Elevationally-Elongated Conductive Structure Of Integrated Circuitry, Method Of Forming An Array Of Capacitors, Method Of Forming DRAM Circuitry, And Method Of Forming An Elevationally-Elongated Conductive Structure Of Integrated Circuitry
Номер патента: US20200006472A1
Опубликовано: 02-01-2020
Автор(ы): Kuo-Chen Wang, Sanh D. Tang
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-01-2020
Автор(ы): Kuo-Chen Wang, Sanh D. Tang
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Manufacturing method of semiconductor structure including planarizing a polysilicon layer over an array area and a periphery area
Номер патента: US09754788B2. Автор: Boon-Tiong Neo,Han-Chuan Fang,Ji-Gang PAN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.