一种高迁移率电子电晶体的制造方法
Номер патента: CN107833916A
Опубликовано: 23-03-2018
Автор(ы): 颜志泓, 魏鸿基
Принадлежит: Integrated Circuit Co Ltd Is Pacified By Xiamen City Three
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-03-2018
Автор(ы): 颜志泓, 魏鸿基
Принадлежит: Integrated Circuit Co Ltd Is Pacified By Xiamen City Three
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
A kind of high mobility transistor and preparation method thereof
Номер патента: CN106783997B. Автор: 傅云义,周劲. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-07-19.