Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

SINGLE POLY CMOS IMAGER

Номер патента: US20120001242A1
Опубликовано: 05-01-2012
Автор(ы): Howard E. Rhodes
Принадлежит: Round Rock Research LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

CMOS image sensors having a transfer gate electrode, and methods of fabricating CMOS image sensors having a transfer gate electrode

Номер патента: US09543349B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

CMOS Image Sensor Integrated with 1-T SRAM and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20070184571A1. Автор: Jinsheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Cmos image sensor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20080157135A1. Автор: Keun-Hyuk Lim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors with saddle-gate source follower for imaging pixels

Номер патента: US12142620B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

CMOS image sensor unit and method for fabricating the same

Номер патента: US09391115B1. Автор: Ming-Wei Chen,Chih-Ping Chung,Ming-Yu Ho,Min-Hui Chen. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Substrate bias for CMOS imagers

Номер патента: US8319262B2. Автор: James Robert Janesick. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2012-11-27.

CMOS imager with selectively silicided gates

Номер патента: US20070034983A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Rhodes Howard E. Дата публикации: 2007-02-15.

Multi-well CMOS image sensor and methods of fabricating the same

Номер патента: US7777259B2. Автор: Taek Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-17.

Producing method of CMOS image sensor

Номер патента: US6884651B2. Автор: Masatoshi Kimura,Takashi Toyoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

CMOS image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20050088556A1. Автор: Chang Han. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

CMOS image sensor having test pattern therein and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040217397A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

CMOS Image Sensor and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230275110A1. Автор: Junwen LIU. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure of backside illumination cmos image sensor and method for forming the same

Номер патента: US20230387176A1. Автор: Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

CMOS image sensor having test pattern therein and method for manufacturing the same

Номер патента: US7049167B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-23.

CMOS image sensors including pickup regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070023854A1. Автор: Won-Je Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-01.

Backside illuminated cmos image sensor and method of making the same

Номер патента: US20230091032A1. Автор: Feng Ji,Xiang Peng,Haoyu Chen. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

CMOS image sensor with embedded micro-lenses

Номер патента: US09543352B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Zen-Fong Huang,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Chia-Yu WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Pixel structure of cmos image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150295002A1. Автор: Xiaoxu KANG,Yuhang Zhao. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Methods and apparatus for glass removal in CMOS image sensors

Номер патента: US09859322B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Pao-Tung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Pixel structure of CMOS image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09305951B2. Автор: Xiaoxu KANG,Yuhang Zhao. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Backside illumination cmos image sensors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110193147A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Jung-Chak Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

CMOS image sensors and methods of fabricating same

Номер патента: US20060244087A1. Автор: Yongwoo Hyung,Junghwan Oh,Youngsub You,Hunhyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for determining color using CMOS image sensor

Номер патента: US8383444B2. Автор: Hong Zhu,Jim Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

System and method for cmos image sensing

Номер патента: US20110070677A1. Автор: Hong Zhu,Jim Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for manufacturing CMOS image sensor which improves sensitivity by removing a passivation membrane in a pixel region of the CMOS image sensor

Номер патента: US7611921B2. Автор: Jin Han Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-03.

CMOS image sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US09947709B2. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley,Guan Qie Gao,De Jun Bao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US09859323B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,zhi-yang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

CMOS image sensor having indented photodiode structure

Номер патента: US11843007B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Chia-Yu WEI,Yen-Liang Lin,Ping-Hao LIN,Yu Ting Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

CMOS image sensors

Номер патента: US20040070043A1. Автор: In Jeon,Jinsu Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Method for forming structure for reducing noise in CMOS image sensors

Номер патента: US8283196B2. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

CMOS image sensor

Номер патента: EP1333662A3. Автор: Masatoshi c/o Fujitsu Limited Kokubun. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-07.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor (CIS) package with an image buffer

Номер патента: US09899443B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Kazuaki Hashimoto,Hsiao-Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Global Shutter CMOS Image Sensor

Номер патента: US20200357831A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for Forming Backside Illumination CMOS Image Sensor

Номер патента: US20230290805A1. Автор: Han Wang,XIAO FAN,Guanglong Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Cmos imager with nitrided gate oxide and method of fabrication

Номер патента: EP1929529A2. Автор: Jiutao Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-06-11.

CMOS image sensor with asymmetric well structure of source follower

Номер патента: US20060157746A1. Автор: Hee-Jeong Hong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Cmos image sensor with asymmetric well structure of source follower

Номер патента: US20110086458A1. Автор: Hee-Jeong Hong. Владелец: Crosstek Capital LLC. Дата публикации: 2011-04-14.

CMOS image sensor layout capable of removing difference between Gr and Gb sensitivities and method of laying out the CMOS image sensor

Номер патента: US20090072281A1. Автор: Bum-Suk Kim,Sae-Young Kim,Kyoung-Sik Moon,Yun-Ho Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-19.

High sensitivity and high dynamic-range cmos image sensor pixel structure with dynamic c-v characteristics

Номер патента: US20080029794A1. Автор: Sung-Sik Lee,Kyoung-Hoon Yang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2008-02-07.

Quantum efficiency enhancement for CMOS Imaging sensor with borderless contact

Номер патента: US20060148119A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu,Jeng-Shyan Lin,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US20080176350A1. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors

Номер патента: US7397075B2. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-08.

Method and apparatus for reducing light leakage at memory nodes in CMOS image sensors

Номер патента: US12094901B2. Автор: Chih-Yu Tseng,Ming-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and apparatus for reducing light leakage at memory nodes in cmos image sensors

Номер патента: US20240363658A1. Автор: Chih-Yu Tseng,Ming-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor with silicon and silicon germanium

Номер патента: US09859325B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yueh-Chuan Lee,Chia-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09818788B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Pixel for CMOS image sensor and image sensor including the same

Номер патента: US09620546B2. Автор: Hee Geun Jeong,Young Woo Chung,Tae Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

BSI CMOS image sensor with improved phase detecting pixel

Номер патента: US09443899B1. Автор: Vincent Venezia,Chih-Wei Hsiung,Chia-Ying Liu,Chin-Poh Pang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

CMOS image sensor, image sensor unit and signal transmission methods therefor

Номер патента: US11863899B2. Автор: Xi Zeng,Ling Shen,Yuhang Zhao,Jianxin Wen,Changming PI. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for Detecting Depth of Vertical Gate of Transfer Transistor of CMOS Image Sensor

Номер патента: US20220059598A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Cmos image chip, camera thereof, and debugging method thereof

Номер патента: US20240186358A1. Автор: Hao Wu,Feng Gao,Wenbing Zhang,Yufei XIA,Zhenhua RAO. Владелец: Suzhou China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

CMOS image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20010039068A1. Автор: Jae-dong Lee,Sang-joo Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-08.

Microlens of CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060145218A1. Автор: Joon Hwang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Pixel amplification apparatus, cmos image sensor including the same and operation method thereof

Номер патента: US20160300873A1. Автор: Tae-hoon Kim,Woong-Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

CMOS image sensor and auto exposure method performed in units of pixels in the same

Номер патента: US11425320B2. Автор: Minwoong Seo,Myunglae Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-23.

CMOS image sensor

Номер патента: US09899437B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for reducing crosstalk in CMOS image sensor

Номер патента: US09773834B2. Автор: Wenjie Peng,Minwei Xi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Streaking-free cmos image sensor with on-gate dual-electrode pass transistor

Номер патента: US20220139977A1. Автор: Yu Zhang,Jing Gao,Jiangtao Xu,Kaiming Nie. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-05.

CMOS image sensor with shared sensing node

Номер патента: US09728574B2. Автор: Oh-Bong Kwon. Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 2017-08-08.

CMOS image sensor with peninsular ground contracts and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653511B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson Hsinchin Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09515116B1. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and system for CMOS image sensing device

Номер патента: US09497361B2. Автор: Hong Zhu,Jianping Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

CMOS image sensor

Номер патента: US09390929B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2016-07-12.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and image processing circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189669A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method and apparatus for reducing crosstalk in cmos image sensor

Номер патента: US20150318319A1. Автор: Wenjie Peng,Minwei Xi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Method and apparatus for reducing crosstalk in CMOS image sensor

Номер патента: US9530814B2. Автор: Wenjie Peng,Minwei Xi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Amplitude modulated pixel setup for high-speed readout of CMOS image sensors

Номер патента: US11902682B2. Автор: Orly Yadid-Pecht,Devin ATKIN,Ulian SHAHNOVICH. Владелец: UTI LP. Дата публикации: 2024-02-13.

Amplitude modulated pixel setup for high-speed readout of cmos image sensors

Номер патента: US20210377475A1. Автор: Orly Yadid-Pecht,Devin ATKIN,Ulian SHAHNOVICH. Владелец: Widr Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for forming structure for reducing noise in CMOS image sensors

Номер патента: US9263486B2. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

CMOS Image Sensor

Номер патента: KR100490598B1. Автор: 김영민. Владелец: (주)하이칩스. Дата публикации: 2005-05-17.

CMOS image sensor and a method for fabricating the same

Номер патента: US7381584B2. Автор: Keun Hyuk Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-03.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20110165722A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20130023083A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20140252525A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Cmos image sensor having indented photodiode structure

Номер патента: US20240063234A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Chia-Yu WEI,Yen-Liang Lin,Ping-Hao LIN,Yu Ting Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Cmos image sensor and method for manufacturing same

Номер патента: US20240153980A1. Автор: Chang Sun,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Shallow trench isolation (STI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11862509B2. Автор: Xiang Zhang,Seong Yeol Mun,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Binary cmos image sensors, methods of operating same, and image processing systems including same

Номер патента: US20140103192A1. Автор: Young-Gu Jin,Dong Ki Min,Ju Hwan Jung,Tae-Yon Lee,Kwang-Hyun Lee,Je Il RYU,Seok Yong HONG,Tae-Seok Oh,Tae-Chan Kim,Yoon Dong PARK,Sang-chul Sul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

CMOS Image Sensor and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230253437A1. Автор: Junwen LIU. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Global shutter CMOS image sensor and method for making the same

Номер патента: US11854790B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Zhen Gu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Deep trench isolation (dti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210193702A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and apparatus for reducing light leakage at memory nodes in cmos image sensors

Номер патента: US20220384506A1. Автор: Chih-Yu Tseng,Ming-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Differential digital double sampling method and cmos image sensor for performing same

Номер патента: US20190260953A1. Автор: Jeroen Rotte,Juul Josephus Johannes Van Den Heijkant,Petrus Gijsbertus Centen. Владелец: GVBB Holdings SARL. Дата публикации: 2019-08-22.

Differential digital double sampling method and cmos image sensor for performing same

Номер патента: EP3510762A1. Автор: Jeroen Rotte,Juul Josephus Johannes Van Den Heijkant,Petrus Gijsbertus Centen. Владелец: GVBB Holdings SARL. Дата публикации: 2019-07-17.

Method and apparatus for reducing light leakage at memory nodes in CMOS image sensors

Номер патента: US11791354B2. Автор: Chih-Yu Tseng,Ming-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Multiple deep trench isolation (MDTI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11984465B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Chun-Yuan Chen,Wei Chuang Wu,Shen-Hui Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Cmos image sensor and the method of fabricating thereof

Номер патента: KR100776153B1. Автор: 여인근. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-11-16.

CMOS Image Sensor Encapsulation Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20190198545A1. Автор: Chien-Yao Huang,Chen-Hsin Wu,Tzu-Huan CHENG,Hao-Che LIU,Liu-Yuh LIN,Liang-Chih WENG,Chien-Chun Liu,Sau-Mou Wu,Ti-Hsien Tai,Yu-Hsiang Pan,Leon A. Chiu. Владелец: Chengdu Pioneer Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Cmos image sensor

Номер патента: US20160013238A1. Автор: Assim Boukhayma,Arnaud Peizerat. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-01-14.

Cmos image sensor and auto exposure method performed in units of pixels in the same

Номер патента: US20200396401A1. Автор: Minwoong Seo,Myunglae Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Stacked cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411431A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Tzu-Jui WANG,Chi-Hsien Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Cmos image sensor

Номер патента: US20230307482A1. Автор: Seunghyun Lee,Youngchan Kim,Younggu Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Fabricating cmos image sensor

Номер патента: US20080048224A1. Автор: In-Guen Yeo. Владелец: Randomaker Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Cmos image sensor

Номер патента: US20220320171A1. Автор: Han Wang,Guanglong Chen,Jiliang Zhang,Liusuo CHENG,Jiangyong QIAN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Global shutter cmos image sensor and method for forming the same

Номер патента: US20190393255A1. Автор: Bo-Ray LEE. Владелец: Silicon Optronics Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

CMOS image sensor

Номер патента: US9698183B2. Автор: Nicolas Moeneclaey,Jerome Bourgoin,Julien-Marc Roux. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2017-07-04.

Cmos image sensor with 3d monolithic osfet and femim

Номер патента: US20240047485A1. Автор: Shou-Zen Chang,Ming-Han Liao,Min-Cheng Chen,Shang-Shiun Chuang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Square-gate source-follower for CMOS image sensor pixel

Номер патента: US11830897B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

CMOS imager and method of formation

Номер патента: US20030042509A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Cmos image sensor

Номер патента: US20160079291A1. Автор: Nicolas Moeneclaey,Jerome Bourgoin,Julien-Marc Roux. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2016-03-17.

Single poly CMOS imager

Номер патента: US8003506B2. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-08-23.

Variable-Width Source-Follower Transistor for Reduced Noise in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20200357835A1. Автор: Jiaju MA. Владелец: Gigajot Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Variable-width source-follower transistor for reduced noise in cmos image sensors

Номер патента: WO2020226932A1. Автор: Jiaju MA. Владелец: Gigajot Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor devices, cmos image sensors, and methods of manufacturing same

Номер патента: TWI307956B. Автор: Chang Rok Moon,Jong-ryeol Yoo,Doo-Won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-21.

CMOS image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: TW200304222A. Автор: Masatoshi Takami,Shoji Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-09-16.

CMOS Image Sensor White Pixel Performance

Номер патента: US20080227249A1. Автор: Yi-Lii Huang,Ming-Chi Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

CMOS image sensor structure with crosstalk improvement

Номер патента: US09620553B2. Автор: Hsing-Chih LIN,Yu-Lung Yeh,Chien-Chang Huang,Chien-Nan Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

CMOS IMAGE SENSORS HAVING A TRANSFER GATE ELECTRODE, AND METHODS OF FABRICATING CMOS IMAGE SENSORS HAVING A TRANSFER GATE ELECTRODE

Номер патента: US20150243701A1. Автор: JEONG HEE-GEUN,Lee Kyung-Ho,OH Young-sun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Image transfer transistor for CMOS image sensor, has thin nitride layer formed on gate insulating layer by decoupled plasma nitridation process, which operates as barrier and blocks out diffusion of dopants from gate layer

Номер патента: DE102006017281A1. Автор: Young-Sub Pyeongtaek You,Jung-Hwan Yongin Oh,Yong-Woo Yongin Hyung,Hun-Hyeoung Yongin Leam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-16.

CMOS Image Sensor With Peninsular Ground Contracts And Method of Manufacturing The Same

Номер патента: US20170047370A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Tai Dyson Hsinchin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

DEEP TRENCH SPACING ISOLATION FOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSORS

Номер патента: US20170084646A1. Автор: Wang Chen-Jong,Yang Tai-I,Lin Tien-Lu,Lin Ta-Chun,LIN JUNG-I. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

DEEP TRENCH ISOLATION (DTI) STRUCTURE FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20210193702A1. Автор: Chen Gang,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Cmos image sensor structure with crosstalk improvement

Номер патента: US20160190191A1. Автор: Hsing-Chih LIN,Yu-Lung Yeh,Chien-Chang Huang,Chien-Nan Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

CMOS IMAGE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170200758A1. Автор: CHEN Deyan,JUNG Dae-Sub,SHI Xuejie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Beijing). Дата публикации: 2017-07-13.

CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150214266A1. Автор: SZE JHY-JYI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Hsu Tzu-Hsuan,Tseng Hsiao-Hui,Kao Min-Feng,Wang Tzu-Jui,Hsu Wei-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-07-30.

Double-layer stacked cmos image sensor

Номер патента: US20240128296A1. Автор: Chang Sun,Xing Fang,Jun Qian,Chenchen Qiu,Zhengying Wei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice and related methods

Номер патента: EP3724919A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-21.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189665A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for making cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189655A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Cmos image sensors

Номер патента: US20240274638A1. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

CMOS image sensors

Номер патента: US12094906B2. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Asymmetrical reset transistor with double-diffused source for CMOS image sensor

Номер патента: US7649231B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-01-19.

CMOS image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070023764A1. Автор: Hyung Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

CMOS image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US7573082B2. Автор: Hyung Sik Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-08-11.

Method for Preparing Pixel Cell of CMOS Image Sensor

Номер патента: US20230073606A1. Автор: LU Wang,Cuiyu Mei. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Cmos image sensor

Номер патента: US20080035964A1. Автор: Sang-Gi Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Isolation trench structure of backside illuminated cmos image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230065976A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Linghao Xiong. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Pixel of a multi-stacked CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899453B2. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09806113B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09647016B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

CMOS imaging facility and a modular array for use in such a facility

Номер патента: US20080049131A1. Автор: Albert Theuwissen. Владелец: Dalsa Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Bipolar junction transistor and cmos image sensor having the same

Номер патента: US20080048222A1. Автор: Su Lim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

CMOS image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US7682863B2. Автор: Hyuk Woo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method for making cmos image sensor including superlattice to enhance infrared light absorption

Номер патента: US20190189677A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for making cmos image sensor including pixels with read circuitry having a superlattice

Номер патента: US20190189670A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Optimized floating P+ region photodiode for a CMOS image sensor

Номер патента: US20020017695A1. Автор: Datong Chen,Xinping He,Tiemin Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Floating region photodiode for a CMOS image sensor

Номер патента: EP1102322A3. Автор: Datong Chen,Xinping He,Tiemin Zhao. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-29.

Method of manufacturing cmos image sensor

Номер патента: US20080160666A1. Автор: Sun Kyung BANG. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Cmos image sensor

Номер патента: US20100197067A1. Автор: Nan-Yi Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-05.

Method of manufacturing CMOS image sensor

Номер патента: US7659186B2. Автор: Sun Kyung BANG. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Minimum height CMOS image sensor

Номер патента: US09955099B2. Автор: Chen Feng,Edward C. Bremer,Tao Xian,Paul Poloniewicz,Sean Philip Kearney,Patrick Anthony Giordano. Владелец: HAND HELD PRODUCTS INC. Дата публикации: 2018-04-24.

Successive approximation register analog-to-digital converter, CMOS image sensor including the same and operating method thereof

Номер патента: US09905603B1. Автор: Tae-Gyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Pixel amplification apparatus, CMOS image sensor including the same and operation method thereof

Номер патента: US09825082B2. Автор: Tae-hoon Kim,Woong-Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Pixel of a CMOS imager of an optical detector

Номер патента: US09781370B2. Автор: Philippe Bois,Eric Belhaire,Jean-Luc Raymond REVERCHON. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-10-03.

CMOS image sensor with sigma-delta type analog-to-digital conversion

Номер патента: US09553124B2. Автор: Arnaud Verdant. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-24.

Cmos image sensor

Номер патента: US20240105750A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Ming-Hsien Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

CMOS image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060145205A1. Автор: Bum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Cmos image sensors

Номер патента: US20220293645A1. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

CMOS image sensor (CIS) including MRAM (magnetic random access memory)

Номер патента: US10157951B2. Автор: Dae-Shik Kim,Gwan-Hyeob Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-18.

CMOS image sensor having improved signal efficiency and method for manufacturing the same

Номер патента: US7556990B2. Автор: Bum Sik Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-07.

Cmos image sensors

Номер патента: US20170207259A1. Автор: Sung-Ho Choi,Kyungho Lee,Jung Bin YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Pixel of a multi-stacked cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160225827A1. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-04.

Cmos image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157144A1. Автор: Sang Gi Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Backside illuminated CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US10319762B2. Автор: Chang-Hun Han. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-11.

Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film

Номер патента: US6974715B2. Автор: Ju-Il Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-13.

Method for manufacturing CMOS image sensor

Номер патента: US20050064621A1. Автор: Keun Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

3d cmos image sensor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240072083A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Chih-Ping Chung,Ming-Yu Ho. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Stacked cmos image sensor

Номер патента: US20240072090A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Tzu-Jui WANG,Chi-Hsien Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140197464A1. Автор: HISANORI Ihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Cmos image sensor

Номер патента: US20180190691A1. Автор: Youngbin LEE,Gukhyon Yon,Soojin HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Cmos image sensor structure

Номер патента: US20240274632A1. Автор: Shih-Shiung Chen,Hsing-Chih LIN,Yu-Lung Yeh,Chien-Chang Huang,Chien-Nan Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Deep trench isolation structures for cmos image sensor and methods thereof

Номер патента: US20240363660A1. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Selective deposition and planarization for a CMOS image sensor

Номер патента: US09960200B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

CMOS image sensor structure with IR/NIR integration

Номер патента: US09917132B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu,Kun-Huei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

CMOS image sensor structure

Номер патента: US09818779B2. Автор: Shih-Shiung Chen,Hsing-Chih LIN,Yu-Lung Yeh,Chien-Chang Huang,Chien-Nan Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of back illumination CMOS image sensor device using wafer bonding

Номер патента: US09608034B2. Автор: Kazuyoshi Maekawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Back-side illumination CMOS image sensor including photo diode that the surface shape of receiving light has a curvature and the generating method for the CMOS image sensor

Номер патента: KR101790164B1. Автор: 이경호,안정착. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-10-26.

