Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for producing a non-volatile memory cell with a stack gate electrode in a cell-shaped oxidation region

Method for producing a non-volatile memory cell with a stack gate electrode in a cell-shaped oxidation region

Номер патента: DE19533165C2
Опубликовано: 28-11-2002
Автор(ы): Byung Jin Cho
Принадлежит: Hyundai Electronics Industries Co Ltd

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Non-volatile memory bit cells with non-rectangular floating gates

Номер патента: US20210159234A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Method for making an integrated circuit having an embedded non-volatile memory

Номер патента: WO2007095404A2. Автор: Cheong M. Hong,Chi-Nan B. Li. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-08-23.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859291B2. Автор: Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324218A1. Автор: Seulye KIM,Sunggil Kim,Jehong OH,Moohyun Kim,Younghwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US20090159952A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of Fabricating Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device and Non-Volatile Memory Integrated Circuit Device Fabricated Using the Same

Номер патента: US20080017915A1. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230255036A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory device and manufacturing process

Номер патента: US20070183201A1. Автор: Giuseppe Cina,Lorenzo Todaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-09.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304692A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing electronic non-volatile memory devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US7326615B2. Автор: Giorgio Servalli,Cesare Clementi,Alessia Pavan. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-02-05.

Method for manufacturing electronic non-volatile memory devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US20060166439A1. Автор: Giorgio Servalli,Cesare Clementi,Alessia Pavan. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US9773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09773796B2. Автор: Jin-Kyu Kim,Chang Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating non-volatile memory integrated circuit device and non-volatile memory integrated circuit device fabricated using the same

Номер патента: US7535052B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Jun-Yong Kim,Byoung-Ho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-19.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240224522A1. Автор: Ahreum Kim,Sunghoon Kim,Changyeon Yu,Pansuk Kwak,Jonghoon Park,Myunghun Lee,Homoon Shin,Juyoung YANG,Jungseok HWANG,Mookyu BAE,Sungun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20060110879A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Ming-Shang Chen,Meng-Hsuan Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09773859B2. Автор: Haruhiko Koyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory device, method for manufacturing the non-volatile memory device, and electronic system including the non-volatile memory device

Номер патента: US20240130126A1. Автор: Seong Jin Kim,Hauk Han,Seong Hun Park,Yeong Dong MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Non-volatile memory cell and method of manufacturing a non-volatile memory cell

Номер патента: US7052962B1. Автор: Michael L. Lovejoy. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Method for Fabricating Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20080038907A1. Автор: Doo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for implementing non-volatile memory on a semiconductor substrate

Номер патента: US6344395B1. Автор: Chih-Jen Huang,Chia-Te Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09287283B2. Автор: Eun-Seok Choi,Young-Wook Lee,Ki-hong Lee,Won-Joon Choi,Sang-Bum Lee,Se-Yun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Process for fabricating a non-volatile memory cell in a semiconductor device

Номер патента: US5633186A. Автор: Ko-Min Chang,William J. Taylor, Jr.,Danny P. C. Shum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US20040046204A1. Автор: Yong-Suk Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Non-volatile memory device

Номер патента: EP4231801A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Single poly non-volatile memory cells

Номер патента: US9281313B2. Автор: Rainer Herberholz. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2016-03-08.

Single poly non-volatile memory cells

Номер патента: US20130015514A1. Автор: Rainer Herberholz. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Non-volatile Memory Cell

Номер патента: US20240179900A1. Автор: Chun-Hao Huang,Hsiao-Hua Lu,Yung-Tien Peng. Владелец: AMIC Tech Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20240064979A1. Автор: Kyung Hyun KIM,Dong Woo Lee,Jun-youl Yang,Kun-Woo Park,Sang Hyuk HONG,Woo Jun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Process for producing a semiconductor memory device comprising mass-storage memory cells and shielded memory cells for storing reserved information

Номер патента: US6548354B2. Автор: Federico Pio,Bruno Vajana,Giovanna Dalla Libera,Roberta Bottini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-15.

Non-volatile memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240237341A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Hyunmin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: EP4401526A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Hyunmin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Three-dimensional non-volatile memory device including peripheral circuits

Номер патента: US20230255037A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20230253044A1. Автор: Daeseok Byeon,Beakhyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory device and method of operation therefor

Номер патента: EP1826768A3. Автор: Dae-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20030022443A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Programmable non-volatile memory cell

Номер патента: US5747846A. Автор: Tetsuo Fujii,Yoshihiko Isobe,Makio Iida. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Non-volatile memory

Номер патента: US7781804B2. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Hung-Mine Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Non-volatile memory and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20090127610A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Hung-Mine Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Asymmetrical non-volatile memory cell, arrays and methods for fabricating same

Номер патента: US5612914A. Автор: Man Wong,David K. Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4395495A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Non-volatile memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224523A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device

Номер патента: EP4395494A1. Автор: Ahreum Kim,Sunghoon Kim,Changyeon Yu,Pansuk Kwak,Jonghoon Park,Myunghun Lee,Homoon Shin,Juyoung YANG,Jungseok HWANG,Mookyu BAE,Sungun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for fabricating non-volatile memory device

Номер патента: US09640548B2. Автор: Ki-Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Non-volatile memory device having vertical cell

Номер патента: US09721965B2. Автор: Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US09780195B2. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Lung Chu,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile memory structure and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20010005333A1. Автор: Federico Pio,Giovanna Libera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-06-28.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile memory

Номер патента: US20090212353A1. Автор: Chien-Hung Liu,Chin-Hsien Chen,Ying-Tso Chen,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Non-volatile memory device containing oxygen-scavenging material portions and method of making thereof

Номер патента: US09812505B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile memory and non-volatile memory cell having asymmetrical doped structure

Номер патента: US20080128793A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US20040142547A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of fabricating non-volatile memory

Номер патента: US6794280B2. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20040140509A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Compact non-volatile memory array with reduced disturb

Номер патента: WO2006093683A1. Автор: Alexander B. Hoefler. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-09-08.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899408B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Young-Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory

Номер патента: US7804122B2. Автор: Chien-Hung Liu,Chin-Hsien Chen,Ying-Tso Chen,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Non-volatile memory device capable of preventing damage by plasma charge

Номер патента: US20060231869A1. Автор: Tae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for forming a passivation on berry diffusion layer of a non-volatile memory

Номер патента: US20020084250A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for manufacturing non-volatile memory

Номер патента: US20110230024A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Integrated non volatile memory electrode thin film resistor cap and etch stop

Номер патента: GB2616580A. Автор: Ando Takashi,RIZZOLO Michael,a clevenger Lawrence,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Non-Volatile Memory Device Having Three Dimensional, Vertical Channel, Alternately Stacked Gate Electrode Structure

Номер патента: US20130175602A1. Автор: Eun-Seok Choi,Sang-Hyun Oh,Se-Yun Lim,Gyo-Ji Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Non-volatile memory device employing a deep trench capacitor

Номер патента: US9754945B2. Автор: Eduard A. Cartier,Herbert L. Ho,DongHun Kang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230262993A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for forming a floating gate non-volatile memory cell

Номер патента: US8263459B2. Автор: Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-09-11.

Non-volatile memory structure and corresponding manufacturing process

Номер патента: US6204531B1. Автор: Federico Pio,Giovanna Dalla Libera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-03-20.

Device fabrication method for a non-volatile memory device used for non-overlapping implant

Номер патента: US6300200B1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950519B2. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2020257005A1. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2020-12-24.

Non-volatile memory

Номер патента: WO2006059313A2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2006-06-08.

Non-volatile memory

Номер патента: US09496490B2. Автор: Karen Attenborough,Hans Boeve. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-11-15.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory

Номер патента: US11695082B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jiun Shiung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory

Номер патента: US20210313472A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jiun Shiung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230005958A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Variable resistor, non-volatile memory device using the same, and method of fabricating thereof

Номер патента: US20170005262A1. Автор: Jung Ho Yoon,Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-05.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180026048A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US09773803B2. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09536894B2. Автор: Masaki Kondo,Tsukasa Nakai,Hikari TAJIMA,Takashi Izumida,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Non-volatile memory

Номер патента: US5401993A. Автор: Kenichi Tanaka,Yoshimitsu Yamauchi,Keizo Sakiyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Non-volatile memory device having schottky diode

Номер патента: US20240237356A9. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device having at least one metal and one semiconductor body extending through the electrode stack

Номер патента: US11765904B2. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20190221578A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09754954B2. Автор: Masaaki Higuchi,Takuo Ohashi,Katsuyuki Sekine,Tatsuya Okamoto,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09406814B2. Автор: Hiroshi Shinohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11804270B2. Автор: Jung-June Park,Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Ji-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Non-volatile memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20070026609A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent-Kuohua Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

Three dimensional horizontal diode non-volatile memory array and method of making thereof

Номер патента: WO2012051159A1. Автор: Michael Konevecki,Steven J. Radigan,Raghuveer S. Makala,Natalie Nguyen,Paul Wai Kie Poon. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-04-19.

Ferroelectric memory and non-volatile memory cell for same

Номер патента: US5541870A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Hitoshi Watanabe,Takashi Mihara,Larry D. McMillan,Hiroyuki Yoshimori. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-30.

Resistive element and memory cell of non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150206924A1. Автор: Chrong-Jung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-23.

Non-volatile memory device and its operating method

Номер патента: US20240206187A1. Автор: Younghyun Kim,Simin Chen,Seongui An,Taewon Jin,Taehyeon Noh. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160322375A1. Автор: Tatsuya Kato,Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Cross point non-volatile memory devices with a plurality of pillars having rounded corners and method of manufacturing

Номер патента: EP2449591A1. Автор: Huiwen Xu,Xiying Chen,Chuanbin Pan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-05-09.

Electrode diffusions in two-terminal non-volatile memory devices

Номер патента: US8592793B2. Автор: Huiwen Xu,Xiying Chen,Chuanbin Pan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-11-26.

Cross point non-volatile memory devices with a plurality of pillars having rounded corners and method of manufacturing

Номер патента: WO2011008385A1. Автор: Huiwen Xu,Xiying Chen,Chuanbin Pan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-01-20.

Dram technology compatible non volatile memory cells

Номер патента: US20020024083A1. Автор: Wendell P. Noble,Eugene H. Cloud. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Non-volatile memory elements

Номер патента: US5973357A. Автор: Junichi Hikita,Hiromi Uenoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-10-26.

Fabrication method for non-volatile memory

Номер патента: US20040121535A1. Автор: Hsin-Ming Chen,Shih-Jye Shen,Ming-Chou Ho,Wei-Zhe Wong. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Non-volatile memory cell, non-volatile memory cell array, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395539A1. Автор: Zhiqiang Wei,Zhichao Lu. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Resistive non-volatile memory, cell structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150200232A1. Автор: Chrong-Jung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of manufacturing non-volatile memory cell

Номер патента: US20060270137A1. Автор: Jung-Ching Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of manufacturing non-volatile memory cell

Номер патента: US7479426B2. Автор: Jung-Ching Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-20.

Non-volatile memory cell containing a nano-rail electrode

Номер патента: WO2013112291A1. Автор: Henry Chien,George Matamis,James K. Kai,Vinod R. PURUYATH. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-08-01.

Non-volatile memory cell with enhanced filament formation characteristics

Номер патента: US20100032636A1. Автор: Yang Li,Insik Jin,Song S. Xue,Dadi Setiadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-02-11.

Non-volatile memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US7943917B2. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device with embedded non-volatile memory and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09761680B2. Автор: Dongdong Li,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Hybrid non-volatile memory cell

Номер патента: EP4248501A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Method for fabricating a metal silicide interconnect in 3D non-volatile memory

Номер патента: US8956968B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-02-17.

