Memory with Margin Current Addition and Related Methods
Номер патента: US20180068721A1
Опубликовано: 08-03-2018
Автор(ы): CALVETTI Emanuela, CARISSIMI Marcella, PASOTTI Marco
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-03-2018
Автор(ы): CALVETTI Emanuela, CARISSIMI Marcella, PASOTTI Marco
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Sense amplifier employing control circuitry for decoupling resistive memory sense inputs during state sensing to prevent current back injection, and related methods and systems
Номер патента: EP3092645A1. Автор: Wenqing Wu,Venkatasubramanian Narayanan,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-16.