Compositions for the currentless deposition of ternary materials for use in the semiconductor industry
Номер патента: US7850770B2
Опубликовано: 14-12-2010
Автор(ы): Alexandra Wirth
Принадлежит: BASF SE
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-12-2010
Автор(ы): Alexandra Wirth
Принадлежит: BASF SE
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films
Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.