Etching apparatus, method for measuring self-bias voltage, and method for monitoring etching apparatus
Номер патента: US7330346B2
Опубликовано: 12-02-2008
Автор(ы): Akira Kagoshima, Daisuke Shiraishi, Hideyuki Yamamoto, Shoji Ikuhara
Принадлежит: Hitachi High Technologies Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-02-2008
Автор(ы): Akira Kagoshima, Daisuke Shiraishi, Hideyuki Yamamoto, Shoji Ikuhara
Принадлежит: Hitachi High Technologies Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Wafer etching apparatus and method for controlling etch bath of wafer
Номер патента: US20150380323A1. Автор: Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Chih-shen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.