Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • PRECURSOR COMPOSITIONS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TITANATE, LANTHANATE, AND TANTALATE DIELECTRIC FILMS

PRECURSOR COMPOSITIONS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TITANATE, LANTHANATE, AND TANTALATE DIELECTRIC FILMS

Номер патента: US20140295071A1
Опубликовано: 02-10-2014
Автор(ы): Baum Thomas H., Cameron Thomas M., Chen Tianniu, Roeder Jeffrey F., Xu Chongying
Принадлежит: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for deposition of system of transparent barrier layers

Номер патента: RU2590745C2. Автор: Штеффен ГЮНТЕР,Бьерн МЕЙЕР,Штеффен ШТРАХ,Томас КЮНЕЛЬ,Себастьян БУНК,Николас ШИЛЛЕР. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-07-10.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

Liquid coating composition for production of fluorine doped tin oxide thin layers suitable for chemical vapor deposition process

Номер патента: US20030035890A1. Автор: Gilles Merienne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

Method for vapour deposition of a film onto a substrate

Номер патента: EP1299572A2. Автор: Margreet Albertine Anne-Marie Van Wijck. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-04-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for selective deposition and devices

Номер патента: US20110120757A1. Автор: David H. Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Cobalt compounds, precursor composition including the same, and preparing method of thin film using the same

Номер патента: KR20220014227A. Автор: 박민성,박정우,임민혁,석장현,김효숙. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2022-02-04.

Group 5 metal compounds, precursor compositions including the same, and process for the formation of thin films using the same

Номер патента: KR20230048755A. Автор: 박정우,석장현,김효숙. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2023-04-12.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Deposition of ultra-thin functional coatings on flexible materials

Номер патента: EP4437159A1. Автор: Chee Hau TEOH,Jhi Yong LOKE,Kevin Musselman. Владелец: Nfinite Nanotechnology Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Deposition of ultra-thin functional coatings on flexible materials

Номер патента: CA3239134A1. Автор: Chee Hau TEOH,Jhi Yong LOKE,Kevin Musselman. Владелец: Nfinite Nanotechnology Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Atomic layer or chemical vapor deposition process for nitride or oxide films

Номер патента: WO2023150265A1. Автор: PRASAD NARHAR GADGIL,Peter Joseph DUSZA. Владелец: PRASAD NARHAR GADGIL. Дата публикации: 2023-08-10.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Deposition of beta-gallium oxide thin films

Номер патента: US20220325409A1. Автор: Elham RAFIE BORUJENY. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-13.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Yttrium/lanthanide metal precursor compound, composition for forming film including the same, and method of forming yttrium/lanthanide metal containing film using the same

Номер патента: US20220325411A1. Автор: Myeong-Ho Park,Jin Sik Kim,Dong Hwan Ma,Yun Gyeong YI,Jun Hwan CHOI. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Atomic layer deposition for continuous, high-speed thin films

Номер патента: US12006570B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Alkane/polyamine solvent compositions for liquid delivery cvd

Номер патента: EP1054934A4. Автор: Thomas H Baum,Gautam Bhandari. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2004-04-21.

Alkane/polyamine solvent compositions for liquid delivery cvd

Номер патента: EP1054934A1. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-29.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate

Номер патента: US20060257584A1. Автор: Shuang Meng,Danny Dynka,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonconformal films deposited within a recess using atomic layer deposition

Номер патента: WO2024107567A1. Автор: Wanki Kim,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US11739423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106685A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)

Номер патента: KR20220042442A. Автор: 어니쉬 굽타,이안 존 커틴,텅페이 미아오,아드리안 라보이,더글러스 월터 애그뉴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-04-05.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US20160237567A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: WO2023196018A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Steven Darrell Marcus,Albert Barrett Hicks Iii. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: US20230323531A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Albert Barrett Hicks, III,Steven Darrell Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

HIGH DEPOSITION RATE OF SiO2 USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AT EXTRA LOW TEMPERATURE

Номер патента: WO2011042882A3. Автор: Katsuko Higashino,Kazutake Yanagita. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-09-01.

Prevention of low pressure chemical vapor deposition silicon dioxide undercutting and flaking

Номер патента: CA1166129A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (ALD) Using Radio Frequency (RF) Power Ramping

Номер патента: KR20220097974A. Автор: 제레미 데이비드 필즈,프랭크 로렌 파스콸레. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-07-08.

Method and apparatus for the combustion chemical vapor deposition of films and coatings

Номер патента: CA2158568C. Автор: Andrew T. Hunt,Joe K. Cochran,William Brent Carter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Apparatus for and method of continuous hts tape buffer layer deposition using large scale ion beam assisted deposition

Номер патента: WO2005006351A3. Автор: Venkat Selvamanickam,Srinivas Sathiraju. Владелец: Superpower Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Organometallic chemical vapor deposition of films utilizing organic heterocyclic compounds

Номер патента: US4509997A. Автор: Peter J. Wright,Brian Cockayne,Richard J. M. Griffiths. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1985-04-09.

Selective Deposition of Thin Films with Improved Stability

Номер патента: US20240110284A1. Автор: Prayudi LIANTO,Guan Huei See,Deenesh Padhi,Sean M. Seutter,Peng Suo,Chris Liu,Kevin Hsiao,Zongbin Wang,Balamurugan RAMASAMY,Chieh-Wen Lo,Lulu XIONG,Shengwei ZENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Selective deposition of thin films with improved stability

Номер патента: WO2024072923A1. Автор: Prayudi LIANTO,Guan Huei See,Deenesh Padhi,Sean M. Seutter,Peng Suo,Chris Liu,Kevin Hsiao,Zongbin Wang,Balamurugan RAMASAMY,Chieh-Wen Lo,Lulu XIONG,Shengwei ZENG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

APPARATUS AND PROCESS FOR ATOMIC OR MOLECULAR LAYER DEPOSITION ONTO PARTICLES DURING PNEUMATIC TRANSPORT

Номер патента: US20180073138A1. Автор: VAN OMMEN Jan Rudolf. Владелец: Delft University of Technology. Дата публикации: 2018-03-15.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20210102288A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2021-04-08.

Method and device for deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600047C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Shell connection device and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: LU505605B1. Автор: Haibo Huo. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2024-05-24.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US12123092B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US20220341036A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Organometallic compound, precursor composition comprising same, and method for manufacturing thin film using same

Номер патента: US20230257406A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Plasma-enhanced deposition of titanium-containing films for various applications using amidinate titanium precursors

Номер патента: US20130089681A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Vincent M. Omarjee. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Apparatus for chemical vapor deposition and method for chemical vapor deposition using the same

Номер патента: KR101244242B1. Автор: 정진열. Владелец: 엘아이지에이디피 주식회사. Дата публикации: 2013-03-18.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US10556799B2. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-02-11.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20170096345A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-06.

Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition

Номер патента: US20180339907A1. Автор: Mohith E. Verghese,Eric J. Shero. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-11-29.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates

Номер патента: US7754013B2. Автор: Ernst H. A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2010-07-13.

Large scale system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2024163509A1. Автор: Andrew BROERMAN,James RAGONESI,Brian Evanko. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: US20230115177A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-04-13.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: WO2023059827A9. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-15.

Modular tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413177A1. Автор: Jacob Thomas,John N. Gregg,Scott L. Battle,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Compressible tray for solid chemical vaporizing chamber

Номер патента: EP4413176A1. Автор: Jacob Thomas,Chase Parker,Bryan C. Hendrix,John N. Gregg,Scott L. Battle,Donn K. Naito,James Schindler,Benjamin H. OLSON. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP2670882A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Jozef Johannes De Swart,Robert Coenraad Wit. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-12-11.

Continuous chemical vapor deposition reactor

Номер патента: CA1068582A. Автор: Roger N. Anderson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

Group 4 metal element-containing compound, precursor composition including same, and method for manufacturing thin film using same

Номер патента: US20230312614A1. Автор: Jang-Hyeon Seok,Jung-Woo Park,Hyun-Kee Kim,Ki-Yeung Mun,Cheol-Wan Park,Ee-Seul SHIN,Eun-Jeong CHO. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for preventing vacuum pump pipeline from blockage, and chemical vapor deposition machine

Номер патента: US20200208262A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US8747556B2. Автор: Bo Zheng,Hua Ai,Michael Jackson,Salvador P. Umotoy,Xiaoxiong Yuan,Sang Ho Yu,Hougong Wang,Hyman W. H. Lam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: KR101072670B1. Автор: 박성현. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2011-10-11.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US20160115587A1. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-04-28.

An apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP3414357A1. Автор: Mikko SÖDERLUND,Pekka Soininen,Paavo Timonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-12-19.

Systems and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US11814727B2. Автор: Eric Jen Cheng Liu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-03-20.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: CA3181437A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09828673B2. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Svt Associates Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Multifunctional wafer pretreatment chamber and chemical vapor deposition device

Номер патента: US20240337011A1. Автор: Yongjun Feng,Dongping Zhou,Weicong SONG. Владелец: Betone Technology Shanghai Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195591A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2020260770A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-30.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: US20240183031A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

균일하게 가열된 복수의 충전 볼륨들 (charge volumes) 을 사용한 원자 층 증착 (atomic layer deposition)

Номер патента: KR20230122639A. Автор: 조슈아 콜린스,판야 웡세나쿰,아론 블레이크 밀러,케빈 매드리갈,슈루티 톰바레,니틴 카담,나빈 파틸,고룬 부테일,만주나스 암마나스 사티아데반. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-22.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US20230120393A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240263309A1. Автор: Woo-Seok Jeon,Chulmin BAE,Jaehee SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US20240352582A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-24.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09890454B2. Автор: Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US20230416914A1. Автор: Robert A. Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US11773487B2. Автор: Robert A Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US20220106682A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: EP4314378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4321648A1. Автор: HAO WANG,Bo Zheng,Yunfeng LAN,Wenqiang Zhang,Xiaoyan Ren,Xiaoping Shi,Haifeng Qin. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20160237563A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Powder atomic layer deposition apparatus for blowing powders

Номер патента: US11987883B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US12000043B2. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-04.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: EP3307426A1. Автор: Robert A. Hall,Joseph Allen SPENCER II. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US20240043998A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-08.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20170051404A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: US20220372201A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

Initiated chemical vapor deposition and structuration of polyoxymethylene

Номер патента: WO2021163025A1. Автор: Kenneth K.S. Lau,Zhengtao CHEN. Владелец: Drexel Uniiversity. Дата публикации: 2021-08-19.

Chemical vapor deposition of thick inorganic coating on a polarizer

Номер патента: US11746418B2. Автор: Brian Johnson,Matthew R. Linford,Anubhav Diwan. Владелец: Moxtek Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Vacuum generation process for deposition of biomedical implant materials

Номер патента: US20210402351A1. Автор: Sheng Ma,William Macdonald,Edward M. Willis,Ashley Lutero Abanilla,Mrugesh Shroff,Delroy F. Green. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Process for the deposition of thin layers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20020127338A1. Автор: Annette Saenger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-12.

Aerosol-assisted chemical vapor deposition of nickel sulfide nanowires for electrochemical water oxidation

Номер патента: US20230407497A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-12-21.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4225966A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Compositions and methods using same for non-conformal deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2021050368A1. Автор: XINJIAN LEI,Tingmin Wang,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230374658A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-23.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Chemical vapor deposition system arrangement

Номер патента: US20160053375A1. Автор: William David Grove,Nicholas Peter Deskevich. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Atomic Layer Deposition Coated Powder Coatings for Processing Chamber Components

Номер патента: KR20230027034A. Автор: 에릭 에이. 파페. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-27.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104863A3. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto,Tsukasa Matsuda,Jr Frankm Cerio. Владелец: Jr Frankm Cerio. Дата публикации: 2007-10-04.

Atomic layer deposition with multiple uniformly heated charge volumes

Номер патента: US20240110279A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Aaron Blake MILLER,Gorun Butail,Nitin Kadam,Naveen PATIL,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI130543B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: EP4314381A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-02-07.

Detachable atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US11767591B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11834745B2. Автор: Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Gas separation control in spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11821083B2. Автор: Ning Li,Kevin Griffin,Tai T. Ngo,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic Layer Deposition System with Multiple Flows

Номер патента: US20140060431A1. Автор: Rwei-Ching Chang,Tsai-Cheng Li,Chen-Pei Yeh,Hsi-Ting Hou,Te-Feng Wang,Fa-Ta Tsai. Владелец: St Johns University Taiwan. Дата публикации: 2014-03-06.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US11952662B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104864A2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-10-05.

Powder atomic layer deposition apparatus with special cover lid

Номер патента: US20220162750A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Single-chamber atomic layer deposition apparatus with dual-lid closure system

Номер патента: WO2024104582A1. Автор: Carlos Guerra. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-05-23.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4384650A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Processing system and method for chemical vapor deposition

Номер патента: EP1100980A2. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-05-23.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US09915001B2. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Defined dosing atmospheric temperature and pressure vapor deposition system

Номер патента: US09562288B2. Автор: Adam Zax,Russell C. SLAYBAUGH,Michael Stephen METCALFE,Guillermo SETA. Владелец: Diamon Fusion International Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

System and method for chemical vapor deposition process control

Номер патента: EP2109878A1. Автор: Michael W. Stowell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

Techniques for a hybrid design for efficient and economical plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Номер патента: US20210217584A1. Автор: Kuyel Birol. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Substrate processing apparatus, material layer deposition apparatus, and atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US11784026B2. Автор: YoonJung Lee,Woongsik Kim,Nongmoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, MATERIAL LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20210222300A1. Автор: KIM Woongsik,HWANG Nongmoon,LEE Yoonjung. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Novel compound, precursor composition comprising same, and method for preparing thin film using same

Номер патента: US20240218005A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Aluminum precursor composition

Номер патента: WO2014027861A1. Автор: Won Seok Han,Myeong-Ho Park,Won Yong Koh. Владелец: UP CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-20.

Compact head and compact system for vapor deposition

Номер патента: US12043894B2. Автор: David MUNOZ-ROJAS. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2024-07-23.

