METHOD OF FABRICATING HEXAGONAL BORON NITRIDE
Номер патента: US20210066069A1
Опубликовано: 04-03-2021
Автор(ы): HONG Seokmo, LEE Changseok, MA Kyungyeol, SHIN Hyeonjin, SHIN Hyeonsuk
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-03-2021
Автор(ы): HONG Seokmo, LEE Changseok, MA Kyungyeol, SHIN Hyeonjin, SHIN Hyeonsuk
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming a single-crystal hexagonal boron nitride layer and a transistor
Номер патента: TWI737171B. Автор: 曾建智,李連忠,褚志彪,張文豪,陳則安,溫詔凱. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-08-21.