CMOS image sensor including photodiodes having different depth according to wavelength of light

Номер патента: US7345703B2. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

CMOS Image Sensor With A Reduced Likelihood Of An Induced Electric Field In The Epitaxial Layer

Номер патента: US20170005124A1. Автор: Akkaya Onur Can,Bamji Cyrus,Elkhatib Tamer,Mehta Swati,Chan Vei-Han,Qian William. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

METHOD FOR FORMING CMOS IMAGE SENSOR STRUCTURE

Номер патента: US20180053800A1. Автор: YEH Yu-Lung,LIN Hsing-Chih,TU Chien-Nan,HUANG Chien-Chang,Chen Shih-Shiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-02-22.

CMOS IMAGE SENSOR STRUCTURE

Номер патента: US20220077214A1. Автор: YEH Yu-Lung,LIN Hsing-Chih,TU Chien-Nan,HUANG Chien-Chang,Chen Shih-Shiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-10.

CMOS IMAGE SENSOR STRUCTURE WITH CROSSTALK IMPROVEMENT

Номер патента: US20170077157A1. Автор: Tsai Tsung-Han,CHENG Yun-Wei,CHOU Chun-Hao,LEE Kuo-Cheng,Hsu Yung-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

CMOS IMAGE SENSOR HAVING INDENTED PHOTODIODE STRUCTURE

Номер патента: US20190103428A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,Huang Hsun-Ying,Lin Yen-Liang,LEE Kuo-Cheng,WEI Chia-Yu,Lin Ping-Hao,Kao Yu Ting. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

SELECTIVE DEPOSITION AND PLANARIZATION FOR A CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20180122844A1. Автор: TSAI Cheng-Yuan,HUANG Chih-Hui,Chen Sheng-Chau,Chou Cheng-Hsien,LI Sheng-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

TILTED TRANSFER GATE FOR ADVANCED CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20220278148A1. Автор: Wang Qin. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Cmos image sensor structure

Номер патента: US20190131334A1. Автор: Shih-Shiung Chen,Hsing-Chih LIN,Yu-Lung Yeh,Chien-Chang Huang,Chien-Nan Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Cmos image sensor structure with ir/nir integration

Номер патента: US20160163760A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu,Kun-Huei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

CMOS IMAGE SENSOR WITH EMBEDDED MICRO-LENSES

Номер патента: US20150171136A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,CHIEN Volume,JENG Chi-Cherng,HUANG ZEN-FONG,WEI Chia-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-06-18.

CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20180190691A1. Автор: LEE Youngbin,HONG Soojin,Yon Gukhyon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-07-05.

SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) STRUCTURE FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20210225924A1. Автор: MUN Seong Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

CMOS image sensors for hardwired image processing

Номер патента: US09407851B2. Автор: Gyeong-Il Kweon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-02.

CMOS Image Sensor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20090302361A1. Автор: Dong Bin Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

CMOS image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20080185622A1. Автор: Keun Hyuk Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Retrograde well structure for a CMOS imager

Номер патента: US20020163020A1. Автор: Howard Rhodes,Mark Durcan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-07.

Pixel structure for CMOS image sensor

Номер патента: US10923519B2. Автор: Yan Li,Wuzhi Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Process to release silicon stress in forming CMOS image sensor

Номер патента: US11978753B2. Автор: Hui Zang,Yuanliang Liu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Cmos image sensor and method of driving the same

Номер патента: US20080035966A1. Автор: Jung-Chak Ahn,Ju-Hyun Ko,Yong-Jei Lee,Sung-In Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

CMOS image sensor

Номер патента: US20060145210A1. Автор: Bum Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Cmos image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20020043661A1. Автор: Kyung-Lak Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Cmos image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20090159941A1. Автор: Sang Tae Moon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Pixels with an active reset circuit in CMOS image sensors

Номер патента: US09456159B1. Автор: Jaroslav Hynecek. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for obtaining a composite image using rotationally symmetrical wide-angle lenses, imaging system for same, and cmos image sensor for image-processing using hardware

Номер патента: US20150195471A1. Автор: Gyeong-Il Kweon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-09.

Reduced dark current for cmos image sensors

Номер патента: EP1437773A2. Автор: Eric G. Eastman Kodak Company Stevens,Robert M. Eastman Kodak Company Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-07-14.

Method for forming contacts applied to cmos image sensor

Номер патента: US20220130889A1. Автор: Dong Zhang,Peng Huang. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for forming contacts applied to CMOS image sensor

Номер патента: US11728369B2. Автор: Dong Zhang,Peng Huang. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Pixel array structure for cmos image sensor and method of the same

Номер патента: WO2007105905A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

CMOS image sensor

Номер патента: US7842984B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Method of manufacturing CMOS image sensor

Номер патента: US7781252B2. Автор: Jun Han Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-24.

Core-shell compound, photosensitive resin composition including the same, photosensitive resin layer, color filter and CMOS image sensor

Номер патента: US12055851B2. Автор: Young Lee,Sundae KIM,Jungsun Lee,Yeji Yang,Chaehyuk Ko,Ieju Kim,Arum Yu,Myungho Cho,Xinhui Feng. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Pixel array structure for cmos image sensor and method of the same

Номер патента: EP1994564A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-11-26.

CMOS image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20070029579A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Cmos image sensor

Номер патента: US20080128768A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Cmos image sensor

Номер патента: US20090065833A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of manufacturing cmos image sensor

Номер патента: US20080160662A1. Автор: Jun Han Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of making cmos image sensor-hybrid silicide

Номер патента: US20100136737A1. Автор: Jianping Yang,Jieguang Huo,Chunyan Xin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

CMOS image sensor and a method of forming the same

Номер патента: US09653513B1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Kihong Kim,Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

CMOS image sensor including infrared pixels having improved spectral properties, and method of manufacturing same

Номер патента: US09484377B2. Автор: Do Young Lee,Jun Ho Won,Won Ho Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Isolation structures for cmos image sensor chip scale packages

Номер патента: US20090263927A1. Автор: Tzu-Han Lin,Fang-Chang Liu,Kai-Chih Wang,Tzy-Ying Lin. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-22.

Unit pixel of CMOS image sensor with capacitor coupled photodiode

Номер патента: US20010005018A1. Автор: Hoon-Sang Oh,Jin-Su Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Cmos image sensor with selectable hard-wired binning

Номер патента: EP2311249A1. Автор: Heinrich Schemmann,Sabine Roth,Petrus Gijsbertus Maria Centen,Boon Keng Teng. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2011-04-20.

Cmos image sensor with selectable hard-wired binning

Номер патента: WO2010018179A1. Автор: Heinrich Schemmann,Sabine Roth,Petrus Gijsbertus Maria Centen,Boon Keng Teng. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2010-02-18.

CMOS image sensor with LED flickering reduction and low color cross-talk

Номер патента: US11810928B2. Автор: Duli Mao,Alireza Bonakdar,Chengming Liu,Bill Phan,Zhiqiang Lin,Seong Yeol Mun,Yuanliang Liu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Apparatus of high dynamic-range CMOS image sensor and method thereof

Номер патента: US20090002533A1. Автор: Wei-Jen Liu,Hsiu-Fen Yeh,Oscal T.-C Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Vcc pump for CMOS imagers

Номер патента: US6140630A. Автор: Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Cmos image sensor

Номер патента: US20070145425A1. Автор: Hyuk Woo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for Fabricating CMOS Image Sensor

Номер патента: US20080153198A1. Автор: Sang Tae Moon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Methods for Manufacturing Arrays for CMOS Imagers

Номер патента: US20120028401A1. Автор: Joeri De Vos,Koen De Munck,Kiki Minoglou. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-02-02.

CMOS image sensor package

Номер патента: US11901384B2. Автор: Kyoungsoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing a cmos image sensor

Номер патента: US20070152228A1. Автор: Chee Hong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Cmos image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070155086A1. Автор: Jin Han Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

CMOS image sensor

Номер патента: US7593049B2. Автор: Hirokazu Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Arrays for CMOS imagers and their method of manufacturing

Номер патента: EP2416361A3. Автор: Joeri De Vos,Koen De Munck,Kiki Minoglou. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-11-13.

Semiconductor devices and CMOS image sensors having a shielding wall, electronic apparatuses having the same and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100224918A1. Автор: Eun-Gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Cmos image sensor package

Номер патента: US20210399033A1. Автор: Kyoungsoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

CMOS image sensor with dual damascene grid design having absorption enhancement structure

Номер патента: US09985072B1. Автор: Chi-Yuan Wen,Yu-Lung Yeh,Chien Nan Tu,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Single-exposure high dynamic range CMOS image sensor pixel with internal charge amplifier

Номер патента: US09729808B2. Автор: Amos Fenigstein,Raz Reshef,Shay Alfassi,Guy Yehudian. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Back side illuminated cmos image sensor arrays

Номер патента: US20180097025A1. Автор: Hirofumi Komori,Jingyi Bai. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Back side illuminated CMOS image sensor arrays

Номер патента: US09876045B2. Автор: Hirofumi Komori,Jingyi Bai. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

High dynamic range CMOS image sensor pixel with reduced metal-insulator-metal lateral overflow integration capacitor lag

Номер патента: US12058460B2. Автор: Woon Il Choi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

High dynamic range CMOS image sensor pixel with reduced metal-insulator-metal lateral overflow integration capacitor lag

Номер патента: US11736833B1. Автор: Woon Il Choi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

High dynamic range cmos image sensor pixel with reduced metal-insulator-metal lateral overflow integration capacitor lag

Номер патента: US20240314464A1. Автор: Woon Il Choi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Stacked structure for cmos image sensors

Номер патента: US20240222407A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Sheng-Chan Li,Feng-Chi Hung,Min-Feng KAO,Sheng-Chau Chen,Wen-Chang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Cmos image sensor with dual damascene grid design having absorption enhancement structure

Номер патента: US20180240838A1. Автор: Chi-Yuan Wen,Yu-Lung Yeh,Chien Nan Tu,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Low dark current CMOS image sensor cell and array layout

Номер патента: US20030106986A1. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Ya-Chin King. Владелец: Twin Han Tech Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

CMOS image sensor having enhanced near infrared quantum efficiency

Номер патента: US09991309B1. Автор: Cheng Zhao,Gang Chen,Cunyu Yang,Chen-Wei Lu,Dyson Tai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

CMOS image sensors with photogate structures and sensing transistors, operation methods thereof, and image processing systems including the same

Номер патента: US09894301B2. Автор: Dong Ki Min,Young Gu Jin,Ju Hwan Jung,Min Ho Kim,Kwang Hyun Lee,Tae Seok Oh,Tae Yon LEE,Tae Chan Kim,Sang Chul Sul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming deep trench spacing isolation for CMOS image sensors

Номер патента: US09805970B2. Автор: Chen-Jong Wang,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Jung-I Lin,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Cmos image sensor with divided bit lines

Номер патента: US20190268556A1. Автор: ZHENG Yang,Rui Wang,Eiichi Funatsu,Hiroaki Ebihara. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

CMOS image sensor

Номер патента: US20060054939A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Shou-Gwo Wuu,Wen-De Wang,Ho-Ching Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Cmos image sensor pixel with selectable binning

Номер патента: EP1900191A1. Автор: Robert Michael Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-03-19.

System and method for high-speed down-sampled cmos image sensor readout

Номер патента: US20180227531A1. Автор: Kuo-Yu Chou,Shang-Fu Yeh,Chih-Lin LEE,Calvin Yi-Ping Chao,Chiao-Yi Huang,Chin-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Frontside deep trench isolation (fdti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20240266375A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Yen-Chen Lin,Chao-Te Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Low-light-level cmos image sensor pixel

Номер патента: US20200161358A1. Автор: Robert Daniel McGrath,Stephen P. Tobin. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Low-light-level cmos image sensor pixel

Номер патента: WO2020106715A1. Автор: R. Daniel Mcgrath,Stephen P. Tobin. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2020-05-28.

System and method for high-speed down-sampled CMOS image sensor readout

Номер патента: US09955096B2. Автор: Kuo-Yu Chou,Shang-Fu Yeh,Chih-Lin LEE,Calvin Yi-Ping Chao,Chiao-Yi Huang,Chin-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

CMOS image sensor with reduced cross talk

Номер патента: US09923024B1. Автор: Duli Mao,Sohei Manabe,Keiji Mabuchi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

CMOS imaging array with improved noise characteristics

Номер патента: US09426390B2. Автор: Boyd Fowler. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

High dynamic range cmos image sensor pixel with reduced metal-insulator-metal lateral overflow integration capacitor lag

Номер патента: US20230421921A1. Автор: Woon Il Choi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Cmos image sensor with compact pixel layout

Номер патента: US20200312901A1. Автор: Chen Xu,XIN Wang,Zexu Shao. Владелец: SmartSens Technology HK Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Embedded light shield structure for cmos image sensor

Номер патента: US20230387158A1. Автор: Shih-Hsun Hsu,Ping-Hao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

High dynamic range CMOS image sensor pixel with reverse biased metal-insulator-metal lateral overflow integration capacitor for reduced image lag

Номер патента: US11765484B1. Автор: Woon Il Choi,Yifei Du. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Shallow trench isolation (sti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210225924A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Ambient light detectors using conventional CMOS image sensor process

Номер патента: TW200840030A. Автор: Xijian Lin,Phillip J Benzel,Joy Jones,Bjoy Santos. Владелец: Intersil Inc. Дата публикации: 2008-10-01.

Cmos image sensor structure with crosstalk improvement

Номер патента: US20170069678A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Back side illuminated photodetector for cmos imaging sensor with photoactive layer in a cavity

Номер патента: EP3655991A1. Автор: Helena Pohjonen,Sami Kallioinen. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-05-27.

CMOS image sensor

Номер патента: US8686482B2. Автор: Yun-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

CMOS image sensor employing silicide exclusion mask to reduce leakage and improve performance

Номер патента: TW440914B. Автор: Richard B Merrill. Владелец: Foveon Inc. Дата публикации: 2001-06-16.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Laser anneal methods to avoid laser anneal boundary effect within BSI CMOS image sensor array

Номер патента: TW201137977A. Автор: Yeur-Luen Tu,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Kai-Chun Hsu,Chung-Chien Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-11-01.

Active pixel having reduced dark current in a CMOS image sensor

Номер патента: US20050062085A1. Автор: Xinping He,Chih-huei Wu,Hongli Yang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2005-03-24.

Local interconnect structure and method for a CMOS image sensor

Номер патента: TW200620548A. Автор: Howard E Rhodes. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2006-06-16.

CMOS image sensor having non-volatile memory

Номер патента: TW527649B. Автор: Xinping He,Tiemin Zhao,Ronald R Foster. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2003-04-11.

Method of manufacturing cmos image sensor

Номер патента: US20140213011A1. Автор: Yun-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

Cmos image sensor

Номер патента: US20110101430A1. Автор: Yun-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

CMOS imager with nitrided gate oxide and method of fabrication

Номер патента: TW200715541A. Автор: jiu-tao Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-16.

CMOS image sensor capable of increasing punch-through voltage and charge integration of photodiode, and method for forming the same

Номер патента: TW531906B. Автор: Jin-Seop Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-05-11.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device

Номер патента: US20110006350A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated structure of MEMS device and CMOS image sensor device

Номер патента: US8134192B2. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-03-13.

CMOS image sensor

Номер патента: TW200303088A. Автор: Masatoshi Kokubun. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-16.

Quantum efficiency enhancement for CMOS imaging sensor with borderless contact

Номер патента: TW200512548A. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu,Jeng-Shyan Lin,Chien-Hsien Tseng,Ho-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-01.

Quantum efficiency enhancement for cmos imaging sensor with borderless contact

Номер патента: TWI297105B. Автор: Dun Nian Yaung,Jeng Shyan Lin,Chien Hsien Tseng,Shou Gwo Wuu,Ho Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-05-21.

CMOS image sensor structure with crosstalk improvement

Номер патента: US09761622B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Volume Chien,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

CMOS image sensor structure

Номер патента: US09691807B2. Автор: Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li-Hsin CHU,Chiao-Chi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

CMOS image sensor structure

Номер патента: US09666619B2. Автор: Yu-Lung Yeh,Yen-Hsiang Hsu,Chien-Chang Huang,Wei-Tung Huang,Chun-Chieh Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

BINARY CMOS IMAGE SENSORS, METHODS OF OPERATING SAME, AND IMAGE PROCESSING SYSTEMS INCLUDING SAME

Номер патента: US20140103192A1. Автор: RYU Je Il,KIM TAE-CHAN,JUNG JU HWAN,Sul Sang-Chul,Min Dong Ki,Park Yoon Dong,Lee Kwang-hyun,JIN Young-Gu,Lee Tae-Yon,Hong Seok Yong,OH TAE-SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-17.

CMOS IMAGE SENSORS WITH PHOTOGATE STRUCTURES AND SENSING TRANSISTORS, OPERATION METHODS THEREOF, AND IMAGE PROCESSING SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140103413A1. Автор: LEE Kwang Hyun,SUL Sang Chul,JUNG JU HWAN,Min Dong Ki,Jin Young Gu,KIM Tae Chan,LEE Tae Yon,Kim Min Ho,OH Tae Seok. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR (CIS) PACKAGE WITH AN IMAGE BUFFER

Номер патента: US20180026067A1. Автор: LEE Hsiao-Wen,HASHIMOTO Kazuaki,Yee Kuo-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

CMOS IMAGE SENSORS WITH PHOTOGATE STRUCTURES AND SENSING TRANSISTORS, OPERATION METHODS THEREOF, AND IMAGE PROCESSING SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160028977A1. Автор: LEE Kwang Hyun,SUL Sang Chul,JUNG JU HWAN,Min Dong Ki,Jin Young Gu,KIM Tae Chan,LEE Tae Yon,Kim Min Ho,OH Tae Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Cmos image sensor and method of operating pixel array by cmos image sensor

Номер патента: US20210084247A1. Автор: Shang-Fu Yeh,Chih-Lin LEE,Chin Yin,Calvin Yi-Ping Chao,Po-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

PIXEL FOR CMOS IMAGE SENSOR AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170179170A1. Автор: LEE Tae Hun,Jeong Hee Geun,CHUNG YOUNG WOO. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and image processing circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189669A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Pixel for CMOS image sensor and image sensor including the same

Номер патента: US10096637B2. Автор: Hee Geun Jeong,Young Woo Chung,Tae Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

CMOS image sensor and image signal detecting method thereof

Номер патента: US7985993B2. Автор: Dong-Soo Kim,Dong-Myung Lee,Gun-hee Han,Seog-Heon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Method for acquiring images using a cmos image sensor

Номер патента: EP3155661B1. Автор: YANG Ni. Владелец: New Imaging Technologies SAS. Дата публикации: 2019-07-31.

Fabricating method of the cmos image sensor and image sensor using the same

Номер патента: KR100678269B1. Автор: 강화영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-02.

CMOS image sensor with pump gate and extremely high conversion gain

Номер патента: US11251215B2. Автор: Eric R. Fossum,Jiaju MA. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2022-02-15.

Techniques to increase CMOS image sensor well depth by cyrogenic ion channeling of ultra high energy ions

Номер патента: US11830739B2. Автор: Hiroyuki Ito,Stanislav S. Todorov,Hans-Joachim L. Gossmann. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Cell deep trench isolation pyramid structures for cmos image sensors

Номер патента: US20220052085A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang,Zhiqiang Lin,Chao Niu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Backside deep trench isolation (bdti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20230361149A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsin-Hung Chen,Shih-Chang Liu,Feng-Chi Hung,Hung-Wen Hsu,Wen-Chang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

CMOS image sensor pixel for high dynamic range capturing

Номер патента: US11830894B2. Автор: Yoshiharu Kudo. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

CMOS image sensor having front side and back side trench isolation structures enclosing pixel regions and a capacitor for storing the image charge

Номер патента: US11984464B2. Автор: Seong Yeol Mun,Yuanliang Liu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

CMOS Image Sensor with Improved Fill-Factor and Reduced Dark Current

Номер патента: US20090230436A1. Автор: Xinqiao Liu. Владелец: Fairchild Imaging Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Techniques to increase cmos image sensor well depth by cryogenic ion channeling of ultra high energy ions

Номер патента: WO2022076143A1. Автор: Hiroyuki Ito,Stanislav S. Todorov,Hans-Joachim L. Gossmann. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-14.

Cmos image sensor with improved fill-factor and reduced dark current

Номер патента: EP2266310A2. Автор: Xinqiao Liu. Владелец: Fairchild Imaging Inc. Дата публикации: 2010-12-29.

Cmos image sensor with improved fill-factor and reduced dark current

Номер патента: WO2009117245A3. Автор: Xinqiao Liu. Владелец: Fairchild Imaging. Дата публикации: 2009-12-17.

Cmos image sensor with improved fill-factor and reduced dark current

Номер патента: WO2009117245A2. Автор: Xinqiao Liu. Владелец: Fairchild Imaging. Дата публикации: 2009-09-24.

SOI-BASED CMOS IMAGERS EMPLOYING FLASH GATE/CHEMISORPTION PROCESSING

Номер патента: US20130140613A1. Автор: Janesick James Robert. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 2013-06-06.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR

Номер патента: US20130320196A1. Автор: HIROSIGE GOTO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

Cmos image sensor

Номер патента: US20140022431A1. Автор: Kay Soon Low,Shoushun Chen,Xinyuan Qian. Владелец: NANYANG INNOVATION AND ENTERPRISE OFFICE. Дата публикации: 2014-01-23.