Enhanced deposition of layer on substrate using radicals

Номер патента: WO2012112795A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Vacuum chamber and arrangement for atomic layer deposition

Номер патента: US20240026535A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Atomic layer deposition method utilizing multiple precursor zones for coating flexible substrates

Номер патента: US09469901B2. Автор: Eric R. Dickey,William A. Barrow. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Deposition of low-k films

Номер патента: US20220325412A1. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Deposition of low-k films

Номер патента: US11970777B2. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Deposition of low-k films

Номер патента: US20220154337A1. Автор: Ning Li,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Mihaela A. Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

Apparatus and process for atomic layer deposition

Номер патента: WO2012118955A2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: US20160122874A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-05-05.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: EP3004417A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-04-13.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: WO2014193234A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: SoLayTec B.V.. Дата публикации: 2014-12-04.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Halide-functionalized cyclotrisilazanes as precursors for deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4448835A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Manchao Xiao,Matthew R. Macdonald,Mahsa Konh,Pegah Bagheri. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Chemical vapor deposition method, and chemical vapor deposition treatment system and chemical vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US5338363A. Автор: Toshihiko Minami,Yoshinobu Kawata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-08-16.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Deposition of silicon-based dielectric films

Номер патента: EP4292122A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Robert Jan Visser,Geetika Bajaj,Prerna Sonthalia Goradia,Suraj Rengarajan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Micro-balance sensor integrated with atomic layer deposition chamber

Номер патента: US09856563B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera,Alex B. F. Martinson,Shannon C. Riha. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Dispenser system for atomic beam assisted metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)

Номер патента: US20080026575A1. Автор: Supratik Guha,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Hafnium precursor compound, composition for forming hafnium-containing film, comprising same, and method for forming hafnium-containing film

Номер патента: US20230383405A1. Автор: Wonyong Koh,Jin Sik Kim,Byung Kwan KIM,Jun Hwan CHOI,Da Som YU. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic layer deposition apparatus and process

Номер патента: US09695510B2. Автор: Gilbert Bruce Rayner, JR.. Владелец: Kurt J Lesker Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Shower head unit and chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US09493875B2. Автор: Pyung-Yong Um. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

High temperature chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: EP1853748A2. Автор: Demetrius Sarigiannis,Marc Schaepkens,Atul Pant,Patricia Hubbard,Muralidharan Lakshmipathy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-11-14.

Atomic layer deposition coatings on razor components

Номер патента: US09327416B2. Автор: Neville Sonnenberg,John Madeira. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Hybrid atomic layer deposition

Номер патента: WO2023230170A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Aaron Blake MILLER,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Dustin Zachary Austin,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: WO2023017214A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen,Mikko TYNI. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-16.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: FI130544B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Roll to roll atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230304153A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Inhibited atomic layer deposition for patterning applications

Номер патента: WO2024107573A1. Автор: Ravi Kumar,Andrew Geier Melton,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Dara BOBB SEMPLE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Systems and methods for production of graphene by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US20140255621A1. Автор: Peter V. Bedworth,Steven W. Sinton. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09809880B2. Автор: In Kyo KIM,Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use

Номер патента: US09631277B2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09404181B2. Автор: Chien-Nan Hsiao,Da-ren LIU,Wen-Hao Cho,Chih-Chieh YU,Meng-Yen Tsai,Chi-Chung Kei,Bo-Heng Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10480078B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10072337B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-11.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: US11834741B2. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-12-05.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: US20230340660A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4367709A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: WO2023205332A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20170356087A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20200208268A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20180363143A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-20.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: EP3509744A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20210395888A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE,Chi Thang NGUYEN. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-23.

Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces

Номер патента: US20050039686A1. Автор: Er-Xuan Ping,Trung Doan,Cem Basceri,Kevin Beaman,Lyle Breiner,Ronald Weimer,David Kubista,Lingyi Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-24.

Atomic layer deposition methods

Номер патента: US8163648B2. Автор: Guy T. Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

Vapor deposition of thin films comprising gold

Номер патента: US10145009B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Maarit Mäkelä. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-04.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US11891694B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US20230203653A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Low Temperature Molecular Layer Deposition Of SiCON

Номер патента: US20160024647A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Lakmal Kalutarage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Low temperature molecular layer deposition of SiCON

Номер патента: US09812318B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Lakmal Kalutarage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

semiconductor device using Atomic Layer Deposition processing and manufacturing method at the same

Номер патента: KR100809000B1. Автор: 이정희,김윤수,조현익,공성호,도관우,함성호,배남진. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-05.

Radical source design for remote plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10316409B2. Автор: Bart J. van Schravendijk. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Method for optimizing atomic layer deposition

Номер патента: CN113005424B. Автор: 邓仕杰,黄如慧. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Showerhead and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: KR20100077694A. Автор: 박성현,이재민. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2010-07-08.

A method to optimize atomic layer deposition

Номер патента: TW202125580A. Автор: 鄧仕傑,黃如慧. Владелец: 明基材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-01.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US11935759B2. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230407474A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: WO2020223737A3. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology, LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US11976358B2. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225968A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2022079351A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-21.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240186117A1. Автор: Hsuan-Fu Wang,Ching-Chiun Wang,Fu-Ching Tung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US20230272528A1. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon-nitride-containing thermal chemical vapor deposition coating

Номер патента: US20170167015A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article

Номер патента: US20180163308A1. Автор: David A. Smith. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Deposition of dielectric films

Номер патента: WO2015094664A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Pramit MANNA,Mukund Srinivasan,Jianhua Zhou,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Amit Chatterjee,Shaunak Mukherjee,Ningli LIU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-06-25.

Apparatus for radical-based deposition of dielectric films

Номер патента: US09840777B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Jianhua Zhou,Juan Carlos Rocha-Alvarez,Oscar Lopez,Ningli LIU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Composition for high temperature atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: TW202018118A. Автор: 新建 雷,王美良,馬乎卡Ｂ 雷. Владелец: 美商慧盛材料美國責任有限公司. Дата публикации: 2020-05-16.

Composition for high temperature atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20210363639A1. Автор: XINJIAN LEI,Madhukar B. Rao,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Composition for high temperature atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: WO2020072768A1. Автор: XINJIAN LEI,Madhukar B. Rao,Meiliang WANG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-04-09.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: US20120156894A1. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: WO2005038871A2. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for synthesis of material, in particular diamond, by chemical vapour deposition and device for thereof realisation

Номер патента: RU2572652C2. Автор: Орасио ТЕЛЛЕС ОЛИВА. Владелец: Диаротек. Дата публикации: 2016-01-20.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Prototyping station for atomic force microscope-assisted deposition of nanostructures

Номер патента: US20090241232A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Wonyoung Lee,James F. Mack,Andrei Iancu,Neil Dasgupta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09824881B2. Автор: SHANG Chen,Viljami Pore,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-21.

Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material

Номер патента: US9447495B2. Автор: Masayuki Saito,Satoshi Miyazaki,Ryosuke Harada,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2016-09-20.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same

Номер патента: US09748483B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Hee-Cheol Kang,Young-Mook Choi,Dong-Kyu Lee,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods

Номер патента: US09580799B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Yttrium and Titanium High-K Dielectric Films

Номер патента: US20120061799A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sunil Shanker,Hanhong Chen,Edward Haywood,Nobi Fuchigami,Indranil De. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US09957618B2. Автор: Karen K. Gleason,Miles C. Barr,Dhiman Bhattacharyya. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-01.

Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor

Номер патента: US6186090B1. Автор: Joachim Doehler,Herbert C. Ovshinsky,II Buddy R. Dotter,Timothy Ellison,Masatsugo Izu. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Vacuum deposition of coating materials on powders

Номер патента: WO2006083725A3. Автор: John A Carlotto. Владелец: John A Carlotto. Дата публикации: 2007-09-27.

Apparatus for depositing dielectric films

Номер патента: US5136977A. Автор: Joachim Scherb,Wolfgang Kuebart,Jamal Bouayad-Amine,Alfred Schonhofen. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1992-08-11.

Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

Номер патента: US09972501B1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Deposition of flowable sicn films by plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20230335392A1. Автор: Hideaki Fukuda,Timothee Blanquart,Aurélie Kuroda,Makoto Igarashi,Shinya Yoshimoto,Takahiro Onuma,Jhoelle Roche Guhit. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-19.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF CuInXGa1- X(SeyS1-y)2 THIN FILMS AND USES THEREOF

Номер патента: WO2008151067A3. Автор: Tim Anderson,W K Kim. Владелец: W K Kim. Дата публикации: 2009-02-19.

Electrical insulator for a plasma enhanced chemical vapor processor

Номер патента: US4761301A. Автор: Charles E. Ellenberger,Hayden K. Piper. Владелец: Pacific Western Systems Inc. Дата публикации: 1988-08-02.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: WO2021262764A4. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20230263957A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum

Номер патента: US5783716A. Автор: Thomas H. Baum,Peter S. Kirlin,Sofia Pombrik. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: KR20180028016A. Автор: 제임스 사무엘 심즈,캐서린 메세드 켈츠너. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2018-03-15.

Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides

Номер патента: WO1991008322A1. Автор: Roy G. Gordon,Renaud Fix,David Hoffman. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 1991-06-13.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20140102365A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20170121287A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Atomic layer deposition apparatus and film-forming method

Номер патента: US20200063260A1. Автор: Toru Mashita,Keisuke Washio. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Surface inhibition atomic layer deposition

Номер патента: WO2023164717A1. Автор: Tao Zhang,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Organic layer deposition assembly, organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570714B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Dong-Seob Jeong,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method

Номер патента: US09496524B2. Автор: Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Young-Mook Choi,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Measuring individual layer thickness during multi-layer deposition semiconductor processing

Номер патента: US09953887B2. Автор: Edward Augustyniak,Boaz Kenane. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Growth of silicon and boron nitride nanomaterials on carbon fibers by chemical vapor deposition

Номер патента: US09676627B2. Автор: Lingchuan Li. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2017-06-13.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Non-line of sight deposition of erbium based plasma resistant ceramic coating

Номер патента: US09850573B1. Автор: Jennifer Y. Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films

Номер патента: US09711347B2. Автор: Christian Dussarrat,Wontae NOH,Venkateswara R. Pallem. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials

Номер патента: US09537095B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Matthias Stender,Tianniu Chen,Chongying Xu,Philip S. H. Chen,William Hunks. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition

Номер патента: US09916974B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Jong Hyun Kim,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method to control the interfacial layer for deposition of high dielectric constant films

Номер патента: US20050070079A1. Автор: Yoshi Ono,John Conley. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-03-31.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Deposition of boron nitride films using hydrazido-based precursors

Номер патента: US20230098689A1. Автор: Timothee Blanquart,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-30.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Direct liquid injection system and method for forming multi-component dielectric films

Номер патента: WO2006023501A3. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US12116667B2. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20100200757A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Synthesis of advanced scintillators via vapor deposition techniques

Номер патента: US20130341513A1. Автор: Vinod K. Sarin,Stephen Gibson Topping. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2013-12-26.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Deposition of SiN

Номер патента: US09576792B2. Автор: SHANG Chen,Viljami Pore,Antti Juhani Niskanen,Ryoko Yamada. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-21.

Pulsed valve manifold for atomic layer deposition

Номер патента: US09574268B1. Автор: Eric Shero,Herbert Terhorst,Carl White,Todd Dunn,Mike Halpin,Jerry Winkler. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

A method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications

Номер патента: MY134065A. Автор: Daniel C Edelstein,Richard A Conti,Gill Y Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Germanium precursors, methods of forming the germanium precursors, and precursor compositions comprising the germanium precursors

Номер патента: US20230391805A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Stefan Uhlenbrock,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Selective deposition of noble metal thin films

Номер патента: US09469899B2. Автор: Hannu Huotari,Marko Tuominen,Miika Leinikka. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-10-18.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Method for forming dielectric film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09991112B2. Автор: Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG,Sun Hye Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Process for deposition of an outer layer, reflective optical element for the euv wavelength range and euv lithography system

Номер патента: US20240111216A1. Автор: Stefan Schmidt,Dirk Ehm,Fred Roozeboom,Alfredo Mameli. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-04-04.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: US20240047196A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: EP4241299A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: WO2022119860A9. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Material Us, Llc. Дата публикации: 2023-08-24.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20240014036A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: EP1913174A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: WO2007019437A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-02-15.

Selective deposition of SiOC thin films

Номер патента: US12068156B2. Автор: Jan Willem Maes,David Kurt De Roest,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Area-Selective Atomic Layer Deposition Of Passivation Layers

Номер патента: US20220130659A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Atomic layer deposition of metal films

Номер патента: US11970776B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Seshasayee Varadarajan,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Griffin John Kennedy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Auxiliary precursor, thin-film precursor composition, method of forming thin film, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240136175A1. Автор: Seung Hyun Lee,Sung Woo Cho,Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Metal thin-film precursor composition, method of forming thin film using metal thin-film precursor composition, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240145301A1. Автор: Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication

Номер патента: US20160064509A1. Автор: Donald Francis Canaperi,Son Van Nguyen,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Deepika Priyadarshini,Sanjay C. Mehta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication

Номер патента: US20160047038A1. Автор: Donald Francis Canaperi,Son Van Nguyen,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Deepika Priyadarshini,Sanjay C. Mehta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication

Номер патента: US9558935B2. Автор: Donald Francis Canaperi,Son Van Nguyen,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Deepika Priyadarshini,Sanjay C. Mehta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication

Номер патента: US20160056111A1. Автор: Donald Francis Canaperi,Son Van Nguyen,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Deepika Priyadarshini,Sanjay C. Mehta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication

Номер патента: US09607825B2. Автор: Donald Francis Canaperi,Son Van Nguyen,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Deepika Priyadarshini,Sanjay C. Mehta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication

Номер патента: US09558934B2. Автор: Donald Francis Canaperi,Son Van Nguyen,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Deepika Priyadarshini,Sanjay C. Mehta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication

Номер патента: US09536733B2. Автор: Donald Francis Canaperi,Son Van Nguyen,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Deepika Priyadarshini,Sanjay C. Mehta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS

Номер патента: US9478411B2. Автор: Reza Arghavani,Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Ishtak Karim,Sanjay Gopinath. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Fabrication of porogen residues free low-k materials with improved mechanical and chemical resistance

Номер патента: US20120052692A1. Автор: Quoc Toan Le,Mikhaïl Baklanov,Patrick Verdonck,Laurent Souriau. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-03-01.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: AU7083400A. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-26.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: EP1212476A1. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-12.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Pulsed-plasma deposition of thin film layers

Номер патента: US12131903B2. Автор: Khokan Chandra Paul. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition

Номер патента: US6086679A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Reducing k values of dielectric films through anneal

Номер патента: US20240021706A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Szu-Ying Chen,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Thermal atomic layer deposition of ternary gallium oxide thin films

Номер патента: US20230167548A1. Автор: Adam Hock,Michael James Foody. Владелец: Illinois Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Method of deposition and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20220243330A1. Автор: Daehyun Kim,Jeong-Min Lee,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-08-04.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of deposition and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US11834742B2. Автор: Daehyun Kim,Jeong-Min Lee,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-12-05.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US11926896B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-03-12.