Systems and methods for downloading code and data into a secure non-volatile memory

Номер патента: US09653004B2. Автор: Nicolas Prawitz,Arnaud Boscher. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods For Forming Contact Landing Regions In Split-Gate Non-Volatile Memory (NVM) Cell Arrays

Номер патента: US20150069490A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater,Cheong Min Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Reliability improvement through delay between multi-stage programming steps in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023249722A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Xue Qing Cai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Reliability improvement through delay between multi-stage programming steps in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230420051A1. Автор: Henry Chin,Jiahui Yuan,Xue Qing Cai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of making a split gate non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor

Номер патента: US20150348985A1. Автор: Brian A. Winstead,Konstantin V. Loiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Damascene non-volatile memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US09666588B2. Автор: Hung-Che Liao,Hung-Yu Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US09559107B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US12148478B2. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2823506A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013133919A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US09653164B2. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US09570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile memory

Номер патента: US20080017919A1. Автор: Yoshiyuki Kawazu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US12057180B2. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Charge storage region in non-volatile memory

Номер патента: US09899410B1. Автор: Jun Wan,Hoon Cho,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240222275A1. Автор: Hyung Joon Kim,Sangsoo Lee,Eunhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US20210118496A1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US10916302B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Non-volatile memory with zoned control of programming

Номер патента: US20230317169A1. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG192499A1. Автор: Lim Louis,Xiaoyu Chen,Sung Mun Jung,Siow Lee Chwa,Donghua Liu,Swee Tuck Woo,Low Rachel. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG158882A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-26.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230197173A1. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

Non-volatile memory cell with charge storage layer in u-shaped groove

Номер патента: WO2009086433A3. Автор: Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Image sensor architecture employing one or more non-volatile memory cells

Номер патента: US20070177042A1. Автор: FAN He,Carl Shurboff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for managing a fail bit line of a memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US09984770B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: US09646700B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory cell with a hybrid access transistor

Номер патента: SG147369A1. Автор: Liu Donghua,JUNG Sung Mun,WOO Swee Tuck,Chen Xiaoyu,CHWA SIOW LEE,Rachel Low,Louis Lim. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-11-28.

Non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20240320138A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Ching-Yuan Lin,Tsung-Mu Lai,Chang-Chun Lung,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Authentication system having a non-volatile memory including memory cells in initial or variable states and a host computer for performing authentication therebetween

Номер патента: US09898598B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Protecting cryptographic keys stored in non-volatile memory

Номер патента: EP3746901A1. Автор: Mark Evan MARSON,Michael A. Hamburg. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Health management of non-volatile memory

Номер патента: US09965345B2. Автор: Yi Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing non-volatile memory having SONOS memory cells

Номер патента: US09530783B2. Автор: Sung-Bin Lin,Wen-Chung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Error correction method and module for non-volatile memory

Номер патента: US09454428B2. Автор: Kui Cai,Xueqiang WANG,Zhiliang QIN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2016-09-27.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: EP4397152A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-10.

Non-volatile memory device with usb and wireless connectivity and method for controlling the connectivity

Номер патента: EP2044756A1. Автор: Teng Pin Poo,Henry Tan. Владелец: Trek 2000 International Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Variable resistance non-volatile memory device

Номер патента: US20210065795A1. Автор: Takashi Ono,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Yuriko HAYATA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160307629A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US20160035421A1. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Tamper-resistant non-volatile memory device and integrated circuit card

Номер патента: US09948471B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US09666279B2. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory for high rewrite cycles application

Номер патента: US09425204B2. Автор: Shih-Chen Wang,Wen-hao Ching,Yen-Hsin Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US8912053B2. Автор: Hyun-Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array And A Method Of Forming Such Structure

Номер патента: US20130234223A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032291A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US12009019B2. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for manufacturing non-volatile memory and structure thereof

Номер патента: US8093648B2. Автор: Wei-Ming Huang,An-Thung Cho,Chia-Tien Peng,Chun-Hsiun Chen,Chih-Wei Chao,Wan-Yi Liu,Chia-Kai CHEN. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

Non-volatile associative memory cell, non-volatile associative memory device, monitoring method, and non-volatile memory cell

Номер патента: US20220037587A1. Автор: Yuji Kakinuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure having a dual-gate non-volatile memory device and methods for making same

Номер патента: US09466608B1. Автор: Weize Chen,Patrice M Parris,Richard J De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Method to increase charge retention of non-volatile memory

Номер патента: WO2007089558A3. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130105883A1. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09928894B2. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile push-pull non-volatile memory cell having reduced operation disturb and process for manufacturing same

Номер патента: US09859289B2. Автор: Fethi Dhaoui,John McCollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09691782B1. Автор: Bong-Soon Lim,Ki-tae Park,Chul-Jin Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Device for generating a voltage reference comprising a non-volatile memory cell

Номер патента: US09691493B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Sandor Petenyi,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMicroelectronics Design and Application sro. Дата публикации: 2017-06-27.

HKMG high voltage CMOS for embedded non-volatile memory

Номер патента: US09659953B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Ya-Chen Kao,Yi Hsien Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Writing to cross-point non-volatile memory

Номер патента: US09613676B1. Автор: Wayne Kinney,Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Bei Wang,Alessandro Calderoni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-volatile memory cell fabricated with slight modification to a conventional logic process and methods of operating same

Номер патента: US7056785B2. Автор: Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-06.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US20160042795A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080144395A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A4. Автор: Russell D Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2009-08-12.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: WO2005114668A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L-3 Integrated Systems Company. Дата публикации: 2005-12-01.

Non-volatile memory device readable only a predetermined number of times

Номер патента: US12125533B2. Автор: Marco Bildgen,Francesco La Rosa. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-22.

Embedded HKMG non-volatile memory

Номер патента: US09793286B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US09424939B2. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Structure and method for BEOL nanoscale damascene sidewall-defined non-volatile memory element

Номер патента: US9583498B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory with a single gate-source common terminal and operation method thereof

Номер патента: US20160013194A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Non-volatile memory capable of preventing antenna effect and fabrication thereof

Номер патента: US20040026732A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Method for storing a key in a non-volatile memory

Номер патента: US20240267217A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile memory with countermeasure for over programming

Номер патента: US20200365220A1. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Non-volatile memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US10916664B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Contact for a non-volatile memory and method therefor

Номер патента: US09741602B2. Автор: Gong Chen,Linghui Wu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Split gate non-volatile memory cell with 3D finFET structure, and method of making same

Номер патента: US09634018B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Page or word-erasable composite non-volatile memory

Номер патента: US09460798B2. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-10-04.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: US20240105265A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230320088A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Erase method for non-volatile memory with multiple tiers

Номер патента: WO2024072497A1. Автор: Xiang Yang,Masaaki Higashitani,Dengtao Zhao,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile memory unit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160204274A1. Автор: Chih-Ming Chen,Jung-Chang Lu,Der-Tsyr Fan. Владелец: XINNOVA TECHNOLOGY Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for manufacturing electronic memory devices integrated in a semiconductor substrate including non-volatile memory matrix and associated circuitry

Номер патента: US20060148173A1. Автор: Luca Pividori. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-06.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080151645A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12127403B2. Автор: Chun-Hao Chen,Wei-Kuang Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US12131776B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210265474A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Po-Hsuan CHEN,Kuo-Lung Li,Szu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for programming non-volatile memory cell, non-volatile memory array and non-volatile memory apparatus

Номер патента: US20140092689A1. Автор: Chien-Hung Chen,Shen-De Wang,Wen-Chung Chang,Ya-Huei HUANG,Feng-Ji Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Memory structure having volatile and non-volatile memory portions

Номер патента: WO2009117222A1. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch,Charles Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-09-24.

Scheme to reduce read disturb for high read intensive blocks in non-volatile memory

Номер патента: US20190371416A1. Автор: Swaroop Kaza,Sainath Viswasarai,Narayan Kuddannavar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Non-volatile memory, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US20060237761A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Non-volatile Memory Cell Having A Floating Gate And A Coupling Gate With Improved Coupling Ratio Therebetween

Номер патента: US20140203343A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Non-Volatile Memory Cell and Layout Structure of Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20110073924A1. Автор: Hui-Fang Tsai,Hung-Lin Shih,Pei-Ching Yin,Bin Chen, JR.. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile memory and fabricating method thereof and operation thereof

Номер патента: US20060240618A1. Автор: Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Non-volatile memory device including common source line tapping wire connected to common source line plate by vias on lower metal line and through-hole vias

Номер патента: US12089408B2. Автор: Bongsoon LIM,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory element with thermal-assisted switching control

Номер патента: US09870822B2. Автор: Zhiyong Li,Ning Ge,Jianhua Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-16.

Non-volatile memory devices including charge storage layers

Номер патента: US09786675B2. Автор: Zhiliang Xia,Jaehun Jung,Seunghyun Lim,Kwang Soo SEOL,Daewoong KANG,Dae Sin KIM,Homin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile memory with multiple latency tiers

Номер патента: US09773547B2. Автор: R. Stanley Williams,Naveen Muralimanohar,Gregg B. Lesartre,Erik Ordentlich,Richard H. Henze,Yoocharn Jeon,Martin Foltin. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Tamper-resistant non-volatile memory device

Номер патента: US09548113B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Tamper-resistant non-volatile memory device

Номер патента: US09536581B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO,Satoru Ogasahara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09478291B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile memory device, method of manufacturing the same, and memory system including the same

Номер патента: US20230117267A1. Автор: Moorym CHOI,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210035641A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Non-volatile memory device with improved cell cycling and corresponding method for operating the non-volatile memory device

Номер патента: US20230091464A1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francois Maugain. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-23.

Non-volatile memory semiconductor devices and method for making thereof

Номер патента: US20140346582A1. Автор: Jan Van Houdt,Laurent Breuil,Pieter Blomme,Judit (Gloria) Lisoni REYES. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-11-27.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: WO2013032585A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-03-07.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140273495A1. Автор: Minchul Kim,Jae-Hwang Sim,Sangbin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080279001A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

A non-volatile memory cell having a floating gate and a coupling gate with improved coupling ratio therebetween

Номер патента: EP2751840A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20140160854A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Wordline strapping for non-volatile memory elements

Номер патента: US20200185374A1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul,Joseph Versaggi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-volatile memory device with comparison capability between target and readout data

Номер патента: US20220336027A1. Автор: Hsing-Yu Liu,Jyun-Yu Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Non-volatile memory switch with host isolation

Номер патента: US12099398B2. Автор: Salil Suri,Yingdong LI,Scott Furey,Liping Guo. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for performing wireless charging control of an electronic device with aid of predetermined data in non-volatile memory, and associated apparatus

Номер патента: US09941751B2. Автор: Kuan-Kai Juan,Li-Ting Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Stress patterns to detect shorts in three dimensional non-volatile memory

Номер патента: US09830998B2. Автор: Jayavel Pachamuthu,Jagdish Sabde,Sagar Magia,Ankitkumar Babariya. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09761314B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508835B2. Автор: Chien-Hung Chen,Shen-De Wang,Wen-Chung Chang,Ya-Huei HUANG,Feng-Ji Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof and operating method of memory cell

Номер патента: US20120127795A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for integrating non-volatile memory cells with static random access memory cells and logic transistors

Номер патента: US20160267979A1. Автор: Cheong Min Hong,Laureen H. Parker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile memory elements with multiple access transistors

Номер патента: US20200227107A1. Автор: Bipul C. Paul,Harsh N. Patel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20230154543A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Non-volatile memory

Номер патента: EP1405340A2. Автор: Jurriaan Schmitz,Franciscus P. Widdershoven,Michiel Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-04-07.