ISOLATION STRUCTURE FOR SUPPRESSING FLOATING DIFFUSION JUNCTION LEAKAGE IN CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20220013551A1. Автор: MUN Seong Yeol,Liu Yuanliang. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM OBTAINED BY CURING SAME, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, OPTICAL DEVICE PROVIDED WITH CURED FILM, AND BACKSIDE-ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20170010532A1. Автор: Suwa Mitsuhito,Iimori Hirokazu,Hibino Toshiyasu. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2017-01-12.

CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20160013238A1. Автор: Peizerat Arnaud,Boukhayma Assim. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Method for fabricating cmos image sensors and surface treating process thereof

Номер патента: US20160020246A1. Автор: Boon-Tiong Neo,Han-Chuan Fang,Shou-Guo WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

CMOS IMAGE SENSOR WITH PUMP GATE AND EXTREMELY HIGH CONVERSION GAIN

Номер патента: US20170018584A1. Автор: Fossum Eric R.,MA Jiaju. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2017-01-19.

CMOS IMAGE SENSOR HAVING OPTICAL BLOCK AREA

Номер патента: US20150021604A1. Автор: Kim Do Hwan,Lee Won Jun,Lim Su Hwan,DO Young Woong,HAN Hae Wook. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

CMOS IMAGE SENSOR WITH SHARED SENSING NODE

Номер патента: US20140117209A1. Автор: Kwon Oh-Bong. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2014-05-01.

Method for Detecting Depth of Vertical Gate of Transfer Transistor of CMOS Image Sensor

Номер патента: US20220059598A1. Автор: Chen Haoyu,Shao Hua,TIAN Zhi,Li Juanjuan. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2022-02-24.

Global Shutter CMOS Image Sensor and Method for Making the Same

Номер патента: US20220060650A1. Автор: Gu Zhen,Chen Haoyu,Shao Hua,TIAN Zhi. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for reducing crosstalk in cmos image sensor

Номер патента: US20170047373A1. Автор: Wenjie Peng,Minwei Xi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Differential digital double sampling method and cmos image sensor for performing same

Номер патента: US20180070035A1. Автор: Jeroen Rotte,Juul Josephus Johannes Van Den Heijkant,Petrus Gijsbertus Centen. Владелец: GVBB Holdings SARL. Дата публикации: 2018-03-08.

CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20160079291A1. Автор: MOENECLAEY Nicolas,Roux Julien-Marc,Bourgoin Jerome. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

STREAKING-FREE CMOS IMAGE SENSOR WITH ON-GATE DUAL-ELECTRODE PASS TRANSISTOR

Номер патента: US20220139977A1. Автор: Gao Jing,Zhang Yu,Xu Jiangtao,Nie Kaiming. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

BACK SIDE ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSOR ARRAYS

Номер патента: US20180097025A1. Автор: Komori Hirofumi,Bai Jingyi. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

CMOS IMAGE SENSOR ENCAPSULATION MODULE AND METHOD FOR FORMING SAME, AND CAMERA APPARATUS

Номер патента: US20220173151A1. Автор: XIANG Yanghui. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20180108698A1. Автор: Peng Wenjie. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

CMOS IMAGE SENSOR WITH ENHANCED DYNAMIC RANGE

Номер патента: US20160126282A1. Автор: Chung Chih-Ping,Ho Ming-Yu,Chen Min-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Stacked cmos image sensor

Номер патента: US20190123088A1. Автор: Doo-Won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

CMOS IMAGE SENSOR WITH SIGMA-DELTA TYPE ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION

Номер патента: US20160141327A1. Автор: VERDANT Arnaud. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

LOW-NOISE CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20180138226A1. Автор: Peizerat Arnaud. Владелец: Commissariat a I'Energie Atomique et aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2018-05-17.

METHOD AND SYSTEM FOR CMOS IMAGE SENSING DEVICE

Номер патента: US20160156819A1. Автор: Zhu Hong,Yang Jianping. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

CMOS IMAGE SENSOR WITH DUAL DAMASCENE GRID DESIGN HAVING ABSORPTION ENHANCEMENT STRUCTURE

Номер патента: US20180151615A1. Автор: WU Ming-Chi,YEH Yu-Lung,Tu Chien Nan,Wen Chi-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Deep trench spacing isolation for complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensors

Номер патента: US20160163749A1. Автор: Chen-Jong Wang,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Jung-I Lin,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for forming structure for reducing noise in cmos image sensors

Номер патента: US20140252525A1. Автор: Tsung-Yi Lin,Tien-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Cmos image sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20170170224A1. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley,Guan Qie Gao,De Jun Bao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

LOW-LIGHT-LEVEL CMOS IMAGE SENSOR PIXEL

Номер патента: US20200161358A1. Автор: McGrath Robert Daniel,Tobin Stephen P.. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods for Measuring the Full Well Capacity of CMOS Image Sensors

Номер патента: US20140264505A1. Автор: HUNG Ping-Fang,Lu Tse-Hua,Cheng Yu-Kuo,CHIU Po-Chun,Chiu Kai-Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Fluorine Passivation in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20140264507A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lee Mankoo,Barabash Sergey. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

CMOS Image Sensor with Shared Sensing Node

Номер патента: US20180175094A1. Автор: Kwon Oh-Bong. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Cmos image sensor based on thin-film on asic and operating method thereof

Номер патента: US20150189200A1. Автор: HIROSIGE GOTO,Young-Gu Jin,Dong-ki Min,Tae-Chan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-02.

Cmos image sensor

Номер патента: US20160197116A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

CMOS Image Sensors

Номер патента: US20170200759A1. Автор: AHN Jungchak,Ihara Hisanori. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

CMOS Image Sensor Encapsulation Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20190198544A1. Автор: CHENG Tzu-Huan,HUANG Chien-Yao,Liu Hao-Che,Lin Liu-Yuh,Weng Liang-Chih,Wu Chen-Hsin,Liu Chien-Chun,Chiu Leon A.,Wu Sau-Mou,Tai Ti-Hsien,Pan Yu-Hsiang. Владелец: Pioneer Materials Inc. Chengdu. Дата публикации: 2019-06-27.

CMOS Image Sensor Encapsulation Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20190198545A1. Автор: CHENG Tzu-Huan,HUANG Chien-Yao,Liu Hao-Che,Lin Liu-Yuh,Weng Liang-Chih,Wu Chen-Hsin,Liu Chien-Chun,Chiu Leon A.,Wu Sau-Mou,Tai Ti-Hsien,Pan Yu-Hsiang. Владелец: Pioneer Materials Inc. Chengdu. Дата публикации: 2019-06-27.

UNIT PIXEL APPARATUS WITH NOISE REDUCTION FUNCTION, OPERATION METHOD THEREOF, AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20180213168A1. Автор: KIM Tae-Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

CMOS IMAGE SENSOR STRUCTURE

Номер патента: US20160240578A1. Автор: LIU Chia-Wei,WANG Chiao-Chi,TSENG Chung-Chuan,CHU Li-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Cmos image sensor structure

Номер патента: US20170236864A1. Автор: Yu-Lung Yeh,Yen-Hsiang Hsu,Chien-Chang Huang,Wei-Tung Huang,Chun-Chieh Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

CMOS IMAGE SENSOR WITH DUAL DAMASCENE GRID DESIGN HAVING ABSORPTION ENHANCEMENT STRUCTURE

Номер патента: US20180240838A1. Автор: WU Ming-Chi,YEH Yu-Lung,Tu Chien Nan,Wen Chi-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

CMOS IMAGE SENSOR WITH BACKSIDE BIASED SUBSTRATE

Номер патента: US20150263058A1. Автор: Konstantin Stefanov. Владелец: E2V Technologies (UK) Limited. Дата публикации: 2015-09-17.

Full-PDAF (phase detection autofocus) CMOS image sensor structures

Номер патента: US09893111B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Chien-Hsien Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Universal four-side buttable digital CMOS imager

Номер патента: US09571765B2. Автор: Jonathan David Short,Brian David Yanoff,Jianjun Guo,Biju Jacob. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-02-14.

CMOS image sensor

Номер патента: US20070087467A1. Автор: Fu-Tien Wong,Hung-Jen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

CMOS image sensor with a reduced likelihood of an induced electric field in the epitaxial layer

Номер патента: US09923003B2. Автор: Onur Can Akkaya,Cyrus Bamji,Swati Mehta,Vei-Han Chan,William Qian,Tamer Elkhatib. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Backside illuminated (BSI) CMOS image sensor (CIS) with a resonant cavity and a method for manufacturing the BSI CIS

Номер патента: US09865640B2. Автор: Amos Fenigstein,Assaf Lahav. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Cmos image sensor

Номер патента: US20240006425A1. Автор: CHUN-WEI Chia,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Ming-Hsien Yang,Wei-Chih Weng,Chun-Liang Lu,Cheng-Hao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

High dynamic range split pixel cmos image sensor with low color crosstalk

Номер патента: US20210358993A1. Автор: Duli Mao,Vincent Venezia,Keiji Mabuchi,Bill Phan,Seong Yeol Mun,Yuanliang Liu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

METHOD FOR OBTAINING A COMPOSITE IMAGE USING ROTATIONALLY SYMMETRICAL WIDE-ANGLE LENSES, IMAGING SYSTEM FOR SAME, AND CMOS IMAGE SENSOR FOR IMAGE-PROCESSING USING HARDWARE

Номер патента: US20150195471A1. Автор: Kweon Gyeong-il. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

High dynamic range cmos image sensor design

Номер патента: US20210377435A1. Автор: Keiji Mabuchi,Tiejun Dai,Zhe GAO. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Vertical gate structure and layout in a cmos image sensor

Номер патента: US20210118925A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Hybrid output multiplexer for a high framerate cmos imager

Номер патента: CA3069947A1. Автор: Jeroen Rotte,Juul Josephus Johannes Van Den Heijkant,Rik VISSER. Владелец: GVBB Holdings SARL. Дата публикации: 2021-07-24.

Embedded light shield structure for CMOS image sensor

Номер патента: US12021099B2. Автор: Shih-Hsun Hsu,Ping-Hao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method to Form a CMOS Image Sensor

Номер патента: US20140061738A1. Автор: JHY-JYI SZE,Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Jiech-Fun Lu,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo,Chung Chien Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Stacked die cmos image sensor

Номер патента: EP3726832B1. Автор: Chen Feng,Edward C. Bremer,Tao Xian,Paul Poloniewicz,Sean Philip Kearney,Patrick Anthony Giordano. Владелец: HAND HELD PRODUCTS INC. Дата публикации: 2024-02-07.

Method of damage-free impurity doping for CMOS image sensors

Номер патента: TW201218365A. Автор: Vincent Venezia,Hsin-Chih Tai,Keh-Chiang Ku,Chia-Ying Liu. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of damage-free impurity doping for cmos image sensors cmos

Номер патента: HK1170844A1. Автор: 戴幸志,顧克強,劉家穎,．韋內齊亞. Владелец: 美商豪威科技股份有限公司. Дата публикации: 2013-03-08.

Method for fabricating CMOS image sensor with plasma damage-free photodiode

Номер патента: TW200746408A. Автор: Han-Seob Cha. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-12-16.

Method for fabricating cmos image sensor with plasma damage-free photodiode

Номер патента: TWI336521B. Автор: Han-Seob Cha. Владелец: Crosstek Capital LLC. Дата публикации: 2011-01-21.

Opimized floating P+ region photodiode for a CMOS image sensor

Номер патента: TW471174B. Автор: Da-Tong Chen,Xin-Ping He,Tie-Min Zhao. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2002-01-01.

Minimum height cmos image sensor

Номер патента: EP3261335B1. Автор: Chen Feng,Edward C. Bremer,Tao Xian,Paul Poloniewicz,Sean Philip Kearney,Patrick Anthony Giordano. Владелец: HAND HELD PRODUCTS INC. Дата публикации: 2020-05-20.

CMOS image sensor structure with crosstalk improvement

Номер патента: US09786704B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

CMOS image sensors and methods for forming the same

Номер патента: US09559244B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

METHOD FOR MAKING CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING STACKED SEMICONDUCTOR CHIPS AND IMAGE PROCESSING CIRCUITRY INCLUDING A SUPERLATTICE

Номер патента: US20190189657A1. Автор: Takeuchi Hideki,Chen Yi-Ann,Husain Abid. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

CMOS IMAGE SENSOR WITH MULTIPLE SENSITIVITIES FOR HIGH DYNAMIC RANGE IMAGING AND LED FLICKER MITIGATION

Номер патента: US20220352224A1. Автор: Mao Duli,LIN Zhiqiang,Liu Chengming,Jiang Lingtao. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

CMOS image sensor with different pixel sizes for different colors

Номер патента: US6137100A. Автор: Eric R. Fossum,Michael Kaplinsky. Владелец: Photobit Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Stacked transparent-dual-channel thin-film transistor-based pixels for cmos image sensors

Номер патента: WO2008027392A2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

Pixel of cmos image sensor and method for forming the pixel structure of cmos image sensor

Номер патента: KR100825806B1. Автор: 박종은,육근찬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-29.

SIGMA-DELTA TYPE ANALOGUE-DIGITAL CONVERSION CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: FR3028702A1. Автор: Arnaud Verdant. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-05-20.

Image sensor and method to reduce dark current of cmos image sensor

Номер патента: US20090219418A1. Автор: Hiroaki Fujita. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2009-09-03.

CMOS Image Sensors with Per-Pixel Micro-Lens Arrays

Номер патента: US20220293660A1. Автор: Michael GUIDASH,Jiaju MA. Владелец: Gigajot Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Backside illumination cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130320472A1. Автор: Han Choon Lee,Jong Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-12-05.

Pixel of a multi-stacked cmos image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120193689A1. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for reducing contact resistance of cmos image sensor

Номер патента: US20120288982A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Kuan-Chieh Huang,Chih-Jen WU,Chen-Ming Huang,An-Chun Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Anti-reflection structures for cmos image sensors

Номер патента: US20130161777A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Charles F. Musante. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

CMOS IMAGE SENSOR AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130168533A1. Автор: Han Gunhee,Lee Dongmyung,Cheon Ji Min,Chang Eunsoo. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

BACKSIDE ILLUMINATION CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130320472A1. Автор: HWANG Jong Taek,LEE Han Choon. Владелец: Dongbu HiTek Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

STRESS ENGINEERING TO REDUCE DARK CURRENT OF CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20140001523A1. Автор: WUU SHOU-GWO,HSIAO Ru-Shang,CHENG Nai-Wen,LIN Chung-Te,TSENG Chien-Hsien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-02.

CMOS Image Sensor Chips with Stacked Scheme and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140042298A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Meng-Hsun Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

CMOS IMAGE SENSOR HAVING ENHANCED NEAR INFRARED QUANTUM EFFICIENCY AND MODULATION TRANSFER FUNCTION

Номер патента: US20190019832A1. Автор: LIN Zhiqiang,Lu Chen-Wei,Zhao Cheng,Yang Cunyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

CELL DEEP TRENCH ISOLATION PYRAMID STRUCTURES FOR CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20220052085A1. Автор: Chen Gang,Zang Hui,LIN Zhiqiang,Niu Chao. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Backside Illuminated CMOS Image Sensor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190051689A1. Автор: Han Chang-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

VERTICAL TRANSFER GATE STRUCTURE FOR A BACK-SIDE ILLUMINATION (BSI) COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR USING GLOBAL SHUTTER CAPTURE

Номер патента: US20170053955A1. Автор: SZE JHY-JYI,Kalnitsky Alexander,Huang Yimin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

CMOS IMAGE SENSOR HAVING INDENTED PHOTODIODE STRUCTURE

Номер патента: US20220077206A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,Huang Hsun-Ying,Lin Yen-Liang,LEE Kuo-Cheng,WEI Chia-Yu,Lin Ping-Hao,Kao Yu Ting. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

VERTICAL TRANSFER GATE TRANSISTOR AND ACTIVE CMOS IMAGE SENSOR PIXEL INCLUDING A VERTICAL TRANSFER GATE TRANSISTOR

Номер патента: US20180061875A1. Автор: Roy Francois. Владелец: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS. Дата публикации: 2018-03-01.

SUCCESSIVE APPROXIMATION REGISTER ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER, CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180061881A1. Автор: KIM Tae-Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

MULTIPLE DEEP TRENCH ISOLATION (MDTI) STRUCTURE FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20200058685A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Ching-Chun,Chiang Yen-Ting,Wu Wei Chuang,Chen Chun-Yuan,Hong Shen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

MULTIPLE DEEP TRENCH ISOLATION (MDTI) STRUCTURE FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20200058686A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Ching-Chun,Chiang Yen-Ting,Wu Wei Chuang,Chen Chun-Yuan,Hong Shen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

CMOS IMAGE SENSOR HAVING INDENTED PHOTODIODE STRUCTURE

Номер патента: US20200058689A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,Huang Hsun-Ying,Lin Yen-Liang,LEE Kuo-Cheng,WEI Chia-Yu,Lin Ping-Hao,Kao Yu Ting. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

EMBEDDED LIGHT SHIELD STRUCTURE FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20210098519A1. Автор: Hsu Shih-Hsun,Lin Ping-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

CMOS IMAGE SENSOR WITH GLOBAL SHUTTER, ROLLING SHUTTER, AND A VARIABLE CONVERSION GAIN, HAVING PIXELS EMPLOYING SEVERAL BCMD TRANSISTORS COUPLED TO A SINGLE PHOTODIODE AND DUAL GATE BCMD TRANSISTORS FOR CHARGE STORAGE AND SENSING

Номер патента: US20150115332A1. Автор: Hynecek Jaroslav,ZHAO Xia,Li Xiangli,Wan Chung Chun,Komori Hirofumi,Agranov Gennadiy. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2015-04-30.

MANUFACTURING METHOD OF BACK ILLUMINATION CMOS IMAGE SENSOR DEVICE USING WAFER BONDING

Номер патента: US20160118437A1. Автор: Maekawa Kazuyoshi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-28.

CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140197464A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-17.

CMOS Image Sensor White Pixel Performance

Номер патента: US20140206127A1. Автор: HUANG Yi-Lii,Fan Ming-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-24.

LATCH CIRCUIT, DOUBLE DATA RATE RING COUNTER BASED ON THE LATCH CIRCUIT, HYBRID COUNTING DEVICE, ANALOG-DIGITAL CONVERTING DEVICE, AND CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20170133418A1. Автор: HWANG Won-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (CMOS) IMAGE SENSOR WITH SILICON AND SILICON GERMANIUM

Номер патента: US20170141153A1. Автор: SZE JHY-JYI,Lee Yueh-Chuan,CHEN Chia-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20220293645A1. Автор: LEE Kyungho,CHOI Sung-Ho,YUN Jung Bin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-15.

CMOS Image Sensors with Per-Pixel Micro-Lens Arrays

Номер патента: US20220293660A1. Автор: Guidash Michael,MA Jiaju. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Back-side Illumination CMOS Image Sensor and Forming Method Thereof

Номер патента: US20190157332A1. Автор: HUANG Xiaolu,Li Tianhui,LONG Haifeng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

CMOS Image Sensors and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140248734A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

METHOD OF MANUFACTURING CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20160172418A1. Автор: KIM Sang Hoon,JUNG Sang Il. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

MULTIPLE DEEP TRENCH ISOLATION (MDTI) STRUCTURE FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20190165009A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Ching-Chun,Chiang Yen-Ting,Wu Wei Chuang,Chen Chun-Yuan,Hong Shen-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20200168644A1. Автор: LEE Kyungho,CHOI Sung-Ho,YUN Jung Bin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-28.

Methods and Apparatus for Glass Removal in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20160197115A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Chen Pao-Tung. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

CMOS IMAGE SENSOR WITH BURIED SUPERLATTICE LAYER TO REDUCE CROSSTALK

Номер патента: US20190189652A1. Автор: Takeuchi Hideki,Chen Yi-Ann,Husain Abid. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

METHOD FOR MAKING CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING STACKED SEMICONDUCTOR CHIPS AND READOUT CIRCUITRY INCLUDING A SUPERLATTICE

Номер патента: US20190189655A1. Автор: Takeuchi Hideki,Chen Yi-Ann,Husain Abid. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING PIXELS WITH READ CIRCUITRY HAVING A SUPERLATTICE

Номер патента: US20190189658A1. Автор: Takeuchi Hideki,Chen Yi-Ann,Husain Abid. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING STACKED SEMICONDUCTOR CHIPS AND READOUT CIRCUITRY INCLUDING A SUPERLATTICE

Номер патента: US20190189665A1. Автор: Takeuchi Hideki,Chen Yi-Ann,Husain Abid. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

METHOD FOR MAKING CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING PIXELS WITH READ CIRCUITRY HAVING A SUPERLATTICE

Номер патента: US20190189670A1. Автор: Takeuchi Hideki,Chen Yi-Ann,Husain Abid. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

METHOD FOR MAKING CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING PHOTODIODES WITH OVERLYING SUPERLATTICES TO REDUCE CROSSTALK

Номер патента: US20190189676A1. Автор: Takeuchi Hideki,Chen Yi-Ann,Husain Abid. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

METHOD FOR MAKING CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING SUPERLATTICE TO ENHANCE INFRARED LIGHT ABSORPTION

Номер патента: US20190189677A1. Автор: Hytha Marek,Mears Robert J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

METHOD FOR MAKING CMOS IMAGE SENSOR WITH BURIED SUPERLATTICE LAYER TO REDUCE CROSSTALK

Номер патента: US20190189817A1. Автор: Takeuchi Hideki,Chen Yi-Ann,Husain Abid. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING PHOTODIODES WITH OVERLYING SUPERLATTICES TO REDUCE CROSSTALK

Номер патента: US20190189818A1. Автор: Takeuchi Hideki,Chen Yi-Ann,Husain Abid. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20170207259A1. Автор: LEE Kyungho,CHOI Sung-Ho,YUN Jung Bin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-20.