Selective Molecular Layer Deposition Of Organic And Hybrid Organic-Inorganic Layers

Номер патента: US20180342388A1. Автор: Robert Jan Visser,Prerna Goradia,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Rapid flush purging during atomic layer deposition

Номер патента: US12060639B2. Автор: Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Novy Tjokro,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Pragna NANNAPANENI,Sema Ermez,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Embedded wire chemical vapor deposition (ewcvd)

Номер патента: EP4363630A1. Автор: Joseph Pegna,Kirk L. Williams,Shay L. Harrison. Владелец: Free Form Fibers LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20030170982A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-11.

Plasma enhanced chemical vapor deposition method of forming titanium silicide comprising layers

Номер патента: US20060172087A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Ammar Derraa,Philip Campbell,Irina Vasilyeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US09512519B2. Автор: Ming-Te Chen,Hsing-Jui Lee,Chia-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Initiated chemical vapor deposition of vinyl polymers for the encapsulation of particles

Номер патента: US09492805B2. Автор: Karen K. Gleason,Kenneth K. S. Lau. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-15.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Plasma enhanced low temperature atomic layer deposition of metals

Номер патента: WO2023250500A1. Автор: Jon Henri,Elham Mohimi,Ann Erickson,Kyle Jordan BLAKENEY,Chiukin Steven Lai,Alexander Ray FOX,Patrick August VAN CLEEMPUT,David Joseph Mandia. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US20220235461A1. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-07-28.

Atomic layer deposition of rhenium containing thin films

Номер патента: US11821084B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-21.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20230070312A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Han-Bo-Ram LEE,Eunhyoung Cho. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-09.

Selective deposition of silicon oxide

Номер патента: US20190115207A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: EP2906738A1. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2015-08-19.

Method of electroless deposition of aluminum or aluminum alloy, an electroless plating composition, and an article including the same

Номер патента: US09803283B1. Автор: John H. Martin,John J. Vajo,Jason A. Graetz,Christopher S. Roper,Joanna A. Kolodziejska. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Selective deposition of sioc thin films

Номер патента: US20210134586A1. Автор: Jan Willem Maes,David Kurt De Roest,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-06.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: CA3214035A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20240060179A1. Автор: Takayuki Hagiwara,Naoto Kameda,Tatsunori SHINO,Ayaka Abe,Soichiro Motoda. Владелец: Meiden Nanoprocess Innovations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: EP4313212A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: EP4240886A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ald), inhibitor plasma and etching

Номер патента: WO2020014166A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Precursor solution for thin film deposition and thin film forming method using same

Номер патента: US11972941B2. Автор: Dong Hyun Kim,Chang Sung Hong,Yong Joo Park,Sang Kyung Lee,In Chun HWANG,Tae Hoon Oh. Владелец: SK Tri Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A4. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Chemical vapor deposition of silicon oxide films using alkylsiloxane oligomers with ozone

Номер патента: EP1204987A1. Автор: ZHENG Yuan,Sanjeev Jain. Владелец: ASML US Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials

Номер патента: CA2595761A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Chemical vapor deposition of wear resistant coatings onto piston ring running face, side face, and inner diameter in one coating run

Номер патента: US09909210B2. Автор: Robert Aharonov,Haron GEKONDE. Владелец: Federal Mogul LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing low dielectric film by a vacuum ultraviolet chemical vapor deposition

Номер патента: US20020025693A1. Автор: Junichi Miyano,Yutaka Ichiki,Yusuke Yagi,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama,Yousuke Motokawa,Tetsurou Yokoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication

Номер патента: US9449812B2. Автор: Donald Francis Canaperi,Son Van Nguyen,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Deepika Priyadarshini,Sanjay C. Mehta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of nitridation of titanic alloys in glow discharge

Номер патента: RU2625518C2. Автор: Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Владимир Васильевич Будилов,Илья Владимирович Золотов,Лиана Наилевна Заббарова,Расим Фаритович Хуснутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-07-14.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Surface aluminising with pre-deposition of platinum and nickel ply

Номер патента: RU2563070C2. Автор: Дени МАНЕСС,Фредерик ЛАГРАНЖ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-09-20.

Dipping composition for the treatment of chromatized or passivated galvanizing coatings

Номер патента: CA2082989C. Автор: Burkhard Flamme. Владелец: EWALD DOERKEN AG. Дата публикации: 2002-12-17.

Turbine airfoil with internals coated by atomic layer deposition

Номер патента: EP3540091A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Michael J Maloney,Michael N Task,Kevin W Schlichting. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-18.

Modulated Atomic Layer Deposition

Номер патента: KR20210150606A. Автор: 풀킷 아가왈,애드리언 라보이,끌로에 발다세로니,찬 마이에 마이에 소이,시바 샤란 반다리,바트 제이. 반 슈라벤디크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-12-10.

Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ald) reactors

Номер патента: KR20170031035A. Автор: 카를 에프. 리저. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2017-03-20.

Atomic layer deposition apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US11352698B2. Автор: Sangyub IE,Gukhyon Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-07.

Method for forming high-efficiency hydrogen barrier control film through artificial composition control in thin film based on atomic layer deposition

Номер патента: KR20220138665A. Автор: 김형준,이유진,남태욱. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106684A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: EP3215652A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: WO2016072850A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2016-05-12.

Use of titania precursor composition pattern

Номер патента: US20150197856A1. Автор: Maria Celeste Rellamas TRIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-16.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: US20170167020A1. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods and compositions for nanoscale surface coatings for enhancing durability and performance of solid oxide cells

Номер патента: WO2023200986A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song,Cesar-Octavio Romo-de-la-Cruz. Владелец: West Virginia University Board of Governors on behalf of West Virginia University. Дата публикации: 2023-10-19.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230392256A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-07.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20130267709A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Methods for forming low moisture dielectric films

Номер патента: WO2011112518A3. Автор: Lei Luo,Ajay Bhatnagar,Kedar Sapre,Zhong Qiang Hua,Manuel A. Hernandez,Zhitao Cao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-12-22.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225967A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20120107502A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for deposition of metal layers from metal carbonyl precursors

Номер патента: WO2006057706A2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for deposition of metal layers from metal carbonyl precursors

Номер патента: EP1815043A2. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-08-08.

Spatial Atomic Layer Deposition Chamber With Plasma Pulsing To Prevent Charge Damage

Номер патента: US20190180985A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Keiichi Tanaka,Alexander V. Garachtchenko,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US12006571B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: FI20206000A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-13.

Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus

Номер патента: US09905813B2. Автор: VALERIY Prushinskiy,Minsoo Kim,Byungkook Lee,Muhyun Kim,MuGyeom Kim,Yonggu Lee,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Jaesoo HA,Jaeyoung CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09777364B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09512515B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Deposition of Thick Layers of Silicon Dioxide

Номер патента: US20240096616A1. Автор: Kathrine Crook,Matt Edmonds,William ROYLE,Caitlin Lane Jones,Daniel Gomez-Sanchez. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Pulsed-plasma deposition of thin film layers

Номер патента: WO2022031467A1. Автор: Khokan Chandra Paul. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-02-10.

Deposition of thick layers of silicon dioxide

Номер патента: EP4343019A1. Автор: Kathrine Crook,Matt Edmonds,William ROYLE,Caitlin Lane Jones,Daniel Gomez-Sanchez. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Methods for forming low moisture dielectric films

Номер патента: SG184019A1. Автор: Lei Luo,Ajay Bhatnagar,Manuel A Hernandez,Kedar Sapre,Zhong Qiang Hua,Zhitao Cao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-30.

Methods for forming low moisture dielectric films

Номер патента: WO2011112518A2. Автор: Lei Luo,Ajay Bhatnagar,Kedar Sapre,Zhong Qiang Hua,Manuel A. Hernandez,Zhitao Cao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-09-15.

Material layer deposition methods, semiconductor processing systems, and related computer program products

Номер патента: US20230125884A1. Автор: Alexandros Demos,Arun Murali,Gregory Deye,Caleb Miskin,Frederick Aryeetey. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-27.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09893322B2. Автор: Taeyong KIM,Jaeseok Park,Kyubum Kim,Jungsuk Hahn,Jonghee Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Low viscosity precursor compositions and methods for the deposition of conductive electronic features

Номер патента: US20070102681A1. Автор: Karel Vanheusden,Klaus Kunze,Mark Hampden-Smith,Toivo Kodas,Aaron Stump,Paolina Atanassova,Hugh Denham,Allen Schult. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2007-05-10.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20090184290A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20050271823A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD

Номер патента: US09909214B2. Автор: Hidemi Suemori. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2004024981A2. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Martti Sonninen,Bradley J. Aitchison. Владелец: Planar Systems, Inc.. Дата публикации: 2004-03-25.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: GB2407586A. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Bradley J Aitchison,Tommy Turkulainen,Pekka Kuosmmanen,Marti Sonninen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Selective deposition of silicon and oxygen containing dielectric film on dielectrics

Номер патента: EP4225964A1. Автор: XINJIAN LEI,Jacob Woodruff,Bhushan Zope,Guo Liu,Ravindra Kanjolia,Mark POTYEN. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Selective deposition of silicon and oxygen containing dielectric film on dielectrics

Номер патента: US20230416911A1. Автор: XINJIAN LEI,Jacob Woodruff,Bhushan Zope,Guo Liu,Ravindra Kanjolia,Mark POTYEN. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Deposition of metal dielectric film for hardmasks

Номер патента: US09875890B2. Автор: Fayaz Shaikh,Sirish Reddy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Indium source reagent compositions, and use thereof for deposition of indium-containing films on substrates and ion implantation of indium-doped shallow junction microelectronic structures

Номер патента: US20010021785A1. Автор: Thomas Baum,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2001-09-13.

Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2003056060A1. Автор: Mei Chang,Roderick Mosely,Chien-Teh Kao,Fufa Chen,Chiukin Steven Lai,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

Precursor compositions for ion implantation of antimony and ion implantation process utilizing same

Номер патента: US5972743A. Автор: Thomas H. Baum,W. Karl Olander,James V. McManus,Timothy E. Glassman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Atomic Layer Deposition (ALD) for Multi-Layer Ceramic Capacitors (MLCCs)

Номер патента: US20230374659A1. Автор: Chris GUMP,Paul Nelson,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jennette Warner. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Raw material for chemical deposition containing organoruthenium compound, and chemical deposition method for ruthenium thin film or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20240060176A1. Автор: Hirofumi Nakagawa,Yuki Mori,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Subhabrata Das. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20070119371A1. Автор: Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Paul Ma,Schubert Chu,Dien-Yeh Wu,Kavita Shah,Frederick Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Palladium precursor composition

Номер патента: US20140087141A1. Автор: Ping Liu,Yiliang Wu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Plasma enhanced chemical vapor deposition of graphene on optical fibers

Номер патента: US20230212743A1. Автор: Nai-Chang Yeh,Deepan Kishore Kumar. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-07-06.

Process for chemical vapor deposition of materials with via filling capability and structure formed thereby

Номер патента: US20080164579A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Deposition of metal dielectric film for hardmasks

Номер патента: US20160284541A1. Автор: Fayaz Shaikh,Sirish Reddy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: WO2009131842A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: Lumenz, Inc.. Дата публикации: 2009-10-29.

Metalorganic chemical vapor deposition of zinc oxide

Номер патента: EP2279284A1. Автор: Bunmi T. Adekore,Jonathan Pierce. Владелец: LUMENZ Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Thin-film forming raw material used in atomic layer deposition method, and method of producing thin-film

Номер патента: US20230349039A1. Автор: Masako HATASE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US20030111009A1. Автор: Vadim Boguslavskiy,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Rubber composition for coating metal cord, steel cord-rubber composite, tire, and chemical product

Номер патента: US20220064413A1. Автор: Keita OSANAI. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Rubber composition for coating metal cord, steel cord/rubber composite, tire, and chemical product

Номер патента: EP3910107A1. Автор: Keita OSANAI. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2021-11-17.

Composition for road construction

Номер патента: RU2603682C1. Автор: Евгений Анатольевич Вдовин,Ленар Фидаесович Мавлиев,Павел Ефимович Буланов,Алина Рамилевна Асадуллина,Вадим Витальевич Захаров,Ильмир Фанусович Ибрагимов,Булат Фаритович Галлямов. Владелец: Ленар Фидаесович Мавлиев. Дата публикации: 2016-11-27.

RUBBER COMPOSITION FOR COATING METAL CORD, STEEL CORD-RUBBER COMPOSITE, TIRE, AND CHEMICAL PRODUCT

Номер патента: US20220064413A1. Автор: OSANAI Keita. Владелец: BRIDGESTONE CORPORATION. Дата публикации: 2022-03-03.

Rubber composition for coating metal cord, steel cord/rubber composite, tire, and chemical product

Номер патента: EP3910107B1. Автор: Keita OSANAI. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A3. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-07-24.

Precursor composite material, composite material, precursor composite material producing method, composite material producing method and the precursor composite material and the composite material application

Номер патента: RU2654859C2. Автор: Михаэль ШУМАНН,Кристиан ХЕРМАНН. Владелец: Инфиана Джермани Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2018-05-23.

Solidifiable composition for preparation of liquid-infused slippery surfaces and methods of applying

Номер патента: EP2969258A2. Автор: Joanna Aizenberg,Philseok Kim,Michael Aizenberg,Alex VENA. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2016-01-20.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Precursor composite material, method for producing a precursor composite material, method for producing a composite material and use of a precursor composite material and of a composite material

Номер патента: US09982167B2. Автор: Michael SCHUHMANN,Christian Hermann. Владелец: Infiana Germany GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-29.