Non-volatile memory

Номер патента: US20200152646A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Error injection for assessment of error detection and correction techniques using error injection logic and non-volatile memory

Номер патента: US20190188064A1. Автор: Michael K. Ciraula. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144281A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing non-volatile memory

Номер патента: US20130260524A1. Автор: Yu-Jen Chang,Chien-Hung Chen,Tzu-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190378852A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Non-Volatile Memory Device with Improved Immunity to Erase Saturation and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20110183509A1. Автор: Hongyu Yu,Hag-Ju Cho,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-07-28.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory with redundant control line driver

Номер патента: WO2023149912A1. Автор: QIN Zhen,Liang Li. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: EP2005479A2. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: WO2007120721A8. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Non-volatile memory cell and operating method thereof

Номер патента: US20070008777A1. Автор: Ming-Hsiang Hsueh,Ming-Chang Kuo,Chao-Lun Yu,Min-Ta Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240324233A1. Автор: Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: EP4436332A1. Автор: Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Out-of-order bit-flipping decoders for non-volatile memory devices

Номер патента: US12112041B2. Автор: Fan Zhang,Haobo Wang,Meysam Asadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with volatile and non-volatile memories to retain data during power interruption

Номер патента: US09898194B2. Автор: Masaaki Hiroki,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761596B2. Автор: Yu-Ming Cheng. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Monitoring of excessive write operations issued to a non-volatile memory

Номер патента: US09626114B2. Автор: Li Li,Ben-Heng Juang,Arun G. Mathias. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory control for power saving state based on determination of volatile memory or non-volatile memory

Номер патента: US09584693B2. Автор: Toshiaki Iizuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

3-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508836B2. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-volatile memory cell with lateral pinning

Номер патента: US8541247B2. Автор: Haiwen Xi,Brian Lee,Patrick J. Ryan,Antoine Khoueir. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-09-24.

Non-volatile memory device with reduced distance between control gate electrode and selecting gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043877A1. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Chih-Hao Pan,Chia-Wen Wang,Wen-Peng Hsu,Kuo-Lung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US11854624B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Non-volatile memory with program skip for edge word line

Номер патента: WO2023033883A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Non-volatile memory device and storage device

Номер патента: US20240168669A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory device and operating method

Номер патента: US20210366539A1. Автор: Seungbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile memory device and erasing method of the same

Номер патента: US20200411105A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Young-sik RHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for operating a non-volatile memory cell

Номер патента: US11004505B1. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Memory device with SRAM cells assisted by non-volatile memory cells and operation method thereof

Номер патента: US11929115B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Non-volatile memory device and storage device

Номер патента: EP4372749A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Non-volatile memory devices including blocking insulation patterns with sub-layers having different energy band gaps

Номер патента: US20150084114A1. Автор: Changseok Kang,Jungdal CHOI,Sung-II Chang,Juhyung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-26.

Non-volatile memory devices including blocking insulation patterns with sub-layers having different energy band gaps

Номер патента: US20140183615A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Chang-seok Kang,Sung-II Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Non-volatile memory with pre-trained model and inference circuit

Номер патента: EP4420122A1. Автор: Liang Li,Loc Tu,Yinfeng YU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of forming a tunnel oxide layer of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020076883A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Non-volatile memory device

Номер патента: US8059473B2. Автор: Jeong-Uk Han,Yong-Tae Kim,Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-15.

Non-volatile memory device with selection of error decoding level

Номер патента: EP4030434A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for writing in a non-volatile memory according to the ageing of the memory cells and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20210319836A1. Автор: Francesco La Rosa,Enrico Castaldo,Francesca Grande,Santi Nunzio Antonino Pagano,Giuseppe Nastasi,Franco Italiano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20220344369A1. Автор: In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of manufacturing a non-volatile memory

Номер патента: EP1417704A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20220222139A1. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Location dependent sense time offset parameter for improvement to the threshold voltage distribution margin in non-volatile memory structures

Номер патента: US12027218B2. Автор: Ravi Kumar,Xue Bai Pitner,Prafful Golani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Non-volatile memory semiconductor device

Номер патента: US20100078705A1. Автор: Hiraku Chakihara,Tsutomo OKAZAKI. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: EP4117026A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-11.

Non-volatile memory device and non-volatile memory system comprising the same

Номер патента: US20230010192A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Jin-Soo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060134866A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060205157A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7067375B1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-27.

Enabling a secure boot from non-volatile memory

Номер патента: US09977902B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Non-volatile memory cell and method of operating the same

Номер патента: US09805806B2. Автор: Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Dual non-volatile memory cell comprising an erase transistor

Номер патента: US09613709B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-volatile memory cell

Номер патента: US09496417B2. Автор: Chih-Lung Chang,Hsiao-Hua Lu,Chih-Ming Kuo. Владелец: AMIC Tech Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Dual non-volatile memory cell comprising an erase transistor

Номер патента: US09484107B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-01.

Three gate non-volatile memory cell

Номер патента: CA1196419A. Автор: Arthur L. Lancaster. Владелец: Inmos Corp. Дата публикации: 1985-11-05.

Non-volatile memory device including a memory cell in a variable state and a memory cell in an initial state

Номер патента: US10410719B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-10.

Photodiode imaging arrays reconfigured or mapped via a non volatile memory

Номер патента: GB2490929A. Автор: Graham Mackerron,Bernard Mulgrew. Владелец: Selex Galileo Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Non-volatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150062993A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20210027840A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Wan Nam,Jung-Yun Yun,Ji Ho Cho,Sang Gi HONG,Won Bo Shim,Ji Yeon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Non-volatile memory device

Номер патента: EP4231802A1. Автор: Daeseok Byeon,SeungYeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162316A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing a non-volatile memory

Номер патента: WO2003015172A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van. Владелец: Schaijk Robertus T F Van. Дата публикации: 2003-06-05.

Non-volatile memory apparatus and erasing method thereof

Номер патента: US20150287467A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai,Chun-Yuan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: US20240055053A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chun-Yuan Lo,Chang-Chun Lung,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240242755A1. Автор: Sunghoon Kim,ChangBum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Clock generator circuits with non-volatile memory for storing and/or feedback-controlling phase and frequency

Номер патента: WO2009026513A3. Автор: Brent Haukness,Jaeha Kim. Владелец: Jaeha Kim. Дата публикации: 2009-05-07.

Non-volatile memory compatible with logic devices and fabrication method thereof

Номер патента: US20040087096A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120044767A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-Dae Lee,Sung-Ho Seo,Woo-Sik Nam,Hyun-Min Seung,Yool-Guk Kim,Young-Hwan Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20210028175A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Non-Volatile Memory Devices and Methods of Manufacturing Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20080296657A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Sang-Wook Lim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240274682A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20200273861A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12131784B2. Автор: Sangwon Park,Byungsoo Kim,Bongsoon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing non volatile memory device

Номер патента: US09704975B2. Автор: Kyung Ho Lee,Jeong Ho Cho,Doo Yeol Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Methods of fabricating non-volatile memory devices using inclined ion implantation

Номер патента: US20100317169A1. Автор: Keon-Soo Kim,Se-Jun Park,Min-Chul Kim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Non-Volatile Memory Cell with Precessional Switching

Номер патента: US20100195380A1. Автор: WEI Tian,Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Haiwen Xi,Yong Lu,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Dimitar Dimitrov,Brian Seungwhan Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile memory and-array and method for operating the same

Номер патента: EP2041793A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel J. Van Duuren. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-01.

Method of manufacturing non-volatile memory having sonos memory cells

Номер патента: US20160336337A1. Автор: Sung-Bin Lin,Wen-Chung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Split-gate non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032290A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory with inter-die connection

Номер патента: US20230386576A1. Автор: Tuan Pham,Fumiaki TOYAMA,Shiqian SHAO. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory cell with field-enhancing floating gate and method for forming the same

Номер патента: US6294808B1. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Electronic Device Including a Non-Volatile Memory Cell and a Process of Forming the Same

Номер патента: US20220254920A1. Автор: Weize Chen,Sameer S. Haddad,Mark Griswold,Bruce B. Greenwood,Kenneth A. BATES. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-08-11.

Dynamic read voltages in non-volatile memory

Номер патента: US20200395080A1. Автор: Bhavadip Bipinbhai Solanki,Shreejith Koruvailu Vishwanath. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Non-volatile memory with fast partial page operation

Номер патента: US20200303010A1. Автор: Pitamber Shukla,Mohan V. Dunga. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-24.

Non-volatile memory transistor with a self-aligned nitride storage layer

Номер патента: EP2434535A3. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Semiconductor device having a non-volatile memory built-in

Номер патента: US20140071749A1. Автор: Tetsuo Hironaka,Takashi Ishiguro,Kyoko Nakajima,Kenichi Shimomai,Kazuya Tanigawa. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Band engineered high-k tunnel oxides for non-volatile memory

Номер патента: US20090283816A1. Автор: WEI Tian,Insik Jin,Song S. Xue,Dimitar V. Dimitrov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-11-19.

Programmable and convertible non-volatile memory array

Номер патента: US5717634A. Автор: Michael C. Smayling,Giovanni Santin,Giulio Marotta,Pietro Piersimoni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Floating gate non-volatile memory cell with low erasing voltage and manufacturing method

Номер патента: US6054731A. Автор: Paolo Cappelletti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2000-04-25.

Non-volatile memory based compute-in-memory cell

Номер патента: US20230162785A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Chia-Fu Lee,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US11901012B2. Автор: Byungsoo Kim,Jaeyong Jeong,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Display driver system with embedded non-volatile memory

Номер патента: US20200327865A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zhigang Han. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Systems and methods for decoupling host commands in a non-volatile memory system

Номер патента: US10019171B2. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-07-10.

Non-volatile memory capable of preventing antenna effect and fabrication thereof

Номер патента: US6812507B2. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-02.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162317A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG,Chen-Ming Tsai. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Split Gate Non-volatile Memory Cell With 3D FINFET Structure, And Method Of Making Same

Номер патента: US20160276357A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Split gate non-volatile memory cell with 3d finfet structure, and method of making same

Номер патента: WO2016148873A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-09-22.

Split gate non-volatile memory cell with 3d finfet structure, and method of making same

Номер патента: EP3271936A1. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-24.

Non-volatile memory, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US7170129B2. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-30.

Systems and Methods for Decoupling Host Commands in a Non-Volatile Memory System

Номер патента: US20170249081A1. Автор: Yiftach Tzori. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-31.

Non-volatile memory

Номер патента: US20200066744A1. Автор: Pan-Suk Kwak,Chan-Ho Kim,Kyung-Hwa Yun,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Display driver system with embedded non-volatile memory

Номер патента: US20240021173A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zhigang Han. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US20200381053A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Yao-Wen Chang,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile memory device and system including the same

Номер патента: US20240015977A1. Автор: Yong Seok Kim,Min Jun Lee,Jong Ho WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Scheduling policy for queues in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09501244B2. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing non-volatile memory device having charge trap layer

Номер патента: US7736975B2. Автор: Yong Soo Kim,Moon Sig Joo,Won Joon Choi,Heung Jae Cho,Sung Jin Whang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11929118B2. Автор: Sangwon Park,Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Operating a secure storage device with a non-volatile memory

Номер патента: US20190228163A1. Автор: Klaus Werner,Joerg Schmidbauer,Jakob C. Lang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Adjusting code rates to mitigate cross-temperature effects in a non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20200409579A1. Автор: Antoine Khoueir,Kurt Walter Getreuer,Darshana H. Mehta,Christopher Joseph Curl. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory cell of non-volatile memory

Номер патента: US11877456B2. Автор: Wein-Town Sun,Ying-Je Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US9619736B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9331291B2. Автор: Youngkyoo Kim,Hwajeong Kim,Sungho Nam,Jooyeok Seo,Soohyeong Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2016-05-03.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US8467223B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-06-18.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US20120033478A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Non-volatile memory cell with high bit density

Номер патента: US20140029354A1. Автор: Igor Lusetsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-01-30.

Comparators and analog-to-digital converters using non-volatile memory devices

Номер патента: US20240137037A1. Автор: Ning Ge,Sangsoo Lee,Wenbo Yin,Hengfang Zhu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Bias scheme for word programming in non-volatile memory and inhibit disturb reduction

Номер патента: EP3711051A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Venkatraman Prabhakar,Ali Keshavarzi,Gary Menezes. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Non-volatile memory

Номер патента: US20180102376A1. Автор: Cheng-Da Huang,Yi-Hung Li,Ming-Shan Lo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method

Номер патента: US20150213338A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Non-volatile memory cell and non-volatile cell array

Номер патента: US20200160909A1. Автор: Ping-Yu KUO. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Circuit and method for controlling write timing of a non-volatile memory

Номер патента: US20130121058A1. Автор: Chih-He Lin,Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Pi-Feng Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-05-16.