METHOD OF MANUFACTURING A CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20170207270A1. Автор: CHEN FUGANG,Chen Wenlei,Ru Jie. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

CMOS IMAGE SENSOR (CIS) INCLUDING MRAM (MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY)

Номер патента: US20180204867A1. Автор: Kim Dae-Shik,KOH Gwan-hyeob. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

METHOD FOR INHIBITING THE ELECTRIC CROSSTALK OF BACK ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140302630A1. Автор: TIAN Zhi,JIN QiuMin. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-09.

BACKSIDE ILLUMINATED (BSI) CMOS IMAGE SENSOR (CIS) WITH A RESONANT CAVITY AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE BSI CIS

Номер патента: US20170221941A1. Автор: Lahav Assaf,Fenigstein Amos. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Gate-controlled Charge Modulated Device for CMOS Image Sensors

Номер патента: US20190221595A1. Автор: Lee Jae Hyung,Kim Youngsik,Jung Woo-Shik,Na Yeul. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

CMOS Image Sensors Including Vertical Transistor and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150243693A1. Автор: AHN Jung-Chak,JEONG HEE-GEUN,Lee Kyung-Ho,OH Young-sun. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Pixel of a CMOS Imager of an Optical Detector

Номер патента: US20160241801A1. Автор: Philippe Bois,Eric Belhaire,Jean-Luc Raymond REVERCHON. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2016-08-18.

BSI CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140339615A1. Автор: HSIAO YU-KUN,TU Zong-Ru,Chang Chih-Kung,WANG Wei-Ko,LIN Chi-Han. Владелец: ViaEra Technologies Company Limited. Дата публикации: 2014-11-20.

CMOS Image Sensors and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150263214A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Hsu Tzu-Hsuan,Chuang Chun-Chieh,Tseng Hsiao-Hui,Kao Min-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

RAMP SIGNAL GENERATOR AND CMOS IMAGE SENSOR HAVING THE SAME

Номер патента: US20150264284A1. Автор: YOO Si-Wook. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Single-Poly Floating Gate Solid State Direct Radiation Sensor Using STI Dielectric And Isolated PWells

Номер патента: US20150162369A1. Автор: Roizin Yakov,Pikhay Evgeny,Dayan Vladislav,Gutman Micha. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2015-06-11.

CMOS image sensor with on-chip pattern recognition

Номер патента: EP1309009B1. Автор: Raymond c/o Omnivision Technologies Inc. Wu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Image sensor and cmos image sensor

Номер патента: US20090315086A1. Автор: Kaori Misawa,Mamoru Arimoto,Ryu Shimizu,Hayato Nakashima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Electron multiplication cmos imager

Номер патента: EP2198463A1. Автор: John Robertson Tower,James Tynan Andrews. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: US12068350B2. Автор: Junetaeg LEE,Seokha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Anti-resonant reflecting optical waveguide for cmos imager light pipe

Номер патента: WO2009067439A1. Автор: Hong-Wei Lee. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2009-05-28.

Novel invention for reducing dark current of CMOS image sensor with new structure

Номер патента: US20030153113A1. Автор: Chien-Ling Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for reading out multiple SRAM blocks with different column sizing in stitched CMOS image senor

Номер патента: US09754989B2. Автор: Steven Huang,Sam Bagwell,Jonathan Bergey,Loc Truong,Christophe Ca Basset. Владелец: Forza Silicon Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Hybrid cmos image sensor with event driven sensing

Номер патента: US20210344867A1. Автор: Tiejun Dai,Zhe GAO. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

4t cmos image sensor with floating diffusion gate capacitor

Номер патента: WO2005011260A1. Автор: Sungkwon Chris Hong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-02-03.

Method for obtaining a composite image using rotationally symmetrical wide-angle lenses, imaging system for same, and cmos image sensor for image-processing

Номер патента: GB201202062D0. Автор: . Владелец: Nanophotonics Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-21.

Flat pad structure for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor processes

Номер патента: US09536810B1. Автор: Ming-Tsong Wang,Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Hsiao-Hui Tseng,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

CMOS image sensor and method for driving a CMOS image sensor with increased dynamic range

Номер патента: EP1265291A1. Автор: Joachim Grupp,Elko Doering. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2002-12-11.

Unit pixel of cmos image sensor having asymmetric reset transistor

Номер патента: WO2006112626A1. Автор: Dae Sung Min. Владелец: Pixelplus Co., Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

CMOS IMAGE DETECTOR, PHOTODIODE FOR SUCH A DETECTOR, AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME AND PHOTODIODE

Номер патента: FR2775541A1. Автор: Woodward Yang,Ju Il Lee,Nan Yi Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-03.

Image sensor and cmos image sensor

Номер патента: US20090152605A1. Автор: Tatsushi Ohyama,Mamoru Arimoto,Ryu Shimizu,Yugo Nose,Toshikazu OHNO. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

CCD and CMOS image pickup module

Номер патента: US20020097453A1. Автор: Wen-Ching Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Cmos imager frame capture

Номер патента: AU2001242157A1. Автор: John Scott-Thomas,Alain Rivard,Paul Hua. Владелец: Symagery Microsystems Inc. Дата публикации: 2001-09-24.

CMOS image sensor outputting signal data before reset data and method for driving the same

Номер патента: TW506217B. Автор: Seo Kyu Lee. Владелец: Pixelplus Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-11.

Electron multiplication cmos imager

Номер патента: EP2198463A4. Автор: John Robertson Tower,James Tynan Andrews. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2011-08-10.

Cmos image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: TW200610141A. Автор: Dong-Heon Cho. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

CMOS image sensor with on-chip pattern recognition

Номер патента: TW200302573A. Автор: Raymond Wu. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2003-08-01.

CMOS image sensor with on-chip pattern recognition

Номер патента: TW578302B. Автор: Raymond Wu. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2004-03-01.

CMOS image sensor with substrate noise barrier

Номер патента: TW200511510A. Автор: Lixin Zhao. Владелец: Lixin Zhao. Дата публикации: 2005-03-16.

Test pattern of CMOS image sensor and method of measuring process management using the same

Номер патента: US20070080347A1. Автор: Eun CHO,Kee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

CMOS image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: TW512525B. Автор: Kyung-Lak Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-01.

Methods for measuring the full well capacity of CMOS image sensors

Номер патента: US09543222B2. Автор: Tse-Hua LU,Ping-Fang Hung,Yu-Kuo Cheng,Kai-Ling Chiu,Po-Chun Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

High resolution high quantum efficiency electron bombarded CCD or CMOS imaging sensor

Номер патента: US09460886B2. Автор: John Fielden,Stephen Biellak,Ximan Jiang. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

CMOS imager structures

Номер патента: GB2465607A. Автор: Ewan Findlay,Colin Mcgarry. Владелец: STMicroelectronics Ltd Great Britain. Дата публикации: 2010-05-26.

PIXEL FOR CMOS IMAGE SENSOR AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160086985A1. Автор: LEE Tae Hun,Jeong Hee Geun,CHUNG YOUNG WOO. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Unit pixel, pixel array of cmos image sensor and cmos image sensor having the same

Номер патента: KR100682829B1. Автор: 최성호,김영찬,공해경,김이태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-15.

CMOS image sensor and image data processing method thereof

Номер патента: KR100864179B1. Автор: 박광수,김상진,정민재,훈 김,조영창. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2008-10-17.

A kind of cmos image sensor and image processing method, storage medium

Номер патента: CN110379824A. Автор: 杨鑫. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2019-10-25.

Image pixel of cmos image sensor

Номер патента: KR100705005B1. Автор: 강신재,박득희,고주열,최원태. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-04-09.

Dual gate BCMD pixel suitable for high performance CMOS image sensor arrays

Номер патента: US6882022B2. Автор: Jaroslav Hynecek. Владелец: Isetex Inc. Дата публикации: 2005-04-19.

Image pixel of cmos image sensor

Номер патента: TWI295849B. Автор: Joo Yul Ko,Deuk Hee Park,Won Tae Choi,Shin Jae Kang. Владелец: Samsung Electro Mech. Дата публикации: 2008-04-11.

The cmos image sensor and its manufacture method of infrared image element including the spectral characteristic with raising

Номер патента: CN104871527B. Автор: 李道永,李源镐,元俊镐. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

CMOS image sensor and image data processing method thereof

Номер патента: KR100864180B1. Автор: 박광수,김상진,정민재,훈 김,조영창. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2008-10-17.

Photodiode for CMOS image sensor, method for manufacturing the same, and method for manufacturing the image sensor

Номер патента: JP4390896B2. Автор: ウードワード ヤン,柱 日 李,蘭 伊 李. Владелец: クロステック・キャピタル，リミテッド・ライアビリティ・カンパニー. Дата публикации: 2009-12-24.

Process for making a CMOS image sensor

Номер патента: US20050151055A1. Автор: James Lavine. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-07-14.

Cmos image sensor pixel using a photodiode

Номер патента: EP2014084A1. Автор: Weize Xu. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2009-01-14.

Cmos image sensor pixel using a photodiode

Номер патента: WO2007133380A1. Автор: Weize Xu. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2007-11-22.

Flat pad structure for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor processes

Номер патента: US20160365378A1. Автор: Ming-Tsong Wang,Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Hsiao-Hui Tseng,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Charged particle collector for a cmos imager

Номер патента: US20120012958A1. Автор: John Richard Troxell,William J. Baney,Dan Wesley Chilcott. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises LLC. Дата публикации: 2012-01-19.

Cmos image sensor having wide dynamic range and sensing method thereof

Номер патента: US20120033118A1. Автор: Jawoong Lee,Jun Hee Cho,Jong Beom Choi. Владелец: ZEEANN CO Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of implanting impurities and method of manufacturing a complementary metal oxide semiconductor (cmos) image sensor using the same

Номер патента: US20120252155A1. Автор: Sang-jun Choi,Eun-Kyung Park,Jong-Cheol Shin,Duck-Hyung Lee,June-mo Koo,Yu-Jin Ahn,Sun-E Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-04.

CMOS Image Sensor, Timing Control Method and Exposure Method Thereof

Номер патента: US20130076952A1. Автор: Wu Di,Zhou Kun,Shi Danwei. Владелец: SHENZHEN TAISHAN ONLINE TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-03-28.

UTBB CMOS IMAGER

Номер патента: US20130113066A1. Автор: Grenouillet Laurent,Vinet Maud. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2013-05-09.

CMOS Image Sensor Big Via Bonding Pad Application for AICu Process

Номер патента: US20130134543A1. Автор: Lin Yu-Ting,Tseng Uway,Wu Lin-June. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

Quantum Efficiency Back Side Illuminated CMOS Image Sensor And Package, And Method Of Making Same

Номер патента: US20130249031A1. Автор: Oganesian Vage. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

ANTI-REFLECTIVE LAYER FOR BACKSIDE ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20130270663A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,TSAI Cheng-Yuan,Tu Yeur-Luen,Wu Cheng-Ta,Lin Hsing-Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-17.

Methods and Apparatus for Glass Removal in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20130277785A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Chen Pao-Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for Reading Out Multiple SRAM Blocks With Different Column Sizing In Stitched CMOS Image Senor

Номер патента: US20130334401A1. Автор: Huang Steven,Bergey Jonathan,Bagwell Sam,Truong Loc,Basset Christophe Ca. Владелец: FORZA SILICON CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-19.

Cmos image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20140008708A1. Автор: Youn-Sub Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-09.

Novel CMOS Image Sensor Structure

Номер патента: US20140035013A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Wen-De,Chuang Chun-Chieh,Kao Min-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-06.

CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20150001663A1. Автор: GOTO Hirosige,Kim Sae-Young,LEE MYUNGWON,SUL SANGCHUL,LEE KANG-SU,LEE GWIDEOKRYAN,ISHII MASARU. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

CMOS IMAGE SENSOR WITH PIXEL POWER SUPPLY NOISE SUPPRESSION CIRCUIT

Номер патента: US20220014693A1. Автор: LI Yue,CHEN PENG,Mo Yaowu,Ren Guanjing,Hou Jinjian. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

CMOS IMAGE SENSORS WITH FEATURE EXTRACTION

Номер патента: US20140118592A1. Автор: Yoon Euisik,CHOI Jaehyuk. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD FOR FORMING AN INSULATING TRENCH IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND STRUCTURE, ESPECIALLY CMOS IMAGE SENSOR, OBTAINED BY SAID METHOD

Номер патента: US20140145251A1. Автор: Roy Francois,Favennec Laurent,Tournier Arnaud. Владелец: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS. Дата публикации: 2014-05-29.

CMOS IMAGE SENSOR STRUCTURE WITH CROSSTALK IMPROVEMENT

Номер патента: US20170069678A1. Автор: Tsai Tsung-Han,CHIEN Volume,CHENG Yun-Wei,CHOU Chun-Hao,LEE Kuo-Cheng,Hsu Yung-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

CORE-SHELL COMPOUND, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION INCLUDING THE SAME, PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER, COLOR FILTER AND CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20220100085A1. Автор: Lee Young,YU Arum,KIM Sundae,LEE Jungsun,KIM Ieju,YANG Yeji,KO Chaehyuk,CHO Myungho,FENG Xinhui. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

PIXEL STRUCTURES OF CMOS IMAGING SENSORS AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20150091065A1. Автор: WEI Yan,SONG HUALONG,MA YANCHUN. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

HIGH-SPEED DATA READOUT APPARATUS AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20200082853A1. Автор: Shin Min-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

CMOS IMAGE SENSOR FOR REDUCING DEAD ZONE

Номер патента: US20160099267A1. Автор: LEE Kyung Ho,Ahn Jung Chak,LEE Tae Hun,Park Jong Eun,LEE Seung Wook,Jeong Hee Geun,KIM YI TAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-07.

Fully Differential Output Swing for Analog Array Based Charge Mode Readout used in a CMOS Image Sensor

Номер патента: US20160099269A1. Автор: Huang Steven. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Gate-controlled Charge Modulated Device for CMOS Image Sensors

Номер патента: US20160099372A1. Автор: Lee Jae Hyung,Kim Youngsik,Jung Woo-Shik,Na Yeul. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Cmos image sensor with dual floating diffusions per pixel for flicker-free detection of light emitting diodes

Номер патента: US20180098008A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Trygve Willassen,Sohei Manabe,Keiji Mabuchi,Dyson H. Tai,Johannes Solhusvik,Bill Phan,Zhiqiang Lin,Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

CMOS IMAGE SENSOR WITH MULTIPLE STAGE TRANSFER GATE

Номер патента: US20200099878A1. Автор: Chen Gang,Mao Duli,Grant Lindsay,Tai Dyson. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-03-26.

METHOD OF MANUFACTURING CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140213011A1. Автор: LEE Yun-Ki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-31.

CMOS Image Sensor

Номер патента: US20140217516A1. Автор: LEE Won-Ho. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2014-08-07.

CMOS IMAGE SENSOR WITH SHALLOW TRENCH EDGE DOPING

Номер патента: US20190131331A1. Автор: Lee Yueh-Chuan,CHEN Chia-Chan. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

METHODS AND APPARATUS FOR SUPPRESSING CROSS TALK IN CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20140239361A1. Автор: Ma Rice. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2014-08-28.

CMOS Image Sensors Including Vertical Transistor

Номер патента: US20170207264A1. Автор: AHN Jung-Chak,JEONG HEE-GEUN,Lee Kyung-Ho,OH Young-sun. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

CMOS IMAGE SENSOR WITH RESET SHIELD LINE

Номер патента: US20140299925A1. Автор: Manabe Sohei. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-10-09.

PIXEL STRUCTURES OF CMOS IMAGING SENSORS

Номер патента: US20150221686A1. Автор: WEI Yan,SONG HUALONG,MA YANCHUN. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

CMOS IMAGE SENSOR STRUCTURE WITH CROSSTALK IMPROVEMENT

Номер патента: US20160225810A1. Автор: Yang Szu-Hung,HSU Chun-Yuan,CHANG Hung-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

BSI CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140339606A1. Автор: HSIAO YU-KUN,TU Zong-Ru,Chang Chih-Kung,LIN Chi-Han. Владелец: VisEra Technologies Company Limited. Дата публикации: 2014-11-20.

Methods for Measuring the Full Well Capacity of CMOS Image Sensors

Номер патента: US20150262891A1. Автор: HUNG Ping-Fang,Lu Tse-Hua,Cheng Yu-Kuo,CHIU Po-Chun,Chiu Kai-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Color cmos image sensor with diffractive microlenses over subpixel photodiode arrays adapted for autofocus

Номер патента: US20220239840A1. Автор: Victor Lenchenkov,Andreas Suess. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Interlace overlap pixel design for high sensitivity CMOS image sensors

Номер патента: TW496079B. Автор: David Wayne,Sywe N Lee. Владелец: Taiwan Advanced Sensors Corp. Дата публикации: 2002-07-21.

Comparator for low-banding noise and cmos image sensor including the same

Номер патента: US20190035834A1. Автор: Tae-hoon Kim,Hyeon-June Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Single-poly EEPROM cell with lightly doped MOS capacitors

Номер патента: EP1760786A3. Автор: Gary R. Gardner,James E Riekels,Bradley J. Larsen,Thomas B. Lucking. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

PMOS flash EEPROM cell with single poly

Номер патента: US5736764A. Автор: Shang-De Ted Chang. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

PMOS flash EEPROM cell with single poly

Номер патента: US5841165A. Автор: Shang-De Ted Chang,Jayson Giai Trinh. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-11-24.

Self-illuminating CMOS imaging package

Номер патента: US09538909B2. Автор: Junzhao Lei,Guannho G. Tsau. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit embedded with single-poly non-volatile memory

Номер патента: US6920067B2. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-19.

SINGLE-POLY NONVOLATILE MEMORY CELL STRUCTURE HAVING AN ERASE DEVICE

Номер патента: US20170207230A1. Автор: Sun Wein-Town,Chen Wei-Ren,Chen Ying-Je. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Single poly eeprom and method for manufacturing threrof

Номер патента: KR100667215B1. Автор: 김영석,나기열. Владелец: 충청북도. Дата публикации: 2007-01-12.

Flash erasable single poly eprom device

Номер патента: GB9309814D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-06-23.

A flash erasable single poly eprom device

Номер патента: SG42988A1. Автор: Stephen F Sullivan,Neal R Mielke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-10-17.

A flash erasable single poly eprom device

Номер патента: HK178096A. Автор: Stephen F Sullivan,Neal R Mielke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-10-04.

A flash erasable single poly eprom device

Номер патента: GB2268330B. Автор: Stephen F Sullivan,Neal R Mielke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-05-08.

Self-illuminating cmos imaging package

Номер патента: HK1210000A1. Автор: Junzhao Lei,Guannho G Tsau. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2016-04-15.

Single-poly nonvolatile memory cells

Номер патента: US20170236829A1. Автор: Nam Yoon Kim,Kwang Il Choi,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Single poly EEPROM device

Номер патента: US09406382B2. Автор: Young-Hee Kim. Владелец: Industry Academy Cooperation Foundation of Changwon National University. Дата публикации: 2016-08-02.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049463A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230053444A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11825650B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Single-poly nonvolatile memory cell

Номер патента: US20160079251A1. Автор: Yi-Hung Li,Yen-Hsin Lai,Shih-Chan Huang,Ming-Shan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Single poly nonvolatile memory cells, arrays thereof, and methods of operating the same

Номер патента: US09935117B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Single poly nonvolatile memory cells, arrays thereof, and methods of operating the same

Номер патента: US09659951B1. Автор: Jeong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Single-poly nonvolatile memory cell

Номер патента: US09640259B2. Автор: Yi-Hung Li,Yen-Hsin Lai,Shih-Chan Huang,Ming-Shan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with single poly non-volatile memory device and manufacturing method

Номер патента: US11856769B2. Автор: Su Jin Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Single poly EPROM device with double control gates to prevent unintentionally charging/discharging

Номер патента: US7436701B2. Автор: Ralph Oberhuber. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

PMOS single-poly non-volatile memory structure

Номер патента: US5761121A. Автор: Shang-De Ted Chang. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Single poly type eeprom and method for manufacturing the eeprom

Номер патента: KR20090070344A. Автор: 남상우. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-07-01.

Low voltage single-poly flash memory cell and array

Номер патента: US6750504B2. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

Single-poly nonvolatile memory device

Номер патента: US20170110467A1. Автор: Kuan-Hsun Chen,Ming-Shan Lo,ting-ting Su. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Single-poly eprom device and method of manufacturing

Номер патента: WO2007025956A1. Автор: Reiner Jumpertz,Ralph Oberhuber. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2007-03-08.

