 正武 長屋, 直哉 木山, 真和 武田, 裕司 南雲, 雅史 植茶
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd, Toyota Motor Corp

【課題】 スクライブアンドブレイク工法を利用して、高い信頼性を有する半導体装置を製造する技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの第１表面に複数の素子構造がマトリクス状に配列されるように複数の素子構造を形成する工程と、半導体ウェハの第１表面の裏側に位置する第２表面に、隣り合う素子構造の境界に沿って押圧部材を押し当てることにより、半導体ウェハに、境界に沿うとともに半導体ウェハの厚み方向に延びるクラックを形成する工程と、第１表面側から境界に沿って半導体ウェハに分割部材を押し当てることにより、境界に沿って半導体ウェハを分割する工程、を備える。 【選択図】図４

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Номер записи: 21
25-01-2024 дата публикации

Manufacturing method of semiconductor device

Номер: US20240030056A1
Автор: Akira Mori, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masashi UECHA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd, Toyota Motor Corp

A manufacturing method of a semiconductor device includes preparing a semiconductor substrate having a plurality of element regions and having a first surface and a second surface opposite to each other, forming a crack extending in a thickness direction of the semiconductor substrate along a boundary between the plurality of element regions by pressing a pressing member against the first surface of the semiconductor substrate along the boundary, forming a metal film over the plurality of element regions on the first surface of the semiconductor substrate after the forming of the crack, and dividing the semiconductor substrate and the metal film along the boundary by pressing a dividing member against the semiconductor substrate along the boundary from a direction facing the second surface of the semiconductor substrate after the forming of the metal film.

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Номер записи: 22
01-02-2024 дата публикации

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер: US20240038711A1
Автор: Akira Mori, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masashi UECHA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Teruaki Kumazawa, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd, Toyota Motor Corp

A semiconductor device includes a semiconductor substrate and a metal layer disposed on a surface of the semiconductor substrate. The metal layer includes a first metal layer and a second metal layer. The second metal layer covers a surface of the first metal layer and has a higher solder wettability than the first metal layer. The second metal layer is exposed on a main surface of the metal layer. The first metal layer is exposed on a side surface of the metal layer. The metal layer has a protruding portion on the main surface. The protruding portion extends to make one round along an outer peripheral edge of the main surface.

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Номер записи: 23
24-08-2023 дата публикации

Manufacturing method of semiconductor device

Номер: US20230268230A1
Автор: Fumihito Tachibana, Masashi UECHA, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

In a manufacturing method of a semiconductor device, a wafer in which multiple semiconductor elements is formed and having a first surface and a second surface opposite to each other is prepared, and a groove is formed on the first surface of the wafer along a boundary between adjacent semiconductor elements in the multiple semiconductor elements. The wafer is attached to a support plate in such a manner that the first surface of the wafer faces the support plate, and a scribing blade is pressed against the second surface of the wafer along the boundary to form a vertical crack inside the wafer along the boundary. Then, a breaking blade is pressed against the wafer along the boundary to cleave the wafer along the boundary.

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Номер записи: 24
13-12-2023 дата публикации

Manufacturing method of semiconductor device

Номер: EP4290566A1
Автор: Akira Mori, Masakazu Takeda, Masaru OKUDA, Masashi UECHA, Masatake Nagaya, Mitsuru Kitaichi, naoya Kiyama, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd

A manufacturing method of a semiconductor device includes preparing a semiconductor substrate (2) having a plurality of element regions (3) and having a first surface (2a) and a second surface (2b) opposite to each other, forming a crack (5) extending in a thickness direction of the semiconductor substrate along a boundary between the plurality of element regions by pressing a pressing member (32) against the first surface of the semiconductor substrate (2) along the boundary, forming a metal film (8) over the plurality of element regions on the first surface of the semiconductor substrate after the forming of the crack, and dividing the semiconductor substrate and the metal film along the boundary by pressing a dividing member (33) against the semiconductor substrate along the boundary from a direction facing the second surface of the semiconductor substrate after the forming of the metal film.

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Номер записи: 25
17-05-2023 дата публикации

Siliziumcarbid-halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen derselben

Номер: DE102022128110A1
Автор: Hiroki TSUMA, Masashi UECHA, Teruaki Kumazawa, Yuji NAGUMO
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

Eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung enthält eine Siliziumcarbid-Halbleiterschicht (2) und eine Seiten-Silizidschicht (42). Die Siliziumcarbid-Halbleiterschicht enthält einen Siliziumcarbid-Einkristall und weist eine Hauptfläche (2a), eine hintere Fläche (2b) entgegengesetzt zu der Hauptfläche und eine Seitenfläche (2c) auf, die die Hauptfläche und die hintere Fläche miteinander verbindet und durch eine Spaltebene ausgebildet wird. Die Siliziumcarbid-Halbleiterschicht enthält außerdem eine modifizierte Schicht (21). Die modifizierte Schicht bildet einen Teil der Seitenfläche, der nahe bei der hinteren Fläche angeordnet ist, aus und weist eine Atomanordnungsstruktur von Siliziumcarbid auf, die sich von einer Atomanordnungsstruktur des Siliziumcarbid-Einkristalls unterscheidet. Die Seiten-Silizidschicht enthält ein Metallsilizid, das eine Verbindung aus einem Metallelement und Silizium ist. Die Seiten-Silizidschicht ist auf der Seitenfläche der Siliziumcarbid-Halbleiterschicht angeordnet und ist benachbart zu der modifizierten Schicht.

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24-05-2023 дата публикации

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Номер: JP2023072445A
Автор: Hiroki TSUMA, Masafumi Uecha, Teruaki Kumazawa, Yuji NAGUMO, 博基 津間, 裕司 南雲, 輝顕 熊澤, 雅史 植茶
Принадлежит: Denso Corp, Mirise Technologies Corp, Toyota Motor Corp

【課題】ＳｉＣ半導体層の側面でのクラックの発生を抑制することができるＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】以下の手順によってＳｉＣ半導体装置を製造する。ＳｉＣウェハ１００のＳｉＣ半導体層２の裏面２ｂに対して、切断予定のラインに沿って溝１１０を形成し、クラックを発生させる。溝１１０を構成する壁面の上に、金属膜を形成する。熱処理によってＳｉＣ半導体層２中のＳｉと金属膜中の金属元素とを反応させて、シリサイド層４を形成する。その後、ＳｉＣウェハ１００に応力を加えて、クラックを進展させ、ＳｉＣウェハ１００を複数のチップに切り分ける。これによれば、ＳｉＣ半導体層２の側面側において、シリサイド層４が、溝１１０の形成によって生じた改質層を覆う。このため、ＳｉＣ半導体層２の側面でのクラックの発生を抑制することができる。【選択図】図５Ｄ

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