Method for producing a vertically integrated cascode structure and vertically integrated cascode structure
Номер патента: DE102004053393B4
Опубликовано: 11-01-2007
Автор(ы): Christoph Bromberger
Принадлежит: Atmel Germany GmbH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-01-2007
Автор(ы): Christoph Bromberger
Принадлежит: Atmel Germany GmbH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Vertical semiconductor structure with integrated sampling structure and method for manufacturing same
Номер патента: US12046664B2. Автор: Wei Li,Pengfei Jia,Qiang RUI. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.