Single-poly eprom device and method of manufacturing

Номер патента: EP1935016A1. Автор: Reiner Jumpertz,Ralph Oberhuber. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2008-06-25.

Hd color imaging using monochromatic cmos image sensors integrated in 3d package

Номер патента: WO2017059288A1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Guilian Gao,Arkalguid R. SITARAM. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2017-04-06.

Split polysilicon process in CMOS image integrated circuit

Номер патента: US6107211A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Core-shell compound, photosensitive resin composition including the same, photosensitive resin layer, color filter and CMOS image sensor

Номер патента: US11827793B2. Автор: Young Lee,Sundae KIM,Yeji Yang,Chaehyuk Ko,Ieju Kim,Arum Yu,Myungho Cho,Xinhui Feng. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Compound, photosensitive resin composition comprising same, photosensitive resin film, color filter and cmos image sensor

Номер патента: US20230374312A1. Автор: Sundae KIM,Chang-Hyun KWON,Baek Soung Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated snubber in a single poly MOSFET

Номер патента: US09685435B2. Автор: Ji Pan,Sik Lui. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-06-20.

INTEGRATED SNUBBER IN A SINGLE POLY MOSFET

Номер патента: US20160118380A1. Автор: Lui Sik,Pan Ji. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

INTEGRATED SNUBBER IN A SINGLE POLY MOSFET

Номер патента: US20140252494A1. Автор: Lui Sik,Pan Ji. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

SINGLE-POLY NONVOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20170236829A1. Автор: PARK Sung Kun,Kim Nam Yoon,Choi Kwang Il. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Single poly non-volatile memory cell, memory cell array, and methods of operating the same

Номер патента: KR102463920B1. Автор: 김정훈. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-11-07.

Integrated snubber in a single poly MOSFET

Номер патента: US9230957B2. Автор: Ji Pan,Sik Lui. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-01-05.

Fabrication process for Schottky barrier diodes on a single poly bipolar process

Номер патента: US5298437A. Автор: Brian Mcfarlane,Frank Marazita,John E. Readdie. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

SINGLE POLY ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (SINGLE POLY EEPROM) DEVICE

Номер патента: US20130234229A1. Автор: Huang Chih-Jen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2013-09-12.

SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE ARRAY

Номер патента: US20210082938A1. Автор: Kim Su Jin,Yoo Hye Jin. Владелец: KEY FOUNDRY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-18.

SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE ARRAY

Номер патента: US20190172834A1. Автор: Kim Su Jin,Yoo Hye Jin. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2019-06-06.

SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE ARRAY

Номер патента: US20170207231A1. Автор: Kim Su Jin,Yoo Hye Jin. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2017-07-20.

Single poly non-volatile memory device, method of manufacturing the same and single poly non-volatile memory device array

Номер патента: US20200381445A1. Автор: Hye Jin Yoo,Su Jin Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Single poly non-volatile memory device, method for manufacturing the same and single poly non-volatile memory device array

Номер патента: KR102143260B1. Автор: 김수진,유혜진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2020-08-11.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: WO2014051856A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-04-03.

Self-Aligned Method Of Forming A Semiconductor Memory Array Of Floating Gate Memory Cells With Single Poly Layer

Номер патента: US20140094011A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Highly scalable single-poly non-volatile memory cell

Номер патента: US09640262B2. Автор: Te-Hsun Hsu,Chun-Hsiao Li,Hsuen-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

A single poly non-volatile memory device with inve

Номер патента: TWI357131B. Автор: Chao I Wu,Ming Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-21.

A single poly non-volatile memory device with inversion diffusion regions and methods for operating the same

Номер патента: TW200802724A. Автор: Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-01.

Single poly EEPROM with reduced area and method of making same

Номер патента: US20030137005A1. Автор: Lily Springer,Jozef Mitros,Roland Bucksch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-07-24.

HIGHLY SCALABLE SINGLE-POLY NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20160013199A1. Автор: Hsu Te-Hsun,Chen Hsuen-Wei,Li Chun-Hsiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

SINGLE-POLY NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20150069483A1. Автор: Chen Chi-Tsai. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

SINGLE-POLY NONVOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20160079251A1. Автор: Lo Ming-Shan,Lai Yen-Hsin,HUANG Shih-Chan,Li Yi-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

SINGLE-POLY NON-VOLATILE MEMORY CELL AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200091168A1. Автор: Hsu Chia-Jung. Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

SINGLE-POLY NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170110467A1. Автор: Su Ting-Ting,Chen Kuan-Hsun,Lo Ming-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

SINGLE POLY ELECTRICAL ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM)

Номер патента: US20180114793A1. Автор: CHEN Tzu-Ping,Lee Chih-Haw. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

SINGLE POLY PLATE LOW ON RESISTANCE EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Wu Shyi-Yuan,Chan Wing-Chor. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

METHOD FOR OPERATING SINGLE-POLY NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20180197613A1. Автор: Hsu Chia-Jung,Sun Wein-Town. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED STI WITH SINGLE POLY

Номер патента: US20140312409A1. Автор: FANG Shenqing,Joshi Amol,Ding Meng,Chang Kuo-Tung,THURGATE Tim,Suh Youseok,Matsumoto David,SHIRAIWA Hidehiko,Sachar Hapreet,Singh Lovejeet,Yang Chih-Yuh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-10-23.

Single-poly nonvolatile memory unit

Номер патента: US20190214401A1. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

SINGLE POLY NONVOLATILE MEMORY CELLS, ARRAYS THEREOF, AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170229471A1. Автор: Kim Nam Yoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

SINGLE POLY PLATE LOW ON RESISTANCE EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Wu Shyi-Yuan,Chan Wing-Chor. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-13.

SINGLE POLY MULTI TIME PROGRAM CELL AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190237140A1. Автор: Kim Su Jin,Lee Jung Hwan,KIM Young Bae,Kim Myeong Seok,JUNG In Chul,KIM Seung Guk. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2019-08-01.

Single-poly structure of flash memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100752192B1. Автор: 최용건. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-08-27.

Single poly eeprom cell and method for fabricating thereof

Номер патента: KR930008081B1. Автор: 최정혁,조명관. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1993-08-25.

System and method for providing a CMOS compatible single poly EEPROM with an NMOS program transistor

Номер патента: US7447064B1. Автор: Jiankang Bu,Lee Jacobson,David Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Cell array of single poly EEPROM and method of operating the same

Номер патента: KR102044546B1. Автор: 박성근,권영준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-11-13.

Single poly-emitter PNP using DWELL diffusion in a BiCMOS technology

Номер патента: US6949424B2. Автор: Lily Springer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Single poly eeprom

Номер патента: KR101357847B1. Автор: 김영희. Владелец: 창원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-02-05.

Single-poly non-volatile memory device and its operation method

Номер патента: US20070109860A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-17.

Single poly MOSFET device integrated with snubber

Номер патента: CN103515442A. Автор: 伍时谦,安荷·叭剌,潘继. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-15.

Mirror image non-volatile memory cell transistor pairs with single poly layer

Номер патента: US20050164452A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Single poly type eeprom and method for manufacturing the eeprom

Номер патента: TW200929529A. Автор: Sang-Woo Nam. Владелец: Dongbu Hitek Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Single Poly Multi Time Program Cell and its operation method

Номер патента: KR102460296B1. Автор: 이정환,김수진,김명석,김영배,정인철,김승국. Владелец: 주식회사 키파운드리. Дата публикации: 2022-10-31.

Single-poly non-volatile memory device

Номер патента: US20070108508A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-17.

Operation mehtod of single-poly non-volatile memory device

Номер патента: CN1967879A. Автор: 陈信铭,王世辰,沈士杰,徐清祥,卢俊宏,何明洲. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Single-poly non-volatile memory device

Номер патента: TW200721461A. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-06-01.

Mirror image non-volatile memory cell transistor pairs with single poly layer

Номер патента: CN1836336A. Автор: B·洛耶克. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-09-20.

Method for operating single-poly non-volatile memory cell

Номер патента: TW201842505A. Автор: 許家榮,孫文堂. Владелец: 力旺電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-12-01.

Low voltage single poly deep sub-micron flash EEPROM

Номер патента: US6731541B2. Автор: James Kendall,David Kinsey,Luigi DiPede,Andrew Cervin-Lawry. Владелец: Gennum Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Single-poly non-volatile memory cell

Номер патента: US8975679B1. Автор: Chi-Tsai Chen. Владелец: Gembedded Tech Ltd. Дата публикации: 2015-03-10.

Single poly memory array with one shared deep doped region

Номер патента: EP3196885B1. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-27.

Method of forming a single poly cylindrical flash memory cell having high coupling ratio

Номер патента: US6103575A. Автор: Ko-Hsing Chang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Single poly EPROM cell having smaller size and improved data retention compatible with advanced CMOS process

Номер патента: US6509606B1. Автор: Min-Hwa Chi,Albert Bergemont,Richard B. Merrill. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

High reliability single-poly eeprom cell

Номер патента: GB2199184B. Автор: Farrokh Mohammadi,Chan Sui Pang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-01-31.

Single-poly non-volatile memory device

Номер патента: TWI287868B. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-01.

Nonvolatile memory solution using single-poly pFlash technology

Номер патента: US7078761B2. Автор: Hsien-Wen Liu,Tzeng-Huei Shiau,Shang-De Ted Chang,I-Sheng Liu,Alex Wang,Han-Chih Lin. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2006-07-18.

Highly-scalable single poly nonvolatile memory cell

Номер патента: JP2016018992A. Автор: ▲徳▼訓 徐,De Xun Xu,俊霄 黎,Chunhsiao Li,學威 陳,Hsuen-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-01.

Single-poly non-volatile memory device and its operation method

Номер патента: US20070109872A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-17.

Method of fabricating erasable programmable single-poly nonvolatile memory

Номер патента: US9099392B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Te-Hsun Hsu,Wei-Ren Chen,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-04.

Single-poly eprom cell that utilizes a reduced programming voltage to program the cell

Номер патента: KR100261337B1. Автор: 알버트 베르그몬트,민화 치,취 시 텡. Владелец: 클라크 3세 존 엠.. Дата публикации: 2000-07-01.

System and method for manufacturing self-aligned STI with single poly

Номер патента: US10622370B1. Автор: Kuo-Tung Chang,Hidehiko Shiraiwa,Meng Ding,Amol Ramesh Joshi,Shenqing Fang,Chih-Yuh Yang,YouSeok Suh,Tim Thurgate,David Matsumoto,Hapreet Sachar,Lovejeet Singh. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-04-14.

Self-aligned STI with single poly for manufacturing a flash memory device

Номер патента: US8642441B1. Автор: Kuo-Tung Chang,Hidehiko Shiraiwa,Meng Ding,Amol Joshi,Shenqing Fang,Chih-Yuh Yang,YouSeok Suh,Tim Thurgate,David Matsumoto,Lovejeet Singh,Harpreet Sachar. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-02-04.

Single-poly EPROM device and method of manufacturing

Номер патента: TW200725872A. Автор: Reiner Jumpertz,Ralph Oberhuber. Владелец: Texas Instruments Deutschland. Дата публикации: 2007-07-01.

Single poly non-volatile memory cells

Номер патента: US9281313B2. Автор: Rainer Herberholz. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2016-03-08.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631A4. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Self-aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with single poly layer

Номер патента: EP2904631B1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-12.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9257534B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Data retention in a single poly EPROM cell

Номер патента: US8541863B2. Автор: VENKAT RAGHAVAN,Andrew Strachan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Data retention in a single poly eprom cell

Номер патента: US20120132975A1. Автор: VENKAT RAGHAVAN,Andrew Strachan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Wafer level chip size package of a CMOS image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI254391B. Автор: Bruce C S Chou,Chen-Chih Fan,Wei-Ting Lin. Владелец: Lightuning Tech Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

Manufacturing method for CMOS image sensor

Номер патента: TWI238478B. Автор: Chun-Chieh Huang,Chun-Ching Huang,Kuo-Feng Yang. Владелец: Nan Ya Printed Circuit Board C. Дата публикации: 2005-08-21.

Manufacturing method for cmos image sensor

Номер патента: TW200623287A. Автор: Chun-Chieh Huang,Chun-Ching Huang,Kuo-Feng Yang. Владелец: Nan Ya Printed Circuit Board Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

Negative photosensitive resin composition, cured film obtained by curing same, method for producing cured film, optical device provided with cured film, and backside-illuminated CMOS image sensor

Номер патента: US09977329B2. Автор: Mitsuhito Suwa,Hirokazu Iimori,Toshiyasu Hibino. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-05-22.

HD Color Imaging Using Monochromatic CMOS Image Sensors Integrated In 3D Package

Номер патента: US20170099474A1. Автор: Wang Liang,Shen Hong,Gao Guilian,SITARAM Arkalgud R.. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2017-04-06.

HD COLOR IMAGING USING MONOCHROMATIC CMOS IMAGE SENSORS INTEGRATED IN 3D PACKAGE

Номер патента: US20190098271A1. Автор: Wang Liang,Shen Hong,Gao Guilian,SITARAM Arkalgud R.. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Single substrate camera device with CMOS image sensor

Номер патента: US6549235B1. Автор: Eric R. Fossum,Robert Nixon. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2003-04-15.

Bond pad for wafer and package for cmos imager

Номер патента: US20120098105A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Mark D. Jaffe,James W. Adkisson,Richard L. Rassel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

SMALL PIXEL FOR CMOS IMAGE SENSORS WITH VERTICALLY INTEGRATED SET AND RESET DIODES

Номер патента: US20130143351A1. Автор: Hynecek Jaroslav. Владелец: CROSSTEK CAPITAL, LLC.. Дата публикации: 2013-06-06.

BACKSIDE ILLUMINATION CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130277787A1. Автор: KIM Sunghyok. Владелец: Dongbu HiTek Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-10-24.

Methods of Fabricating CMOS Image Sensors

Номер патента: US20130280850A1. Автор: Park Byung-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

CMOS Image Sensors and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20130320420A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Hsu Tzu-Hsuan,Chuang Chun-Chieh,Tseng Hsiao-Hui,Kao Min-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

BACKSIDE ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140048898A1. Автор: YE Jing,Fei Xiaoai. Владелец: OmniVision Technologies (Shanghai) Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-02-20.

Self-Illuminating CMOS Imaging Package

Номер патента: US20150018611A1. Автор: Lei Junzhao,Tsau Guannho G.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

PIXEL OF A MULTI-STACKED CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160225827A1. Автор: JIN Yong-wan,LEE KWANG-HEE,Kim Do-Hwan,CHOI Woong,PARK Kyung-Bae,KIM Kyu-sik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD OF MAKING INTERPOSER PACKAGE FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140322856A1. Автор: Oganesian Vage. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: US20100177569A1. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: WO2009061809A3. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: David Alan Heisley. Дата публикации: 2009-07-09.

Erasable programmable single-poly non-volatile memory cell and associated array structure

Номер патента: US11818887B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen,Woan-Yun HSIAO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Single poly eeprom allowing continuous adjustment of its threshold voltage

Номер патента: WO2009061809A2. Автор: Jozef Czeslaw Mitros,David Alan Heisley. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-14.

CMOS image sensor compatible with electrical signals of CCD image sensor, and image processing system

Номер патента: US09462203B2. Автор: Wenzhe Luo,Xiujie Hao,Dexing Dong. Владелец: Brigates Microelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Cmos imaging apparatus

Номер патента: WO1999055083A1. Автор: Ferry Gunawan,Dino D. Trotta. Владелец: CONEXANT SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 1999-10-28.

CMOS image sensors with feature extraction

Номер патента: US09936132B2. Автор: Euisik Yoon,Jaehyuk Choi. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-04-03.

Image sensor including cmos image sensor pixel and dynamic vision sensor pixel

Номер патента: US20220021835A1. Автор: Masamichi Ito,Keun Joo Park,Hyunsurk Ryu,Yunjae Suh,Junseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Image sensor including cmos image sensor pixel and dynamic vision sensor pixel

Номер патента: US20230247321A1. Автор: Masamichi Ito,Keun Joo Park,Hyunsurk Ryu,Yunjae Suh,Junseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Image sensor including cmos image sensor pixel and dynamic vision sensor pixel

Номер патента: US20230164461A1. Автор: Masamichi Ito,Keun Joo Park,Hyunsurk Ryu,Yunjae Suh,Junseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-05-25.

CMOS image sensor pixel array and readout method with LED flicker mitigation

Номер патента: US12022222B2. Автор: JING Yang,Guanjing Ren,Jiawei Heng. Владелец: SmartSens Technology HK Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Cmos image sensors with integrated rram-based crossbar array circuits

Номер патента: US20210168321A1. Автор: Ning Ge,Wenbo Yin. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Image sensor including CMOS image sensor pixel and dynamic vision sensor pixel

Номер патента: US12081889B2. Автор: Masamichi Ito,Keun Joo Park,Hyunsurk Ryu,Yunjae Suh,Junseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Image sensor including cmos image sensor pixel and dynamic vision sensor pixel

Номер патента: US20240365022A1. Автор: Masamichi Ito,Keun Joo Park,Hyunsurk Ryu,Yunjae Suh,Junseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Digital double sampling method, a related CMOS image sensor, and a digital camera comprising CMOS image sensor

Номер патента: US09866775B2. Автор: Dong-Myung Lee,Gun-hee Han,Seog-Heon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Digital double sampling method, a related CMOS image sensor, and a digital camera comprising the CMOS image sensor

Номер патента: US09538105B2. Автор: Dong-Myung Lee,Gun-hee Han,Seog-Heon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of reading out a cmos image sensor and a cmos image sensor configured for carrying out such method

Номер патента: EP2873231A1. Автор: Willem Hendrik Maes. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-05-20.

CMOS image sensor single chip integrated with a micro processing unit

Номер патента: US20040080649A1. Автор: Kuan-Ching Chang. Владелец: Etoms Electronics Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Noise simulation flow for low noise CMOS image sensor design

Номер патента: US09426393B2. Автор: Fu-Lung Hsueh,Kuo-Yu Chou,Shang-Fu Yeh,Calvin Yi-Ping Chao,Yi-Che Chen,Honyih Tu,Wei Lun Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Analog readout preprocessing circuit for CMOS image sensor and control method thereof

Номер патента: US09930284B2. Автор: Zhiqiang Guo,Liyuan LIU,Nanjian Wu. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2018-03-27.

High sensitivity biosensor using pixel analysis of CMOS image sensor

Номер патента: US09829438B2. Автор: Min-Gon Kim,Hyou-Arm Joung,Dong-Gu Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-11-28.

Method and apparatus for controlling dark-sun appearance of cmos image sensor

Номер патента: WO2007066893A1. Автор: Hang Kyoo Kim. Владелец: Pixelplus Co., Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Integrated CMOS imager and microcontroller

Номер патента: US20060192876A1. Автор: Atif Sarwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-31.

Reduction in Size of Column Sample and Hold Circuitry in a CMOS Imager

Номер патента: US20080025112A1. Автор: Suat Utku Ay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Reduction in size of column sample and hold circuitry in a cmos imager

Номер патента: WO2008014104A3. Автор: Suat Utku Ay. Владелец: Suat Utku Ay. Дата публикации: 2008-10-23.

CMOS image sensor, pixel unit and control method thereof

Номер патента: US09756271B2. Автор: LI Wang,Lin Wang,Wenzhe Luo. Владелец: Brigates Microelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Wide dynamic range CMOS image sensor and image sensing method

Номер патента: US09407828B2. Автор: Jawoong Lee,Junhee Cho,I Byounghwan Choi. Владелец: ZEEANN CO Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Multi-mode CMOS image sensor and control method thereof

Номер патента: US11057562B2. Автор: Xiaojuan Li,Huili GONG,Guanjia Meng,Ruofei ZHONG,Jiao Guo,Cankun YANG. Владелец: Chinamap Hi-Tech (beijing) Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

CMOS image sensor having a timing signal generator implemented using both hardware and software using the same

Номер патента: US9609255B2. Автор: Jung-Hyun Kim,Jong-Suk Lee,Kyung-Dong Yoo,Keun-Soo CHO,Sang-Dong YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Cmos image sensor systems using low-power multi-mode data path and methods of processing the same

Номер патента: US20190379849A1. Автор: Sang Hoon Kim,Jae Hyuk Choi,Jung Hoon CHUN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2019-12-12.

CMOS image sensor which reduces noise caused by charge pump operation

Номер патента: EP1613063A3. Автор: Tadao Inoue,Makoto Yanagisawa,Jun Funakoshi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-28.

Cmos image sensors and methods for outputting pixel data at high speeds

Номер патента: US20120145886A1. Автор: Dong Hun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

CMOS image sensing with sampled bandgap reference

Номер патента: US11470272B1. Автор: Jinwen Xiao,Scott D Willingham. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Output routing structure for cmos image sensors

Номер патента: EP1929789A1. Автор: Weize Xu. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-06-11.

Cmos imaging system with low fixed pattern noise

Номер патента: EP1668895A4. Автор: Lester J Kozlowski,Marcus Loose. Владелец: Altasens Inc. Дата публикации: 2008-09-24.

Cmos imaging system with low fixed pattern noise

Номер патента: EP1668895A2. Автор: Lester J. Kozlowski,Marcus Loose. Владелец: Altasens Inc. Дата публикации: 2006-06-14.

Multiple-bank cmos image sensor system and method

Номер патента: WO2008024841A3. Автор: Ronald F Cormier. Владелец: Ronald F Cormier. Дата публикации: 2009-01-15.