Polyimide precursor composition, polyimide composition, process for the production of said polyimide precursor composition, and process for the production of said polymide composition

Номер патента: US5840369A. Автор: Hiroshi Takahashi,Seiji Hasegawa,Masamichi Maruta,Hidehisa Nanai,Yoshihiro Moroi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20240061219A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-02-22.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US11815668B2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20180341090A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-11-29.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-05-01.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP3380876A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-10-03.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Precursor compositions for an insulation, insulated rocket motors, and related methods

Номер патента: US20180265692A1. Автор: Himansu M. Gajiwala,Steven B. Hall. Владелец: Northrop Grumman Innovation Systems LLC. Дата публикации: 2018-09-20.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Precursor compositions for an insulation and insulated rocket motors

Номер патента: US20210079873A1. Автор: Himansu M. Gajiwala,Steven B. Hall. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Precursor composition, method of manufacturing precursor composition, inkjet coating ink, method of manufacturing ferroelectric film, piezoelectric device, semiconductor device, piezoelectric actuator, inkjet recording head, and inkjet printer

Номер патента: US20060138382A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Resin precursor composition and resin obtained by photocuring the same

Номер патента: US20120309863A1. Автор: Akiko Miyakawa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Stable alkenyl or alkynyl-containing organosilicon precursor compositions

Номер патента: EP4434993A2. Автор: XINJIAN LEI,Neil Osterwalder,Manchao Xiao,Madhukar B. Rao,Meiliang WANG,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis,Steve Gerard MAYORGA. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Stable alkenyl or alkynyl-containing organosilicon precursor compositions

Номер патента: EP4434993A3. Автор: XINJIAN LEI,Neil Osterwalder,Manchao Xiao,Madhukar B. Rao,Meiliang WANG,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis,Steve Gerard MAYORGA. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-11-06.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Polyimide precursor composition and method for producing polyimide precursor composition

Номер патента: US09988534B2. Автор: Kana Miyazaki,Tomoya Sasaki,Tsuyoshi Miyamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for atomic layer etching

Номер патента: US09881807B2. Автор: Alok Ranjan,Mingmei Wang,Sonam SHERPA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Polyimide precursor composition and method of preparing polyimide precursor composition

Номер патента: US09840589B2. Автор: Kana Miyazaki,Tomoya Sasaki,Tsuyoshi Miyamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Polyimide precursor composition, method for preparing polyimide precursor, polyimide molded article, and method for preparing polyimide molded article

Номер патента: US09550862B2. Автор: Katsumi Nukada,Kana Miyazaki,Tomoya Sasaki,Tsuyoshi Miyamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Polyimide precursor composition, method for preparing polyimide precursor, polyimide molded article, and method for preparing polyimide molded article

Номер патента: US09505886B2. Автор: Katsumi Nukada,Kana Miyazaki,Tomoya Sasaki,Tsuyoshi Miyamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Polyimide precursor composition and polyimide film manufactured using same

Номер патента: US12129337B2. Автор: Chan Hyo Park,Jinyoung Park,Danbi Choi. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Polyimide precursor composition, method of producing polyimide precursor composition, method of producing polyimide molded article, polyimide molded article, liquid crystal alignment film, passivation film, wire coating material, and adhesive film

Номер патента: US09650550B2. Автор: Kana Miyazaki,Tsuyoshi Miyamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Supported catalyst precursor composition (options), supported catalytic composition (options) method of preparation thereof (option), polymer preparation process

Номер патента: RU2287535C2. Автор: Майкл Д. ЭЙВ,Беркхард Э. УОГНЕР. Владелец: Юнивейшн Технолоджиз, Ллс.. Дата публикации: 2006-11-20.

Tantalate dispersion and tantalate compound

Номер патента: US20230295003A1. Автор: Akinori Kumagai,Syuhei HARA. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Cyanide-free electrolyte composition and method for the deposition of silver or silver alloy layers on substrates

Номер патента: US09657402B2. Автор: Stefan Schäfer,Thomas B. Richardson. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming composite for obtaining electrode material of devices emerging electric energy

Номер патента: RU2641118C1. Автор: Виктор Владимирович Рябых. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Карбон тех" (ООО "Карбон тех"). Дата публикации: 2018-01-16.

Composition for final treatment with reduced content of volatile organic compounds

Номер патента: RU2375400C2. Автор: Ричард С. СМИТ,Ловелл В. ХОЛЛАНД,Ричард С. СМИТ (US),Ловелл В. ХОЛЛАНД (US). Владелец: 3М Инновейтив Пропертиз Компани. Дата публикации: 2009-12-10.

Large area deposition and doping of graphene, and products including same

Номер патента: RU2567949C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-10.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Tin precursors for deposition of euv dry resist

Номер патента: WO2023245047A1. Автор: Qinghuang Lin,Raymond Nicholas Vrtis,Timothy William Weidman,Chenghao Wu,Jason Philip COYLE,Alexander James TOUCHTON. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-21.

Adhesive precursor composition and heat-expandable temporary adhesive therefrom

Номер патента: EP4314180A1. Автор: Kazuki Noda. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-02-07.

Phosphor precursor composition

Номер патента: EP2734603A1. Автор: Alok Mani Srivastava,Holly Ann Comanzo,William Winder Beers. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-05-28.

Silicon carbide-containing material, precursor composition and preparation processes thereof

Номер патента: AU2022377208A1. Автор: Siegmund Greulich-Weber. Владелец: Yellow Sic Holding GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Adhesive precursor composition and heat-expandable temporary adhesive therefrom

Номер патента: US20240182764A1. Автор: Kazuki Noda. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-06-06.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Dielectric film and power capacitor comprising dielectric film

Номер патента: US20210193388A1. Автор: Chau-Hon HO,Jiansheng Chen,Lejun Qi,Linnea Petersson. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-06-24.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for forming aluminum oxide/carbon nanotubes by ultrasonic atomization and chemical vapor deposition

Номер патента: US09834444B2. Автор: Muataz Ali Atieh,Fahad Ali RABBANI,Zuhair Omar MALAIBARI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-12-05.

Hydrophobic peroxyacid bleach precursor compositions stabilised with a water soluble carboxylic acid

Номер патента: CA2204153C. Автор: Richard Timothy Hartshorn,Nour-Eddine Guedira. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2001-07-10.

Photocurable composition for electrical insulation

Номер патента: US5780525A. Автор: Hong-Son Ryang,An-Min J. Sung,II Joseph T. Snyder. Владелец: Reliance Electric Industrial Co. Дата публикации: 1998-07-14.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Precursor compositions for a protective article, protective articles comprising a reaction product of the precursor composition, related aerospace structures, and related methods

Номер патента: WO2020256963A1. Автор: Steven F. Stone,Christopher Deemer,Benjamin W.C. Garcia,Cameron HILTON,Matthew ARMENTROUT. Владелец: Northrop Grumman Innovation Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-12-24.

Polyimide precursor composition and polyimide film

Номер патента: US20240158578A1. Автор: Takuya Oka,Taichi Ito,Yukinori Kohama,Yuki Nemoto. Владелец: Ube Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Precursor compositions for a protective article, protective articles comprising a reaction product of the precursor composition, related aerospace structures, and related methods

Номер патента: US11999834B2. Автор: Brian Barber,Benjamin W. C. Garcia,Steven F. Stone,Christopher Deemer,Cameron HILTON,Matthew ARMENTROUT. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Precursor compositions for a protective article, protective articles comprising a reaction product of the precursor composition, related aerospace structures, and related methods

Номер патента: EP3986959A1. Автор: Brian Barber,Steven F. Stone,Christopher Deemer,Benjamin W.C. Garcia,Cameron HILTON,Matthew ARMENTROUT. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Compositions for Engine Carbon Removal and Methods and Apparatus for Removing Carbon

Номер патента: US20240159184A1. Автор: Steven G. Thoma,Bernie C. Thompson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-16.

Dielectric film and power capacitor comprising dielectric film

Номер патента: EP3694913A1. Автор: Chau-Hon HO,Jiansheng Chen,Lejun Qi,Linnea Petersson. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-08-19.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Metal oxide precursor composition

Номер патента: EP4352170A1. Автор: Jaakko LEPPÄNIEMI,Asko Sneck,Mariko Fujita,Yasuyuki Kusaka,Nobuko Fukuda. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-04-17.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Overlay shift correction for the deposition of epitaxial silicon layer and post-epitaxial silicon layers in a semiconductor device

Номер патента: US20030032256A1. Автор: Hung-Chih Chen,Tai-Yuan Wu,Ren-Jyh Leu,Kun-I Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-02-13.

Structure, structure manufacturing method, and precursor composition

Номер патента: EP4434933A1. Автор: Shigeru Sakamoto. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Structural body, structural body manufacturing method, and precursor composition

Номер патента: US20240336517A1. Автор: Shigeru Sakamoto. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Polyimide precursor composition and polyimide film, substrate for display device, and optical device prepared by using same

Номер патента: US12060456B2. Автор: Kyunghwan Kim,Jiyeon SUNG,Hoyong Lee,Cheol Jun SONG,Mi Eun KANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Polyimide precursor composition, article prepared by using same, and display device including the article

Номер патента: US09556311B2. Автор: Sang Soo Lee,Jae Jun Lee,Byung Hee Sohn,Hyun Jeong JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Coated peroxyacid bleach precursor compositions

Номер патента: CA2141584C. Автор: Anthony Dovey,Graham Alexander Sorrie. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2000-06-13.

Glass ceramic precursor compositions containing titanium diboride

Номер патента: US4931413A. Автор: Jeannine A. Pearsall,Richard L. Weir. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1990-06-05.

Amic acid ester oligomer precursor composition for polyimide resin containing the same, and uses

Номер патента: US20080096997A1. Автор: Chung-Jen Wu,Chih-Ming An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Precursor compositions including a curable component and surface coated or modified hollow glass microspheres, articles, additive manufacturing methods, and methods of interfering with electromagnetic radiation

Номер патента: EP4334389A1. Автор: Klaus Hintzer,Adrian S. Eckert,Badri Veeraraghavan,Jens Eichler,Christian Weinmann,Michael H. Stalder,Stefan V. Friedrich,Jennifer J. SOKOL,Karoline Anna OSTROWSKI,Tom GAIDE,Friedrich M. WOLFF,Philipp Jurgen Semmler. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-03-13.

Organic-inorganic composite hydrogel precursor composition, and organic-inorganic composite hydrogel

Номер патента: US20220033538A1. Автор: Norio Nishimura,Mitsuyuki Kanzaki,Rie Yamasaki. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Stable alkenyl or alkynyl-containing organosilicon precursor compositions

Номер патента: WO2020041576A1. Автор: XINJIAN LEI,Neil Osterwalder,Manchao Xiao,Madhukar B. Rao,Meiliang WANG,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis,Steve Gerard MAYORGA. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Precursor compositions for an insulation and related methods

Номер патента: US20230287848A1. Автор: Himansu M. Gajiwala,Steven B. Hall. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Enriched silicon precursor compositions and apparatus and processes for utilizing same

Номер патента: US20130264492A1. Автор: Robert Kaim,Joseph D. Sweeney,Richard S. Ray,James J. Mayer. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Precursor compositions for ceramic products

Номер патента: CA2593996A1. Автор: Sergey Shmotev,Sergey Pliner. Владелец: Ilem Research And Development Establishment. Дата публикации: 2007-04-05.

Precursor compositions including a curable component and surface coated or modified hollow glass microspheres, articles, additive manufacturing methods, and methods of interfering with electromagnetic radiation

Номер патента: US20240150551A1. Автор: Klaus Hintzer,Adrian S. Eckert,Badri Veeraraghavan,Jens Eichler,Christian Weinmann,Michael H. Stalder,Stefan V. Friedrich,Jennifer J. SOKOL,Tom GAIDE,Friedrich M. WOLFF,Philipp Jurgen Semmler,Karoline Anne Ostrowski. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Polyimide precursor composition, polyimide film formed from the same and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20230279183A1. Автор: Young Chul Park,Sung Mook Choi,Eun Sang Lee,Dong Ki KIM. Владелец: Ecoprohn Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Polyimide Precursor Composition and Polyimide Film Produced Using the Same

Номер патента: US20230257525A1. Автор: Hye Jin Park,Chang Q LEE,Chun Ho Kim,Cheol Min Yun. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Stable alkenyl or alkynyl-containing organosilicon precursor compositions

Номер патента: EP3841104A1. Автор: XINJIAN LEI,Neil Osterwalder,Manchao Xiao,Madhukar B. Rao,Meiliang WANG,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis,Steve Gerard MAYORGA. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-06-30.

Stable alkenyl or alkynyl-containing organosilicon precursor compositions

Номер патента: US20230339986A1. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Madhukar B. Rao,Steven Gerard Mayorga,Meiliang WANG,Robert G. Ridgeway,Raymond N. Vrtis,Neill Osterwalder. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Composition for organic optoelectronic element, organic optoelectronic element, and display device

Номер патента: US20220069226A1. Автор: Jaehoon Kim,Sangshin Lee,Eun Sun Yu,Jinhyun LUI,Ho Kuk Jung,Dongyeong KIM,Dong Min Kang,Byungku Kim,Jun Seok Kim,Byoungkwan LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Quantum dot-polymer nanocomposite sensor array for chemical vapor sensing

Номер патента: US09970939B1. Автор: Sichu Li. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

Atomic layer deposition of electrochemical catalysts

Номер патента: EP3509743A1. Автор: Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Thomas Francisco JARAMILLO,Tanja Graf,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Maha YUSUF,Drew Christopher HIGGINS. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Coated peroxyacid bleach precursor compositions

Номер патента: AU4685193A. Автор: Anthony Dovey,Alexander Graham Sorrie. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1994-07-19.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Processes and catalyst compositions for hydrocyanation of monoolefins

Номер патента: CA2177135C. Автор: Kristina Ann Kreutzer,Wilson Tam,Ronald James Mckinney. Владелец: Invista Technologies SARL Switzerland. Дата публикации: 2005-04-26.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Thiol-Acrylate Based Foam Precursor Composition

Номер патента: US20180258201A1. Автор: Oguz Türünç,Filip Duprez. Владелец: Greenseal Nv. Дата публикации: 2018-09-13.

Atomic layer deposition of vanadium oxide for microbolometer and imager

Номер патента: WO2015195562A1. Автор: Francis J. Kub,Virginia D. Wheeler,Marko J. Tadjer,Charles R. EDDY. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2015-12-23.

Polyimide Precursor Composition and Optical Multilayer Structure Formed Using the Same

Номер патента: US20230374344A1. Автор: Chun Ho Kim,Cheol Min Yun. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Polyimide precursor composition, method of producing polyimide precursor composition, method of producing polyimide molded article, polyimide molded article, liquid crystal alignment film, passivation film, wire coating material, and adhesive film

Номер патента: US20150166729A1. Автор: Kana Miyazaki,Tsuyoshi Miyamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device

Номер патента: US20240251672A1. Автор: Hyung Sun Kim,Sung-Hyun Jung,Jinhyun LUI,Jihun SHIN,Ho Kuk Jung,Dalho HUH,Jonghoon Kim,Youngmook LIM,Mijin LEE,Youngkyoung Jo,Seungchul LYU,Pyeongseok CHO,Kyunghag JUNG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Composition for organic optoelectronic element, organic optoelectronic element, and display device

Номер патента: US20230345831A1. Автор: Jaehoon Kim,Sung-Hyun Jung,Namheon Lee,Ho Kuk Jung,Dong Min Kang,Byungku Kim,Kipo JANG,Jiyun KWON,Eunjeong Choi,Junmo Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Composition for chemical-mechanical polishing and chemical-mechanical polishing method

Номер патента: US12104087B2. Автор: Pengyu Wang,Yasutaka Kamei,Norihiko Sugie,Yuuya YAMADA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Three-component composition for production of polyurethane cementing hybrid flooring or coating with improved gloss of surface

Номер патента: RU2693076C2. Автор: Патрисия ГИМЕНО,Карола КАДДАТЦ,Йохен ГРЁТЦИНГЕР,Ганс ГАНТНЕР. Владелец: Сикэ Текнолоджи Аг. Дата публикации: 2019-07-01.