Method for processing data in in-memory database using non-volatile memory and in-memory database

Номер патента: US10824563B2. Автор: Sang Hyun Park,Do Young Kim,Bernd BURGSTALLER,Won Gi CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-11-03.

Systems and methods for implementing persistent data structures on an asymmetric non-volatile memory architecture

Номер патента: US20210397524A1. Автор: KANG Chen,Teng MA,Mingxing Zhang,Yongwei Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-23.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for processing data in in-memory database using non-volatile memory and in-memory database

Номер патента: US20190384708A1. Автор: Sang Hyun Park,Do Young Kim,Bernd BURGSTALLER,Won Gi CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-12-19.

System and Method for searching a buffer of a non-volatile storage Host Controller

Номер патента: US20240295990A1. Автор: Tzu-Shiun LIU,Chih-Chieh Chou,Chin-Chin Cheng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: WO2014144043A4. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for writing to and erasing a non-volatile memory

Номер патента: SG166068A1. Автор: John Rudelic. Владелец: John Rudelic. Дата публикации: 2010-11-29.

Method for improving access performance of a non-volatile storage device

Номер патента: US09690489B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chih-Nan YEN,Szu-I Yeh. Владелец: Storart Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: US20140195727A1. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Method for differentiating the programming and erasing voltages in non volatile memory devices and corresponding memory device manufacturing process

Номер патента: EP1047078A1. Автор: Federico Pio,Enrico Gomiero,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-10-25.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240161848A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240193058A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US20240160544A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Apparatus, systems, and methods for dynamically reconfigured semiconductor tester for volatile and non-volatile memories

Номер патента: US12099424B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Intelligent Memory Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

System and method for BMC and BIOS booting using a shared non-volatile memory module

Номер патента: US11775314B2. Автор: Chih-Sheng Chou. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2023-10-03.

System and method for dynamic compensation for multiple interference sources in non-volatile memory storage devices

Номер патента: US11854631B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile memory accelerator and method for speeding up data access

Номер патента: US09773534B2. Автор: Kun-Chih Chen,Hsiao-An Chuang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-volatile memory accelerator and method for speeding up data access

Номер патента: US20170221535A1. Автор: Kun-Chih Chen,Hsiao-An Chuang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Bitline timing-based multi-state programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20240185914A1. Автор: Liang Li,Ming Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for trimming non-volatile memory cells

Номер патента: US20020196660A1. Автор: Theodore Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: US20240212781A1. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A3. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for testing a non-volatile memory

Номер патента: WO2024137333A2. Автор: Bogdan Georgescu,Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Methods and Devices for Erasing Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220044743A1. Автор: Gianbattista Lo Giudice,Rosario Roberto Grasso,Giovanni Matranga,Alberto Jose' Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-02-10.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US09478303B1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US12147669B2. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: US12080355B2. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20120147655A1. Автор: Sung Yeon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for suppressing gate oxide tunnel current in non-volatile memory to reduce disturbs

Номер патента: US20200143898A1. Автор: Aswin N. Mehta,John H. MacPeak,Stephen K. Heinrich-Barna,Clyde F. Dunn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Positive feedback and parallel searching enhanced optimal read method for non-volatile memory

Номер патента: US20210118518A1. Автор: Xiang Yang,Jianzhi Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040008542A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-01-15.

Non-volatile memory apparatus and writing circuit and method for non-volatile memory apparatus

Номер патента: US09530507B2. Автор: Akira Ogawa. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20030072202A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device, data processing system and a method for changing threshold of a non-volatile memory cell

Номер патента: US20020008991A1. Автор: Hiroaki Kotani,Toshinori Harada,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu,Takayuki Yoshitake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Regulation method for the source terminal voltage in a non-volatile memory cell during a program phase and corresponding program circuit

Номер патента: US6822905B2. Автор: Rino Micheloni,Ilaria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-11-23.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Peak and average icc reduction by tier-based sensing during program verify operations of non-volatile memory structures

Номер патента: US20220392552A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Huai-Yuan Tseng,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: WO2023146572A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Programming a non-volatile memory

Номер патента: US20120195124A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09697897B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Non-volatile memory with zone based program speed adjustment

Номер патента: US12094546B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

High speed multi-level cell (MLC) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US12112800B2. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Serial attached non-volatile memory

Номер патента: US20230305922A1. Автор: Kelvin Marino,Robert Tower Frey. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US20010040825A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US12136028B2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-05.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US09437322B2. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Non-volatile memory device capable of minimizing instant current consumption and performing memory operations in parallel, and method for operating the same, and system including the same

Номер патента: US09378134B2. Автор: Eui-Jin Kim,Byoung-Sung Yoo,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: US20120213007A1. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A3. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: EP2676275A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2013-12-25.

Controlling a non-volatile memory

Номер патента: WO2012112629A2. Автор: Troy N. Gilliland,Yanyi L. Wong. Владелец: SYNOPSYS INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Non-volatile memory

Номер патента: US20100329000A1. Автор: Mohamed Boutchich. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US20230290405A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915A2. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2005-08-24.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registeting light- attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US20060011816A1. Автор: Wolfgang Buhr,Joachim Garbe. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-19.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: EP1565915B1. Автор: Joachim Christoph Hans Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-03-18.

Circuit arrangement with non-volatile memory module and method for registering light-attacks on the non-volatile memory module

Номер патента: US7232983B2. Автор: Joachim C. H. Garbe,Wolfgang Buhr. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-19.

Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple partitions of a non-volatile memory

Номер патента: US11768603B2. Автор: RAJESH Sundaram,Daniel Chu,Raymond W. Zeng,Owen W. Jungroth,Shekoufeh Qawami,DerChang Kau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit memory system with high speed non-volatile memory data transfer capability

Номер патента: US20080192560A1. Автор: Seung Won Lee,Byeong Hoon Lee,Sun Kwon Kim,Ki Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Systems and methods for sampling data at a non-volatile memory system

Номер патента: US09785357B2. Автор: Dana Lee,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Guirong Liang,Harish Singidi,Anne Pao-Ling Koh,Chris Aviala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Non volatile memory cell and memory array

Номер патента: US09627066B1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Roberto Bregoli,Dario Livornesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory device

Номер патента: US09543006B2. Автор: Jia-Hwang Chang,Jui-Jen Wu,Sheng-Tsai Huang,Fan-yi Jien. Владелец: Ningbo Advanced Memory Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Non-volatile memory with adaptive dummy word line bias

Номер патента: US20240177778A1. Автор: PENG Wang,Jie Liu,Xiaoyu Yang,Feng Gao,Yihang Liu,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: WO2006124122A3. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: Masaaki Higashitani. Дата публикации: 2006-12-28.

Memory apparatus and associated control method for reducing erase disturb of non-volatile memory

Номер патента: US20210366557A1. Автор: Kuen-Long Chang,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device and a method for operating the same

Номер патента: US12112056B2. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

System and method for tracking block level mapping overhead in a non-volatile memory

Номер патента: US09921956B2. Автор: Nicholas James Thomas,Michael Anthony Moser,Oleg Kragel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and system for compacting data in non-volatile memory

Номер патента: US09910773B2. Автор: Nicholas James Thomas. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09443596B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US12014800B2. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US20200294560A1. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: WO2024144910A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US11152041B2. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

System and method for initiating a bad block disable process in a non-volatile memory

Номер патента: US20090091994A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Two-stage programming using variable step voltage (dvpgm) for non-volatile memory structures

Номер патента: US20220215873A1. Автор: Ravi Kumar,Muhammad Masuduzzaman,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-07.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

System and Method for Providing a Programming Framework for Designing High-Performance Non-Volatile Memory Objects with High Usability

Номер патента: US20240160411A1. Автор: SeungMin JEON,Jeehoon Kang,Kyeongmin Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for operating non-volatile memory controller

Номер патента: US09904492B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son,Dong-whan Lee,Hye-Jeong So,Young-Geon YOO,Dong-Sup Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

System and method for precision interleaving of data writes in a non-volatile memory

Номер патента: US09778855B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Apparatuses and methods for non-volatile memory programming schemes

Номер патента: US09576667B2. Автор: Akira Goda,William C Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: US12014777B2. Автор: Li Xiang,Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030107921A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for operating non-volatile memory with symmetrical dual-channels

Номер патента: US20020167840A1. Автор: Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Non-volatile memory devices having uniform error distributions among pages

Номер патента: US8780627B1. Автор: Xueshi Yang. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Apparatus and methods for direct co-processor access to prestored file system data in a non-volatile memory system

Номер патента: US20240220115A1. Автор: Paul Blinzer,David Livingstain Ziman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for operating a non volatile memory of an electronic device and the electronic device implementing the same

Номер патента: US10318184B2. Автор: Woosung Lee,Inhwan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-11.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory with virtual ground voltage provided to unselected column lines during memory write operation

Номер патента: US20220101903A1. Автор: Karthik Ramanan,Jacob T. Williams,Jon Scott Choy,Padmaraj Sanjeevarao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: EP4181143A3. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Non-volatile memory device for detecting defects of bit lines and word lines

Номер патента: US12131798B2. Автор: Sangwan Nam,Junyoung Ko,Heewon Kim,Youse Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory with dynamic repurpose of word line

Номер патента: US09910749B2. Автор: Bin Wu,Nian Niles Yang,Jiahui Yuan,Xinde Hu,Grishma Shah,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for storage of data in a non-volatile media

Номер патента: US09727263B2. Автор: Jon C. R. Bennett. Владелец: VIOLIN MEMORY INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US09715938B2. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Apparatus and method for accessing a non-volatile memory blade using multiple controllers in a non-volatile memory based storage device

Номер патента: US09645940B2. Автор: William Radke,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Systems and methods for utilizing wear leveling windows with non-volatile memory systems

Номер патента: US09514043B1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for implementing security of non-volatile memory

Номер патента: US09471812B2. Автор: CHEN He. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Low standby power with fast turn on for non-volatile memory devices

Номер патента: US09449655B1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

System and method for emulating an EEPROM in a non-volatile memory device

Номер патента: US09389999B2. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Device and method for pre-programming of in-pixel non-volatile memory

Номер патента: WO2012020817A1. Автор: Michael P. Coulson,Sunay Shah,Benjamin J. Hadwen. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-02-16.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US8811106B2. Автор: Youjip Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

Generating a random number using a non-volatile memory based physical uncloneable function

Номер патента: US20240249757A1. Автор: Asaf Gueta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Verify while write scheme for non-volatile memory cell

Номер патента: US20110194355A1. Автор: Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US09715924B2. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Caching unified extensible firmware interface (UEFI) and/or other firmware instructions in a non-volatile memory of an information handling system (IHS)

Номер патента: US09563439B2. Автор: Mukund P. Khatri,Dirie N. Herzi. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for programming non-volatile memory with reduced bit line interference and associated device

Номер патента: US09437319B1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

System and method for measuring data retention in a non-volatile memory

Номер патента: US20160322113A1. Автор: Liam Michael Parker. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Shared volatile and non-volatile memory

Номер патента: US20040202022A1. Автор: Manish Sharma,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US20210074356A1. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method and device for programming non-volatile memory

Номер патента: US20180373584A1. Автор: Shih-Chang Huang,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: WO2017209812A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: WO2017209811A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor integrated, electronic control circuit incorporating an electrically programmable, electronic non-volatile memory device

Номер патента: US6081471A. Автор: Virginia Natale,Luca Fontanella,Michele Palazzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-06-27.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: US20080056015A1. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

System and method for use of on-chip non-volatile memory write cache

Номер патента: EP1829047A1. Автор: Kevin M. Conley,Yoram Cedar. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-09-05.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A3. Автор: Jinshu Son. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Data storage device and control method for non-volatile memory

Номер патента: US20200272561A1. Автор: Shih-Chang Chang,Jian-Yu Chen,Bo-Yan JHAN,Yuh-Jang LO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Data write-in method and non-volatile memory

Номер патента: US11011231B2. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Method of updating data for a non-volatile memory

Номер патента: US20040205291A1. Автор: Hugues Blangy. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-10-14.

