Photoresist polymer for immersion lithography and photoresist composition comprising the same
Номер патента: KR100732300B1
Опубликовано: 25-06-2007
Автор(ы): 문승찬, 복철규, 임창문, 정재창
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-06-2007
Автор(ы): 문승찬, 복철규, 임창문, 정재창
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Photoresist Polymer for Top-surface Imaging Process by Silylation and Photoresist Composition Containing the Same
Номер патента: KR100506882B1. Автор: 정재창,이근수,백기호,공근규,고차원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-08.