Novel 2-(imidazol-4-yl)-ethanamide of pentandioic-1,5 acid compositions for treating and preventing viral diseases

Номер патента: RU2745265C2. Автор: Антон Петрович Переверзев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Валента - Интеллект". Дата публикации: 2021-03-22.

Method of making phase change materials electrochemical atomic layer deposition

Номер патента: US20090011577A1. Автор: Qiang Huang,Xiaoyan Shao,Venkatram Venkatasamy,John L. Stickney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Siloxane compound and polyimide precursor composition comprising same

Номер патента: US11820785B2. Автор: Cheolmin Yun. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Polyimide precursor composition and method of preparing polyimide molded article

Номер патента: US20180215873A1. Автор: Kana Miyazaki,Tomoya Sasaki,Tsuyoshi Miyamoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Atomic layer etching using a boron-containing gas and hydrogen fluoride gas

Номер патента: US20180047577A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Microwave CVD method for deposition of robust barrier coatings

Номер патента: EP1252822A2. Автор: Masatsugu Izu,Buddie Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-30.

Pharmaceutic composition for external application

Номер патента: RU2415669C2. Автор: Хироказу КОБАЯСИ,Акира НОЗАВА,Тойохико МИКИ,Хироюки ФУДЗИИ. Владелец: Пола Фарма Инк.. Дата публикации: 2011-04-10.

Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition

Номер патента: EP1629543A1. Автор: Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-03-01.

Chemical vapor deposition of dense and transparent zirconia films

Номер патента: US5145720A. Автор: Toshio Hirai,Hisanori Yamane. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 1992-09-08.

Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device

Номер патента: US12048239B2. Автор: Sung-Hyun Jung,Namheon Lee,Dong Min Kang,Byungku Kim,Kipo JANG,Jiyun KWON,Hayun SONG,Bo won CHOI. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device

Номер патента: US12096688B2. Автор: Sung-Hyun Jung,Ho Kuk Jung,Sangil Lee,Jin Sook Kim,Dong Min Kang,Byungku Kim,Kipo JANG,Youngkyoung Jo,Jiyun KWON,Eunjeong Choi,Junmo Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Composite for structural applications

Номер патента: RU2567625C2. Автор: Пол МАККЕНЗИ,Ень-Сэйнэ ВАН,Морин БОЙЛ,Дана БЛЭР,Е-Цзюи У,Брайс ФЛОРИАНСИК. Владелец: Хексел Композитс, Лтд. Дата публикации: 2015-11-10.

Composition for electrolytic metal deposition with leveller

Номер патента: RU2547259C2. Автор: Роман Бенедикт РЭТЕР,Шарлотте ЭМНЕТ,Александра ХААГ,Дитер МАЙЕР,Зофия Эберт,Корнелия РЕГЕР-ГЕПФЕРТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2015-04-10.

Compositions for coating and methods of their production

Номер патента: RU2637327C2. Автор: Стивен Джеймс ЭДМОНДСОН,Альфредо АНДРЕНАЧЧИ,Нитин ГУЙЯР,Жири ХОЛУБ. Владелец: Шоукор Лтд.. Дата публикации: 2017-12-04.

Method and composition for analyzing cellular components

Номер патента: RU2717491C2. Автор: Джеффри С. ФИШЕР,Кевин Л. ГУНДЕРСОН,Фрэнк Дж. СТИМЕРС,Роберто РИГАТТИ. Владелец: Иллюмина, Инк.. Дата публикации: 2020-03-23.

Composition for removal of chemical and microbiological pollutions from surface of foodstuffs of animal and plant origin

Номер патента: RU2141207C1. Автор: Ренато Бальзано Антонио. Владелец: Кимика Индустриале Др. Бальзано. Дата публикации: 1999-11-20.

Radiation-sensitive polyimide precursor composition derived from a diaryl fluoro compound

Номер патента: CA1195039A. Автор: David L. Goff. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1985-10-08.

Method of Reusing Flexible Mold and Microstructure Precursor Composition

Номер патента: US20080280106A1. Автор: Yorinobu Takamatsu,Akira Yoda,Yusuke Saito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2008-11-13.

Perovskite film, precursor composition thereof, method for preparing the same, and semiconductor element including the same

Номер патента: US11778839B2. Автор: Kuo-Wei Huang,Yung-Liang Tung,Shih-Hsiung Wu,Jung-Pin CHIOU,Pei-Ting Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-10-03.

Perovskite film, precursor composition thereof, method for preparing the same, and semiconductor element including the same

Номер патента: US20220123242A1. Автор: Kuo-Wei Huang,Yung-Liang Tung,Shih-Hsiung Wu,Jung-Pin CHIOU,Pei-Ting Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-04-21.

Chemical vapor condensation deposition of photoresist films

Номер патента: WO2022177704A1. Автор: Kelvin Chan,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Mark Joseph Saly. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Selective deposition of circuit-protective polymers

Номер патента: EP1406977A1. Автор: Alphonsus V. Pocius,Rita A. Latourelle. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-04-14.

Thermal-and chemical-resistant acid protection coating material and spin- on thermoplastic adhesive

Номер патента: SG169384A1. Автор: John C Moore,Michelle R Fowler. Владелец: Brewer Science Inc Us. Дата публикации: 2011-03-30.

Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method

Номер патента: US20020089677A1. Автор: Lothar Pfitzner,Heiner Ryssel,Volker Tegeder,Claus Schneider,Reinhold Waller,Jurgen Ziegler. Владелец: Infineon Technologies SC300 GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-07-11.

Composition for low density, ultrathin, and inorganic film and its preparation method

Номер патента: US09670333B2. Автор: Xingkui ZHOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and composition for extracting hydrocarbon fluids out of underground formation

Номер патента: RU2383560C2. Автор: Дуэйн ТРЕЙБИГ,Кин-Таи ЧАНГ,Дуэйн ТРЕЙБИГ (US),Кин-Таи ЧАНГ (US). Владелец: Налко Компани, корпорация штата Делавэр. Дата публикации: 2010-03-10.

System for forming elastomeric compositions for deposition on metal

Номер патента: RU2717688C2. Автор: Стивен СМИТ,Лайл КЕЙЛЛОУЭТТ,Дейвид Р. ФЕЛПС,Карл ГАСТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2020-03-25.

Compositions based on inhibitors and depressors of paraffin deposition and methods

Номер патента: RU2751622C2. Автор: Кусик КУНДУ,Сьюзан Эми ГАРНЕР,Томас О. ПЕЙНТЕР. Владелец: ЭКОЛАБ ЮЭсЭй ИНК.. Дата публикации: 2021-07-15.

Methods and compositions for improvement of plant features

Номер патента: RU2769873C2. Автор: Карстен ТЕММЕ,Алвин ТАМСИР,Сара БЛОХ,Роузмари КЛАРК,Эмили ТУНГ. Владелец: Пивот Байо, Инк.. Дата публикации: 2022-04-07.

Composition for dissolution / removal of corrosive deposits

Номер патента: RU2715204C1. Автор: Мстислав Игоревич Лавров. Владелец: Крива Тарас Николаевич. Дата публикации: 2020-02-25.

Method of bonding active molecules with carrier, active element thus produced, and chemical composition to this end

Номер патента: RU2470718C2. Автор: Жан-Франсуа ФАФЕТ,Жорж АНТЮН,Филипп МИАРД. Владелец: ЛОНГ ЛАСТИНГ ИННОВЕЙШН L2I-(Сосьетэ а респонсабилитэ лимитэ). Дата публикации: 2012-12-27.

Heat-seal coating composition for the methods of transfer of the film and the cast product

Номер патента: RU2311967C2. Автор: Клайв Николас ДАВ,Джон САТКЛИФФ,ЛИНДЕЛЛЬ Анн Керстин Биргитта ЧЕЛЛЬКВИСТ. Владелец: Акцо Нобель Коатингс Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2007-12-10.

Compositions for Engine Carbon Removal and Methods and Apparatus for Removing Carbon

Номер патента: US20240084730A1. Автор: Steven G. Thoma,Bernie C. Thompson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

Compositions for engine carbon removal and methods and apparatus for removing carbon

Номер патента: US11788463B2. Автор: Steven G. Thoma,Bernie C. Thompson. Владелец: ATS Chemical LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Compositions for Engine Carbon Removal and Methods and Apparatus for Removing Carbon

Номер патента: US20240060447A1. Автор: Steven G. Thoma,Bernie C. Thompson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Microwave cvd method for deposition of robust barrier coatings

Номер патента: WO1996032846A1. Автор: Masatsugu Izu,Buddie R. Ii Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-10-24.

Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in amorphous silicon

Номер патента: AU2022281245A1. Автор: Gautam Ganguly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in amorphous silicon

Номер патента: EP4347915A1. Автор: Gautam Ganguly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-10.

Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in amorphous silicon

Номер патента: WO2022250818A1. Автор: Gautam Ganguly. Владелец: Gautam Ganguly. Дата публикации: 2022-12-01.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Deposition of silica coatings on a substrate

Номер патента: EP1663893A1. Автор: Douglas Nelson,Michael P. Remington, Jr.,Thomas Kemmerley. Владелец: Pilkington North America Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Process for direct deposition of graphene or graphene oxide onto a substrate of interest

Номер патента: EP4426876A1. Автор: MUSTAPHA Jouiad,Michael Lejeune,Mimoun EL MARSSI. Владелец: UNIVERSITE DE PICARDIE JULES VERNE. Дата публикации: 2024-09-11.

Chemical vapor deposition functionalization

Номер патента: US09975143B2. Автор: David A. Smith,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures

Номер патента: US09972740B2. Автор: Jianming Fu,Yongkee Chae. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for deinking wastepaper by combined use of cutinase and chemical reagents

Номер патента: US09963824B2. Автор: Jing Wu,Lingqia Su,Ruoyu Hong. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-08.

Quantum dot-polymer nanocomposite sensor array for chemical vapor sensing

Номер патента: US09958425B1. Автор: Sichu Li. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Quantum dot—polymer nanocomposite sensor array for chemical vapor sensing

Номер патента: US09599564B1. Автор: Sichu Li. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Compositions for improving oil recovery

Номер патента: RU2715771C2. Автор: Линх ДО,Брайан МЮЛЛЕР,Дай Т. Нгуйен. Владелец: ЭКОЛАБ ЮЭсЭй ИНК.. Дата публикации: 2020-03-03.

Composition for polyurethane molded mattresses and a method for its preparation

Номер патента: RU2705946C1. Автор: Цзюнь СЮЙ,Цинфэн СУНЬ,Юйпэн ИНЬ,Юншэн ГО,Цзиньхуэй ДАЙ,Лин ЛЯН,Вэй Чэнь. Владелец: Шандонг Инов Полиуретан Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-12.

Propping composition for subsidence soil

Номер патента: RU2652201C1. Автор: Роман Сергеевич Федюк,Павел Геннадьевич Козлов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" (ДВФУ). Дата публикации: 2018-04-25.

Composite material with the strong metal matrix and strengthening particles of titan carbide and the method of its manufacturing

Номер патента: RU2664747C1. Автор: Владимир Алексеевич Попов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2018-08-22.

Method for synthesis of carbon-mineral composite for producing electrode material of devices storing electric energy

Номер патента: RU2690464C1. Автор: Виктор Владимирович Рябых. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Карбон электрик" (ООО "Карбон электрик"). Дата публикации: 2019-06-03.

Compositions for applying coatings with decorative effect, preparation and deposition methods thereof

Номер патента: RU2423402C2. Автор: Роберт Г. НЕГРИ,Рафаэль БЕРИ. Владелец: Юнайтед Стэйтс Джипсам Компани. Дата публикации: 2011-07-10.

Compacted liquid detergent composition for washing

Номер патента: RU2679797C1. Автор: Алан Томас БРОКЕР,Найджел Патрик СОМЕРВИЛЛЕ-РОБЕРТС,Филипп Фрэнк СОЮТЕР,Дань СЮЙ,Джереми Роберт Марсель ГУММЕЛ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2019-02-13.

Binding substances having high hydroxyl number and transparent lacquer compositions containing said substances, having good optical properties and good scratch resistance and chemical resistance

Номер патента: RU2480484C2. Автор: Андреас ПОППЕ,Гюнтер КЛАЙН,Руи НИИМИ,Бьёрн ФЕЛЬДМАНН,Ульрике КЛАУЗЕН-МАЙРИНГ. Владелец: Басф Коатингс Джепен Лтд.. Дата публикации: 2013-04-27.

Reverse osmosis and chemical desalination laboratory unit

Номер патента: RU2658020C1. Автор: Андрей Борисович Ларин,Дмитрий Сергеевич Трухин,Анастасия Ярославовна Сорокина,Никита Владимирович Власов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный энергетический университет имени В.И. Ленина" (ИГЭУ). Дата публикации: 2018-06-19.

Composition for inhibiting formation of deposits of calcium salts

Номер патента: RU2508426C2. Автор: Шелдон Филлип ВЕРРЕТТ. Владелец: Деквест Аг. Дата публикации: 2014-02-27.

Compositions and methods for prevention or reduction of dental deposit and/or gingivitis

Номер патента: RU2378023C2. Автор: Дэвид К. ГРИНСПЭН,Гай ЛАТОРР,Леонард Дж. ЛИТКОВСКИ,Гэри Д. ХЭК. Владелец: Юниверсити Оф Мэриленд, Балтимор. Дата публикации: 2010-01-10.

System for mixing aerosol precursor composition for aerosol delivery device

Номер патента: RU2743684C2. Автор: Андрис Д. СЕБАСТИАН,Майкл ДЭВИС,Перси ФИЛЛИПС,Джеймс РОДЖЕРС. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2021-02-24.

Method of forming dielectric film and capacitor manufacturing method using the same

Номер патента: US20070173028A1. Автор: Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Compositions for bone and tissue regeneration and uses thereof

Номер патента: CA3079965A1. Автор: Michael S. DETAMORE,Jakob M. Townsend. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2019-05-02.

Compositions for bone and tissue regeneration and uses thereof

Номер патента: WO2019084272A1. Автор: Michael S. DETAMORE,Jakob M. Townsend. Владелец: The Board of Regents of the University of Oklahoma. Дата публикации: 2019-05-02.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Dialysis precursor composition

Номер патента: US09821102B2. Автор: Olof Jansson,Torbjorn Linden,Anders Wieslander. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2017-11-21.

Dialysis precursor composition

Номер патента: US09655922B1. Автор: Olof Jansson,Torbjorn Linden,Anders Wieslander. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2017-05-23.

Dialysis precursor composition

Номер патента: US09616161B2. Автор: Olof Jansson,Torbjorn Linden,Anders Wieslander. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2017-04-11.