Control circuit for refreshing voltages in a non-volatile memory during a standby mode and a method thereof

Номер патента: US20090003116A1. Автор: Kerry D. Tedrow,Gerald Barkley,Balaji SIVAKUMAR,Bharat CHAUHAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Non-volatile memory with selectable hard write

Номер патента: US20210118475A1. Автор: Anirban Roy,Jon Scott Choy,Jacob Williams,Richard Eguchi,Kerry Ilgenstein. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method and apparatus to prevent high voltage supply degradation for high-voltage latches of a non-volatile memory

Номер патента: WO2008008613A8. Автор: Johnny Chan,Jinshu Son. Владелец: Johnny Chan. Дата публикации: 2009-02-26.

?read after erase? method for catching single word line ?slow to erase? signature in non-volatile memory st

Номер патента: US20220415413A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory sector retirement in a non-volatile memory

Номер патента: US09996458B1. Автор: Fuchen Mu,Botang SHAO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Dynamically allocable regions in non-volatile memories

Номер патента: US09852781B2. Автор: Luca Porzio,Emanuele Confalonieri,Giuseppe Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US09779820B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: US09747992B1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Tamper-resistant non-volatile memory device comprising an arithmetic circuit that, in operation, calculates a binary reference value based on at least a part of the pieces of resistance value information, a read circuit that, in operation, selectively assigns, based on the binary reference value, one of two values to each of the pieces of resistance value information, and a write circuit that, in operation, performs a write operation corresponding to one of the two values among memory cells

Номер патента: US09653161B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Multi-state programming for non-volatile memory

Номер патента: US09595317B2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Yen-Lung Li,Jong Hak Yuh. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus and method for routing information in a non-volatile memory-based storage device

Номер патента: US09507529B2. Автор: William Radke,Radoslav Danilak. Владелец: Skyera LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of reliably reading data stored in multi-level cell (MLC) non-volatile memory

Номер патента: US09495518B2. Автор: Jae Hong Kim,Yong June Kim,Hong Rak Son,Ki Jun LEE,Seong Hyeog Choi,Sang Yong YOON,Jung Soo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09472277B2. Автор: Tetsuji Kunitake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Random access memory device having parallel non-volatile memory cells

Номер патента: US5029132A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-07-02.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20240012563A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: WO2012003275A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory with loop dependant ramp-up rate

Номер патента: WO2024151342A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory cell compliant to a near-memory computation system

Номер патента: US20200202941A1. Автор: Chih-Hsin Chen,Chun-Fu Lin,Tsung-Mu Lai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array

Номер патента: US20230197156A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Device for reading a low-consumption non-volatile memory and its implementing method

Номер патента: US20090175074A1. Автор: Yves Theoduloz,Hugo Jaeggi,Nadia Harabech. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of programming a non-volatile memory cell to eliminate or to minimize program deceleration

Номер патента: US20050078526A1. Автор: Sang Nguyen,Hung Nguyen,Yuniarto Widjaja,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of programming a non-volatile memory cell by controlling the channel current during the rise period

Номер патента: US20060285394A1. Автор: Sang Nguyen,Hung Nguyen,Yuniarto Widjaja,Alexander Kotov,Tho Dang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Protection register for a non-volatile memory

Номер патента: US20100165765A1. Автор: Duane Mills,Rich E. Fackenthal,Chin-Tin Tina Yu. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Non-volatile memory device

Номер патента: US12100452B2. Автор: Sangwon Park,Junho Choi,Kuihan KO,Minyong Kim,Jekyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240311294A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory integrated with artificial intelligence system for preemptive block management

Номер патента: US12099743B2. Автор: Liang Li,Xuan Tian,Loc Tu,Yinfeng YU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: EP4439300A1. Автор: Mitsuaki Honma,Daisuke Arizono,Keisuke Azuma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

System, apparatus, and method for anti-replay protection of data stored in a non-volatile memory device

Номер патента: US09690922B2. Автор: Mark Buer,Jaku Jose,Weiyang Zhou,Kunyan Liu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Converting volatile memory module devices to flashless non-volatile memory module devices

Номер патента: US09619329B2. Автор: Mudi M. FLUMAN,Yaacov Frank,Yehuda Shiran,Ronny Vatelmacher,Ofir Elizov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and apparatus for treatment of state confidence data retrieved from a non-volatile memory array

Номер патента: US09582357B2. Автор: Sungho Park,Aliasgar S. Madraswala,Wayne D. Tran,Matthew Goldman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device and corresponding operating method with stress reduction

Номер патента: US09564231B2. Автор: Maria GIAQUINTA,Alfredo Signorello,Francesca Grande,SantiNunzioAntonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US20240046996A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: WO2024030190A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory with narrow and shallow erase

Номер патента: US11972805B2. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20230139665A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20180102167A1. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Parallel use of integrated non-volatile memory and main volatile memory within a mobile device

Номер патента: EP2588963A1. Автор: Christopher Kong Yee Chun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: US12039193B2. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: Kigen UK Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Adaptive internal table backup for non-volatile memory system

Номер патента: US20120331208A1. Автор: Robert C. Chang,Bahman Qawami,Farshid Sabet-Sharghi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-12-27.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Non-volatile memory

Номер патента: US20150200017A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: WO2020201672A1. Автор: Colin Dean TEBBUTT,William David HUNTER. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-10-08.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: US20240312538A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile memory with intelligent erase testing to avoid neighbor plane disturb

Номер патента: WO2024191493A1. Автор: Liang Li,Dana Lee,Dandan Yi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240302959A1. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and method for controlling non-volatile memory

Номер патента: US20240319919A1. Автор: Shinichi Matsukawa,Yongbum Park. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi time program device with power switch and non-volatile memory

Номер патента: US12068042B2. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device with volatile memory and non-volatile memory in latched arrangement

Номер патента: US5262986A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Non-volatile memory device using variable resistance element with an improved write performance

Номер патента: US20120224437A1. Автор: Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Du-Eung Kim,Hung-Jun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-06.

Method of improving read current stability in analog non-volatile memory by post-program tuning for memory cells exhibiting random telegraph noise

Номер патента: EP4348651A1. Автор: Viktor Markov,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Column erasing in non-volatile memory strings

Номер патента: US20200013469A1. Автор: Jayavel Pachamuthu,Amul Dhirajbhai Desai,Ankitkumar Babariya. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A3. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A3. Автор: Daniel Sobek,Timothy J Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Microcontroller architecture for non-volatile memory

Номер патента: US20200341691A1. Автор: Yan Li,Hiroyuki Mizukoshi,Tai-Yuan Tseng,Chi-Lin Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A2. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Method and apparatus for reducing read latency for a block erasable non-volatile memory

Номер патента: EP4361828A3. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,David J. Pelster,Robert E. Frickey,Paul D. Ruby,Justin R. DAYACAP,Joseph F. DOLLER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same

Номер патента: WO1996025744A1. Автор: James E. O'Toole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1996-08-22.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Non-volatile memory with multi-gear control using on-chip folding of data

Номер патента: EP2513908A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Jianmin Huang,Lee M. Gavens,Chris Avila,Steven T. Sprouse,Neil David Hutchison. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-10-24.

Non-volatile memory saving cell information in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2737484A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Hari M. Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-06-04.

An apparatus, method and computer program for managing memory page updates within non-volatile memory

Номер патента: GB2582638A. Автор: Dean Tebbutt Colin,David Hunter William. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2020-09-30.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US20160162355A1. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile Memory Device

Номер патента: US20100302862A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Non-volatile memory saving cell information in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013016467A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Hari M. Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-31.

Data storage device with hierarchical mapping information management, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210208798A1. Автор: Hsueh-Chun FU. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Circuit and method for reading a non-volatile memory

Номер патента: US6195286B1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-02-27.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US09996284B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device and method with backup energy reservoir to write in-flight data in non-volatile memory

Номер патента: US09977478B1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Non-volatile memory interface

Номер патента: US09910771B2. Автор: Blaise Fanning,Michael W. Williams,Robert J. Royer, Jr.,Eng Hun Ooi,Jeffrey R. Wilcox,Ritesh B. Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

System for handling erratic word lines for non-volatile memory

Номер патента: US09910730B2. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Restoring ECC syndrome in non-volatile memory devices

Номер патента: US09910729B1. Автор: Amit Shefi,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: US09891694B2. Автор: Ali Taha,Vipul Gandhi,Phani Babu Giddi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Health state of non-volatile memory

Номер патента: US09875812B2. Автор: Christian Schneckenburger,Jan Otterstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09817596B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Durable maintenance of memory cell electric current sense window following program-erase operations to a non-volatile memory

Номер патента: US09767914B1. Автор: Wingyu Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile memory read/write disturb monitoring

Номер патента: US09711234B1. Автор: Richard H. Van Gaasbeck. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09679655B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods, circuits, devices, systems and machine executable code for reading from a non-volatile memory array

Номер патента: US09632867B2. Автор: Clifford Alan Zitlaw,Kfir Mizrachi,Ifat Nitzan KALDERON. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuit system with non-volatile memory stress suppression and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530469B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-volatile memory express (NVMe) device power management

Номер патента: US09477295B2. Автор: Austin P. Bolen,Elie Antoun Jreji,Karthik V. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile memory systems and methods of managing power of the same

Номер патента: US09465553B2. Автор: Young Joon Choi,Hyo Jin Jeong,Jae-Hyeon Ju,Han Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile memory device with an EPLI comparator

Номер патента: US09378829B2. Автор: Ifat Nitzan KALDERON,Max Steven WILLIS, III. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09349456B2. Автор: Se Jun Kim,Hea Jong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Non-volatile memory device

Номер патента: US4962484A. Автор: Naoki Mitsuishi,Masahiko Takeshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-10-09.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230082240A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods and systems of operating a neural circuit in a non-volatile memory based neural-array

Номер патента: US20230113231A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-13.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11829859B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: EP2415051A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240112736A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240127890A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Adaptive bias decoder for non-volatile memory system

Номер патента: US20240105263A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US20180151231A1. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for reducing a memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: US10147490B2. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-12-04.

Method and system for reading unknown data from non-volatile memory

Номер патента: US20240145015A1. Автор: Osama Khouri,Yves Godat. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device and method for erasing the same

Номер патента: US20150146487A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20230238069A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20240071540A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US11848061B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Non-volatile memory device with single transistor memory cell

Номер патента: US20070253247A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: WO2012089334A2. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2012-07-05.

Non-volatile memory device which utilizes a pulse applied to a bit line and/or a common source line between read operations to reduce noise

Номер патента: US11538533B2. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-27.

Physical memory region backup of a volatile memory to a non-volatile memory

Номер патента: WO2017039598A1. Автор: Melvin K. Benedict,Eric L. POPE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-09.

Local sensing of non-volatile memory

Номер патента: US20020085424A1. Автор: Balaji Srinivasan,Kerry Tedrow,Mark Bauer,Sandeep Guliani,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Memory apparatus and memory controller for accessing non-volatile memory

Номер патента: US20110113185A1. Автор: Kuo-Hua Yuan,Chao-Nan Chen. Владелец: Jmicron Tech Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Data restoration method for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010093440A2. Автор: Stephen Fung,Jeong Y. Choi. Владелец: MOSYS, INC.. Дата публикации: 2010-08-19.

Superblock size management in non-volatile memory devices

Номер патента: US12124719B2. Автор: Steven Wells,Neil Buxton. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Reducing read access latency by straddling pages across non-volatile memory channels

Номер патента: US09940034B2. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09886200B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09875036B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Hybrid memory systems for autonomous non-volatile memory save and restore operations

Номер патента: US09817610B1. Автор: Aws Shallal,Dan Kunkel. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09529543B1. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-volatile memory device and related method of operation

Номер патента: US09478295B2. Автор: Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Using non-volatile memory resources to enable a virtual buffer pool for a database application

Номер патента: US09436597B1. Автор: Vijay Karamcheti. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Non-volatile memory program algorithm device and method

Номер патента: US09431126B2. Автор: James Cheng,Xian Liu,Jong-Won Yoo,Alexander Kotov,Dmitry Bavinov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

System and method for matching resistance in a non-volatile memory

Номер патента: US7283396B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Andrea Sacco. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Data conversion with data path circuits for use in double sense amp architecture with fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US11776640B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2010117654A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US20120294091A1. Автор: Hee-Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-22.