Multiple-bank cmos image sensor system and method

Номер патента: WO2008024841A2. Автор: Ronald F. Cormier. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-02-28.

Pixel array output routing structure for multi-channel CMOS imager sensors

Номер патента: US20070075255A1. Автор: Weize Xu. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-04-05.

Improved sensing capacitance in column sample and hold circuitry in a cmos imager and improved capacitor design

Номер патента: WO2008014106A3. Автор: Suat Utku Ay. Владелец: Suat Utku Ay. Дата публикации: 2008-05-02.

Improved sensing capacitance in column sample and hold circuitry in a cmos imager and improved capacitor design

Номер патента: WO2008014106A2. Автор: Suat Utku Ay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-01-31.

Ramp signal generator and CMOS image sensor using the same

Номер патента: US09736408B2. Автор: Jin-Seon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Ramp signal generator and CMOS image sensor using the same

Номер патента: US09681084B2. Автор: Young-chul Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Correlated multiple sampling CMOS image sensor

Номер патента: US09497400B2. Автор: Assim Boukhayma. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-15.

Analog-to-digital converter and CMOS image sensor including the same

Номер патента: US09438830B2. Автор: Jin-Seon Kim,Eun-Jun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Cmos image sensor pixel array and readout method with led flicker mitigation

Номер патента: US20230336892A1. Автор: JING Yang,Guanjing Ren,Jiawei Heng. Владелец: SmartSens Technology HK Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Digital double sampling method, a related cmos image sensor, and a digital camera comprising the cmos image sensor

Номер патента: US20080111059A1. Автор: Dong-Myung Lee,Gun-hee Han,Seog-Heon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

CMOS image sensors with integrated RRAM-based crossbar array circuits

Номер патента: US11539906B2. Автор: Ning Ge,Wenbo Yin. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Image sensor including CMOS image sensor pixel and dynamic vision sensor pixel

Номер патента: US11917315B2. Автор: Masamichi Ito,Keun Joo Park,Hyunsurk Ryu,Yunjae Suh,Junseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Cmos image sensors with reduced power consumption

Номер патента: WO2017212075A3. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Daniel Peter CANNIFF,Steven J. DECKER,Edward GUTHRIE. Владелец: ANALOG DEVICES GLOBAL. Дата публикации: 2018-01-18.

CMOS image sensor capable of performing analog correlated double sampling

Номер патента: US20060220940A1. Автор: Haek-Soo Oh. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Cmos image sensor system and method thereof

Номер патента: US20150092086A1. Автор: Chih-Tsung Chang,Jyun-jie Sie. Владелец: Uchange Technology Co ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Noise simulation flow for low noise cmos image sensor design

Номер патента: US20150116506A1. Автор: Fu-Lung Hsueh,Kuo-Yu Chou,Shang-Fu Yeh,Calvin Yi-Ping Chao,Yi-Che Chen,Honyih Tu,Wei Lun Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Cmos image sensor

Номер патента: WO2006004351A1. Автор: Youn Jung Lee,Jae Soon Hwang,Hun Joon Jung. Владелец: Mtek Vision Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-01-12.

Cmos image sensor

Номер патента: EP1772011A1. Автор: Youn Jung Lee,jae soon nr 171-1606 Kolon APT HWANG,Hun Joon Jung. Владелец: MtekVision Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Analog readout preprocessing circuit for cmos image sensor and control method thereof

Номер патента: US20170353685A1. Автор: Zhiqiang Guo,Liyuan LIU,Nanjian Wu. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2017-12-07.

CMOS image sensor unit with serial transmitting function

Номер патента: US6515271B1. Автор: Kazuo Shimizu. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-04.

Cmos image sensor and image signal detecting method

Номер патента: US20110043676A1. Автор: Seog Heon Ham,Gun Hee Han,Seung Hyun Lim,Jeong Hwan Lee,Kwi Sung Yoo,Kun hee CHO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of GNU. Дата публикации: 2011-02-24.

CMOS image sensor with reduced 1/f noise

Номер патента: US20050248673A1. Автор: Boyd Fowler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Cmos image sensor with wide dynamic range

Номер патента: KR20090073562A. Автор: 김진수,송한정,전민현. Владелец: 인제대학교 산학협력단. Дата публикации: 2009-07-03.

Analogue digital converter and method for converting analogue to digital in cmos image sensor

Номер патента: KR20070079793A. Автор: 이광현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-08.

Single exposure high dynamic range (hdr) analog front-end for cmos image sensors

Номер патента: US20230300478A1. Автор: Eric Bohannon. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Endoscope System Using CMOS Image Sensor Having Pixels Without Internal Sample/Hold Circuit

Номер патента: US20130201312A1. Автор: Erez Sarig,Raz Reshef,Shay Alfassi,Aviad Haber,Guy Yehudian. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-08.

System and method for dynamic pixel management of a cross pixel interconnected cmos image sensor

Номер патента: EP3510763A1. Автор: Jeroen Rotte,Juul Josephus Johannes Van Den Heijkant,Petrus Gijsbertus Centen,Rudolf VAN REE. Владелец: GVBB Holdings SARL. Дата публикации: 2019-07-17.

System and method for dynamic pixel management of a cross pixel interconnected cmos image sensor

Номер патента: WO2018046688A1. Автор: Jeroen Rotte,Juul Josephus Johannes Van Den Heijkant,Petrus Gijsbertus Centen,Rudolf VAN REE. Владелец: Gvbb Holdings, S.A.R.L.. Дата публикации: 2018-03-15.

Cmos image sensor for rts noise reduction using non-linear statistics and impulsive metrics for signal processing

Номер патента: US20240196110A1. Автор: Mukul Sarkar,Tusha Tanya,Abhinav Bhattacharya. Владелец: Dv2js Innovation LLP. Дата публикации: 2024-06-13.

CMOS image sensors and methods for outputting pixel data at high speeds

Номер патента: US8120685B2. Автор: Dong Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-21.

High dynamic range cmos image sensor by pixel-embedded signal amplification and method thereof

Номер патента: US20220070393A1. Автор: Mukul Sarkar,Neha Priyadarshini. Владелец: Dv2js Innovation LLP. Дата публикации: 2022-03-03.

Wafer scale enhanced gain electron bombarded cmos imager

Номер патента: WO2022026230A3. Автор: Dan Chilcott,Arlynn W. Smith,John B. Hammond. Владелец: Elbit Systems of America, LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Wafer scale enhanced gain electron bombarded CMOS imager

Номер патента: US11810747B2. Автор: Dan W. Chilcott,Arlynn W. Smith,John B. Hammond. Владелец: ELBIT SYSTEMS OF AMERICA LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Wafer scale enhanced gain electron bombarded cmos imager

Номер патента: EP4189719A4. Автор: Dan Chilcott,Arlynn W Smith,John B Hammond. Владелец: ELBIT SYSTEMS OF AMERICA LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

WAFER SCALE ENHANCED GAIN ELECTRON BOMBARDED CMOS IMAGER

Номер патента: US20220037106A1. Автор: SMITH Arlynn W.,Chilcott Dan W.,Hammond John B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

High Resolution High Quantum Efficiency Electron Bombarded CCD Or CMOS Imaging Sensor

Номер патента: US20160027605A1. Автор: Biellak Stephen,Fielden John,Jiang Ximan. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Microprocessor having single poly-silicon EPROM memory for programmably controlling optional features

Номер патента: US5852712A. Автор: Stephen A. Fischer,Michael J. Allen,Stephen F. Sullivan,Patrick P. Gelsinger,Charles H. Lucas,David R. Gray,Gregory K. Crain,Stuart T. Hopkins,Gustay Laub, III,Richard D. Pashley,Babak Sabi,Joseph D. Schutz,David J. Shield. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Power reduction in cmos imagers by trimming of master current reference

Номер патента: US20040037105A1. Автор: Giuseppe Rossi,Sandor Barna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Single poly-si process for DRAM by deep N-well (NW) plate

Номер патента: US7030440B2. Автор: Jenn-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Fabrication method for flash memory having single poly and two same channel type transistors

Номер патента: TW200411837A. Автор: Hsin-Ming Chen,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Single poly eeprom cell having multi-level

Номер патента: KR101035577B1. Автор: 민병호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-05-19.

Single poly non-volatile memory

Номер патента: US7209392B2. Автор: Hsin-Ming Chen,Hong-Ping Tsai,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY, FLOATING GATE, PROGRAMMABLE IN FEW TIMES AND RELATED POLARIZATION METHOD

Номер патента: IT202100008075A1. Автор: Vikas RANA,Roberto Bregoli. Владелец: ST MICROELECTRONICS INT NV. Дата публикации: 2022-10-01.

Single poly non-volatile memory

Номер патента: TW200605334A. Автор: Hsin-Ming Chen,Hong-Ping Tsai,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Single poly embedded eprom

Номер патента: US20030142542A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ching-Sung Yang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

Single poly non-volatile memory cells

Номер патента: EP2546877B1. Автор: Rainer Herberholz. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2018-03-07.

Single poly non-volatile memory cells

Номер патента: US20130015514A1. Автор: Rainer Herberholz. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Cmos image sensor implementing correlated double sampling with compression

Номер патента: US20150062377A1. Автор: Ping Wah Wong,Thomas Richard AYERS. Владелец: Pixim Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

CMOS image sensor with column-wise selective charge-domain binning

Номер патента: US09661243B2. Автор: Guang Yang,Ramy Tantawy. Владелец: Forza Silicon Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

CMOS image sensor implementing correlated double sampling with compression

Номер патента: US09413999B2. Автор: Thomas R. Ayers,Ping W. Wong. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Cmos image sensor with internal reference voltage and current detecting circuit and method

Номер патента: US20240022841A1. Автор: JING Yang,Guang Yang,Yaowu Mo,Guanjing Ren,Jinjian Hou. Владелец: SmartSens Technology HK Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

CMOS image sensor for RGB imaging and depth measurement with laser sheet scan

Номер патента: US11725933B2. Автор: Yibing Michelle Wang,Kwang Oh Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Camera system with minimal area monolithic CMOS image sensor

Номер патента: US11766175B2. Автор: John Richardson,Laurent Blanquart. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Hybrid output multiplexer for a high framerate cmos imager

Номер патента: US20210195123A1. Автор: Jeroen Rotte,Juul Josephus Johannes Van Den Heijkant,Rik VISSER. Владелец: Grass Valley Canada ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

CMOS image sensor with internal reference voltage and current detecting circuit and method

Номер патента: US12022223B2. Автор: JING Yang,Guang Yang,Yaowu Mo,Guanjing Ren,Jinjian Hou. Владелец: Smart Sens Technology Hk Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Hybrid output multiplexer for a high framerate cmos imager

Номер патента: US20200162684A1. Автор: Jeroen Rotte,Juul Josephus Johannes Van Den Heijkant,Rik VISSER. Владелец: GVBB Holdings SARL. Дата публикации: 2020-05-21.

CMOS image sensor and imaging method implementing correlated double sampling and compression

Номер патента: US09813652B2. Автор: Ping Wah Wong,Thomas R. Ayers. Владелец: Pixim Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

CMOS image sensor with processor controlled integration time

Номер патента: US09584739B2. Автор: Hiok Nam Tay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-28.

Camera system with minimal area monolithic CMOS image sensor

Номер патента: US09462234B2. Автор: John Richardson,Laurent Blanquart. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

CMOS image sensor for 2D imaging and depth measurement with ambient light rejection

Номер патента: US10132616B2. Автор: Yibing Michelle Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-20.

Cmos image sensors having grid array exposure control

Номер патента: US20170150076A1. Автор: Nathan Henri LEVY,Uzi Hizi,Mickey Bahar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-25.

Column-parallel ADC architectures for high-speed CMOS image sensors

Номер патента: US12041367B2. Автор: Esko Mikkola,Wenlan Wu. Владелец: Alphacore Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

CMOS image sensors having grid array exposure control

Номер патента: US09848137B2. Автор: Nathan Henri LEVY,Uzi Hizi,Mickey Bahar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Amplifier sharing technique for low power charge mode readout in CMOS image sensors

Номер патента: US09521342B2. Автор: Ali Mesgarani. Владелец: FORZA SILICON Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Column readout multiplexer for CMOS image sensors with multiple readout and fixed pattern noise cancellation

Номер патента: US5965871A. Автор: Wei Li,Zhimin Zhou,Zhongxuan Zhang,Li-yen Shih. Владелец: Pixart Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

High-performance CNN inference model at the pixel-parallel CMOS image sensor

Номер патента: US11800258B2. Автор: Christophe Bobda,Pankaj Bhowmik,Md Jubaer Hossain Pantho. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Power supply regulation for programmable gain amplifier used in a CMOS image sensor

Номер патента: US9391574B2. Автор: Steven Huang,Jack Zheng. Владелец: Forza Silicon Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

DC offset and gain correction for CMOS image sensor

Номер патента: US5969758A. Автор: Peter Alan Levine,Donald Jon Sauer. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

CMOS image sensor having reduced numbers of column readout circuits

Номер патента: EP1450554A2. Автор: Xinping He,Hongli Yang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Cmos image sensor and imaging method implementing correlated double sampling and compression

Номер патента: US20160119570A1. Автор: Ping Wah Wong,Thomas R. Ayers. Владелец: Pixim Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Analog resolution adjustment for CMOS image sensor

Номер патента: US11950002B2. Автор: Alexander Hunt,Sven Karlsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-04-02.

Cmos image sensor for rgb imaging and depth measurement with laser sheet scan

Номер патента: US20200370881A1. Автор: Yibing Michelle Wang,Kwang Oh Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Amplifier adapted for cmos imaging sensors

Номер патента: CA2924244C. Автор: Xinqiao Liu,Boyd Fowler,Hung T. Do. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Apparatus, method, and manufacture for correcting color shading in cmos image sensors

Номер патента: US20120127322A1. Автор: Artemy Baxansky,Yonatan Shlomo Simson. Владелец: CSR Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Apparatus for converting analog image data into digital image data in cmos image sensor

Номер патента: TW424388B. Автор: Oh-Bong Kwon,Suk-Joong Lee,Gyu-Tae Hwang,Hyun-Eun Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-03-01.

Analog resolution adjustment for cmos image sensor

Номер патента: WO2021219391A1. Автор: Alexander Hunt,Sven Karlsson. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2021-11-04.

Analog resolution adjustment for cmos image sensor

Номер патента: EP4144079A1. Автор: Alexander Hunt,Sven Karlsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-03-08.

Apparatus and method for generating timing signals based on processor, and cmos image sensor using the same

Номер патента: US20150198970A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Jong-Suk Lee,Kyung-Dong Yoo,Keun-Soo CHO,Sang-Dong YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Cmos imager with companded column signals

Номер патента: US20110290983A1. Автор: Peter Alan Levine,John Robertson Tower,Rui Zhu,Thomas Lee Vogelsong. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Cmos image sensor with reduced fixed pattern noise

Номер патента: AU7711698A. Автор: Donald Jon Sauer. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 1998-12-21.

CMOS image sensor having integrated universal serial bus (USB) transceiver

Номер патента: EP1146559B1. Автор: Weifeng Huang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-08.

Cmos image sensor array having charge spillover protection for photodiodes

Номер патента: US20010006402A1. Автор: Jagdish C. Tandon,Paul A. Hosier,Scott L. Tewinkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for operating a cmos image sensor with increased sensitivity

Номер патента: AU2002316944A1. Автор: Joachim Grupp,Christian Wuthrich,Elko Doering,Estelle Jacquet. Владелец: Asulab AG. Дата публикации: 2002-12-23.

Column readout circuit with increased signal range for CMOS image sensor

Номер патента: TWI227946B. Автор: Xinping He,Hongli Yang,Quingwei Shan. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2005-02-11.

Zero DC current readout circuit for cmos image sensor

Номер патента: EP1309178B1. Автор: Tiejun Dai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2013-03-27.

CMOS imaging system with low fixed pattern noise

Номер патента: TW200524413A. Автор: Lester Kozlowski,Markus Loose. Владелец: Altasens Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

Twisted input pair of first gain stage for high signal integrity in cmos image sensor

Номер патента: WO2009038914A3. Автор: Espen Olsen,Taehee Cho,Kwang-Bo Cho,Jeffrey Gleason,Suat Utku Ay. Владелец: Suat Utku Ay. Дата публикации: 2009-07-02.

Twisted input pair of first gain stage for high signal integrity in cmos image sensor

Номер патента: WO2009038914A2. Автор: Espen Olsen,Taehee Cho,Kwang-Bo Cho,Jeffrey Gleason,Suat Utku Ay. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2009-03-26.

Double data rate counter, and analog-to-digital converter and cmos image sensor using the same

Номер патента: US20160043725A1. Автор: Sung-jin Lee,Won-Seok HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Cmos image sensor using high frame rate with frame addition and movement compensation

Номер патента: TWI343741B. Автор: Sohei Manabe. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2011-06-11.

Improved sensing capacitance in column sample and hold circuitry in a CMOS imager and improved capacitor design

Номер патента: TW200816466A. Автор: Suat Utku Ay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for operating a CMOS image sensor with increased sensitivity

Номер патента: TW563355B. Автор: Joachim Grupp,Christian Wuthrich,Elko Doering,Estelle Jacquet. Владелец: Asulab Sa. Дата публикации: 2003-11-21.

CMOS image sensing unit with serial transmission function

Номер патента: TW490977B. Автор: Kazuo Shimizu. Владелец: Olympus Optical Co. Дата публикации: 2002-06-11.

Integrated circuit, analog-digital converter and cmos image sensor with the same

Номер патента: US20140346320A1. Автор: Young-chul Sohn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Ultra low noise CMOS imager

Номер патента: US8334917B2. Автор: Eugene Atlas,Sarit Neter,Kim Loren Johnson. Владелец: Imagerlabs Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Method of fast automatic exposure or gain control in a CMOS image sensor

Номер патента: TW200302663A. Автор: Xiaodong Luo,Xinping He. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2003-08-01.

Method of fast automatic exposure or gain control in a CMOS image sensor

Номер патента: TW588549B. Автор: Xiao-Dong Luo,Xin-Ping He. Владелец: Omnivision Tech Inc. Дата публикации: 2004-05-21.

High speed CMOS image column CDs circuit

Номер патента: TW466762B. Автор: Weize Xu. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2001-12-01.

High slew rate amplifier, analog-to digital converter using same, CMOS imager using the analog-to-digital converter and related methods

Номер патента: US20080252379A1. Автор: Taehee Cho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Ultra low noise cmos imager

Номер патента: EP2135443B1. Автор: Eugene Atlas,Sarit Neter,Kim Loren Johnson. Владелец: Imagerlabs Inc. Дата публикации: 2018-06-27.

Method for reducing coherent row-wise and column-wise fixed pattern noise in CMOS image sensors

Номер патента: TW563349B. Автор: Yuen-Shung Chieh. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-11-21.

Ramp signal generator, and CMOS image sensor using the same

Номер патента: US09894309B2. Автор: Gun-Hee YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Double data rate counter, and analog-to-digital converter and CMOS image sensor using the same

Номер патента: US09774332B2. Автор: Sung-jin Lee,Won-Seok HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Integral A/D converter and CMOS image sensor

Номер патента: US09571113B2. Автор: Masayuki Ikebe. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2017-02-14.

Ramp signal generator and CMOS image sensor having the same

Номер патента: US09565379B2. Автор: Si-Wook YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Bias sampling device and CMOS image sensor including the same

Номер патента: US09509928B2. Автор: Woong-Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

IMAGE SENSOR INCLUDING CMOS IMAGE SENSOR PIXEL AND DYNAMIC VISION SENSOR PIXEL

Номер патента: US20220021835A1. Автор: Park Keun Joo,ITO Masamichi,SUH Yunjae,KIM Junseok,RYU Hyunsurk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-01-20.

INFRARED IMAGING DEVICE INTEGRATING AN IR UP-CONVERSION DEVICE WITH A CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140111652A1. Автор: So Franky,KIim Do Young,Pradhan Bhabendre K.. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

CMOS IMAGE SENSOR FOR RGB IMAGING AND DEPTH MEASUREMENT WITH LASER SHEET SCAN

Номер патента: US20200041258A1. Автор: WANG Yibing Michelle. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Digital double sampling method, a related cmos image sensor, and a digital camera comprising the cmos image sensor

Номер патента: US20160065867A1. Автор: Dong-Myung Lee,Seog-Heon Ham,Gun-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

IMAGE SENSOR INCUDING CMOS IMAGE SENSOR PIXEL AND DYNAMIC VISION SENSOR PIXEL

Номер патента: US20200084403A1. Автор: Park Keun Joo,ITO Masamichi,SUH Yunjae,KIM Junseok,RYU Hyunsurk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-12.