Electrode precursor composition

Номер патента: WO2024047493A1. Автор: Duncan Smith,Steven Robson,Alex Madsen,Daniel BOWES. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Deposition and etch of silicon-containing layer

Номер патента: WO2024006211A1. Автор: Bo Gong,Ching-Yun Chang,Nuoya YANG,Andrew John McKerrow,Yuxi Wang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods for planarizing a substrate using a combined wet etch and chemical mechanical polishing (cmp) process

Номер патента: US20240087907A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for planarizing a substrate using a combined wet etch and chemical mechanical polishing (CMP) process

Номер патента: US12100598B2. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Electrode precursor composition

Номер патента: WO2024201186A1. Автор: James DIBDEN,Alex Madsen,Daniel MACPHERSON,James Rodway. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2024-10-03.

Novel positive photosensitive polybenzoxazole precursor compositions

Номер патента: WO2007022124A3. Автор: William Weber,David B Powell,Ahmad A Naiini,Ii Ya Rushkin,Donald W Racicot. Владелец: Donald W Racicot. Дата публикации: 2007-11-22.

Electronic smoking article with improved storage means and transportation of aerosol precursor compositions

Номер патента: RU2686291C2. Автор: Тимоти Брайан НЕСТОР,Греди Ланс ДУЛИ,III Чарльз Джейкоб НОВАК,Янь ПУ,Алан Кёртис БИЛЛИНГС,Пол Стюарт ЧАПМАН,Стивен Флойд НИЛЬСЕН,Брайан Питер ТОМАС. Владелец: Р. Дж. Рейнолдс Тобакко Компани. Дата публикации: 2019-04-24.

Incense and Chemical Vaporization Method Using Incense

Номер патента: MY195165A. Автор: Kawamori Hideo,Sugiura Masaaki,NISHIGUCHI Taihei. Владелец: Fumakilla Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A3. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1374311A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Srinivas V. Pietambaram,Vidya S. Kaushik,James Kenyon Schaeffer, Iii. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: EP1485941A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-12-15.

High k dielectric film and method for making

Номер патента: WO2003079413A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Xiao-Ping Wang,Hong-Wei Zhou. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-09-25.

Method of nonstoichiometric cvd dielectric film surface passivation for film roughness control

Номер патента: WO2010056731A1. Автор: Kwanghoon Kim,Lance Kim. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-20.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Aerosol precursor composition comprising monomenthyl ester

Номер патента: WO2024201300A1. Автор: Michael F. Davis,Sawyer Hubbard,Michael Andrew Zawadzki,Steven Lee ALDERMAN,Jr. John W. Caraway. Владелец: RAI STRATEGIC HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and apparatus for multi-film deposition and etching in a batch processing system

Номер патента: US09831099B2. Автор: David L. O'Meara,Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Si precursors for deposition of SiN at low temperatures

Номер патента: US09564309B2. Автор: SHANG Chen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Viljami Pore,Suvi P. Haukka,Antti J. Niskanen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: GB2418005A. Автор: Teemu Lang,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Bradley J Aitchison,Kari Haerkoenen,Jarmo Ilmari Maula. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: US20060174945A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Dialysis precursor composition

Номер патента: US09687507B2. Автор: Olof Jansson,Jens Gustafsson,Torbjorn Linden. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2017-06-27.

Dialysis precursor composition

Номер патента: US09463202B2. Автор: Olof Jansson,Jens Gustafsson,Torbjorn Linden. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2016-10-11.

Smoking product for delivery on demand of increased amount of aerosol precursor composition, cartridge and corresponding method

Номер патента: RU2760120C2. Автор: Альфред Чарльз БЛЕСС,Стивен Бенсон СИРС,III Чарльз Джейкоб НОВАК,Джозеф ДОМИНИК,Джаред АЛЛЕР. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2021-11-22.

Photo sensor for measuring the aerosol precursor composition in the aerosol delivery device

Номер патента: RU2753087C2. Автор: Раджеш СУР,Эрик Т. ХАНТ,Стивен Б. СИРС. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2021-08-11.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Electrode precursor composition

Номер патента: GB2628630A. Автор: Madsen Alex,Stephen Bowes Daniel,William Dibden James,John Rodway James. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Compositions for treating seeds and application methods

Номер патента: RU2483538C2. Автор: Карен С. АРТУР,Фрэнк ГОНЗАЛЕС,Майкл СЕЙТЦ. Владелец: ВЭЙЛЕНТ Ю. Эс. Эй. КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2013-06-10.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Atomic Layer Etch Process Using Plasma In Conjunction With A Rapid Thermal Activation Process

Номер патента: US20210343541A1. Автор: Shawming Ma. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods and compositions for electrocatalytic surface nanoionics for enhancing durability and performance of solid oxide cells

Номер патента: US20240194895A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song. Владелец: WEST VIRGINIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-13.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: WO2024206872A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Company, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: US20240325990A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for combined production of oil of multi-layer deposits

Номер патента: RU2740973C1. Автор: Адольф Апполонович Ковалев,Юрий Адольфович Ковалев. Владелец: Адольф Апполонович Ковалев. Дата публикации: 2021-01-22.

Combined device for gravimetric and chemical analysis of aerosols

Номер патента: RU2706420C1. Автор: Владимир Александрович Елохин,Валерий Николаевич Соколов,Валерий Иванович Николаев,Тимофей Дмитриевич Ершов. Владелец: Акционерное общество "Научные приборы". Дата публикации: 2019-11-19.

Dialysis precursor composition

Номер патента: CA2836442C. Автор: Olof Jansson,Torbjorn Linden,Anders Wieslander. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2021-02-23.

Dialysis precursor composition

Номер патента: CA2855890C. Автор: Olof Jansson,Jens Gustafsson,Torbjorn Linden. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2019-08-27.

Dialysis precursor composition

Номер патента: CA2836371C. Автор: Olof Jansson,Torbjorn Linden,Anders Wieslander. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2019-06-04.

Uniform dielectric film deposition on textured surfaces

Номер патента: US5801104A. Автор: Pierre C. Fazan,Klaus F. Schuegraf. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-01.

Method of deposting uniform dielectric film deposition on textured surfaces

Номер патента: US6008086A. Автор: Pierre C. Fazan,Klaus F. Schuegraf. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Dialysis precursor composition

Номер патента: CA2803432C. Автор: Anders Wieslander,Ola Carlsson,Torbjoern Linden,Lennart Joensson. Владелец: GAMBRO LUNDIA AB. Дата публикации: 2018-01-16.

Aerosol precursor composition mixing system for an aerosol delivery device

Номер патента: CA3025448C. Автор: Michael Davis,James Rogers,Andries D. Sebastian,Percy Phillips. Владелец: RAI Strategic Holdings Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Electrode precursor composition

Номер патента: WO2024023706A1. Автор: Qiaochu TANG,Alex Madsen,Daniel BOWES,Milan CHROMEK. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2024-02-01.

Electrode precursor composition

Номер патента: WO2024057187A1. Автор: Matthew Roberts,Liyu JIN. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2024-03-21.

Electrode precursor composition

Номер патента: GB2622412A. Автор: Stephen Bowes Daniel,Jin Liyu. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Electrode precursor composition

Номер патента: WO2024057185A1. Автор: Matthew Roberts,Alex Madsen,Daniel BOWES,Liyu JIN,Reza PAKZAD. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2024-03-21.

Compositions for Bone and Tissue Regeneration and Uses Thereof

Номер патента: US20200254147A1. Автор: Michael S. DETAMORE,Jakob M. Townsend. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2020-08-13.

Method for forming highly uniform dielectric film

Номер патента: US20240145217A1. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang,Samphy Hong,Eric Jay Simmons, JR.,Jared Traynor,Miguel Fung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicon implantation in substrates and provision of silicon precursor compositions therefor

Номер патента: EP3033765A1. Автор: Ying Tang,Tianniu Chen,Robert Kaim,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Richard S. Ray,James J. Mayer. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2016-06-22.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Methods and compositions for healthy tonics and teas

Номер патента: WO2019040101A1. Автор: Rachel Drori. Владелец: Daily Harvest, Inc.. Дата публикации: 2019-02-28.

Photodetector for measuring aerosol precursor composition in an aerosol delivery device

Номер патента: US10477896B2. Автор: Stephen B. Sears,Rajesh SUR,Eric T. Hunt. Владелец: RAI Strategic Holdings Inc. Дата публикации: 2019-11-19.

Method for seismic monitoring of hydraulic fracturing processes in development of hydrocarbon deposits and heat impact processes in development of high-viscosity hydrocarbons

Номер патента: RU2758263C1. Автор: Сергей Александрович Михайлов,Михаил Леонидович Чернов,Мансур Эмерович Сибгатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Сигма». Дата публикации: 2021-10-27.

Deposition of an inter layer dielectric formed on semiconductor wafer by sub atmospheric CVD

Номер патента: US5872401A. Автор: Farhad Moghadam,Brett E. Huff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Meat aroma precursor composition

Номер патента: US4161550A. Автор: Marvin J. Mohlenkamp, Jr.,Christian A. Bernhardt. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1979-07-17.

Photodetector for measuring aerosol precursor composition in an aerosol delivery device

Номер патента: MY192452A. Автор: Rajesh SUR,Stephen B Sears,Eric T Hunt. Владелец: RAI Strategic Holdings Inc. Дата публикации: 2022-08-21.

Novel positive photosensitive polybenzoxazole precursor compositions

Номер патента: WO2007022124A2. Автор: William Weber,David B. Powell,Ahmad A. Naiini,II'ya Rushkin,Donald W. Racicot. Владелец: Fujifilm Electronic Materials U.S.A, Inc.. Дата публикации: 2007-02-22.

Electrode precursor composition

Номер патента: GB2622410A. Автор: Madsen Alex,Robert Roberts Matthew,Stephen Bowes Daniel,Jin Liyu,Rakzad Reza. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Electrode precursor composition

Номер патента: GB2622411A. Автор: Robert Roberts Matthew,Jin Liyu. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Precursor composition for preparing polymer electrolyte, and polymer electrolyte and secondary battery prepared by using the same

Номер патента: US20230420737A1. Автор: Kyoung Ho Ahn,Chul Haeng Lee,Won Kyung SHIN,Sol Ji PARK,Jun Hyeok Han,Su Hyeon Ji. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces

Номер патента: US20200161140A1. Автор: Thomas E. Seidel,Michael Current. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Electrode precursor composition

Номер патента: WO2024057186A1. Автор: Daniel BOWES,Liyu JIN. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of nonstoichiometric cvd dielectric film surface passivation for film roughness control

Номер патента: EP2347438A1. Автор: Kwanghoon Kim,Lance Kim. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-27.

Hafnium-aluminum oxide dielectric films

Номер патента: EP1518263A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-30.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O'Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Perovskite precursor composition

Номер патента: US20240349596A1. Автор: Tao Zhu,Thierry Pauporte. Владелец: Ecole Nationale Superieure de Chimie de Paris ENSCP. Дата публикации: 2024-10-17.

Damage-and-resist-free laser patterning of dielectric films on textured silicon

Номер патента: US09735310B2. Автор: Mark Scott Bailly. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for producing thin films of silicon carbide on silicon by pyrolysis of polymer films obtained by molecular layer deposition

Номер патента: RU2749573C9. Автор: Ильмутдин Магомедович Абдулагатов,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Рустам Русланович Амашаев,Азиз Ильмутдинович Абдулагатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-08-17.

Pharmaceutical composition for external use containing a salt of dexketoprofen, and a process for its preparation

Номер патента: RU2667465C2. Автор: Игорь Александрович Зинченко,Николай Александрович Ляпунов,Елена Петровна Безуглая,Алексей Николаевич Ляпунов,Виктория Витальевна Либина. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Фармфирма "Сотекс". Дата публикации: 2018-09-19.

Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer

Номер патента: US7601637B2. Автор: Steven W. Johnston,Kerry Spurgin,Brennan L. Peterson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Compositions for parenteral sustained release delivery of hydrophilic drugs

Номер патента: WO2024047037A1. Автор: Jean-Christophe Leroux,Elita MONTANARI. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2024-03-07.

Tunable doping of carbon nanotubes through engineered atomic layer deposition

Номер патента: US11832458B2. Автор: Christian Lau,Max SHULAKER. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-28.

Electrode precursor composition

Номер патента: GB2621116A. Автор: Tang Qiaochu,Madsen Alex,Stephen Bowes Daniel,Chromek Milan. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Nanoscale sofc electrode architecture engineered using atomic layer deposition

Номер патента: WO2016099607A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song,Kirk Gerdes,Shiwoo Lee. Владелец: WEST VIRGINIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: EP4278384A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12015046B2. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods and apparatus for doping engineering and threshold voltage tuning by integrated deposition of titanium nitride and aluminum films

Номер патента: US20190057863A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Lin Dong,CHEN HAN LIN,Naomi Yoshida,Wenyu ZHANG,Paul F. Ma,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Shih Chung CHEN,Chi-Chou Lin,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill

Номер патента: WO2007149991A2. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Dmitry Lubomirsky. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-12-27.

Nanostructured carbon dioxide environmental sensor device and method of fabricating thereof using atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2018002294A1. Автор: Ashwin K. SAMARAO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-04.

Systems and methods for performing in-situ deposition of sidewall image transfer spacers

Номер патента: US09972502B2. Автор: Stefan Schmitz,Jae Ho Lee,Changwoo Lee,Michael Goss,Noel Sun,Phil Friddle,Naveed Ansari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for using atomic layer deposition to produce a film for solid state electrolytes and protective electrode coatings for lithium batteries

Номер патента: US09917295B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Xiangbo Meng. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Plasma-chemical method of producing powder of titanate and/or dysprosium hafnate

Номер патента: RU2686479C1. Автор: Николай Владимирович Дедов,Александр Николаевич Жиганов,Сергей Борисович Точилин,Игорь Юрьевич Русаков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2019-04-29.

Compositions for peroral delivery of metformin through mucous membranes

Номер патента: RU2409357C2. Автор: Анна И. ГЛАСКИН,Мухаммад Вазеем Тахир КАЗИ. Владелец: Дженерекс Фармасьютикалз Инк.. Дата публикации: 2011-01-20.

Non-atomic layer deposition (ald) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: WO2022125781A1. Автор: Yun Han,David O'Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Electrode precursor composition

Номер патента: GB2622036A. Автор: Robson Steven,Madsen Alex,Stephen Bowes Daniel,Clifford Alan Smith Duncan. Владелец: Dyson Technology Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP4216261A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: WO2020223152A1. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: US11935758B2. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Ferrous photographic bleach-fixing precursor compositions and methods for their use

Номер патента: US20020164551A1. Автор: Jean Buongiorne,Valerie Kuykendall,Sheridan Vincent. Владелец: Kuykendall Valerie L.. Дата публикации: 2002-11-07.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Designer atomic layer etching

Номер патента: WO2018118655A1. Автор: Keren Jacobs Kanarik. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-28.