System and method for avoiding offset in and reducing the footprint of a non-volatile memory

Номер патента: WO2006044163A3. Автор: Massimiliano Frulio,Luca Figini,Andrea Sacco,Reggiori Riccardo Riva. Владелец: Reggiori Riccardo Riva. Дата публикации: 2006-08-10.

Non-volatile memory devices and data erasing methods

Номер патента: US20240105266A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory with intentional overprogramming to improve short term data retention issue

Номер патента: US11978507B2. Автор: Liang Li,Ming Wang,Ke Zhang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-volatile memory and method for operating a non-volatile memory

Номер патента: WO2003054888A3. Автор: Engelbert Wittich. Владелец: Engelbert Wittich. Дата публикации: 2004-01-29.

Double sense amp and fractional bit assignment in non-volatile memory structures

Номер патента: US12014795B2. Автор: Minoru Yamashita,Masahiro Kano,Kyosuke Matsumoto,Yuki Fujita,Ryuji Yamashita,Kei Kitamura,Shuzo Otsuka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: EP4390928A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Non-volatile memory system with secure detection of virgin memory cells

Номер патента: US20240203518A1. Автор: Soenke Ostertun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Non-volatile memory bank with embedded inline computing logic

Номер патента: US20200381047A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Electronic device including non-volatile memory, and non-volatile memory management method thereof

Номер патента: EP4293520A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20230290414A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A2. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg. Дата публикации: 2005-03-31.

Vehicle or engine diagnostic systems with advanced non-volatile memory

Номер патента: EP1839271A1. Автор: Robert Hoevenaar,Steven Brozovich. Владелец: Snap On Tools Corp. Дата публикации: 2007-10-03.

Programming erase state as last program state during a programming cycle of a non-volatile memory structure

Номер патента: US20240290390A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Guirong Liang,Xiaoyu Che. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Circuit, system and method for encoding data to be stored on a non-volatile memory array

Номер патента: WO2005029469A3. Автор: Zeev Cohen,Alon Marcu,Meirav Raz. Владелец: Meirav Raz. Дата публикации: 2005-12-15.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210034252A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Non-volatile memory storage device and operation method thereof

Номер патента: US20100030933A1. Автор: Fuja Shone,Shih Chieh Tai,Chih Wei Tsai,Yung Li Ji,Chuang Cheng,Chih Cheng Tu. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Rapid restart protection for a non-volatile memory system

Номер патента: US20200381060A1. Автор: Vadim Khmelnitsky,Matthew J. Byom,Alexander Paley,Yuhua Liu,Muhammad N. Ashraf. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods, Devices and Systems for an Improved Management of a Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220068367A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Non-volatile memory with secure erase

Номер патента: US20240338131A1. Автор: Liang Li,Ming Wang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Non-volatile memory device, and storage apparatus to reduce a read retry occurrence frequency and prevent read performance from lowering

Номер патента: US09898201B2. Автор: Hiroshi Hirayama,Yoshihiro Oikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Systems and methods for configuring non-volatile memory

Номер патента: US09841917B2. Автор: Vadim Khmelnitsky,Nir Jacob Wakrat,Matthew J. Byom,Daniel J. Post,Kenneth L. Herman,Alexander C. Sanks. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: US09746895B2. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile memory systems with multi-write direction memory units

Номер патента: US09728262B2. Автор: Aaron Lee,Mrinal Kochar,Dennis Ea,Mikhail Palityka,Ivan Baran,Yew Yin Ng,Abhijeet Bhalerao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Coordinating replication of data stored in a non-volatile memory-based system

Номер патента: US09678673B2. Автор: Douglas L. Voigt. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-06-13.

Throttling command execution in non-volatile memory systems based on power usage

Номер патента: US09582211B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Mark Dancho. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory program failure recovery via redundant arrays

Номер патента: US09569320B2. Автор: Earl T. Cohen,Jeremy Isaac Nathaniel Werner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

File server node with non-volatile memory processing module coupled to cluster file server node

Номер патента: US09542310B2. Автор: Geoffrey S. Barrall,Christopher J. Aston,Simon L. Benham,Trevor E. Willis. Владелец: Hitachi Data Systems Engineering UK Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile memory cache performance improvement

Номер патента: US09405693B2. Автор: William J. Westerinen,Patrick L. Stemen,Dean L. DeWhitt,Therron Powell,Cenk Ergan,Michael R. Fortin,Mark Joseph Zbikowski,John M. Parchem,Michael J. Zwilling,Clark D. Nicholson,Nathan Steven Obr,Rajeev Y. Nagar,Surenda Verma,Emily Nicole Hill,Hanumantha R. Kodavalla,Daniel Teodosiu. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-08-02.

Erase verify in non-volatile memory

Номер патента: US09343160B1. Автор: Deepanshu Dutta,Shih-Chung Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-17.

Non-volatile memory devices including twisted block select lines

Номер патента: US20240379162A1. Автор: Hyunkook Park,Inmo Kim,Hanmin NAM,Seokhyeon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

Multiple temperature testing of non-volatile memory data retention time

Номер патента: US20180040384A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Michael D. Petersen,Timothy D. ROHRER. Владелец: Linear Technology Holding LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for reading a multilevel cell in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130339577A1. Автор: Chan Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Predictive Thermal Preconditioning and Timing Control for Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20110128778A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-06-02.

Predictive thermal preconditioning and timing control for non-volatile memory cells

Номер патента: US8154914B2. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-04-10.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Non-volatile memory system, mobile apparatus including the same, and method of operating the non-volatile memory system

Номер патента: US9645925B2. Автор: Byung-yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system and non-volatile memory

Номер патента: US20240094914A1. Автор: Keisuke Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Erasing method for non-volatile memory

Номер патента: US7239555B1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Kuo-Tung Wang,Yen-Lee Pan,Kuo-Hao Chu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Non-volatile memory device, method for operating the same and data storage device including the same

Номер патента: US20190103165A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Grouping and error correction for non-volatile memory cells

Номер патента: US20240168844A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method for programming non-volatile memory

Номер патента: US20050018487A1. Автор: Gelu Voicu,Carmen Stangu,Adam Cosmin. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20120039120A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Grouping and error correction for non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024112355A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Erasing non-volatile memory utilizing changing word line conditions to compensate for slower frasing memory cells

Номер патента: EP1864292A2. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Non-volatile memory that dynamically reduces the number of bits of data stored per memory cell

Номер патента: US20240220130A1. Автор: Liang Li,Jiahui Yuan,Loc Tu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of writing data to non-volatile memory

Номер патента: EP1430386A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Alan David Bennett,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Flexible and area efficient column redundancy for non-volatile memories

Номер патента: EP1700314A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Setting Durations for which Data is Stored in a Non-Volatile Memory based on Data Types

Номер патента: US20210334012A1. Автор: Steven E. Raasch,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20200192583A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Storage of an inverted index in non-volatile memory

Номер патента: US20190347207A1. Автор: Guenter Radestock,Carsten Thiel. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2019-11-14.

Vehicle or engine diagnostic systems with advanced non-volatile memory

Номер патента: CA2592564A1. Автор: Robert Hoevenaar,Steven Brozovich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Vertically stacked third-dimensional embedded re-writeable non-volatile memory and registers

Номер патента: US20110242871A1. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to ups

Номер патента: US20170168937A1. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Volatile memory to non-volatile memory interface for power management

Номер патента: US20240248620A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods, devices and systems for an improved management of a non-volatile memory

Номер патента: US12100438B2. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Maintaining quality of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US12112074B2. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Repairing compromised system data in a non-volatile memory

Номер патента: US09990255B2. Автор: Boris Balacheff,Jeffrey Kevin Jeansonne,Valiuddin Y Ali. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Redundant backup using non-volatile memory

Номер патента: US09921762B2. Автор: Jeffrey C. Solomon,Chi-She Chen,Jayesh Bhakta,Mike Hossein Amidi,Scott H. Milton. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-volatile memory module architecture to support memory error correction

Номер патента: US09891864B2. Автор: Jonathan Parry,George Pax. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Hybrid memory controller for arbitrating access to volatile and non-volatile memories in a hybrid memory group

Номер патента: US09830086B2. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Indong KIM,Sun Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Committing transaction without first flushing processor cache to non-volatile memory when connected to UPS

Номер патента: US09772942B2. Автор: John K. Langgood,Kevin Michael Reinberg,Kevin S. Vernon,Sumanta Kumar Bahali. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Power control for use of volatile memory as non-volatile memory

Номер патента: US09760147B2. Автор: Bryan Kelly,Mark Santaniello,Sriram Govindan,Anirudh Badam. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory sector rotation

Номер патента: US09588882B2. Автор: Zion S. Kwok,Scott E. Nelson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Management of a non-volatile memory module

Номер патента: US09501392B1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Threshold voltage verification method and circuit for program and erasure verification of non-volatile memory cell

Номер патента: GB2299190A. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-25.

Non-volatile memory comprising means for distorting the output of memory cells

Номер патента: US20050232021A1. Автор: Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-10-20.

Non-volatile memory with isolation latch shared between data latch groups

Номер патента: US11915769B2. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Kei Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory systems comprising non-volatile memory devices

Номер патента: US20200233739A1. Автор: Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20180025778A1. Автор: Makoto Kitagawa,Yotaro Mori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Non-volatile memory (nvm) erase operation with brownout recovery technique

Номер патента: US20120117307A1. Автор: CHEN He,Jon S. Choy,Richard K. Eguchi,Peter J. Kuhn,Richard K. Glaeser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Non-volatile memory with improved erasing operation

Номер патента: US20080186780A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

High speed multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229816A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory with isolation latch shared between data latch groups

Номер патента: US20230368852A1. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Kei Kitamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Non-volatile memory device and operating method thereoef

Номер патента: US20140164685A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

High speed multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230386568A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Reading Circuit and Method for a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190108886A1. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-04-11.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Reading circuit and method for a non-volatile memory device

Номер патента: US10593410B2. Автор: Antonino Conte,Carmelo Paolino,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-17.

Non-volatile memory devices and program methods thereof

Номер патента: US20210020256A1. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Wandong Kim,Seongjin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Non-volatile memory with supplemental select gates

Номер патента: US20170084345A1. Автор: Nian Niles Yang,Yiwei Song,Jim Fitzpatrick. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Non-volatile memory protections

Номер патента: US20210081117A1. Автор: Christopher H. Stewart,Wei Ze Liu,Rosilet Retonamoni Braduke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-03-18.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory with autonomous cycling

Номер патента: US12040031B2. Автор: Yan Li,Liang Li,Wenkai Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Scalable and configurable non-volatile memory module array

Номер патента: US20160259551A1. Автор: Zhan PING. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

Managing a transfer buffer for a non-volatile memory

Номер патента: WO2015099922A1. Автор: Knut S. Grimsrud,Anand S. Ramalingam,Jawad B. Khan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Temperature alert and low rate refresh for a non-volatile memory

Номер патента: WO2010076826A1. Автор: Emanuele Confalonieri,Daniele Ballucchi. Владелец: Daniele Ballucchi. Дата публикации: 2010-07-08.

Data storage device and non-volatile memory control method

Номер патента: US20240289269A1. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of file system design and failure recovery with non-volatile memory

Номер патента: WO2015112094A3. Автор: CHENG Chen,Jun Yang,Qingsong WEI,Chundong Wang,Mingdi XUE. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2015-11-05.

Non-volatile memory cell techniques

Номер патента: US20030218909A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method for storing information in a coded manner in non-volatile memory cells, decoding method and non-volatile memory

Номер патента: US20230223079A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-13.

WORKLOAD PRIORITIZATION FAIRNESS TECHNIQUES IN NON-VOLATILE MEMORY EXPRESS (NVMe) SYSTEMS

Номер патента: US20230106968A1. Автор: Vinay SAWAL,Jayanth Kumar Reddy Perneti,Vindhya Gangaraju. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-04-06.

