近零厚度纳米孔制备及dna测序方法
Номер патента: CN111440855A
Опубликовано: 24-07-2020
Автор(ы): 何石轩, 周大明, 王德强
Принадлежит: Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-07-2020
Автор(ы): 何石轩, 周大明, 王德强
Принадлежит: Chongqing Institute of Green and Intelligent Technology of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Dna sequencing detection field effect transistor
Номер патента: US20170114402A1. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.