Atomic layer etching for subtractive metal etch

Номер патента: US20240186150A1. Автор: YANG Pan,Ran Lin,Shih-Ked Lee,Samantha SiamHwa Tan,Mohand BROURI,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee,Wook Choi,Yiwen FAN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Ferrous photographic bleach-fixing precursor compositions and methods for their use

Номер патента: US20020160322A1. Автор: Jean Buongiorne,Valerie Kuykendall,Sheridan Vincent. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Embedded Resistors for ReRAM Cells

Номер патента: US20150179937A1. Автор: Yun Wang,Chien-Lan Hsueh. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Selective Deposition of Barrier Layer

Номер патента: US20240266211A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Multilayer dielectric structures with graded composition for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09934963B2. Автор: Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Multilayer dielectric structures with graded composition for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09431235B1. Автор: Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Cosmetic and / or pharmaceutical composition for treating skin diseases

Номер патента: RU2737268C1. Автор: Павел Витальевич Жеглатый,Ирина Валерьевна Боброва,Александр Владимирович Крылов. Владелец: Ирина Валерьевна Боброва. Дата публикации: 2020-11-26.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Novel 2-(imidazol-4-yl)-ethanamide pentanedioic-1,5 acid compositions for treating and preventing viral diseases

Номер патента: RU2746692C1. Автор: Владимир Евгеньевич Небольсин,Антон Петрович Переверзев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Валента - Интеллект". Дата публикации: 2021-04-19.

Atomic layer deposition of iii-v compounds to form v-nand devices

Номер патента: US20220028870A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for development of multi-layer deposits of natural gases

Номер патента: RU2722190C1. Автор: Александр Иосифович Пономарев,Рустам Фадисович Ситдиков,Артур Адикович Ибатулин. Владелец: Артур Адикович Ибатулин. Дата публикации: 2020-05-28.

Molecular layer deposition

Номер патента: KR20070084683A. Автор: 성명모. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-27.

Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices

Номер патента: US11956977B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,Varun Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Method and apparatus for atomic layer etching

Номер патента: US11784029B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON,Jong Ki An,Tian Hao HAN. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for atomic layer etching

Номер патента: US20220059325A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON,Jong Ki An,Tian Hao HAN. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Precursor composition for polymer electrolyte and gel polymer electrolyte formed therefrom

Номер патента: US20230246232A1. Автор: Kyoung Ho Ahn,Chul Haeng Lee,Jung Hoon Lee,Dong Won Kim,Sung Guk Park,Bo Ra Jeong,Da Ae LIM. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Atomic Layer Etch Process Using Plasma In Conjunction With A Rapid Thermal Activation Process

Номер патента: US20200203175A1. Автор: Shawming Ma. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Surface Treatment Method for Atomically Flattening a Silicon Wafer and Heat Treatment Apparatus

Номер патента: US20160276171A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akinobu Teramoto,Tomoyuki Suwa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-09-22.

Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device

Номер патента: US20230039779A1. Автор: Sung-Hyun Jung,Namheon Lee,Ho Kuk Jung,Dong Min Kang,Byungku Kim,Kipo JANG,Youngkyoung Jo,Jiyun KWON,Eunjeong Choi,Hyungyu LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Liquid phase deposition of contacts in programmable resistance and switching devices

Номер патента: US20090029534A1. Автор: Tyler Lowrey,Wolodymyr Czubatyi,Ed Spall. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Methods for detecting an analyte of interest using catalyzed reporter deposition of tyramide

Номер патента: US20020076731A1. Автор: David Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Reactor for plasma-based atomic layer etching of materials

Номер патента: US09620382B2. Автор: Gottlieb S. Oehrlein,Dominik Metzler. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2017-04-11.

Pharmaceutical composition for preventing and treating mental, behaviour and cognitive disorders

Номер патента: RU2488388C1. Автор: Аллан Герович Бениашвили,Маргарита Алексеевна Морозова,Максим Эдуардович Запольский. Владелец: Ооо "Валента Интеллект". Дата публикации: 2013-07-27.

Compositions for pulmonary delivery of long-acting muscarinic receptor antagonists and long-acting b2-adrenergic receptor agonists and methods and systems associated therewith

Номер патента: RU2713404C2. Автор: Рейнхард ВЕХРИНГ,Майкл Стивен ХАРТМАН,Адриан Эдвард СМИТ,Видия Б. ДЖОШИ,Сарваджна Кумар ДВИВЕДИ. Владелец: Перл Терапьютикс, Инк.. Дата публикации: 2020-02-05.

Flowable Chemical Vapor Deposition (FcvD) Using Multi-Step Anneal Treatment and Devices Thereof

Номер патента: US20230042726A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Chen-Fong Tsai,Yun Chen Teng,Li-Chi Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Process and composition for the oxidative dyeing of human hair

Номер патента: US6616707B2. Автор: Heribert Lorenz. Владелец: Goldwell AG. Дата публикации: 2003-09-09.

Euv patterning of monolayers for selective atomic layer deposition

Номер патента: US20190391494A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano,Noah F. Fine Nathel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Electronic state splitter for atoms, atom interferometer atomic transition frequency measurement device, atomic oscillator, optical lattice clock, quatum computer and method for generating superposition of electronic states of atoms

Номер патента: US20240068872A1. Автор: Hidetoshi Katori. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-02-29.

Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device

Номер патента: US20220045282A1. Автор: Sung-Hyun Jung,Namheon Lee,Sangshin Lee,Ho Kuk Jung,Dongyeong KIM,Dong Min Kang,Byungku Kim,Kipo JANG,Mijin LEE,Youngkyoung Jo,Eunjeong Choi,Byoungkwan LEE,Jonghoon KO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device

Номер патента: US12096684B2. Автор: Sung-Hyun Jung,Namheon Lee,Sangshin Lee,Ho Kuk Jung,Dongyeong KIM,Dong Min Kang,Byungku Kim,Kipo JANG,Mijin LEE,Youngkyoung Jo,Eunjeong Choi,Byoungkwan LEE,Jonghoon KO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Composite for 3d-printing of medical products

Номер патента: RU2679632C1. Автор: Владимир Иванович Верещагин,Никита Евгеньевич Торопков,Татьяна Семеновна Петровская,Никита Сергеевич Антонкин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-02-12.

Composite for 3d-printing of medical products

Номер патента: RU2679127C1. Автор: Владимир Иванович Верещагин,Никита Евгеньевич Торопков,Татьяна Семеновна Петровская,Никита Сергеевич Антонкин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-02-06.

Method and composition for controlled delivery of biologically active agents

Номер патента: CA2095354C. Автор: Tomas Norling,Pia Lading,Yvonne Lundsholm. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2001-10-09.

Ion-polymer gel electrolyte and its precursor composition

Номер патента: CA2512326C. Автор: Manabu Kikuta,Akiyoshi Hatakeyama. Владелец: Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-15.

Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition

Номер патента: US20040261850A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Atomic layer deposition for low-k trench protection during etch

Номер патента: KR102562862B1. Автор: 안젤리크 레일리,데이비드 오메라,옌-티엔 루,싱후아 선. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-08-02.

Solid Electrolytic Capacitor Containing A Sequential Vapor-Deposited Dielectric Film

Номер патента: US20200176194A1. Автор: Jan Petrzilek,Mitchell D. Weaver. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Device for atomizing a fluid

Номер патента: WO2017097365A1. Автор: Karin Bauer,Markus BLECHSCHMIDT,Sebastian Schwarz. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2017-06-15.

Selective atomic layer etching

Номер патента: WO2020005486A1. Автор: Eric Hudson,Nerissa Draeger,Andrew Clark SERINO,Chia-Chun Wang,Zhonghao Zhang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-02.

Heat-sealable chemical vapor-sensor bag

Номер патента: US11009493B2. Автор: Michael L. Bishop,Christopher H. Clark. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2021-05-18.

Heat-sealable chemical vapor-sensor bag

Номер патента: US20190234923A1. Автор: Michael L. Bishop,Christopher H. Clark. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-08-01.

Techniques for atomic write operations

Номер патента: US12112064B2. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Composites containing magnetic particles of metal oxides and application of said compositions for imaging

Номер патента: RU2417104C2. Автор: Бернхард ГЛЯЙХ,Юрген ВАЙЦЕНЕККЕР,Ханнс-Йоахим ВАЙНМАНН,Андреас БРИЛЬ,Мартин РОРЕР,Хубертус ПИЧ,Рюдигер ЛАВАШЕК,Маттиас РОТЕ,Йенс ТОМСЕН,Ханнс-Йоахим ВАЙНМАНН (DE),Андреас БРИЛЬ (DE),Бернхард ГЛЯЙХ (DE),Юрген ВАЙЦЕНЕККЕР (DE),Мартин РОРЕР (DE),Хубертус ПИЧ (DE),Рюдигер ЛАВАШЕК (DE),Маттиас РОТЕ (DE),Йенс ТОМСЕН (DE). Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2011-04-27.

Production method of underwater deposits of gas hydrates, and underwater production complex of gas hydrates

Номер патента: RU2489568C1. Автор: Виктор Сергеевич Аносов,Владимир Васильевич Чернявец,Андрей Федорович Зеньков,Николай Николаевич Жильцов,Александр Валентинович Воробьев. Владелец: Александр Валентинович Воробьев. Дата публикации: 2013-08-10.

Method of calculating volume of reverse flow of fluid for hydraulic fracturing of formation during hydraulic fracturing in horizontal wells in gas deposits of fractured sandstones

Номер патента: RU2723769C1. Автор: Юнмин ЛИ,Сяньюн Ю,Цзиньчжоу ЧЖАО. Владелец: Саусвест Петролиэм Юниверсити (СВПЮ). Дата публикации: 2020-06-17.

Compounds and compositions for treating or preventing pathological conditions associated with excessive deposition of fibrin and/or formation of thrombi

Номер патента: RU2732761C2. Автор: Сверкер ЙЕРН,Йонас Фэйерсон СЭЙО,Никлас БЕРГХ. Владелец: Серено Сайентифик Аб. Дата публикации: 2020-09-22.

Optimizing intermediate representation of script code for atomic execution

Номер патента: US20140289716A1. Автор: Ali-Reza Adl-Tabatabai,Guilherme de Lima Ottoni,Michael Paleczny. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2002062593A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2002-08-15.

Method and apparatus for atomic file look-up

Номер патента: WO2002017070A2. Автор: Ingo Molnar. Владелец: RED HAT, INC.. Дата публикации: 2002-02-28.

Catalyst-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2024137050A1. Автор: Robert Clark,Tadahiro Ishizaka,Hiroaki Niimi,Kai-Hung YU. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1397260A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Methods for forming polycrystalline channel on dielectric films with controlled grain boundaries

Номер патента: US12057321B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Co-deposition of conductive material at the diffusion media/plate interface

Номер патента: US09653737B2. Автор: Thomas A. Trabold,Chunxin Ji,Paul D. Nicotera. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Acoustical head for atomizers for spraying liquids

Номер патента: RU2639699C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-12-21.

Composition for pigment dying based on specific acrylic polymer and on silicone copolymer and dying method

Номер патента: RU2643298C2. Автор: Карен ТЕБУЛЬ. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2018-01-31.

Method of mass recovery for atomic probe tomography with laser evaporation

Номер патента: RU2702112C1. Автор: Антон Сергеевич Шутов,Андрей Аскольдович Алеев,Антон Алексеевич Лукьянчук,Олег Анатольевич Разницын,Сергей Васильевич Рогожкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт". Дата публикации: 2019-10-04.

Composition for treating gynaecological and proctologic diseases accompanied by oxidative stress

Номер патента: RU2733948C2. Автор: Наталья Львовна Клячко,Ольга Алексеевна Кост,Наталья Борисовна Чеснокова,Ольга Валерьевна Безнос,Александр Николаевич Ванеев,Николай Леонидович Еремеев,Петр Владимирович Горелкин,Александр Сергеевич Ерофеев,Александр Георгиевич Мажуга. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нанозим". Дата публикации: 2020-10-08.

Pressure releasing method for atomic power station, pressure releasing system for atomic power station and respective atomic power station

Номер патента: RU2548170C2. Автор: Бернд ЭККАРДТ,Норберт ЛОШ,Карстен ПАСЛЕР. Владелец: Арефа Гмбх. Дата публикации: 2015-04-20.

Method of determination of hydrogen content in powder of nonstechometric hydride of titane

Номер патента: RU2657365C1. Автор: Алексей Юрьевич Постников,Денис Витальевич Чулков,Алексей Сергеевич Мирясов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-06-13.

Method of extracting non-shielding clay rocks, clay and clay-carbonate differences of fluid seal, places of accumulations of hydrocarbons in oil-and-gas-bearing structures by physical and chemical properties of rocks

Номер патента: RU2734332C2. Автор: Светлана Филипповна Тоискина. Владелец: Тоискин Игорь Яковлевич. Дата публикации: 2020-10-15.

Stable retinoid composition for local effect

Номер патента: RU2134101C1. Автор: Де Врингер Том,Ван Харревейн Антон,Миэхленбрюх Арт. Владелец: Яманаухи Эуропе Б.В.. Дата публикации: 1999-08-10.

Method and composition for producing nanocoatings on steam generating surfaces in heat pipes

Номер патента: RU2713052C2. Автор: Валерий Михайлович Кисеев,Олег Владимирович Сажин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2020-02-03.

Method for deposition of silicon films from azidosilane sources

Номер патента: US5013690A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-05-07.

Method to manufacture submersible vehicle for transport of hydrocarbons "cnhm" from bottom deposits of seas and oceans (russian logic version - version 9)

Номер патента: RU2610153C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2017-02-08.

Ghrp-6-containing pharmaceutical composition for prevention and removal of fibrosis and other pathological deposits in tissues

Номер патента: RU2465913C2. Автор: АЛЬБА Хосе СУАРЕС,Ньето Херардо Энрике Гильен,ДЕЛЬ БАРКО ЭРРЕРА Диана ГАРСИЯ,ВЕРА Данай СИБРИАН,МОЛА Эрнесто ЛОПЕС,АКОСТА Хорхе БЕРЛАНГА,СОСА Мануэль СЕЛЬМАН-ОУСЕЙН,КАСТИЛЬО Мариэла ВАСКЕС. Владелец: Сентро Де Инхеньерия Хенетика И Биотекнолохия. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of increasing maneuverability and safety of npp on basis of thermal and chemical accumulation

Номер патента: RU2640409C1. Автор: Александр Николаевич Егоров,Валерий Евгеньевич Юрин. Владелец: Валерий Евгеньевич Юрин. Дата публикации: 2018-01-09.