Data storage system in a key-value storage architecture with data compression, and non-volatile memory control method

Номер патента: US20210303171A1. Автор: CHAO Chen,Ningzhong MIAO. Владелец: Shannon Systems Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile memory systems utilizing storage address tables

Номер патента: US09870153B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Scalable and configurable non-volatile memory module array

Номер патента: US09841904B2. Автор: Zhan PING. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile memory with efficient programming

Номер патента: US09721662B1. Автор: Chris Avila,Nian Niles Yang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Determination of demarcation voltage for managing drift in non-volatile memory devices

Номер патента: US09691492B1. Автор: Zion S. Kwok,Philip Hillier,Bruce Querbach,Christopher F. Connor,Jeffrey W. RYDEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory interface

Номер патента: US09575882B2. Автор: Robert Wipfel,David Nellans. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Writing data in a non-volatile memory of a smart card

Номер патента: US09513842B2. Автор: Michael Barthe,Geoffrey Spinau. Владелец: Morpho SA. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory devices and control methods therefor

Номер патента: US09483212B2. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Accelerating boot time zeroing of memory based on non-volatile memory (NVM) technology

Номер патента: US09477409B2. Автор: Richard P. Mangold,Raj K. Ramanujan,Rajesh M. Sankaran,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile memory packaging system with caching and method of operation thereof

Номер патента: US09424188B2. Автор: Alessandro Fin,Mike H. Amidi,Michael Rubino. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Source biasing in non-volatile memory having row-based sectors

Номер патента: US5923585A. Автор: Sau C. Wong,Hock C. So. Владелец: Invox Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states

Номер патента: US20030128586A1. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka,Yupin Fong,Khandker Quader. Владелец: Quader Khandker N.. Дата публикации: 2003-07-10.

Programming method for non-volatile memory device

Номер патента: US20090213652A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Non-volatile memory device and a method for operating the same

Номер патента: US20240004572A1. Автор: Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Data Storage System and Operating Method for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20190348083A1. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20200350019A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20210375366A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230170025A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240046991A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Three dimensional non-volatile memory with current sensing programming status

Номер патента: US20170117035A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Three dimensional non-volatile memory with power supply current sensing to determine programming status

Номер патента: WO2017070459A1. Автор: Nima Mokhlesi,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-27.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: WO2013170387A1. Автор: Steven Smith. Владелец: SIDENSE CORP.. Дата публикации: 2013-11-21.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229814A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory management in non-volatile memory

Номер патента: US11768762B2. Автор: Aleksandar Dragojevic,Tudor Alexandru DAVID. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-09-26.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230386569A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US20130308365A1. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Predictive thermal preconditioning and timing control for non-volatile memory cells

Номер патента: US8553454B2. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-10-08.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US11830554B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Mapping data to non-volatile memory

Номер патента: WO2012106255A1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

Non-Volatile Memory and Method with Power-Saving Read and Program-Verify Operations

Номер патента: US20120243332A1. Автор: Yan Li,Seungpil Lee,Siu Lung Chan. Владелец: Siu Lung Chan. Дата публикации: 2012-09-27.

Non-volatile memory and method with power-saving read and program-verify operations

Номер патента: EP1859448A1. Автор: Yan Li,Seungpil Lee,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-28.

Non-volatile memory and method with power-saving read and program-verify operations

Номер патента: EP1859448B1. Автор: Yan Li,Seungpil Lee,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-03.

Non-volatile memory device, controller and memory system

Номер патента: US20230395111A1. Автор: Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin,Kuiyon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Serial attached non-volatile memory

Номер патента: US20240134757A1. Автор: Kelvin Marino,Jinying Shen,Torry Steed,Itsik Yomorta. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Electronic circuit and method for testing and refreshing non-volatile memory

Номер патента: US6563740B2. Автор: Joseph W. Triece,Joseph A. Thomsen,Mitchel Obolsky. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-13.

Serial attached non-volatile memory

Номер патента: WO2023183133A1. Автор: Kelvin Marino,Robert Tower Frey. Владелец: SMART Modular Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Techniques for reducing read voltage threshold calibration in non-volatile memory

Номер патента: US20190348130A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Roman A. Pletka,Aaron D. Fry,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Timothy Fisher,Matt Reuter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Circuit and method for reducing write disturb in a non-volatile memory device

Номер патента: US20160180963A1. Автор: Steven Smith. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: EP1869681A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-26.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: WO2006107633A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-10-12.

Integrated power and thermal management in non-volatile memory

Номер патента: US20200409441A1. Автор: David Wagner,Reed Tidwell,Mark Hatch,Mark Hardiman. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Sense amplifier architecture for a non-volatile memory storing coded information

Номер патента: EP4210054A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-12.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Caching data from a non-volatile memory

Номер патента: US20170308478A1. Автор: Gergely KISS,Gábor Móricz,Man Cheung Joseph Yiu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Storing memory profile data of an application in non-volatile memory

Номер патента: US20190018610A1. Автор: Shridhar Prakash Joshi,Suprateeka R. Hegde. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-17.

Systems and methods for sram with backup non-volatile memory that includes mtj resistive elements

Номер патента: US20160343436A1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Data self-destruction method and system based on non-volatile memory

Номер патента: US20210373793A1. Автор: Rui CAO,Wenjing Yang,Jiezhi Chen,Yuxin GONG. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-12-02.

Differential current sense amplifier and method for non-volatile memory

Номер патента: WO2014200776A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

Optical Disk Drive Including Non-Volatile Memory and Method of Operating the Same

Номер патента: US20110317531A1. Автор: Jeon-Taek Im,Sung-Kook Bang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US09997242B2. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Programming techniques for non-volatile memories with charge trapping layers

Номер патента: US09947395B2. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in non-volatile memory

Номер патента: US09864523B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Thomas Parnell,Ioannis Koltsidas,Roman Pletka,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Circuit for adjusting a select gate voltage of a non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US09805803B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and system to obtain state confidence data using multistrobe read of a non-volatile memory

Номер патента: US09754683B2. Автор: Mark Helm,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Matthew Goldman,Nathan R. Franklin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory apparatus and on-the-fly self-adaptive read voltage adjustment method thereof

Номер патента: US09747974B2. Автор: Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Programming techniques for non-volatile memories with charge trapping layers

Номер патента: US09627046B2. Автор: Man Mui,Kenneth Louie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Systems and methods for SRAM with backup non-volatile memory that includes MTJ resistive elements

Номер патента: US09576661B2. Автор: Anirban Roy,Michael A Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatuses for securing program code stored in a non-volatile memory

Номер патента: US09542113B2. Автор: Chen Chun HUANG,Kuo En HSU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Write operation with immediate local destruction of old content in non-volatile memory

Номер патента: US09436594B2. Автор: Laszlo Hars. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatuses for securing program code stored in a non-volatile memory

Номер патента: US09430408B2. Автор: Chen Chun HUANG,Kuo En HSU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Controller-opaque communication with non-volatile memory devices

Номер патента: US09348774B2. Автор: Earl T. Cohen,Leonid Baryudin,Gordon James Coleman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-24.

Methods for Improved Program-Verify Operations in Non-Volatile Memories

Номер патента: US20070230250A1. Автор: Siu Chan. Владелец: Chan Siu L. Дата публикации: 2007-10-04.

Circuit for performing auto-verifying program on non-volatile memory device

Номер патента: US6049480A. Автор: Seung-Ho Chang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-11.

Non-volatile memory array using gate breakdown structure in standard sub 0.35 micron CMOS process

Номер патента: US6044012A. Автор: Martin L. Voogel,Kameswara K. Rao,James Karp,Shahin Toutounchi. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Variable current sinking for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005073977A2. Автор: Daniel C. Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-08-11.

Bias conditions for repair, program and erase operations of non-volatile memory

Номер патента: US6160737A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

EP cycling dependent asymmetric/symmetric VPASS conversion in non-volatile memory structures

Номер патента: US11894081B2. Автор: Ken Oowada,Yu-Chung Lien,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Apparatus and method for programming and verifying data in non-volatile memory device

Номер патента: US11894076B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Reading reference current automatic regulation circuit of non-volatile memory

Номер патента: US11205491B1. Автор: LIANG Hong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Non-volatile memory with plane independent screening

Номер патента: US11862256B2. Автор: Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Non-volatile memory sub-block erasure disturb management scheme

Номер патента: US20180374551A1. Автор: Xinde Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Memory system having a non-volatile memory and a controller configured to switch a mode for controlling an access operation to the non-volatile memory

Номер патента: US11790993B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US11972795B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Verification of a weight stored in a non-volatile memory cell in a neural network following a programming operation

Номер патента: US20230206026A1. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Erase method of non-volatile memory device

Номер патента: US11783900B2. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20050166004A1. Автор: Fabrizio Campanale,Gijs Van Steenwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: EP4273866A2. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: EP4273866A3. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Apparatus and method of detecting potential security violations of direct access non-volatile memory device

Номер патента: US20200327258A1. Автор: Ariel Navon,Shay Benisty,Alon Marcu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Non-volatile memory devices and systems with volatile memory features and methods for operating the same

Номер патента: EP3785267A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Non-volatile memory with plane independent screening

Номер патента: WO2023163730A1. Автор: Shota Murai,Hideto Tomiie. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Non-volatile memory integrated with artificial intelligence system for preemptive block management

Номер патента: US20230315330A1. Автор: Liang Li,Xuan Tian,Loc Tu,Yinfeng YU. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for balancing data access to non-volatile memory

Номер патента: US20050273547A1. Автор: WEI Han,David Ho,Tony Tsai. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Ep cycling dependent asymmetric/symmetric vpass conversion in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230282295A1. Автор: Ken Oowada,Yu-Chung Lien,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP1502202A1. Автор: F. Philips Int.Property & Standards Gmbh CAMPANALE,G. Philips Int.Prop.& Standards Gmbh VAN STEENWIJK. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-02-02.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during program verify for improved program performance

Номер патента: US20170352430A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Non-volatile memory with sub-blocks

Номер патента: WO2024107517A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile memory structure with single cell or twin cell sensing

Номер патента: US20240177770A1. Автор: Bipul C. Paul,Chandrahasa Reddy Dinnipati. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Algorithms and circuitry for verifying a value stored during a programming operation of a non-volatile memory cell in an analog neural memory in deep learning artificial neural network

Номер патента: EP4280113A3. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Non-volatile memory cell with BTBT programming

Номер патента: US8194468B2. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Memory system having a non-volatile memory and a controller configured to switch a mode for controlling an access operation to the non-volatile memory

Номер патента: US20230402100A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Riki SUZUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-volatile memory with sub-blocks

Номер патента: US20240161828A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Improved safety and correctness data reading and programming in a non-volatile memory device

Номер патента: US20210407608A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of reading data in non-volatile memory device, and device thereof

Номер патента: US20120033502A1. Автор: Jae Hong Kim,Kyoung Lae Cho,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-09.

Non-volatile memory and testing method with yield improvement

Номер патента: US20200160933A1. Автор: Wein-Town Sun. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Non-Volatile Memory Cell with BTBT Programming

Номер патента: US20110255348A1. Автор: Andrew E. Horch. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007030399A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-15.

Non-volatile memory element

Номер патента: US20060198213A1. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Bitline voltage regulation in non-volatile memory

Номер патента: WO2014022281A1. Автор: Evrim Binboga. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-02-06.

Non-volatile memory with customized control of injection type of disturb during read operations

Номер патента: EP3420555A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Circuit for controlling the potential difference between the substrate and the control gate of non-volatile memory and its control method

Номер патента: US20010012218A1. Автор: Ta-Lee Yu,Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Interrupt-responsive non-volatile memory system and method

Номер патента: WO2006138522A2. Автор: Stephane Lavastre,Kiernan Heffernan,Patrick Crowe. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2006-12-28.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20180095678A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Non-volatile memory with access control circuit for secure boot of an electronic device

Номер патента: US20230385420A1. Автор: Vincent Berthelot. Владелец: STMicroelectronics Grand Ouest SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and a circuit architecture for testing an integrate circuit comprising a programmable, non-volatile memory

Номер патента: US20010015925A1. Автор: Albino Pidutti,Paolo Sandri,Alessandro Camera,Ignazio Bellomo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-23.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus, system, and method of sequencing, shadowing, and queuing operations in a non-volatile storage memory

Номер патента: US09965193B2. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Read operation for a non-volatile memory

Номер патента: US09478292B2. Автор: Robert Wood,Jea Hyun,Hairong Sun. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Controller for controlling non-volatile memory and semiconductor device including the same

Номер патента: US09465747B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of programming memory cells for a non-volatile memory device

Номер патента: US8446776B2. Автор: Sang-Won Hwang,Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-21.