Cmos image sensor with image black level compensation and method

Номер патента: US20220141404A1. Автор: XiaoYong Wang,Yaowu Mo,Guanjing Ren,Xuanping Zhou. Владелец: SmartSens Technology HK Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

CMOS IMAGE SENSOR WITH IMAGE BLACK LEVEL COMPENSATION AND METHOD

Номер патента: US20220141407A1. Автор: Wang Xiaoyong. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

DIGITAL DOUBLE SAMPLING METHOD, A RELATED CMOSE IMAGE SENSOR, AND A DIGITAL CAMERA COMPRISING CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20170094204A1. Автор: HAM SEOG-HEON,HAN Gun-Hee,Lee Dong-Myung. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

CMOS IMAGE SENSOR FOR 2D IMAGING AND DEPTH MEASUREMENT WITH AMBIENT LIGHT REJECTION

Номер патента: US20190094015A1. Автор: WANG Yibing Michelle. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

CMOS IMAGE SENSOR FOR 2D IMAGING AND DEPTH MEASUREMENT WITH AMBIENT LIGHT REJECTION

Номер патента: US20190101379A1. Автор: WANG Yibing Michelle. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

CMOS IMAGE SENSOR AND IMAGING METHOD IMPLEMENTING CORRELATED DOUBLE SAMPLING AND COMPRESSION

Номер патента: US20160119570A1. Автор: Wong Ping Wah,Ayers Thomas R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

WIDE DYNAMIC RANGE CMOS IMAGE SENSOR AND IMAGE SENSING METHOD

Номер патента: US20150189145A1. Автор: Choi,CHO Junhee,LEE JAWOONG,I BYOUNGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

CMOS IMAGE SENSOR FOR RGB IMAGING AND DEPTH MEASUREMENT WITH LASER SHEET SCAN

Номер патента: US20210262784A1. Автор: WANG Yibing Michelle,KIM Kwang Oh. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

CMOS IMAGE SENSOR FOR 2D IMAGING AND DEPTH MEASUREMENT WITH AMBIENT LIGHT REJECTION

Номер патента: US20200232787A1. Автор: WANG Yibing Michelle. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

CMOS IMAGE SENSOR FOR 2D IMAGING AND DEPTH MEASUREMENT WITH AMBIENT LIGHT REJECTION

Номер патента: US20200249010A1. Автор: WANG Yibing Michelle. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

CMOS IMAGE SENSOR FOR 2D IMAGING AND DEPTH MEASUREMENT WITH AMBIENT LIGHT REJECTION

Номер патента: US20160307326A1. Автор: WANG Yibing Michelle. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

METHOD OF READING OUT A CMOS IMAGE SENSOR AND A CMOS IMAGE SENSOR CONFIGURED FOR CARRYING OUT SUCH METHOD

Номер патента: US20150319383A1. Автор: Maes Willem Hendrik. Владелец: TELEDYNE DALSA B.V.. Дата публикации: 2015-11-05.

CMOS IMAGE SENSOR FOR RGB IMAGING AND DEPTH MEASUREMENT WITH LASER SHEET SCAN

Номер патента: US20200370881A1. Автор: WANG Yibing Michelle,KIM Kwang Oh. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Analog-to-digital converter and cmos image sensor with the same and method of operating cmos image sensor

Номер патента: KR100719370B1. Автор: 이명수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-17.

CMOS image sensor correction method, system and image processing equipment

Номер патента: CN112752041A. Автор: 周楠,陈园园. Владелец: Hefei Meyer Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Stereo Image Matching System integrated CMOS Image Sensor and Method thereof

Номер патента: KR101841744B1. Автор: 박준영,김창현. Владелец: 주식회사 유엑스팩토리. Дата публикации: 2018-03-23.

stacked CMOS image sensor and image processing method

Номер патента: CN110572594A. Автор: 杨鑫. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2019-12-13.

Photodetector for multi-aperture distance image sensor, backside illuminated cmos image sensor, and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101238806B1. Автор: 김호수. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2013-03-04.

Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor and Image Sensing Method

Номер патента: KR101728713B1. Автор: 조준희,이재웅,최병환. Владелец: (주) 지안. Дата публикации: 2017-04-21.

CMOS imager system with interleaved readout for providing an image with increased dynamic range

Номер патента: CN101083724B. Автор: H·张,J·罗,M·石,R·A·曼,S·本库亚,A·G·格里戈里耶夫,R·布莱尔,M·萨法伊. Владелец: ESS Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-30.

Stereo image matching system having cmos image sensor integrated therein and method thereof

Номер патента: WO2018030642A2. Автор: 박준영,김창현. Владелец: 주식회사 유엑스팩토리. Дата публикации: 2018-02-15.

Analog image signal processing circuit for CMOS image sensor

Номер патента: US8125548B2. Автор: Wenge Hu. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

CMOS image sensor having hybrid pixel arrays

Номер патента: US20070133068A1. Автор: Young-June Yu. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2007-06-14.

CMOS image sensor for reducing kTC noise, reset transistor control circuit used in the image sensor and voltage switch circuit used in the control circuit

Номер патента: US20060001752A1. Автор: Toshitaka Mizuguchi,Tadao Inoue,Makoto Yanagisawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Cmos image sensor having hybrid pixel arrays

Номер патента: EP1952308A2. Автор: Young-June Yu. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Data bus of CMOS image sensor and CMOS image sensor including the same

Номер патента: KR20090113598A. Автор: 김경민,신경민,고경민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-11-02.

Imaging device, control method thereof and cmos image sensor

Номер патента: KR100639642B1. Автор: 야마모토가츠요시,후나코시준,고쿠보아사오,미즈구치도시타카,히구치츠요시. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-10-30.

Photodiode CMOS imager with column-feedback soft-reset for imaging under ultra-low illumination and with high dynamic range

Номер патента: US20040169740A1. Автор: Guang Yang,Bedabrata Pain,Bruce Hancock,Thomas Cunningham,Suresh Seshadri,Monico Ortiz. Владелец: Monico Ortiz. Дата публикации: 2004-09-02.

Serial image data training system and simulation system of CMOS image sensor

Номер патента: CN110830738A. Автор: 周磊,余达,刘金国,王国良,于善猛,梅贵,张博研. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-02-21.

CMOS image sensor, image data conversion device thereof, and pixel data processing method thereof

Номер патента: JP4892659B2. Автор: 學 洙 ▲オ▼,昌 民 ▲ベ▼,愛 瑩 朴. Владелец: インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・Ｉｉ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー. Дата публикации: 2012-03-07.

Frequency modulation technique for CMOS image sensors

Номер патента: US20060209200A1. Автор: Weize Xu. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2006-09-21.

Analog image signal processing circuit for cmos image sensor

Номер патента: EP1971131A1. Автор: Wenge Hu. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-17.

Cmos image sensor and panoramic imaging system having the same

Номер патента: KR100624051B1. Автор: 권경일. Владелец: 주식회사 나노포토닉스. Дата публикации: 2006-09-15.

CMOS image sensor pixel circuit and CMOS image sensor

Номер патента: CN110971846B. Автор: 吕涛,付园园,任张强,徐新楠. Владелец: Rockchip Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-10.

CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor column-sharing 2X2 pixel unit and CMOS image sensor pixel array

Номер патента: CN102868866A. Автор: 陈杰,郭同辉,旷章曲,刘志碧,唐冕. Владелец: Beijing Superpix Micro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Precise CMOS imager transfer function control for expanded dynamic range imaging using variable-height multiple reset pulses

Номер патента: US20040174754A1. Автор: LANE BROOKS,Hae-Seung Lee,Keith FIFE. Владелец: Smal Camera Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Solid-state imaging device applied to cmos image sensor

Номер патента: US20110221941A1. Автор: Maki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Image Signal Processor For CMOS Image Sensors

Номер патента: US20080158396A1. Автор: Yoav Lavi,Eugene Fainstain,Artyon Tonkikh. Владелец: Transchip Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Analog image signal processing circuit for cmos image sensor

Номер патента: US20090268054A1. Автор: Wenge Hu. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Digital camera having CMOS image sensor with improved dynamics and method for controlling a CMOS image sensor

Номер патента: US7221396B2. Автор: Reimar Lenz. Владелец: Reimar Lenz. Дата публикации: 2007-05-22.

Method for acquiring an image with a CMOS image sensor for the recognition of optically readable code

Номер патента: TW201921913A. Автор: 希爾瑞 里格扎特,布魯諾 迪斯派瑞,斯特凡 吉賽特,加雷思 鮑威爾. Владелец: 法商泰勒岱ｅ２ｖ半導體公司. Дата публикации: 2019-06-01.

Control method for improving imaging quality of CMOS image sensor

Номер патента: CN112911177A. Автор: 吴治军,刘业琦. Владелец: CETC 44 Research Institute. Дата публикации: 2021-06-04.

Analog image signal processing circuit for cmos image sensor

Номер патента: WO2007073695A1. Автор: Wenge Hu. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2007-07-05.

Noise and parasitic capacitance reduction for 1t pixel cmos image sensors

Номер патента: US20080309800A1. Автор: Alf Olsen,Espen A Olsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

CMOS Image Sensor With Increased Dynamic Range

Номер патента: US20080158398A1. Автор: Eugene Fainstain,Yoel Yaffe. Владелец: Transchip Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Cmos image sensor on-die motion detection using inter-pixel mesh relationship

Номер патента: WO2019018084A1. Автор: JIA Yao,Zhengming FU,Daroosh TAYEBI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-24.

Cmos image sensor with built in correction for column failure

Номер патента: US20120249842A1. Автор: Dongsoo Kim. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

High speed cmos image sensor circuits with block memory readout

Номер патента: WO2007044337A2. Автор: Alexander Krymski. Владелец: Alexander Krymski. Дата публикации: 2007-04-19.

Cmos image sensor on-die motion detection using inter-pixel mesh relationship

Номер патента: US20190026901A1. Автор: JIA Yao,Zhengming FU,Daroosh TAYEBI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method and apparatus for dark current and blooming suppression in 4t cmos imager pixel

Номер патента: EP1878216A1. Автор: John Ladd. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-16.

Method and apparatus for dark current and blooming supression in 4t cmos imager pixel

Номер патента: US20110297816A1. Автор: John Ladd. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Cmos image sensor on-die motion detection using inter-pixel mesh relationship

Номер патента: EP3656119A1. Автор: JIA Yao,Zhengming FU,Daroosh TAYEBI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-27.

Reduction in size of column sample and hold circuitry in a CMOS imager

Номер патента: TW200824442A. Автор: Suat Utku Ay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-06-01.

Cmos image sensors implementing full frame digital correlated double sampling with global shutter

Номер патента: EP2832090A4. Автор: Ping Wah Wong,Jinsuk Kang,Frederick Thomas BRADY,Tom Ayers. Владелец: Pixim Inc. Дата публикации: 2015-10-14.

Cmos image sensor for high speed signal processing

Номер патента: US20120013774A1. Автор: Song-Yi Kim,Chang-Min Bae,Nam-Ryeol Kim,Hack-Soo Oh. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-19.

Analog row black level calibration for cmos image sensor

Номер патента: US20120212657A1. Автор: Chen Xu,Yaowu Mo. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

ANALOG ROW BLACK LEVEL CALIBRATION FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20130120619A1. Автор: Xu Chen,Mo Yaowu. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

CMOS IMAGE SENSOR WITH SHARED MULTIPLEXER AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130120626A1. Автор: Kao Ming-Tsan,Hsu En-Feng,Chan Wei-Ting. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

MULTIPLEXED READ-OUT ARCHITECTURE FOR CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20130200253A1. Автор: Tejada-Gomez Jose. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-08.

Endoscope System Using CMOS Image Sensor Having Pixels Without Internal Sample/Hold Circuit

Номер патента: US20130201312A1. Автор: Sarig Erez,Reshef Raz,Haber Aviad,Alfassi Shay,Yehudian Guy. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for Reading out Multiple SRAM Blocks with Different Column Sizing in Stitched CMOS Image Sensor

Номер патента: US20130314265A1. Автор: Huang Steven,Mansoorian Barmak,Tantawy Rami. Владелец: FORZA SILICON CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

Power Supply Regulation for Programmable Gain Amplifier Used in a CMOS Image Sensor

Номер патента: US20130321083A1. Автор: Steven Huang,Jack Zheng. Владелец: Forza Silicon Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

SYSTEM AND METHOD FOR IN VEHICLE LANE DETERMINATION USING CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140002652A1. Автор: Gravelle Kelly,Gonzales Michael. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

RAMP SIGNAL GENERATOR FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140014815A1. Автор: HAM SEOG-HEON,KIM Yun-jung,CHEON Ji-Min,SEO Jin-Ho,Lee Hyeok-Jong,Jeon Jin-Uk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-16.

CAMERA SYSTEM WITH MINIMAL AREA MONOLITHIC CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20190007588A1. Автор: Richardson John,Blanquart Laurent. Владелец: DePuy Synthes Products, Inc.. Дата публикации: 2019-01-03.

MOTION ADAPTIVE CMOS IMAGING SYSTEM

Номер патента: US20150009355A1. Автор: PENG YUAN-CHIH. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

INTEGRAL A/D CONVERTER AND CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20150014517A1. Автор: Ikebe Masayuki. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION HOKKAIDO UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-15.

CORRELATED MULTIPLE SAMPLING CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20160014361A1. Автор: Boukhayma Assim. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Method of operating a cmos imager using color interpolation

Номер патента: US20140104466A1. Автор: Eric R. Fossum. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2014-04-17.

PIXEL SIGNAL READOUT DEVICE, METHOD THEREOF, AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180020176A1. Автор: KIM Tae-Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

RAMP SIGNAL GENERATION DEVICE AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20200036924A1. Автор: KIM Hyeon-June. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

DOUBLE DATA RATE COUNTER, AND ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20160043725A1. Автор: LEE Sung-Jin,HWANG Won-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

HIGH DYNAMIC RANGE CMOS IMAGE SENSOR BY PIXEL-EMBEDDED SIGNAL AMPLIFICATION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20220070393A1. Автор: Sarkar Mukul,Priyadarshini Neha. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

CMOS IMAGE SENSOR IMPLEMENTING CORRELATED DOUBLE SAMPLING WITH COMPRESSION

Номер патента: US20150062377A1. Автор: Wong Ping Wah,AYERS THOMAS RICHARD. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

TWO-STEP SINGLE-SLOPE COMPARATOR WITH HIGH LINEARITY AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190058483A1. Автор: KIM Hyeon-June. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

MULTI-MODE CMOS IMAGE SENSOR AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20190058831A1. Автор: LI Xiaojuan,Meng Guanjia,GONG Huili,ZHONG Ruofei,GUO Jiao,YANG Cankun. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

PIXEL APPARATUS AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20200059612A1. Автор: KIM TAE-CHAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

TWO-STEP SINGLE-SLOPE COMPARATOR WITH HIGH-RESOLUTION AND HIGH-SPEED AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190068210A1. Автор: KIM Hyeon-June. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

SYSTEM AND METHODS FOR DYNAMIC PIXEL MANAGEMENT OF A CROSS PIXEL INTERCONNECTED CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20180070029A1. Автор: Rotte Jeroen,VAN DEN HEIJKANT Juul Josephus Johannes,CENTEN Petrus Gijsbertus,VAN REE Rudolf. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Amplifier Adapted for CMOS Imaging Sensors

Номер патента: US20150076321A1. Автор: Fowler Boyd,Liu Xinqiao,Do Hung. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Camera system with minimal area monolithic cmos image sensor

Номер патента: US20140160259A1. Автор: John Richardson,Laurent Blanquart. Владелец: Olive Medical Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Cmos image sensor, pixel unit and control method thereof

Номер патента: US20160088251A1. Автор: LI Wang,Lin Wang,Wenzhe Luo. Владелец: Brigates Microelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

CMOS IMAGE SENSOR SYSTEM AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20150092086A1. Автор: Sie Jyun-jie,CHANG Chih-Tsung. Владелец: uChange Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-02.

CAMERA SYSTEM WITH MINIMAL AREA MONOLITHIC CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20170094139A1. Автор: Richardson John,Blanquart Laurent. Владелец: DePuy Synthes Products, Inc.. Дата публикации: 2017-03-30.

Amplifier Sharing Technique for Low Power Charge Mode Readout in CMOS Image Sensors

Номер патента: US20160100116A1. Автор: Mesgarini Ali. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

HIGH-SPEED AND LOW-POWER ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20190098245A1. Автор: KIM Hyeon-June. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION (ADC) CIRCUIT AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200099879A1. Автор: Kim Tae Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

HIGH SENSITIVITY BIOSENSOR USING PIXEL ANALYSIS OF CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20150116484A1. Автор: KIM Min-Gon,Joung Hyou-Arm,Hong Dong-Gu. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

NOISE SIMULATION FLOW FOR LOW NOISE CMOS IMAGE SENSOR DESIGN

Номер патента: US20150116506A1. Автор: HSUEH Fu-Lung,TU Honyih,CHOU Kuo-Yu,Yeh Shang-Fu,Chao Calvin Yi-Ping,Chen Yi-Che,Tao Wei Lun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-30.

REFERENCE VOLTAGE GENERATOR HAVING NOISE CANCELLING FUNCTION AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20160118978A1. Автор: AHN Peter Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Pixel biasing apparatus with noise cancellation function, and cmos image sensor including the same

Номер патента: US20180124337A1. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

SINGLE-SLOPE COMPARISON DEVICE WITH LOW-NOISE, AND ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION DEVICE AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190124284A1. Автор: Kim Min-Kyu,KIM Hyeon-June. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

SAR ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTING APPARATUS AND OPERATING METHOD THEREOF AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150146066A1. Автор: Kwon Oh-kyong,Kim Min-Kyu,GOU Ja-Seung. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

CMOS IMAGE SENSORS WITH INTEGRATED RRAM-BASED CROSSBAR ARRAY CIRCUITS

Номер патента: US20210168321A1. Автор: GE NING,Yin Wenbo. Владелец: TETRAMEM INC.. Дата публикации: 2021-06-03.

CMOS IMAGE SENSORS HAVING GRID ARRAY EXPOSURE CONTROL

Номер патента: US20170150076A1. Автор: LEVY Nathan Henri,Hizi Uzi,BAHAR MICKEY. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

PIXEL POWER NOISE CANCELLING APPARAUS AND METHOD, AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170163916A1. Автор: KIM Tae-Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

SINGLE-SLOPE COMPARISON DEVICE WITH LOW-NOISE, AND ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION DEVICE AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190158772A1. Автор: KIM Hyeon-June. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

LED light source probe card technology for testing CMOS image scan devices

Номер патента: US20180164223A1. Автор: Mori Shigeki,Kasai Toshihiro,Kawamata Nobuhiro,Sasanami Hiromitsu. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

HYBRID OUTPUT MULTIPLEXER FOR A HIGH FRAMERATE CMOS IMAGER

Номер патента: US20210195123A1. Автор: Rotte Jeroen,VISSER Rik,VAN DEN HEIJKANT Juul Josephus Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

COMPARATOR FOR LOW-BANDING NOISE AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200162067A1. Автор: KIM Hyeon-June. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

HYBRID OUTPUT MULTIPLEXER FOR A HIGH FRAMERATE CMOS IMAGER

Номер патента: US20200162684A1. Автор: Rotte Jeroen,VISSER Rik,VAN DEN HEIJKANT Juul Josephus Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Single-Exposure High Dynamic Range CMOS Image Sensor Pixel With Internal Charge Amplifier

Номер патента: US20140263950A1. Автор: Reshef Raz,Alfassi Shay,Yehudian Guy,Fenigstein Amos. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

CMOS Image Sensor with Column-wise Selective Charge-Domain Binning

Номер патента: US20140263964A1. Автор: Yang Guang,Tantawy Ramy. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Protection Layer In CMOS Image Sensor Array Region

Номер патента: US20150189207A1. Автор: CHIEN Volume,JENG Chi-Cherng,CHENG Yun-Wei,WEI Chia-Yu,LIU YI-SHENG. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

RAMP SIGNAL GENERATOR, AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20170195601A1. Автор: YUN Gun-Hee. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

HIGH DYNAMIC RANGE CMOS IMAGE SENSOR HAVING ANTI-BLOOMING PROPERTIES AND ASSOCIATED METHODS

Номер патента: US20140313386A1. Автор: Jiang Jutao,Borg Matt. Владелец: SiOnyx, Inc.. Дата публикации: 2014-10-23.

LAMP SIGNAL GENERATION CIRCUIT AND CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140319325A1. Автор: Kawahito Shoji,IMAI Kaita. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

SYSTEM AND METHOD FOR HIGH-SPEED DOWN-SAMPLED CMOS IMAGE SENSOR READOUT

Номер патента: US20180227531A1. Автор: CHANG Chin-Hao,CHOU Kuo-Yu,Yeh Shang-Fu,Lee Chih-Lin,Chao Calvin Yi-Ping,HUANG Chiao-Yi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-08-09.

Ultra-low noise amplifier adapted for cmos imaging sensors

Номер патента: US20200228731A1. Автор: Hung T. Do,Chenguang GONG,Alberto M. MAGNANI. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Autofocus System for CMOS Imaging Sensors

Номер патента: US20180249106A1. Автор: Mu Bo,Magnani Alberto M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

INTEGRATED CIRCUIT, ANALOG-DIGITAL CONVERTER AND CMOS IMAGE SENSOR WITH THE SAME

Номер патента: US20140346320A1. Автор: SOHN Young-chul. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-11-27.

Low power, single poly EEPROM cell with voltage divider

Номер патента: US20120020162A1. Автор: Allan T. Mitchell,Robert N. Rountree,Harvey J. Stiegler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

SINGLE POLY EEPROM DEVICE

Номер патента: US20150138892A1. Автор: Kim Young-Hee. Владелец: Changwon National University Industry Academy Cooperation Corps. Дата публикации: 2015-05-21.

Single Poly EEPROM Having Small Sell Size

Номер патента: KR101273336B1. Автор: 김영희. Владелец: 창원대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-06-17.

