Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (b-tran)
Номер патента: US20220077852A1
Опубликовано: 10-03-2022
Автор(ы): Alireza MOJAB
Принадлежит: Ideal Power Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-03-2022
Автор(ы): Alireza MOJAB
Принадлежит: Ideal Power Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and system of operating a bi-directional double-base bipolar junction transistor (B-TRAN)
Номер патента: US11804835B2. Автор: Alireza MOJAB. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2023-10-31.