Gate voltage regulation system for a non volatile memory cells and a programming and soft programming phase

Номер патента: EP1453059A1. Автор: Ignazio Martines,Davide Torrisi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2004-09-01.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and electronic equipment having a non-volatile memory with a security function

Номер патента: US6088262A. Автор: Hiroaki Nasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Non-volatile memory with countermeasure for over programming

Номер патента: WO2020231472A1. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Programming a non-volatile memory device

Номер патента: US7738295B2. Автор: June Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-15.

Programming selection devices in non-volatile memory strings

Номер патента: US20190392893A1. Автор: Xiang Yang,Jin Liu,Yanli Zhang,Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao,Huai-Yuan Tseng,Zhongguang Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Management of non-volatile memory

Номер патента: US20140269074A1. Автор: Chun Hsiung Hung,Han-Sung Chen,Hsin Yi Ho,Shuo-Nan Hung,Shih-Chou Juan,Lung Yi Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US20240029814A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Improved non-volatile memory device

Номер патента: WO2014122601A1. Автор: Ifat Nitsan KALDERON,Max Steven WILLIS III. Владелец: SPANSION LLC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US11804280B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190325974A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US20190371420A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20230197128A1. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US20180005699A1. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US10325662B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Reduced current program verify in non-volatile memory

Номер патента: EP3257048A1. Автор: Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-20.

Non-volatile memory with tuning of erase process

Номер патента: WO2023235115A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Non-volatile memory with efficient testing during erase

Номер патента: US20230059837A1. Автор: Ramkumar Subramanian,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Non-volatile memory with concurrent sub-block programming

Номер патента: US20230343395A1. Автор: Liang Li,Ke Zhang,Jiahui Yuan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Non-volatile memory with countermeasure for over programming

Номер патента: US20200365221A1. Автор: Xiang Yang,Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Non-volatile memory cell and non-volatile memory cell array

Номер патента: US11972800B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chih-Chun Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Semiconductor integrated circuit and method for writing into non-volatile memory incorporated therein

Номер патента: US20020018371A1. Автор: Hiroaki Nasu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Boot method for embedded system including first and second baseboard management controller (BMC) and operating system (OS) image file using shared non-volatile memory module

Номер патента: US11847467B2. Автор: Chien-Chung Wang,Heng-Chia Hsu,Chen-Yin Lin,Yu-Shu Yeh,Chin-Hung TAN. Владелец: Mitac Computing Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Memory plane structure for ultra-low read latency applications in non-volatile memories

Номер патента: WO2021086435A1. Автор: Hiroki Yabe,Koichiro Hayashi,Toru Miwa,Kazuki Yamauchi,Yuki Fujita,Naoki Ookuma,Takuya Ariki,Masahito Takehara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Multi time program device with power switch and non-volatile memory

Номер патента: US20230070554A1. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Accelerated testing method and circuit for non-volatile memory

Номер патента: US6445614B1. Автор: Wen-Jer Tsai,Nian-Kai Zous,Ta-Hui Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-03.

Non-volatile memory with concurrent sub-block programming

Номер патента: WO2023205322A1. Автор: Liang Li,Ke Zhang,Jiahui Yuan. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-10-26.

Non-volatile memory and memory sector thereof

Номер патента: US20200365200A1. Автор: Chun-Hung Lin,Cheng-Da Huang,Yu-Ping Huang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Non-volatile memory device and corresponding operating method with stress reduction

Номер патента: US20160351264A1. Автор: Maria GIAQUINTA,Alfredo Signorello,Francesca Grande,SantiNunzioAntonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20130088919A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20200234746A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20210327477A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Low standby power with fast turn on for non-volatile memory devices

Номер патента: WO2017040071A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk,Roger Jay Bettman. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-09.

Non-volatile memory with tuning of erase process

Номер патента: US20230395157A1. Автор: Yi Song,Yanjie Wang,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Reduced current program verify in non-volatile memory

Номер патента: WO2016130193A1. Автор: Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-18.

Method and apparatus for programming/erasing a non-volatile memory

Номер патента: EP1934985A2. Автор: Martin L. Niset,Andrew W. Hardell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-06-25.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: US20210350862A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Non-volatile memory with efficient testing during erase

Номер патента: EP4388534A1. Автор: Ramkumar Subramanian,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US12019868B2. Автор: Shizuka SEKIGAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory wth loop dependant ramp-up rate

Номер патента: US20240233826A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Superblock-based write management in non-volatile memory devices

Номер патента: US20230289078A1. Автор: Steven Wells,Neil Buxton,Nigel Horspool,Paul Suhler,Mohinder Saluja. Владелец: Kioxia America Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for controlling a non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US20040052112A1. Автор: Shih-Jye Shen,Yen-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Superblock-based write management in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240264758A1. Автор: Steven Wells,Neil Buxton,Nigel Horspool,Paul Suhler,Mohinder Saluja. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Cooperative interconnection and operation of a non-volatile memory card and an input-output card

Номер патента: WO2002019266A3. Автор: Robert C Miller,Yoram Cedar,Robert F Wallace,Wesley G Brewer,Leonard L Ott,Kevin J Mills,Michael L Gifford. Владелец: Socket Communications Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Dynamic interference compensation for soft decoding in non-volatile memory storage devices

Номер патента: US12087362B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Avi STEINER,Kenji Sakurada,Eyal Nitzan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Device and method to generate bias voltages in non-volatile memory

Номер патента: US12094542B2. Автор: Vikas RANA,Neha DALAL. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-17.

Firmware interface with backup non-volatile memory storage

Номер патента: US09703346B2. Автор: Robert C. Swanson,Vincent J. Zimmer,Karunakara Kotary,Giri P. Mudusuru,Ronald N. STORY,Isaac W. ORAM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory write mechanism

Номер патента: US09665496B2. Автор: Terry Ping-Chung Lee,Xinlai Yu. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-05-30.

Test partitioning for a non-volatile memory

Номер патента: US09472285B2. Автор: Matthew J. Byom,Nir J. Wakrat,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5818760A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-10-06.

Non-volatile memory serial number lock for electronic postage meter

Номер патента: CA1193728A. Автор: Edward C. Duwel,John H. Godenberg. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1985-09-17.

Using non-volatile memory resources to enable a virtual buffer pool for a database application

Номер патента: US8176233B1. Автор: Vijay Karamcheti. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2012-05-08.

Non-volatile memory system or sub-system

Номер патента: US11550381B2. Автор: Robert Nasry Hasbun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: WO2007130187A3. Автор: Samuel Schlesinger,James E Rickels. Владелец: James E Rickels. Дата публикации: 2008-04-24.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5659501A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-08-19.

Non-volatile memory array controller capable of controlling memory banks having variable bit widths

Номер патента: US5630099A. Автор: James R. Macdonald,Douglas D. Gephardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method for refreshing a non-volatile memory

Номер патента: EP2016589A2. Автор: Samuel Schlesinger,James E. Rickels. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

On-chip randomly self-programmable non-volatile memory architecture

Номер патента: WO1996021225A1. Автор: Richard J. Takahashi. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-07-11.

Non-volatile memory refresh control circuit

Номер патента: US4218764A. Автор: Yukio Furuta,Tomisaburo Okumura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-19.

Method and device for supplying negative programming voltages to non-volatile memory cells in a non-volatile memory device

Номер патента: US5528536A. Автор: Livio Baldi,Federico Pio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-06-18.

Method for controlling program verify operations of a non-volatile memory and a corresponding circuit thereof

Номер патента: US10553297B2. Автор: Stefano Sivero,Alessandro Sanasi,Chiara Missiroli. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-04.

Non-volatile memory device and associated programming method

Номер патента: US20080235451A1. Автор: Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-25.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US11314422B2. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Refresh architecture and algorithm for non-volatile memories

Номер патента: WO2011067795A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi. Владелец: Roberto Gastaldi. Дата публикации: 2011-06-09.

Coherency management for volatile and non-volatile memory in a through-silicon via (tsv) module

Номер патента: US20170308309A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Adam J. McPadden,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Optimization of reference voltages in a non-volatile memory (NVM)

Номер патента: US11901013B2. Автор: Stacey Secatch,Jonathan Henze. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Zero read on trimmed blocks in a non-volatile memory system

Номер патента: WO2017058301A1. Автор: Vered Kelner,Gadi Vishne,Ravit KRAYF. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Non-volatile memory device

Номер патента: US11797039B2. Автор: Marco Passerini,Giovanni Bellotti. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20180108413A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-19.

Non-volatile memory storage for multi-channel memory system

Номер патента: US20240020024A1. Автор: Hyun Lee. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

System and method for fast secure destruction or erase of data in a non-volatile memory

Номер патента: WO2017209815A1. Автор: Amir Shaharabany,Yacov Duzly,Liron Sheffi,Yuval Kenan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Memory system and method of controlling non-volatile memory

Номер патента: US20220076772A1. Автор: Tokumasa Hara,Itaru HIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Method and apparatus for programming and testing a non-volatile memory cell for storing multibit states

Номер патента: US20040085812A1. Автор: Jack Frayer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Memory access system comprising volatile memory, non-volatile memory, processor, and programmable logic device and memory access method thereof

Номер патента: US11720260B2. Автор: Ching-Sheng Chuang. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Systems and Methods for Utilizing Wear Leveling Windows with Non-Volatile Memory Systems

Номер патента: US20160335178A1. Автор: Leena Patel. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Data Storage Device and Method for Operating Non-Volatile Memory

Номер патента: US20190018598A1. Автор: Ying-Chun Hung. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US20110141839A1. Автор: Youjip Won. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Device and method for protecting data in non-volatile memory

Номер патента: US8446795B2. Автор: Youjip Won. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2013-05-21.

Device and Method for Protecting Data in Non-Volatile Memory

Номер патента: US20130235690A1. Автор: Youjip Won. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2013-09-12.

Method and apparatus for high speed cache flushing in a non-volatile memory

Номер патента: US20130024623A1. Автор: Robert Alan Reid. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

System and method for managing a non-volatile memory

Номер патента: US20120311233A1. Автор: Michael KATZ,Hanan Weingarten. Владелец: Densbits Technologies Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Smart charge pump configuration for non-volatile memories

Номер патента: US20130265828A1. Автор: Ross S. Scouller,Jeffrey C. Cunningham,Karthik Ramanan,Ronald J. Syzdek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Method and apparatus for writing data to a non-volatile memory

Номер патента: EP1514176A2. Автор: Fabrizio Camapanale. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-03-16.

Method for managing a fail row of the memory plane of a non volatile memory and corresponding memory device

Номер патента: US9875798B2. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-01-23.

Microcontroller architecture for non-volatile memory

Номер патента: US20190179573A1. Автор: Yan Li,Hiroyuki Mizukoshi,Tai-Yuan Tseng,Chi-Lin Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for Managing a Fail Row of the Memory Plane of a Non Volatile Memory and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20170162264A1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US20230384969A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for operating a non-volatile memory

Номер патента: US20030142548A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Gary Hong,Chih-Jen Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Storage method, data processing method, device and apparatus based on non-volatile memory

Номер патента: US20220244872A1. Автор: Feng Zhang,Zhisheng CHEN,Qiang Huo,Qirui REN. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for concealed storage of confidential data in secure non-volatile memory and device therefor

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel Use of Integrated Non-Volatile Memory and Main Volatile Memory within a Mobile Device

Номер патента: US20120004011A1. Автор: CHUN Christopher Kong Yee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.