다기능성 3차원 나노구조체를 이용한 복합감지 센서 및 이의 제조방법
Номер патента: KR102281999B1
Опубликовано: 27-07-2021
Автор(ы): 이규락, 정연식, 조승희, 한혁진
Принадлежит: 한국과학기술원
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-07-2021
Автор(ы): 이규락, 정연식, 조승희, 한혁진
Принадлежит: 한국과학기술원
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor test sample and manufacturing method thereof
Номер патента: US20240055271A1. Автор: Rui Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.