Cell structure of single poly EEPROM, and method of operating the same

Номер патента: KR20140139874A. Автор: 박성근,권영준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-12-08.

Low power, single poly EEPROM cell with voltage divider

Номер патента: US8174884B2. Автор: Allan T. Mitchell,Robert N. Rountree,Harvey J. Stiegler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Single-poly EEPROM cell and method for formign the same

Номер патента: US20080007998A1. Автор: Jung-Ching Chen,Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-01-10.

Single poly, multi-bit non-volatile memory device and methods for operating the same

Номер патента: CN101079448A. Автор: 郭明昌. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

System and method of depth imaging based on rolling shutter cmos image sensor and down conversion techniques

Номер патента: US20220187466A1. Автор: Emanuel Mordechai. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

System and method of depth imaging based on rolling shutter cmos image sensor and down conversion techniques

Номер патента: US11808859B2. Автор: Emanuel Mordechai. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Compact and accurate analog memory for cmos imaging pixel detectors

Номер патента: US20100309703A1. Автор: Vitali Souchkov. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-12-09.

Thermosetting resin composition for color filter of cmos image sensor and color filter using the composition, and cmos image sensor using the color filter

Номер патента: KR100835605B1. Автор: 이길성,김재현,김정현,권오범. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2008-06-09.

Thermosetting resin composition for producing color filter for CMOS image sensor, color filter comprising transparent film formed using the composition and CMOS image sensor using the color filter

Номер патента: US8389621B2. Автор: Jae Hyun Kim,Kil Sung Lee,Jung Hyun Kim,O Bum Kwon. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Thermosetting resin composition for producing color filter for cmos image sensor, color filter comprising transparent film formed using the compositon and cmos image sensor using the color filter

Номер патента: TWI378321B. Автор: Jae Hyun Kim,Kil Sung Lee,Jung Hyun Kim,O Bum Kwon. Владелец: Cheil Ind Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

Hard x-ray detectors with photon energy attenuation and electron generation-detection layers with integration capability to cmos image sensor (cis)-based or quanta image sensor (qis)-based devices

Номер патента: WO2021087290A1. Автор: Eric R. Fossum,Jifeng Liu,Eldred LEE,Kaitlin ANAGNOST. Владелец: Trustees of Dartmouth College. Дата публикации: 2021-05-06.

COMPRESSIVE SENSING BASED BIO-INSPIRED SHAPE FEATURE DETECTION CMOS IMAGER

Номер патента: US20130342681A1. Автор: DUONG Tuan A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

CMOS IMAGE SENSOR ON-DIE MOTION DETECTION USING INTER-PIXEL MESH RELATIONSHIP

Номер патента: US20190026901A1. Автор: Fu Zhengming,Yao Jia,Tayebi Daroosh. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

TEST SYSTEM FOR TESTING A CMOS IMAGE SENSOR AND A DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140145745A1. Автор: LEE Dae-Hee,Ryu Hyung-sun,KIM Jang-Hwan,YONG HYUNG-JUNG,Yun Ji-nyeong,LEE SEONG-KWAN,Jang Yun-Bong,Jeong Shin-Ki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-29.

REFERENCE CLOCK-LESS CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20180081389A1. Автор: Yang Li,Wu Charles Qingle,Zhu Zhenhua. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

HIGH-SPEED DATA READOUT APPARATUS AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20200111515A1. Автор: Shin Min-Seok,Jeong Hoe-Sam. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

CMOS IMAGE SENSOR STRUCTURE WITH CROSSTALK IMPROVEMENT

Номер патента: US20190127036A1. Автор: Yang Szu-Hung,HSU Chun-Yuan,CHANG Hung-Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-02.

APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING TIMING SIGNALS BASED ON PROCESSOR, AND CMOS IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20150198970A1. Автор: Kim Jung-hyun,Lee Jong-Suk,CHO Keun-Soo,YOO Kyung-Dong,YOO Sang-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS image sensor and preparation method thereof

Номер патента: CN101567337A. Автор: 孔蔚然,刘宪周,周雪梅,褚立文,杨潇楠. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2009-10-28.

Single-poly EEPROM

Номер патента: TWI270976B. Автор: Chuan-Fu Wang,Tzyh-Cheang Lee,Sung-Bin Lin,Nai-Chen Peng,Shui-Chin Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

A single poly embedded memory structure and methods for operating the same

Номер патента: TWI303878B. Автор: Chao I Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-01.

A single poly, multi-bit non-volatile memory device and methods for operating the same

Номер патента: TWI331805B. Автор: Ming Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-11.

Single-poly EEPROM

Номер патента: TW200633192A. Автор: Chuan-Fu Wang,Tzyh-Cheang Lee,Sung-Bin Lin,Nai-Chen Peng,Shui-Chin Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

Integrated circuit embedded with single-poly non-volatile memory

Номер патента: TW573360B. Автор: Chih-Hsun Chu,Ching-Hsiang Hsu,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Array architecture for reduced voltage, low power, single poly EEPROM

Номер патента: US20120020163A1. Автор: Stiegler Harvey J.,Mitchell Allan T.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

DATA RETENTION IN A SINGLE POLY EPROM CELL

Номер патента: US20120132975A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20130015514A1. Автор: Herberholz Rainer. Владелец: Cambridge Silicon Radio Limited. Дата публикации: 2013-01-17.

SINGLE POLY EEPROM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130168755A1. Автор: KIM Hangeon. Владелец: Dongbu HiTek Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD AND APPARATUS FOR UTILIZING CONTACT-SIDEWALL CAPACITANCE IN A SINGLE POLY NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20130292756A1. Автор: Quek Elgin,TANG Yan Zhe. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-11-07.

INTEGRATED SNUBBER IN A SINGLE POLY MOSFET

Номер патента: US20130334599A1. Автор: Bhalla Anup,Ng Daniel,Pan Ji. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2013-12-19.

Self-Aligned Method Of Forming A Semiconductor Memory Array Of Floating Gate Memory Cells With Single Poly Layer

Номер патента: US20140094011A1. Автор: Tran Hieu Van,Do Nhan,Liu Xian,Tiwari Vipin. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

METHOD FOR OBTAINING A COMPOSITE IMAGE USING ROTATIONALLY SYMMETRICAL WIDE-ANGLE LENSES, IMAGING SYSTEM FOR SAME, AND CMOS IMAGE SENSOR FOR IMAGE-PROCESSING USING HARDWARE

Номер патента: US20120098926A1. Автор: KWEON Gyeongil. Владелец: NANOPHOTONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

Optical scanning module with linear CMOS image sensor

Номер патента: TWM326758U. Автор: Ching-Yuan Lin,Kang-Sheng Wang. Владелец: E Pin Optical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-01.

Method of manufacturing active pixel photodiode CMOS image sensor

Номер патента: TW451486B. Автор: Dung-Jeng Guo,Chung-Wei Liau,Ching-Shiang Shiu,Ya-Chin Jin. Владелец: Twinhan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-21.

CMOS image sensor integrated with 1-T SRAM and fabricating method thereof

Номер патента: TWI286368B. Автор: Jin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-09-01.

Optical scanning module with linear complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor

Номер патента: TW200906165A. Автор: Kang-Sheng Wang,qing-yuan Lin. Владелец: E Pin Optical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-01.

New structure of reset transistor in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI220789B. Автор: Jeng-Shian Lin,Shou-Guo Wu,Duen-Nian Yang,He-Ching Chian,Jian-Shian Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-09-01.

Photodiode cmos imager with column-feedback soft-reset

Номер патента: AU2002245059A1. Автор: Bedabrata Pain,Bruce Hancock,Thomas J. Cunningham,Suresh Seshadri,Monico Ortiz. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2003-03-24.

CMOS image sensor structure and the manufacture method thereof

Номер патента: TW409421B. Автор: Sen-Huang Huang,Sheng-Yang Huang,Shan-Wen Chiou. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2000-10-21.

CMOS image sensor integrated with 1-T SRAM and fabricating method thereof

Номер патента: TW200713510A. Автор: Jin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-01.

New structure of reset transistor in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200411913A. Автор: Jeng-Shian Lin,Shou-Guo Wu,Duen-Nian Yang,He-Ching Chian,Jian-Shian Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-07-01.

Integrated structure of MEMS device and CMOS image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: TW201022132A. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

CMOS IMAGE SENSORS INCLUDING BACKSIDE ILLUMINATION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120187463A1. Автор: MOON Chang-Rok,LEE Duck-hyung,Cho Seong-ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

Method of making a CMOS image sensor and method of suppressing dark leakage and crosstalk for a CMOS image sensor

Номер патента: US20120276679A1. Автор: Wu Hsin-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING NOISE IN ANALOG IMAGE DATA OF A CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140063301A1. Автор: Solhusvik Johannes. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

An image collection and playback system based on CMOS image sensor

Номер патента: CN201118765Y. Автор: 鲍吉龙,郑德春,徐才,吴都健. Владелец: NINGBO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-09-17.

A kind of dot structure, cmos image sensor, image-signal processor and terminal

Номер патента: CN109951660A. Автор: 杨鑫. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2019-06-28.

The pixel cell of cmos image sensor and cmos image sensor

Номер патента: CN103137642B. Автор: 陈杰,郭同辉,旷章曲,刘志碧,唐冕. Владелец: Beijing Superpix Micro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

CMOS (Complementary Metal-oxide Semiconductor) image sensor and CMOS image sensing circuit system

Номер патента: CN102544044B. Автор: 陈杰,汪辉,田犁,方娜,苗田乐. Владелец: Shanghai Advanced Research Institute of CAS. Дата публикации: 2015-06-24.

Signal processing circuit of analog image for CMOS image sensor

Номер патента: CN100444613C. Автор: 胡文阁. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-17.

CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120007665A1. Автор: LEE Won-Ho. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-12.

CMOS IMAGE SENSOR WITH NOISE CANCELLATION

Номер патента: US20120008375A1. Автор: . Владелец: CANDELA MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

CMOS IMAGE SENSOR WITH IMPROVED PHOTODIODE AREA ALLOCATION

Номер патента: US20120013777A1. Автор: Tai Hsin-Chih,Qian Yin,Mao Duli,Venezia Vincent,Rhodes Howard E.. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-19.

WIDE DYNAMIC RANGE CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120026373A1. Автор: TAY Hiok Nam. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

Methods for Manufacturing Arrays for CMOS Imagers

Номер патента: US20120028401A1. Автор: De Vos Joeri,De Munck Koen,Minoglou Kiki. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2012-02-02.

DIFFERENTIAL COLUMN ADC ARCHITECTURES FOR CMOS IMAGE SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120038809A1. Автор: WANG Yibing Michelle,LEE Sang-Soo,Rysinski Jeffrey Joseph. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

NIGHT VISION CMOS IMAGER WITH OPTICAL PIXEL CAVITY

Номер патента: US20120050554A1. Автор: Zhu Rui,Levine Peter Alan,Tower John Robertson. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD AND STRUCTURE FOR REDUCING DARK CURRENT IN A CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120052615A1. Автор: . Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD OF DAMAGE-FREE IMPURITY DOPING FOR CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120080765A1. Автор: . Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

CMOS IMAGE SENSOR AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120094419A1. Автор: . Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-04-19.

CMOS IMAGER WITH INTEGRATED CIRCUITRY

Номер патента: US20120099011A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

P-PIXEL CMOS IMAGERS USING ULTRA-THIN SILICON ON INSULATOR SUBSTRATES (UTSOI)

Номер патента: US20120104464A1. Автор: Janesick James Robert,Levine Peter Alan,Tower John Robertson. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-03.

CMOS IMAGER PHOTODIODE WITH ENHANCED CAPACITANCE

Номер патента: US20120122261A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

APPARATUS, METHOD, AND MANUFACTURE FOR CORRECTING COLOR SHADING IN CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120127322A1. Автор: SIMSON Yonatan Shlomo,Baxansky Artemy. Владелец: CSR Technology Inc.. Дата публикации: 2012-05-24.

CMOS IMAGE SENSORS AND METHODS FOR OUTPUTTING PIXEL DATA AT HIGH SPEEDS

Номер патента: US20120145886A1. Автор: Lee Dong Hun. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

CMOS IMAGE SENSOR WITH SHARED SENSING MODE

Номер патента: US20120161214A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

CMOS IMAGE SENSOR HAVING A CROSSTALK PREVENTION STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTUREING THE SAME

Номер патента: US20120164783A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

ANTI-REFLECTION STRUCTURES FOR CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120168835A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Ellis-Monaghan John J.,Adkisson James W.,MUSANTE Charles F.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

PHOTODIODE DEVICE BASED ON WIDE BANDGAP MATERIAL LAYER AND BACK-SIDE ILLUMINATION (BSI) CMOS IMAGE SENSOR AND SOLAR CELL INCLUDING THE PHOTODIODE DEVICE

Номер патента: US20120175636A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-12.

HOLE-BASED ULTRA-DEEP PHOTODIODE IN A CMOS IMAGE SENSOR AND A PROCESS THEREOF

Номер патента: US20120175691A1. Автор: Wu Yang,Yu Feixia. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

CMOS IMAGE SENSORS AND RELATED DEVICES AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20120175720A1. Автор: Park Byung-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

CMOS IMAGE SENSOR HAVING DOUBLE GATE INSULATOR THEREIN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120178206A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

CMOS IMAGE SENSOR WITH NON-CONTACT STRUCTURE

Номер патента: US20120181589A1. Автор: Zhu Hong,Wu Liwei,Xu Jessy,Leng Samuel,Xin Celia,Yang Jim. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-07-19.

HIGH OPTICAL EFFICIENCY CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120187462A1. Автор: LAW Pui Chung Simon,Yang Dan,SHI Xunqing. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2012-07-26.

CONTINUOUS RAMP GENERATOR DESIGN AND ITS CALIBRATION FOR CMOS IMAGE SENSORS USING SINGLE-RAMP ADCS

Номер патента: US20120194367A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

DYNAMIC RANGE EXTENSION FOR CMOS IMAGE SENSORS FOR MOBILE APPLICATIONS

Номер патента: US20120194722A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

DYNAMIC RANGE EXTENSION FOR CMOS IMAGE SENSORS FOR MOBILE APPLICATIONS

Номер патента: US20120195502A1. Автор: RYSINSKI Jeff,WANG Yibing Michelle,WANG HONGYU. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

CMOS IMAGE SENSOR WITH WIDE DYNAMIC RANGE

Номер патента: US20120223215A1. Автор: LEE Won-Ho. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-09-06.

STRESS ENGINEERING TO REDUCE DARK CURRENT OF CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120248515A1. Автор: WUU SHOU-GWO,HSIAO Ru-Shang,CHENG Nai-Wen,LIN Chung-Te,TSENG Chien-Hsien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-10-04.

APPARATAUS AND METHOD OF AUTOMATIC COLOR SHADING REMOVAL IN CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120249828A1. Автор: . Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-04.

CMOS IMAGE SENSOR WITH BUILT IN CORRECTION FOR COLUMN FAILURE

Номер патента: US20120249842A1. Автор: . Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-04.

UNIT PIXEL, AND CMOS IMAGE SENSOR HAVING THE SAME

Номер патента: US20120273855A1. Автор: LIM Moo-Sup,AHN Jung-Chak,Lee Kyung-Ho,Jang Dong-Yoon. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

METHOD OF SELECTIVE APERTURE SHARPENING AND HALO SUPPRESSION USING CHROMA ZONES IN CMOS IMAGERS

Номер патента: US20120274817A1. Автор: Sun Yajie. Владелец: APTINA IMAGING CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-01.

METHODS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS AND CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120282729A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-11-08.

STRATIFIED PHOTODIODE FOR HIGH RESOLUTION CMOS IMAGE SENSOR IMPLEMENTED WITH STI TECHNOLOGY

Номер патента: US20120295386A1. Автор: Hynecek Jaroslav. Владелец: Intellectual Ventures II LLC (remove and reenter with front before filing). Дата публикации: 2012-11-22.

PINNED PHOTODIODE CMOS IMAGE SENSOR WITH A LOW SUPPLY VOLTAGE

Номер патента: US20130009041A1. Автор: . Владелец: STMicroelectronics S.A.. Дата публикации: 2013-01-10.

CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20130015324A1. Автор: Ahn Jung Chak,Park Young Hwan,Lee Sang Joo,Park Jong Eun,Jang Young Heub. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

NOVEL CMOS IMAGE SENSOR STRUCTURE

Номер патента: US20130020662A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wang Wen-De,Chuang Chun-Chieh,Kao Min-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-24.

METHOD FOR FORMING STRUCTURE FOR REDUCING NOISE IN CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20130023083A1. Автор: LIN TSUNG-YI,WU TIEN-CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for Forming CMOS Image Sensors

Номер патента: US20130034929A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Liu Shih-Chang,Hsu Wen-I,Chou Shih Pei,Chu Yi-Shin,Su Ching-Chung,Kuo Chun-Tsung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-07.

CMOS Image Sensor and Method for Forming the Same

Номер патента: US20130037958A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan,Wang Wen-De,Ho Cheng-Ying,Chou Shih Pei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-14.

SUBSTRATE BIAS FOR CMOS IMAGERS

Номер патента: US20130040417A1. Автор: Janesick James Robert. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 2013-02-14.

CMOS IMAGING DEVICE WITH THREE-DIMENSIONAL ARCHITECTURE

Номер патента: US20130048832A1. Автор: Peizerat Arnaud,Cazaux Yvon,Tchagaspanian Michäel. Владелец: Commissariat a L'emergie atomique et aux energies alternatives. Дата публикации: 2013-02-28.

CMOS IMAGE SENSOR WITH RESET SHIELD LINE

Номер патента: US20130082313A1. Автор: Manabe Sohei. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-04-04.

MULTIPLE-ROW CONCURRENT READOUT SCHEME FOR HIGH-SPEED CMOS IMAGE SENSOR WITH BACKSIDE ILLUMINATION

Номер патента: US20130087683A1. Автор: Xu Chen,Mo Yaowu,Qu Min. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

ARITHMETIC COUNTER CIRCUIT, CONFIGURATION AND APPLICATION FOR HIGH PERFORMANCE CMOS IMAGE SENSORS

Номер патента: US20130089175A1. Автор: Xu Chen,Wang Rui,Dai Tiejun,Mo Yaowu,Luo Xiaodong,Qu Min. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Interposer Package For CMOS Image Sensor And Method Of Making Same

Номер патента: US20130127000A1. Автор: Oganesian Vage. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

Backside Illuminated CMOS Image Sensor

Номер патента: US20130149807A1. Автор: CHIEN Volume,JangJian Shiu-Ko,Wu Szu-An. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-13.

Quantum Efficiency Back Side Illuminated CMOS Image Sensor And Package, And Method Of Making Same

Номер патента: US20130168791A1. Автор: Oganesian Vage. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

VARIABLE VOLTAGE ROW DRIVER FOR CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20130193305A1. Автор: Zhang Guangbin,Xu Zhihao. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

High-sensitivity CMOS image sensors

Номер патента: US20130208154A1. Автор: Wang Weng Lyang,Lin Shengmin. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

CMOS Image Sensors Implementing Full Frame Digital Correlated Double Sampling with Global Shutter

Номер патента: US20130258151A1. Автор: Ayers Thomas,Brady Frederick Thomas,Kang Jinsuk,Wong Ping Wah. Владелец: PIXIM, INC.. Дата публикации: 2013-10-03.

LOW COST BACKSIDE ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSOR PACKAGE WITH HIGH INTEGRATION

Номер патента: US20130292787A1. Автор: TSUI Yat Kit,Yang Dan,Law Pui Chung,YAU SHU KIN. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2013-11-07.

Novel [N] Profile in Si-Ox Interface for CMOS Image Sensor Performance Improvement

Номер патента: US20130341692A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Hsu Tzu-Hsuan,Tseng Hsiao-Hui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-26.

Porous Si As CMOS Image Sensor ARC Layer

Номер патента: US20130341746A1. Автор: Wang Ching-Chun,Ting Shyh-Fann,Chiang Yen-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-26.

CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140008709A1. Автор: LIM Youn-Sub. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

CMOS IMAGE SENSOR SWITCH CIRCUIT FOR REDUCED CHARGE INJECTION

Номер патента: US20140034808A1. Автор: Zhang Guangbin,Lee Dennis. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

CMOS Image Sensor Chips with Stacked Scheme and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140042299A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Wan Meng-Hsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-13.

NOISE-MATCHING DYNAMIC BIAS FOR COLUMN RAMP COMPARATORS IN A CMOS IMAGE SENSOR

Номер патента: US20140048685A1. Автор: Zhang Guangbin,Song Zhiqiang. Владелец: OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-02-20.

Method to Form a CMOS Image Sensor

Номер патента: US20140061738A1. Автор: SZE JHY-JYI,Tsai Chia-Shiung,Mo Wang-Pen,Tu Yeur-Luen,CHANG Chun-Wei,Wang Chung Chien,Wu Cheng-Ta,Lu Jiech-Fun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-03-06.

LOW POWER WIDE DYNAMIC RANGE CMOS IMAGER OUTPUT CIRCUIT

Номер патента: US20140097328A1. Автор: Zhu Rui,Levine Peter Alan,Tower John Robertson,Senko Thomas Richard. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 2014-04-10.

BACKSIDE ILLUMINATION (BSI) CMOS IMAGE SENSOR PROCESS

Номер патента: US20140120653A1. Автор: ZHAO XIN. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-05-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.