APPARATUS AND PROCESS FOR ATOMIC OR MOLECULAR LAYER DEPOSITION ONTO PARTICLES DURING PNEUMATIC TRANSPORT

Номер патента: US20120009343A1. Автор: VAN OMMEN Jan Rudolf. Владелец: Delft University of Technology. Дата публикации: 2012-01-12.

Composition for cleaning oil equipment from asphaltene-resin-paraffin deposits and mineral salts

Номер патента: RU2473584C1. Автор: Юрий Александрович Беляев,Алексей Георгиевич Чукаев,Сергей Юрьевич Балашов,Наталия Кирилловна Голованова,Елизавета Борисовна Малюкова,Виктор Николаевич Фомин,Софья Николаевна Фомина. Владелец: Юрий Александрович Беляев. Дата публикации: 2013-01-27.

Diversion dustproof gas control tray for vapor deposition and clean production method in vapor deposition furnace

Номер патента: CN102400110A. Автор: 刘汝强. Владелец: 刘汝强. Дата публикации: 2012-04-04.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND COMPOSITIONS FOR DOPING SILICON SUBSTRATES WITH MOLECULAR MONOLAYERS

Номер патента: US20120003826A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND COMPOSITIONS FOR THE TREATMENT AND DIAGNOSIS OF VASCULAR INFLAMMATORY DISORDERS OR ENDOTHELIAL CELL DISORDERS

Номер патента: US20120003227A1. Автор: SUKHATME VIKAS P.,CHAN CHUNKONG BARDEN. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, methods, and fluid compositions for electrostatically-driven solvent ejection or particle formation

Номер патента: US20120004370A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SOLUBILIZING TISSUE

Номер патента: US20120004592A1. Автор: Mitragotri Samir,Lebovitz Russell M.,OGURA Makoto,Pallwal Sumit. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Atomic layer deposition of metal oxides using metal halide precursors

Номер патента: WO2024186414A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-12.

COMPOSITION FOR LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE, LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE, AND DEVICE INCLUDING THE LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE

Номер патента: US20120001217A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PIGMENT COMPOSITION, INKJET RECORDING INK, COLORING COMPOSITION FOR COLOR FILTER, AND COLOR FILTER

Номер патента: US20120001133A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Remelting method of titanic sponge or powder and device for its implementation

Номер патента: RU2382092C2. Автор: Алексей Михайлович Якушев,Анатолий Иванович Косырев,Матвей Владимирович Шишимиров. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный вечерний металлургический институт. Дата публикации: 2010-02-20.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

DEGRADABLE ADHESIVE COMPOSITIONS FOR SMOKING ARTICLES

Номер патента: US20120000477A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OTIC COMPOSITIONS FOR THE TREATMENT OF INFECTIONS OF THE INTERNAL AND EXTERNAL EAR IN MAMMALS

Номер патента: US20120003174A1. Автор: . Владелец: FORESIGHT BIOTHERAPEUTICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of removing mineral, biological and organic deposits and system for realising said method

Номер патента: RU2476804C2. Автор: Игорь Николаевич Быков,Виктор Владимирович Кривошеев,Олег Семенович Андриенко,Станислав Васильевич Руднев,Александр Игоревич Быков,Алексей Викторович Кривошеев,Виктор Николаевич Лешков. Владелец: Виктор Владимирович Кривошеев. Дата публикации: 2013-02-27.

Ultraviolet-hardened powder composition for lacquer covers

Номер патента: RU2302439C1. Автор: Нина Алексеевна Егорова,Леонид Николаевич Машляковский,Надежда Георгиевна Кузина,ковский Леонид Николаевич Машл,Владимир Вахтангович Мошиашвили. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт" (технический университет). Дата публикации: 2007-07-10.

Process and Method of Producing concentrates Containing High Percentage of Titanic Oxide.

Номер патента: GB190103582A. Автор: Walter Dumaux Edmonds,Auguste Jacques Rossi,James Mac Naughton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-04-13.

Method for atomic layer growing of thin films of chemical compounds on substrates

Номер патента: RU2472870C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Дарья Сергеевна Михайлова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУВПО "СГГА"). Дата публикации: 2013-01-20.

Way of reception of biocovering on implants made of titan and its alloys

Номер патента: RU2361622C1. Автор: Игорь Владимирович Родионов,Константин Георгиевич Бутовский,Юрий Владимирович Серянов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Саратовский государственный технический университет (СГТУ). Дата публикации: 2009-07-20.

METAL PASTE COMPOSITION FOR FORMING ELECTRODE AND SILVER-CARBON COMPOSITE ELECTRODE AND SILICON SOLAR CELL USING THE SAME

Номер патента: US20120000523A1. Автор: KIM Sang-Ho,PARK Jong-Wuk,Kim So-Won. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Procedure for melting hollow ingots of titan and boron containing grades of steel by method of esr (electro-slag re-melting)

Номер патента: RU2423536C1. Автор: Валерий Николаевич Половинкин,Владимир Александрович Демидов,Наталья Петровна Павлова. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Златоустовский металлургический завод". Дата публикации: 2011-07-10.

Grouting composition for isolation of lost-circulation zones and a method for preparation thereof

Номер патента: RU2293100C1. Автор: Николай Иванович Крысин,Равиль Габдуллинович Салихов,Владимир Андреевич Опалев,Александр Павлович Пермяков,Александр Павлович Предеин,Николай Иванович Крысин (RU),Владимир Андреевич Опалев (RU),Александр Павлович Предеин (RU),Равиль Габдуллинович Салихов (RU),ков Александр Павлович Перм (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИНТЕНСИФИКАЦИЯ". Дата публикации: 2007-02-10.

Polydicyclopentadiene-based composite material, composition for producing matrix and method of producing composite material

Номер патента: RU2527278C1. Автор: Владимир Владимирович Афанасьев,Дмитрий Николаевич Чередилин,Наталья Борисовна БЕСПАЛОВА,Ольга Васильевна Маслобойщикова,Егор Владимирович Шутко,Сергей Анатольевич Алхимов,Денис Борисович Земцов. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2014-08-27.

Ecological, Biodegradable, Fluid Lubricant And Anti-Freezing Composition For Hydraulic Systems

Номер патента: US20120004149A1. Автор: Galváo Roberto Andrade. Владелец: Promax Produtos Maximos S/A Industria E Comercio. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer composition for making polished instrument

Номер патента: RU2394050C2. Автор: Евгений Александрович Кожевников,Борис Михайлович Тараканов,Дарья Михайловна Бучукова,Иоланта Викторовна Стефанская,Роберт Федорович Смирнов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна "СПГУТД". Дата публикации: 2010-07-10.

Composition for manufacture of coats by anode electric deposition

Номер патента: RU2115775C1. Автор: Лариса Ивановна Тертых,Елена Феликсовна Рында. Владелец: Институт коллоидной химии и химии воды им.А.В.Думанского Национальной академии наук Украины. Дата публикации: 1998-07-20.

Pharmaceutical compositions for treatment of wounds and burns

Номер патента: RU2636530C2. Автор: Владимир Александрович Оробец,Наталья Викторовна Федота,Александр Владимирович Серов,Андрей Владимирович Блинов,Анастасия Александровна Блинова,Анастасия Александровна Каниболоцкая. Владелец: Анастасия Александровна Каниболоцкая. Дата публикации: 2017-11-23.

Composition for preparation of heat-insulating material

Номер патента: RU2140943C1. Автор: В.А. Соколов,В.А. Рахманов,В.И. Мелихов,Е.Г. Величко,В.В. Девятов,А.И. Козловский,С.К. Казарин,Л.И. Левин. Владелец: Всероссийский федеральный научно-исследовательский и проектно-конструкторский технологический институт строительной индустрии "ВНИИжелезобетон". Дата публикации: 1999-11-10.

Dough composition for pasta production

Номер патента: RU2489901C2. Автор: Наталья Владимировна Шелепина. Владелец: Наталья Владимировна Шелепина. Дата публикации: 2013-08-20.

Composition for producing colour nanocoat based on composite compound

Номер патента: RU2427534C1. Автор: Анастасия Владимировна Заболотская,Светлана Анатольевна Кузнецова,Владимир Васильевич Козик,Лариса Николаевна Борило,Ольга Сергеевна Халипова. Владелец: Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования "Томский государственный университет". Дата публикации: 2011-08-27.

Adjuvant composition for injection tissue helminthiasis vaccines

Номер патента: RU2348427C2. Автор: Елена Михайловна Черкасова,Ирина Михайловна Одоевска,Ирина Михайловна Одоевская,Ольга Петровна Курносова,Александр Витальевич Успенский,Игорь Иванович Бенедиктов,Айшет Магомедовна Плиева. Владелец: Государственное научное учреждение (ГНУ) Всероссийский научно-исследовательский институт гельминтологии им. К.И. Скрябина (ВИГИС). Дата публикации: 2009-03-10.

Method of production of black dyeing composition for oiling compounds

Номер патента: RU2263713C1. Автор: А.М. Иванов,И.А. Иванов. Владелец: Курский государственный технический университет (КГТУ). Дата публикации: 2005-11-10.

Method for deposition of heat-protective coating

Номер патента: RU2247792C2. Автор: Л.Х. Балдаев,В.А. Лупанов,Н.Г. Шестеркин,А.П. Шатов,Г.И. Зубарев,М.М. Гойхенберг. Владелец: Балдаев Лев Христофорович. Дата публикации: 2005-03-10.

Composition for preparing meal confectionery article and a method of their production

Номер патента: RU2060664C1. Автор: О.М. Шиманов,Т.Ф. Перегудова,Т.Б. Цыганова,М.Ю. Сиданова. Владелец: Московский государственный заочный институт пищевой промышленности. Дата публикации: 1996-05-27.

Method of determining chemical transfer coefficient and chemical diffusion coefficient of oxygen in oxide materials

Номер патента: RU2560141C1. Автор: Максим Васильевич Ананьев,Вадим Анатольевич Ерёмин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-08-20.

Two-jet arc plasmatron for atomic emission spectral analysis

Номер патента: RU2298889C1. Автор: Владимир Александрович Лабусов,Владимир Алексеевич Герасимов,Максим Сергеевич Саушкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Вмк-Оптоэлектроника". Дата публикации: 2007-05-10.

Method of dielectric film formation

Номер патента: RU2534389C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Суйкум Алиевна Шангереева,Таджедин Экберович Саркаров. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Procedure for development of deposit of oil in carbonate collectors

Номер патента: RU2424425C1. Автор: Надежда Васильевна Музалевская,Ильшат Мухаметович Бакиров,Ольга Васильевна Разуваева,Светлана Юрьевна Ибатуллина,Рудаль Ильнурович Мухаметвалеев,Алия Аксяновна Стриженок. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2011-07-20.

Calcium carbonate coating compositions for imparting high gloss and paper and cardboard with coatings formed from these compositions

Номер патента: RU2280115C2. Автор: Эми Кристин ДИММИК,Кеннет МЮЛЛЕР. Владелец: Спешиалти Минералз (Мичиган) Инк.. Дата публикации: 2006-07-20.

Procedure for development of deposits of high viscous oil (versions)

Номер патента: RU2361074C2. Автор: Любовь Константиновна Алтунина,Владимир Александрович Кувшинов,Любовь Анатольевна Стасьева. Владелец: Институт химии нефти Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-07-10.

Method for extraction of steep-falling and slanting deposits of low and average power

Номер патента: RU2247244C1. Автор: В.А. Шестаков,А.А. Белодедов,С.А. Мусукаев,А.С. Мусукаев,Г.Ф. Каган. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)" ГОУ ВПО ЮРГТУ (НПИ). Дата публикации: 2005-02-27.

Method of simultaneous separate operation of multi layer deposit and device for realizing said method

Номер патента: RU2594235C2. Автор: Олег Николаевич Журавлев,Марат Тохтарович Нухаев,Роман Викторович Щелушкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВОРМХОЛС Внедрение". Дата публикации: 2016-08-10.

Processing method of titanic jaw

Номер патента: RU2353686C1. Автор: Виктор Александрович Сидоров,Валерий Владимирович Тетерин,Дмитрий Анатольевич Рымкевич,Илья Николаевич Бездоля,Андрей Васильевич Шаламов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2009-04-27.

Anticorrosive composition for primer coat and method of anticorrosive treatment

Номер патента: RU2359987C2. Автор: Лилия Петровна Юркина,Андрей Валерьевич Пастухов,Сергей Семенович Гончаров,Лилия Петровна Юркина (RU),Андрей Валерьевич Пастухов (RU),Сергей Семенович Гончаров (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Лаки, Краски, Порошки". Дата публикации: 2009-06-27.

Composite material based on tripoli of sukholozhskoye deposit of sverdlovsk region and peat of gusevskoye deposit of tyumen region

Номер патента: RU2553735C1. Автор: Георгий Автандилович Горгодзе,Сергей Сергеевич Радаев,Максим Валерьевич Кудоманов,Ольга Игоревна Селезнева,Наталья Зияфатовна Рясная,Константин Сергеевич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный архитектурно-строительный университет". Дата публикации: 2015-06-20.

Method of determining physical and chemical properties of multi-component hydrocarbon systems

Номер патента: RU2560709C2. Автор: Михаил Юрьевич Доломатов,Дарья Олеговна Шуляковская,Милана Михайловна Долматова. Владелец: Милана Михайловна Долматова. Дата публикации: 2015-08-20.

Composition for treatment of cooling water

Номер патента: RU2255053C1. Автор: Н.Б. Гаврилов. Владелец: Гаврилов Наум Беньяминович. Дата публикации: 2005-06-27.

Composition for removing deposits and scum from inner surfaces of heat-exchange equipment

Номер патента: RU2331591C1. Автор: Евгений Викентьевич Лифанов,Олег Анатольевич Колотыгин. Владелец: Ооо Научно-Производственная Компания "Энергия". Дата публикации: 2008-08-20.

Multifunction device to analyse physical-and-chemical properties of semiconductors, dielectrics and insulating materials

Номер патента: RU2348045C1. Автор: Виктор Михайлович Тимохин. Владелец: ФГОУ ВПО "Морская государственная академия имени адмирала Ф.Ф. Ушакова". Дата публикации: 2009-02-27.

Diagnostic technique for combined effect of aromatic hydrocarbons, olefin oxides and mixture thereof on petrochemical and chemical workers

Номер патента: RU2488827C1. Автор: Ахат Бариевич Бакиров,Гульнара Галимяновна Бадамшина,Лилия Казымовна Каримова,Гульнара Вильевна Тимашева,Дина Фаритовна Гизатуллина. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Уфимский научно-исследовательский институт медицины труда и экологии человека". Дата публикации: 2013-07-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.